Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМассивы МОП-транзисторов(4365)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Максимальный переход температуры (Tj) | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Максимальное двойное напряжение питания | Двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Пороговое напряжение | Мощность - Макс. | Код JEDEC-95 | Минимальное напряжение проба | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NTGD4161PT1G | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/rochesterelectronicsllc-ntgd4161pt1g-datasheets-3062.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 6-ЦОП | 30В | 600мВт | 2 P-канала (двойной) | 281пФ при 15В | 160 мОм при 2,1 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 1,5 А | 7,1 нк при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTZD3155CT2G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-ntzd3155ct2g-datasheets-2996.pdf | 20 В | 540 мА | СОТ-563, СОТ-666 | Без свинца | 6 | 13 недель | Нет СВХК | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | ДА | 250 мВт | ПЛОСКИЙ | 260 | НТЗД3155С | 6 | Двойной | 40 | 250 мВт | 2 | Другие транзисторы | 12нс | 19 нс | 35 нс | 540 мА | 6В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,54 А | 0,55 Ом | 20 В | N и P-канал | 150пФ при 16В | 1 В | 550 мОм при 540 мА, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 540 мА 430 мА | 2,5 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTLJD2104PTAG | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/rochesterelectronicsllc-ntljd2104ptbg-datasheets-3009.pdf | 6-WDFN Открытая площадка | 6 | да | неизвестный | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДА | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 6 | НЕ УКАЗАН | 2 | КОММЕРЧЕСКИЙ | S-XDSO-N6 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 12 В | 12 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 700мВт | 2,4А | 0,12 Ом | 2 P-канала (двойной) | 467пФ при 6В | 90 мОм при 3 А, 4,5 В | 800 мВ при 250 мкА | 2,4А | 8 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК2103 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ЭГАН® | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2103-datasheets-3103.pdf | Править | 14 недель | Править | 80В | 2 Н-канала (полумост) | 760пФ при 40В | 5,5 мОм при 20 А, 5 В | 2,5 В при 7 мА | 28А | 6,5 НК при 5 В | GaNFET (нитрид галлия) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTLJD3183CZTBG | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/rochesterelectronicsllc-ntljd3183cztag-datasheets-2757.pdf | 6-WDFN Открытая площадка | 6 | да | е3 | ИНН | ДА | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 6 | НЕ УКАЗАН | КОММЕРЧЕСКИЙ | С-ПДСО-Н6 | 20 В | 710мВт | N и P-канал | 355пФ при 10 В | 68 мОм при 2 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 2,6 А 2,2 А | 7 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БСС138ПС,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/nexperiausainc-bss138ps115-datasheets-3050.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | Без свинца | 6 | 4 недели | Нет СВХК | 1,6 Ом | 6 | EAR99 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | Олово | Нет | е3 | ДА | 420мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 6 | 30 | 280мВт | 2 | 2 нс | 3нс | 4 нс | 9 нс | 320 мА | 20 В | 60В | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,2 В | 420мВт | 0,32 А | 60В | 2 N-канала (двойной) | 50пФ при 10В | 1,6 Ом при 300 мА, 10 В | 1,5 В @ 250 мкА | 0,8 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМН63Д8ЛДВ-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/diodesincorporated-dmn63d8ldw7-datasheets-3013.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 2,2 мм | 1,1 мм | 1,35 мм | Без свинца | 6 | 15 недель | 6,010099мг | Нет СВХК | 6 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Олово | Нет | е3 | АЭК-Q101 | 300мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ДМН63Д8Л | Двойной | 40 | 300мВт | 2 | 150°С | 3,3 нс | 3,2 нс | 6,3 нс | 12 нс | 220 мА | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,5 В | 4,5 Ом | 30В | 2 N-канала (двойной) | 22пФ при 25В | 2,8 Ом при 250 мА, 10 В | 1,5 В @ 250 мкА | 870 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| УПА503Т-Т1-А | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/rochesterelectronicsllc-upa503tt1a-datasheets-3138.pdf | СК-74А, СОТ-753 | СК-59-5, Мини-форма | 50В | 300мВт | 2 P-канала (двойной) | 17пФ при 5В | 60 Ом при 10 мА, 10 В | 2,5 В @ 1 мкА | 100 мА | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4963BDY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/vishaysiliconix-si4963bdyt1e3-datasheets-2990.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,55 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 14 недель | 186,993455мг | Неизвестный | 32мОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,1 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ4963 | 8 | Двойной | 30 | 1,1 Вт | 2 | Другие транзисторы | 30 нс | 40 нс | 40 нс | 80 нс | 6,5 А | 12 В | КРЕМНИЙ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -600мВ | 4,9А | -20В | 2 P-канала (двойной) | 32 мОм при 6,5 А, 4,5 В | 1,4 В при 250 мкА | 4,9А | 21 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTLJD2104PTBG | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/rochesterelectronicsllc-ntljd2104ptbg-datasheets-3009.pdf | 6-WDFN Открытая площадка | 6 | да | неизвестный | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДА | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 6 | НЕ УКАЗАН | 2 | КОММЕРЧЕСКИЙ | S-XDSO-N6 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 12 В | 12 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 700мВт | 2,4А | 0,12 Ом | 2 P-канала (двойной) | 467пФ при 6В | 90 мОм при 3 А, 4,5 В | 800 мВ при 250 мкА | 2,4А | 8 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BSS84DW-7-F | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/diodesincorporated-bss84dw7f-datasheets-2804.pdf | -50В | -130 мА | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 2,2 мм | 1 мм | 1,35 мм | Без свинца | 6 | 15 недель | 6,010099мг | Нет СВХК | 10Ом | 6 | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 300мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | БСС84ДВ | 6 | 2 | Двойной | 40 | 300мВт | 2 | Другие транзисторы | 10 нс | 18 нс | 130 мА | 20 В | -50В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -1,6 В | 50В | 0,13 А | -50В | 2 P-канала (двойной) | 45пФ при 25В | -1,6 В | 10 Ом при 100 мА, 5 В | 2 В при 1 мА | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||
| БСО330Н02КГФУМА1 | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/rochesterelectronicsllc-bso330n02kgfuma1-datasheets-2812.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | ПГ-ДСО-8 | 20 В | 1,4 Вт | 2 N-канала (двойной) | 730пФ при 10 В | 30 мОм при 6,5 А, 4,5 В | 1,2 В @ 20 мкА | 5,4А | 4,9 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QS5K2TR | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | 30В | 2А | СОТ-23-5 Тонкий, ЦОТ-23-5 | 2,9 мм | 850 мкм | 1,6 мм | Без свинца | 5 | 20 недель | Нет СВХК | 100МОм | 5 | да | EAR99 | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 1,25 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | *К2 | 5 | Двойной | 10 | 1,25 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 8 нс | 10 нс | 10 нс | 21 нс | 2А | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,5 В | 2А | 8А | 30В | 2 N-канальных (двойных) с общим обвинением | 175пФ при 10В | 1,5 В | 100 мОм при 2 А, 4,5 В | 1,5 В при 1 мА | 3,9 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTHD5903T1G | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/rochesterelectronicsllc-nthd5903t1g-datasheets-2848.pdf | 8-СМД, плоский вывод | 8 | нет | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | неизвестный | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДА | С ИЗГИБ | 260 | 8 | 40 | 2 | КОММЕРЧЕСКИЙ | Р-XDSO-C8 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,1 Вт | 2,2А | 0,155 Ом | 2 P-канала (двойной) | 155 мОм при 2,2 А, 4,5 В | 600 мВ при 250 мкА | 2,2А | 7,4 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDS6911 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-fds6911-datasheets-2872.pdf | 20 В | 7,5 А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 1,575 мм | 3,9 мм | Без свинца | 8 | 10 недель | 187 мг | Нет СВХК | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 900мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | Двойной | 1,6 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 9 нс | 5нс | 5 нс | 26 нс | 7,5 А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,013Ом | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 1130пФ при 15В | 1,8 В | 13 мОм при 7,5 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 24 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EMH2417R-TL-H | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/rochesterelectronicsllc-emh2417rtlh-datasheets-2897.pdf | 8-СМД, плоский вывод | СОТ-383ФЛ, ЭМХ8 | 12 В | 1,3 Вт | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 10 мОм при 5 А, 4,5 В | 1,3 В @ 1 мА | 11А | 16 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня, привод 2,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4559ADY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si4559adyt1e3-datasheets-2899.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,55 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 14 недель | 506,605978мг | Неизвестный | 120 мОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ4559 | 8 | 2 | Двойной | 30 | 2 Вт | 2 | Другие транзисторы | 30 нс | 70нс | 30 нс | 40 нс | 4,5 А | 20 В | 60В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1В | 3,1 Вт 3,4 Вт | 4,3А | 6,1 мДж | 60В | N и P-канал | 665пФ при 15В | 58 мОм при 4,3 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 5,3 А 3,9 А | 20 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||
| NTQD6866R2 | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | /files/rochesterelectronicsllc-ntqd6866r2g-datasheets-2776.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 8 | да | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ, ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е0 | Оловянный свинец | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 8 | 30 | 2 | КОММЕРЧЕСКИЙ | Р-ПДСО-G8 | КРЕМНИЙ | ОБЩИЙ СТОК, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 940 МВт | 4,7А | 0,032Ом | 175 пФ | 2 N-канала (двойной) | 1400пФ при 16В | 32 мОм при 6,9 А, 4,5 В | 1,2 В @ 250 мкА | 4,7А | 22 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7304 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | /files/infineontechnologies-irf7304-datasheets-2919.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | EAR99 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | 8541.29.