Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактJFET транзисторы(828)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Напряжение - номинальное | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Рабочая температура (мин) | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Дата проведения проверки исходного URL | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Напряжение проба | Мощность - Макс. | Самый высокий частотный диапазон | Код JEDEC-95 | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Напряжение — отсечка (VGS выключена) @ Id | Напряжение – проба (В(BR)GSS) | Текущее потребление (Id) — Макс. | Ток-Сток (Idss) @ Vds (Vgs=0) | Сопротивление - RDS(Вкл.) | Прирост мощности-мин (Гп) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PMBFJ174 215 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/nxpusainc-pmbfj175215-datasheets-3700.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | EAR99 | 8541.21.00.95 | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | MBFJ174 | 3 | 40 | 1 | Малый сигнал общего назначения на левом транзисторе | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 0,3 Вт | 30 В | СОЕДИНЕНИЕ | 300мВт | 85Ом | P-канал | 8пФ при 10В ВГС | 5 В при 10 нА | 30 В | 20 при мА 15 В | 85Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н5460 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~135°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-2n5462-datasheets-3526.pdf | -40В | 10 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 5,21 мм | 5,33 мм | 4,19 мм | Без свинца | 201мг | Нет СВХК | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | 350 мВт | 2Н5460 | Одинокий | 350 мВт | ТО-92-3 | 7пФ | 3мА | 40В | 40В | 40В | 350 мВт | P-канал | 7пФ при 15В | 750 мВ при 1 мкА | 40В | 1 при мА 15 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБФ4392LT1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-smmbf4391lt1g-datasheets-3908.pdf | 30 В | 50 мА | СОТ-23-3 | Содержит свинец | 3 | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 3 дня назад) | нет | EAR99 | не_совместимо | 8541.21.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | 225 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3 | 150°С | Одинокий | 30 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | 14пФ | 30 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 30 В | СОЕДИНЕНИЕ | 60Ом | 30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PN4392 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Сквозное отверстие | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/onsemiconductor-pn4392d27z-datasheets-3577.pdf | 30 В | 75 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | Без свинца | 201мг | Нет СВХК | 3 | 625 МВт | 2Н4392 | Одинокий | 625 МВт | 50 мА | -30В | 30 В | -30В | 60Ом | N-канал | 14пФ при 20В | 2 В при 1 нА | 25 при мА 20 В | 60Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5461 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~135°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-2n5462d27z-datasheets-3382.pdf | 10 В | 10 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 5,2 мм | 5,33 мм | 4,19 мм | Без свинца | 201мг | Нет СВХК | 3 | УСТАРЕЛО (Последнее обновление: 1 неделю назад) | 350 мВт | 2N5461 | Одинокий | 350 мВт | ТО-92-3 | 7пФ | 10 мА | 40В | 40В | 40В | 350 мВт | P-канал | 7пФ при 15В | 1 В @ 1 мкА | 40В | 2 при мА 15 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБФ4416LT1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 30 В | РЕЖИМ Истощения | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mmbf4416lt1-datasheets-1459.pdf | 30 В | 10 мА | СОТ-23-3 | Содержит свинец | 3 | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | нет | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3 | 150°С | Одинокий | 30 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | 30 В | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 0,225 Вт | 30 В | СОЕДИНЕНИЕ | СВЕРХВЫСОКАЯ ЧАСТОТА Б | 0,8 пФ | 30 В | 10 дБ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБФУ310ЛТ1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 150°С | РЕЖИМ Истощения | Не соответствует требованиям RoHS | 2010 год | /files/onsemiconductor-mmbfu310lt1g-datasheets-0402.pdf | 25 В | 10 мА | СОТ-23-3 | Содержит свинец | 3 | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | нет | EAR99 | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | 225 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3 | Одинокий | 30 | 225 МВт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | 5пФ | 25 В | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 25 В | СОЕДИНЕНИЕ | СВЕРХВЫСОКАЯ ЧАСТОТА Б | 25 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MMBFJ309LT1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 150°С | 25 В | РЕЖИМ Истощения | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mmbfj309lt1-datasheets-1470.pdf | 25 В | 30 мА | СОТ-23-3 | Содержит свинец | 3 | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | нет | EAR99 | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3 | Одинокий | 30 | 225 МВт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | 10 мА | 25 В | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 25 В | СОЕДИНЕНИЕ | СВЕРХВЫСОКАЯ ЧАСТОТА Б | 2,5 пФ | 25 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБФ5484LT1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mmbf5484lt1g-datasheets-3573.pdf | 25 В | 10 мА | СОТ-23-3 | Содержит свинец | 3 | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | нет | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 225 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3 | 150°С | -55°С | Одинокий | 30 | 200мВт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | 5пФ | 25 В | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 25 В | СОЕДИНЕНИЕ | 1 пФ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| J175 | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует ROHS3 | /files/rochesterelectronicsllc-j176-datasheets-0890.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 3 | да | неизвестный | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | НЕТ | НИЖНИЙ | НЕПРИГОДНЫЙ | 3 | НЕПРИГОДНЫЙ | 1 | КОММЕРЧЕСКИЙ | О-PBCY-T3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | СОЕДИНЕНИЕ | 350 мВт | 125 Ом | P-канал | 5,5 пФ при 10 В ВГС | 3 В при 10 нА | 30 В | 7 при мА 15 В | 125 Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБФ5460LT1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mmbf5460lt1g-datasheets-3483.pdf | -40В | -10 мА | СОТ-23-3 | Содержит свинец | 3 | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | нет | EAR99 | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 225 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3 | 150°С | Одинокий | 30 | 200мВт | 1 | Малый сигнал общего назначения на левом транзисторе | Не квалифицирован | 7пФ | 40В | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | П-КАНАЛ | СОЕДИНЕНИЕ | 2 пФ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MX2N5114 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 3 | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | EAR99 | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | 3 | Одинокий | Не квалифицирован | 30 В | 500мВт | P-канал | 25пФ при 15В | 10 В при 1 нА | 90 при мА 18 В | 75Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БФТ46 215 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/nxpusainc-bft46215-datasheets-1197.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | 8 недель | EAR99 | 8541.21.00.95 | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | БФТ46 | 3 | 40 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | 0,25 Вт | 25 В | 25 В | СОЕДИНЕНИЕ | 250мВт | 1,5 пФ | N-канал | 5пФ @ 10В | 1,2 В при 0,5 нА | 10 мА | 200 мкА при 10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BSR58,215 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/nxpusainc-bsr58215-datasheets-4376.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | EAR99 | 8541.21.00.95 | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | БСР58 | 3 | 40 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 0,225 Вт | 40В | СОЕДИНЕНИЕ | 250мВт | 0,005А | 60Ом | 5 пФ | N-канал | 800 мВ при 0,5 нА | 40В | 8 при мА 15 В | 60Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PMBFJ110,215 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/nxpusainc-pmbfj110215-datasheets-1244.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | 8 недель | EAR99 | 8541.21.00.95 | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | MBFJ110 | 3 | 40 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 0,25 Вт | 25 В | СОЕДИНЕНИЕ | 250мВт | ТО-236АБ | 18Ом | 15 пФ | N-канал | 30 пФ при 10 В ВГС | 4 В @ 1 мкА | 25 В | 10 при мА 15 В | 18Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| J113,126 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/nxpusainc-j111126-datasheets-1134.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 3 | EAR99 | неизвестный | 8541.21.00.95 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | J113 | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-PBCY-T3 | 2013-06-14 00:00:00 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 0,4 Вт | 40В | СОЕДИНЕНИЕ | 400мВт | 100Ом | N-канал | 6пФ при 10В ВГС | 500 мВ @ 1 мкА | 40В | 2 при мА 15 В | 100Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PF53012 | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | ТО-92-3 | N-канал | 1,7 В при 1 нА | 30 В | 30 мкА при 10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BSR56,215 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/nxpusainc-bsr58215-datasheets-4376.