Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМассивы МОП-транзисторов(4365)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Максимальный переход температуры (Tj) | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Максимальное двойное напряжение питания | Двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Пороговое напряжение | Мощность - Макс. | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MCH6605-TL-E | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/rochesterelectronicsllc-mch6605tle-datasheets-3362.pdf | 6-SMD, плоские выводы | 6-MCPH | 50В | 800мВт | 2 P-канала (двойной) | 6,2 пФ при 10 В | 22 Ом при 40 мА, 10 В | 140 мА | 1,32 НК при 10 В | Ворота логического уровня, привод 4 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФГ6943010Р | Электронные компоненты Panasonic | 1,34 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/panasonicelectroniccomComponents-fg6943010r-datasheets-3046.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 1,6 мм | 500 мкм | 1,2 мм | 6 | 10 недель | Нет СВХК | 6 | EAR99 | неизвестный | 8541.21.00.95 | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | 125 МВт | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | ФГ694301 | Двойной | НЕ УКАЗАН | 2 | 12пФ | 100 нс | 100 нс | 100 мА | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1В | 0,1 А | 2Ом | -30В | N и P-канал | 1 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTGD4167CT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-ntgd4167ct1g-datasheets-2992.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 3,1 мм | 1 мм | 1,7 мм | Без свинца | 6 | 4 недели | Нет СВХК | 90МОм | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДА | 900мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | NTGD4167C | 6 | Двойной | 1,1 Вт | 2 | Другие транзисторы | 8 нс | 8нс | 8 нс | 22 нс | 2,6А | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 900 мВ | 30В | N и P-канал | 295пФ при 15В | 90 мОм при 2,6 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 2,6 А 1,9 А | 5,5 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTMD3N08LR2 | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | /files/rochesterelectronicsllc-ntmd3n08lr2-datasheets-3393.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | нет | СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | е0 | Оловянный свинец | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 8 | 30 | 1 | КОММЕРЧЕСКИЙ | Р-ПДСО-G8 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 80В | 80В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3,1 Вт | 2,3А | 25А | 0,215 Ом | 25 мДж | 2 N-канала (двойной) | 480пФ при 25В | 215 мОм при 2,5 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 2,3А | 15 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDY3000NZ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-fdy3000nz-datasheets-3395.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 1,6 мм | 700 мкм | 1,2 мм | Без свинца | 6 | 10 недель | 32мг | Нет СВХК | 700МОм | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 23 часа назад) | да | EAR99 | ЗАЩИТА ОТ ЭСР | Нет | е3 | Олово (Вс) | 625 МВт | ПЛОСКИЙ | 2 | Двойной | 625 МВт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 150°С | 6 нс | 8нс | 8 нс | 8 нс | 600 мА | 12 В | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1В | 446 МВт | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 60пФ при 10В | 1 В | 700 мОм при 600 мА, 4,5 В | 1,3 В @ 250 мкА | 1,1 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTJD4152PT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/onsemiconductor-ntjd4152pt1g-datasheets-3403.pdf | -20В | -880мА | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 2,1844 мм | 990,6 мкм | 1,3462 мм | Без свинца | 6 | 11 недель | Нет СВХК | 215МОм | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 23 часа назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДА | 272 МВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | NTJD4152P | 6 | Двойной | 40 | 272 МВт | 2 | Другие транзисторы | 5,8 нс | 6,5 нс | 6,5 нс | 13,5 нс | 880 мА | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -1,2 В | 0,88А | -20В | 2 P-канала (двойной) | 155пФ при 20В | 260 мОм при 880 мА, 4,5 В | 1,2 В @ 250 мкА | 2,2 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTMC1300R2 | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | /files/rochesterelectronicsllc-ntmc1300r2-datasheets-3419.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | неизвестный | е0 | Оловянный свинец | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 8 | 2 | КОММЕРЧЕСКИЙ | Р-ПДСО-G8 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 30В | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 Вт | 2,2А | 8,5 А | 0,09 Ом | 75 мДж | N и P-канал | 300пФ при 20В | 90 мОм при 3 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 2,2 А 1,8 А | 5нК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BSD840NH6327XTSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/infineontechnologies-bsd840nh6327xtsa1-datasheets-3421.pdf | 6-ВССОП, СК-88, СОТ-363 | 2 мм | 1 мм | 1,25 мм | Без свинца | 6 | 10 недель | 6 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ НОМИНАЛЬНЫЙ, СОВМЕСТИМЫЙ С ЛОГИЧЕСКИМ УРОВНЕМ | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | 500мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | БСД840 | 6 | 2 | НЕ УКАЗАН | 500мВт | 2 | 150°С | 1,9 нс | 2,2 нс | 7,8 нс | 880 мА | 8В | 20 В | КРЕМНИЙ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 550 мВ | 3,5 А | 0,4 Ом | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 78пФ при 10 В | 400 мОм при 880 мА, 2,5 В | 750 мВ при 1,6 мкА | 0,26 нк при 2,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМН5Л06ВК-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/diodesincorporated-dmn5l06vk7-datasheets-3385.pdf | 50В | 280 мА | СОТ-563, СОТ-666 | 1,6 мм | 600 мкм | 1,2 мм | Без свинца | 6 | 19 недель | 3,005049мг | Нет СВХК | 2Ом | 6 | да | EAR99 | Олово | е3 | 250 мВт | ПЛОСКИЙ | 260 | ДМН5Л06ВК | 6 | Двойной | 40 | 250 мВт | 2 | Полномочия общего назначения FET | Не квалифицирован | 280 мА | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1В | 5 пФ | 50В | 2 N-канала (двойной) | 50пФ при 25В | 2 Ом при 50 мА, 5 В | 1 В при 250 мкА | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FC6943010R | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/panasonicelectroniccomComponents-fc6943010r-datasheets-3071.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 1,6 мм | 500 мкм | 1,2 мм | 6 | 10 недель | Нет СВХК | 6 | EAR99 | неизвестный | 8541.21.00.95 | 125 МВт | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | FC694301 | Двойной | НЕ УКАЗАН | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 100 нс | 100 нс | 100 мА | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1В | 0,1 А | 6Ом | 2 N-канала (двойной) | 12пФ при 3В | 1 В | 8 Ом при 10 мА, 4 В | 1,5 В @ 1 мкА | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФДГ6303Н | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1999 год | /files/onsemiconductor-fdg6303n-datasheets-3278.pdf | 25В | 500 мА | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 2 мм | 1 мм | 1,25 мм | Без свинца | 6 | 10 недель | 28мг | Нет СВХК | 450мОм | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | Олово | Нет | е3 | 300мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | Двойной | 300мВт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 3 нс | 8,5 нс | 8,5 нс | 17 нс | 500 мА | 8В | 25В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 800мВ | 0,5 А | 25В | 2 N-канала (двойной) | 50пФ при 10В | 800 мВ | 450 мОм при 500 мА, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 2,3 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTJD4401NT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/onsemiconductor-ntjd4401nt1g-datasheets-3295.pdf | 20 В | 630 мА | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 2,1844 мм | 990,6 мкм | 1,3462 мм | Без свинца | 6 | 17 недель | Нет СВХК | 220мОм | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДА | 270мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | NTJD4401N | 6 | Двойной | 40 | 270мВт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 83 нс | 227 нс | 227 нс | 786 нс | 630 мА | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 920 мВ | 5 пФ | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 46пФ при 20 В | 920 мВ | 375 мОм при 630 мА, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 3nC @ 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EMH2407-S-TL-H | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/rochesterelectronicsllc-em773fhn33551-datasheets-4560.pdf | 8-СМД, плоский вывод | 8-ЭМГ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМН26Д0УДЖ-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/diodesincorporated-dmn26d0udj7-datasheets-3122.pdf | СОТ-963 | 1,05 мм | 450 мкм | 850 мкм | Без свинца | 6 | 15 недель | Нет СВХК | 6 | да | EAR99 | ЗАЩИТА ОТ ЭСР | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 300мВт | ПЛОСКИЙ | 260 | ДМН26Д0УДЖ | 6 | 40 | 300мВт | 2 | Полномочия общего назначения FET | 3,8 нс | 7,9 нс | 15,2 нс | 13,4 нс | 240 мА | 10 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,18А | 3Ом | 2 N-канала (двойной) | 14,1 пФ при 15 В | 3 Ом @ 100 мА, 4,5 В | 1,05 В @ 250 мкА | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СК8673040Л | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует RoHS | /files/panasonicelectroniccomComponents-sc8673040l-datasheets-2266.pdf | 8-PowerSMD, плоские выводы | 4,9 мм | 950 мкм | 5,9 мм | 6 | 12 недель | 8 | EAR99 | неизвестный | 40 Вт | НЕ УКАЗАН | Двойной | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПДСО-Ф6 | 18 нс | 14 нс | 11 нс | 75 нс | 46А | 3В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,7 Вт 2,5 Вт | 10А | 0,014 Ом | 2 N-канальных (двойных) асимметричных | 1092пФ при 10 В | 10 мОм при 8 А, 10 В | 3 В @ 5,85 мА | 16А 46А | 6,3 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EMH2409-TL-H | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/rochesterelectronicsllc-emh2409tlh-datasheets-3161.pdf | 8-СМД, плоский вывод | 8-ЭМГ | 30В | 1,2 Вт | 2 N-канала (двойной) | 240пФ при 10В | 59 мОм при 2 А, 10 В | 4А | 4,4 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК2111 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/epc-epc2111-datasheets-3182.pdf | Править | 14 недель | Править | 30В | 2 Н-канала (полумост) | 230пФ при 15В 590пФ при 15В | 19 МОм при 15 А, 5 В, 8 МОм при 15 А, 5 В | 2,5 В @ 5 мА | 16А Та | 2,2 нк при 5 В, 5,7 нк при 5 В | GaNFET (нитрид галлия) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НТЗД3154НТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-ntzd3154nt1g-datasheets-3038.pdf | 20 В | 540 мА | СОТ-563, СОТ-666 | 1,7 мм | 600 мкм | 1,3 мм | Без свинца | 6 | 15 недель | Нет СВХК | 400МОм | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДА | 250 мВт | ПЛОСКИЙ | 260 | НТЗД3154Н | 6 | Двойной | 40 | 250 мВт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 6 нс | 4нс | 4 нс | 16 нс | 540 мА | 6В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1В | 0,54 А | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 150пФ при 16В | 550 мОм при 540 мА, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 2,5 нк @ 4,5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMG6601LVT-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/diodesincorporated-dmg6601lvt7-datasheets-3115.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 2,9 мм | 1 мм | 1,6 мм | Без свинца | 6 | 15 недель | Нет СВХК | 26 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Золото | е3 | Матовый олово (Sn) | АЭК-Q101 | 850мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ДМГ6601 | 2 | НЕ УКАЗАН | 850мВт | 2 | 150°С | Р-ПДСО-Г6 | 1,7 нс | 4,6 нс | 2,2 нс | 18,3 нс | 2,5 А | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3,8А | 0,055 Ом | 30В | N и P-канал | 422пФ при 15 В | 55 мОм при 3,4 А, 10 В | 1,5 В @ 250 мкА | 3,8 А 2,5 А | 12,3 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FW344A-TL-2W | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/rochesterelectronicsllc-fw344atl2w-datasheets-3202.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8-СОИК | 30В | 1,7 Вт | N и P-канал | 280пФ при 10В | 64 мОм при 4,5 А, 10 В | 4,5 А 3,5 А | 5,6 НК при 10 В | Ворота логического уровня, привод 4 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BSD235CH6327XTSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/infineontechnologies-bsd235ch6327xtsa1-datasheets-3204.pdf | 6-ВССОП, СК-88, СОТ-363 | Без свинца | 6 | 10 недель | Нет СВХК | 6 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | 8541.21.00.95 | е3 | Олово (Вс) | АЭК-Q101 | Без галогенов | 500мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | БСД235 | НЕ УКАЗАН | 2 | 530 мА | 12 В | -20В | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,95 А | 0,35 Ом | N и P-канал | 47пФ при 10 В | 350 мОм при 950 мА, 4,5 В | 1,2 В @ 1,6 мкА | 950 мА 530 мА | 0,34 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭМ6М2Т2Р | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/rohmsemiconductor-em6m2t2r-datasheets-2858.