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 245 | 30 | 2 | Не квалифицирован | Р-ПДСО-G8 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | 20 В | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 Вт | 3,6А | 0,09 Ом | 2 P-канала (двойной) | 610пФ при 15 В | 90 мОм при 2,2 А, 4,5 В | 700 мВ при 250 мкА | 4,3А | 22 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTLJD3181PZTAG | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/rochesterelectronicsllc-ntljd3181pztbg-datasheets-2702.pdf | 6-WDFN Открытая площадка | 6 | да | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДА | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 6 | НЕ УКАЗАН | 2 | КОММЕРЧЕСКИЙ | С-ПДСО-Н6 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 710мВт | 3,2А | 0,1 Ом | 2 P-канала (двойной) | 450пФ при 10В | 100 мОм при 2 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 2,2А | 7,8 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БСО4804HUMA2 | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/rochesterelectronicsllc-bso4804huma2-datasheets-2930.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | ПГ-ДСО-8 | 30В | 2 Вт | 2 N-канала (двойной) | 870пФ при 25В | 20 мОм при 8 А, 10 В | 2 В при 30 мкА | 8А Та | 17 НК при 5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СП8К2ТБ | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/rohmsemiconductor-sp8k2tb-datasheets-2901.pdf | 30В | 6А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 8 | 8 | EAR99 | Нет | е2 | ОЛОВО МЕДЬ | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | *К2 | 8 | 10 | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 9 нс | 21нс | 13 нс | 36 нс | 6А | 20 В | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 6А | 24А | 0,047Ом | 2 N-канала (двойной) | 520пФ при 10В | 30 мОм при 6 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 10,1 нк при 5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTJD2152PT1 | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | /files/rochesterelectronicsllc-ntjd2152pt1g-datasheets-2640.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 6 | нет | неизвестный | е0 | Оловянный свинец | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 6 | 30 | 2 | КОММЕРЧЕСКИЙ | Р-ПДСО-Г6 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ И РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 8В | 8В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 270мВт | 0,775А | 0,3 Ом | 40 пФ | 2 P-канала (двойной) | 225пФ при 8В | 300 мОм при 570 мА, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 775 мА | 4нК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EMH2411R-TL-H | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/rochesterelectronicsllc-emh2411rtlh-datasheets-2949.pdf | 8-СМД, плоский вывод | 8-ЭМГ | 30В | 1,4 Вт | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 36,5 мОм при 2,5 А, 4,5 В | 5А | 5,9 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня, привод 2,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПГ15Н06С3Л-45 | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/rochesterelectronicsllc-ipg15n06s3l45-datasheets-2792.pdf | 8-PowerVDFN | ПГ-ТДСОН-8-4 | 55В | 21 Вт | 2 N-канала (двойной) | 1420пФ при 25В | 45 мОм при 10 А, 10 В | 2,2 В @ 10 мкА | 15А | 20 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDPC8012S | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/onsemiconductor-fdpc8012s-datasheets-2951.pdf | 8-PowerWDFN | 3,3 мм | 725 мкм | 3,3 мм | 8 | 12 недель | 192мг | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 2 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 3нс | 3 нс | 34 нс | 88А | 12 В | КРЕМНИЙ | ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОЕ ПОДКЛЮЧЕНИЕ, ЦЕНТРАЛЬНЫЙ ОТВЕТ, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 800 МВт 900 МВт | МО-240БА | 13А | 0,007Ом | 25В | 2 N-канальных (двойных) асимметричных | 1075пФ при 13В | 7 мОм при 12 А, 4,5 В | 2,2 В @ 250 мкА | 13А 26А | 8 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCH6663-TL-H | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/rochesterelectronicsllc-mch6663tlh-datasheets-2795.pdf | 6-SMD, плоские выводы | 6-MCPH | 30В | 800мВт | N и P-канал | 88пФ при 10 В | 188 мОм при 900 мА, 10 В | 1,8 А 1,5 А | 2 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММДФ3Н03ХДР2 | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | /files/rochesterelectronicsllc-mmdf3n03hdr2-datasheets-2796.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | нет | ЛАВИННЫЙ НОМИНАЛ, СОВМЕСТИМОСТЬ С ЛОГИЧЕСКИМ УРОВНЕМ, СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | е0 | Оловянный свинец | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 8 | НЕ УКАЗАН | 1 | КОММЕРЧЕСКИЙ | Р-ПДСО-G8 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 Вт | 4,1А | 40А | 0,07 Ом | 324 мДж | 2 N-канала (двойной) | 630пФ при 24В | 70 мОм при 3 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 4,1А | 16 нк @ 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCH6662-TL-H | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/rochesterelectronicsllc-mch6662tlh-datasheets-2764.pdf | 6-SMD, плоские выводы | 6-MCPH | 20 В | 800мВт | 2 N-канала (двойной) | 128пФ при 10В | 160 мОм при 1 А, 4,5 В | 2А | 1,8 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTMD2C02R2SG | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/rochesterelectronicsllc-ntmd2c02r2sg-datasheets-2766.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | да | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 40 | 2 | КОММЕРЧЕСКИЙ | Р-ПДСО-G8 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 20 В | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 Вт | 5,2А | 48А | 0,043Ом | N и P-канал | 1100пФ при 10 В | 43 мОм при 4 А, 4,5 В | 1,2 В @ 250 мкА | 5,2 А 3,4 А | 20 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня |