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | EAR99 | 8541.21.00.95 | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | БСР56 | 3 | 40 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 0,3 Вт | 40В | СОЕДИНЕНИЕ | 250мВт | 25Ом | 5 пФ | N-канал | 4 В @ 0,5 нА | 40В | 20 мА | 50 при мА 15 В | 25Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PMBFJ112,215 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/nxpusainc-pmbfj113215-datasheets-3741.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | EAR99 | 8541.21.00.95 | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | MBFJ112 | 3 | 40 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 0,3 Вт | 40В | СОЕДИНЕНИЕ | 300мВт | ТО-236АБ | 50Ом | N-канал | 6пФ при 10В ВГС | 5 В @ 1 мкА | 40В | 5 при мА 15 В | 50Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 175 116 иен | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/nxpusainc-j174126-datasheets-2548.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 3 | EAR99 | неизвестный | 8541.21.00.95 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | J175 | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Малый сигнал общего назначения на левом транзисторе | Не квалифицирован | O-PBCY-W3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 0,4 Вт | 30 В | СОЕДИНЕНИЕ | 400мВт | 125 Ом | P-канал | 8пФ при 10В ВГС | 3 В при 10 нА | 30 В | 7 при мА 15 В | 125 Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| J112,126 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/nxpusainc-j111126-datasheets-1134.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 3 | EAR99 | неизвестный | 8541.21.00.95 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | J112 | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-PBCY-T3 | 2013-06-14 00:00:00 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 0,4 Вт | 40В | СОЕДИНЕНИЕ | 400мВт | 50Ом | N-канал | 6пФ при 10В ВГС | 1 В @ 1 мкА | 40В | 5 при мА 15 В | 50Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МВ2Н4857УБ | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 32 недели | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МВ2Н4392УБ | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МВ2Н4856 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/385 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 3 | 30 недель | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | нет | EAR99 | Нет | 8541.21.00.95 | е0 | Оловянный свинец | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | 3 | Одинокий | 1 | -40В | КРЕМНИЙ | СОЕДИНЕНИЕ | 360мВт | 25Ом | 8 пФ | N-канал | 18пФ @ 10В | 10 В при 500 пА | 40В | 175 мА при 15 В | 25Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПМБФ4392,215 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/nxpusainc-pmbf4391215-datasheets-0513.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | EAR99 | 8541.21.00.95 | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | МБФ4392 | 3 | 40 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 0,25 Вт | 40В | СОЕДИНЕНИЕ | 250мВт | 0,006А | 60Ом | 3,5 пФ | N-канал | 14пФ при 20В | 2 В при 1 нА | 40В | 25 при мА 20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 30 235 британских франков | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/nxpusainc-bfr30215-datasheets-1182.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 8 недель | БФР30 | 3 | 2013-06-14 00:00:00 | 25 В | 250мВт | N-канал | 4пФ @ 10В | 5 В при 0,5 нА | 10 мА | 4 при мА 10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PMBFJ111 215 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/nxpusainc-pmbfj113215-datasheets-3741.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | EAR99 | 8541.21.00.95 | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | MBFJ111 | 3 | 40 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 0,3 Вт | 40В | СОЕДИНЕНИЕ | 300мВт | ТО-236АБ | 30Ом | N-канал | 6пФ при 10В ВГС | 10 В @ 1 мкА | 40В | 20 при мА 15 В | 30Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПМБФ4393,215 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/nxpusainc-pmbf4391215-datasheets-0513.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | 8 недель | EAR99 | 8541.21.00.95 | е3 | ИНН (СН) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | МБФ4393 | 3 | 40 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 0,25 Вт | 40В | СОЕДИНЕНИЕ | 250мВт | 0,003А | 100Ом | 3,5 пФ | N-канал | 14пФ при 20В | 500 мВ при 1 нА | 40В | 5 при мА 20 В | 100Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5116JTVL02 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 13 недель | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 30 215 британских франков | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/nxpusainc-bfr30215-datasheets-1182.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | 8 недель | EAR99 | 8541.21.00.95 | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | БФР30 | 3 | 40 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | 0,3 Вт | 25 В | 25 В | СОЕДИНЕНИЕ | 250мВт | 1,5 пФ | N-канал | 4пФ @ 10В | 5 В при 0,5 нА | 10 мА | 4 при мА 10 В |