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | Без свинца | 6 | 16 недель | 6 | да | EAR99 | Нет | 150 мВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | *М2 | 6 | 10 | 2 | Другие транзисторы | 200 мА | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 20 В | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 150 мВт | 0,2 А | 1,4 Ом | N и P-канал | 25пФ при 10В | 1 Ом при 200 мА, 4 В | 1 В @ 1 мА | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMN3190LDW-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/diodesincorporated-dmn3190ldw7-datasheets-3156.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 2,2 мм | 1 мм | 1,35 мм | Без свинца | 6 | 15 недель | 6,010099мг | 6 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | АЭК-Q101 | 320мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 6 | 2 | Двойной | 2 | 4,5 нс | 8,9 нс | 15,6 нс | 30,3 нс | 1А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1А | 0,19 Ом | 2 N-канала (двойной) | 87пФ при 20 В | 190 мОм при 1,3 А, 10 В | 2,8 В @ 250 мкА | 2 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| УПА610ТА-Т1-А | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/rochesterelectronicsllc-upa610tat1a-datasheets-3241.pdf | СК-74, СОТ-457 | СК-74-6, (Мини-форма) | 30В | 300мВт | 2 P-канала (двойной) | 5пФ @ 3В | 13 Ом при 10 мА, 10 В | 100 мА | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EM6K34T2CR | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | СОТ-563, СОТ-666 | Без свинца | 16 недель | да | 120 мВт | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 200 мА | 50В | 120 мВт | 2 N-канала (двойной) | 26пФ при 10В | 2,2 Ом при 200 мА, 4,5 В | 800 мВ при 1 мА | Ворота логического уровня, привод 0,9 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БСС138ПС,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/nexperiausainc-bss138ps115-datasheets-3050.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | Без свинца | 6 | 4 недели | Нет СВХК | 1,6 Ом | 6 | EAR99 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | Олово | Нет | е3 | ДА | 420мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 6 | 30 | 280мВт | 2 | 2 нс | 3нс | 4 нс | 9 нс | 320 мА | 20 В | 60В | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,2 В | 420мВт | 0,32 А | 60В | 2 N-канала (двойной) | 50пФ при 10В | 1,6 Ом при 300 мА, 10 В | 1,5 В @ 250 мкА | 0,8 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМН63Д8ЛДВ-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/diodesincorporated-dmn63d8ldw7-datasheets-3013.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 2,2 мм | 1,1 мм | 1,35 мм | Без свинца | 6 | 15 недель | 6,010099мг | Нет СВХК | 6 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Олово | Нет | е3 | АЭК-Q101 | 300мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ДМН63Д8Л | Двойной | 40 | 300мВт | 2 | 150°С | 3,3 нс | 3,2 нс | 6,3 нс | 12 нс | 220 мА | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,5 В | 4,5 Ом | 30В | 2 N-канала (двойной) | 22пФ при 25В | 2,8 Ом при 250 мА, 10 В | 1,5 В @ 250 мкА | 870 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| УПА503Т-Т1-А | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/rochesterelectronicsllc-upa503tt1a-datasheets-3138.pdf | СК-74А, СОТ-753 | СК-59-5, Мини-форма | 50В | 300мВт | 2 P-канала (двойной) | 17пФ при 5В | 60 Ом при 10 мА, 10 В | 2,5 В @ 1 мкА | 100 мА | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4963BDY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/vishaysiliconix-si4963bdyt1e3-datasheets-2990.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,55 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 14 недель | 186,993455мг | Неизвестный | 32мОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,1 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ4963 | 8 | Двойной | 30 | 1,1 Вт | 2 | Другие транзисторы | 30 нс | 40 нс | 40 нс | 80 нс | 6,5 А | 12 В | КРЕМНИЙ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -600мВ | 4,9А | -20В | 2 P-канала (двойной) | 32 мОм при 6,5 А, 4,5 В | 1,4 В при 250 мкА | 4,9А | 21 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTLJD2104PTBG | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/rochesterelectronicsllc-ntljd2104ptbg-datasheets-3009.pdf | 6-WDFN Открытая площадка | 6 | да | неизвестный | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДА | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 6 | НЕ УКАЗАН | 2 | КОММЕРЧЕСКИЙ | S-XDSO-N6 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 12 В | 12 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 700мВт | 2,4А | 0,12 Ом | 2 P-канала (двойной) | 467пФ при 6В | 90 мОм при 3 А, 4,5 В | 800 мВ при 250 мкА | 2,4А | 8 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня |
