Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМассивы МОП-транзисторов(4365)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Режим работы | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Толщина | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Количество вариантов | Аналоговая микросхема — другой тип | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Максимальный переход температуры (Tj) | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Тип интерфейса микросхемы | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Пороговое напряжение | Мощность - Макс. | Входное напряжение-ном. | Входное напряжение (макс.) | Управление выходного тока | Выходной ток-Макс. | Напряжение питания1-мин. | Напряжение питания1-Макс. | Техника управления | Конфигурация коммутатора | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Частота переключения-Макс. | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | РДС на Максе |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TC1550TG-G | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/microchiptechnology-tc1550tgg-datasheets-2546.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 1,75 мм | 3,9 мм | 8 | 7 недель | 84,99187мг | 8 | БЫСТРОЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2 | Двойной | 40 | 2 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | 10 нс | 10 нс | 10 нс | 15 нс | 16А | 20 В | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 350А | 500В | N и P-канал | 55пФ при 25В | 60 Ом при 50 мА, 10 В | 4 В при 1 мА | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC2105ENGRT | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ЭГАН® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/epc-epc2105engrt-datasheets-2522.pdf | Править | 16 недель | Править | 300пФ | 9,5А | 80В | 2 Н-канала (полумост) | 300пФ при 40В | 14,5 мОм при 20 А, 5 В | 2,5 В при 2,5 мА | 9,5А | 2,5 НК при 5 В | GaNFET (нитрид галлия) | 14,5 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CSD88584Q5DC | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НексФЕТ™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 22-PowerTFDFN | 6 мм | 5 мм | 22 | 12 недель | 22 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | 850 мкм | EAR99 | не_совместимо | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 10 В | CSD88584 | 16 В | 4,5 В | КОНТРОЛЛЛЕР БЕСЩЕТОЧНОГО ДВИГАТЕЛЯ ПОСТОЯННОГО ТОКА | НЕ УКАЗАН | 40В | 12 Вт | 50А | 2 Н-канала (полумост) | 12400пФ при 20В | 0,95 мОм при 30 А, 10 В | 2,3 В @ 250 мкА | 88 НК при 4,5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФДМД85100 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-fdmd85100-datasheets-2465.pdf | 8-PowerWDFN | 12 недель | 94,85095мг | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | 2,2 Вт | 260 | НЕ УКАЗАН | 10,4А | 100В | 2,2 Вт | 2 Н-канала (полумост) | 2230пФ при 50В | 9,9 мОм при 10,4 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 31 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SLA5065 | Санкен | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2001 г. | /files/sanken-sla5065-datasheets-2608.pdf | 15-SIP Открытая вкладка, сформированные выводы | 15 | 12 недель | да | EAR99 | 8541.29.00.95 | 4,8 Вт | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 15 | НЕ УКАЗАН | 4 | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т15 | 7А | КРЕМНИЙ | 2 БАНКОВ, ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОЕ СОЕДИНЕНИЕ, ЦЕНТРАЛЬНЫЙ ОТВЕТВИТЕЛЬ, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | П-КАНАЛ | 60В | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 4,8 Вт | 7А | 15А | 0,1 Ом | 60 мДж | 4 N-канала | 660пФ при 10 В | 100 мОм при 3,5 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQ3585EV-T1_GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | /files/vishaysiliconix-sq3585evt1ge3-datasheets-2454.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 6 | 12 недель | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 30 | 1 | Р-ПДСО-Г6 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЕННЫЙ, 2 ЭЛЕМЕНТА | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 20 В | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,67 Вт | 3,57А | 0,12 Ом | N и P-канал | 77 мОм при 1 А, 4,5 В, 166 м Ом при 1 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 3,57 А Тс 2,5 А Тс | 2,5 нк при 4,5 В, 3,5 нк при 4,5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CSD88599Q5DC | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НексФЕТ™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 22-PowerTFDFN | 6 мм | 5 мм | 22 | 8 недель | 22 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | 850 мкм | EAR99 | не_совместимо | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | CSD88599 | 54В | НЕ УКАЗАН | ПОЛУМОСТОВОЙ ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР | 60В | 12 Вт | ИСТОЧНИК ПРИЕМНИК | 4,5 В | 16 В | 2 Н-канала (полумост) | 4840пФ при 30В | 2,1 мОм при 30 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 27 НК при 4,5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDPC8014S | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/onsemiconductor-fdpc8014s-datasheets-2086.pdf | 8-PowerWDFN | 5,1 мм | 750 мкм | 6,1 мм | 8 | 23 недели | 207,7333мг | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Олово | не_совместимо | е3 | 2,3 Вт | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 2 | НЕ УКАЗАН | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 16 нс | 6нс | 4 нс | 47 нс | 41А | 12 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 25В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2,1 Вт 2,3 Вт | 110А | 75А | 73 мДж | 2 N-канальных (двойных) асимметричных | 2375пФ при 13В | 3,8 мОм при 20 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 20А 41А | 35 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQJQ906E-T1_GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-sqjq906et1ge3-datasheets-2145.pdf | PowerPAK® 8 x 8 двойной | 2,03 мм | 14 недель | 2 | 50 Вт | 175°С | PowerPAK® 8 x 8 двойной | 14 нс | 26 нс | 95А | 20 В | 40В | 50 Вт | 2,7 мОм | 40В | 2 N-канала (двойной) | 3600пФ при 20В | 3,3 мОм при 5 А, 10 В | 3,5 В @ 250 мкА | 95А Ц | 42 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTM100H45SCTG | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СИЛА МОС 7® | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/microsemicorporation-aptm100h45sctg-datasheets-2495.pdf | SP4 | 14 | 22 недели | 4 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 3 недели назад) | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 357 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | 14 | НЕ УКАЗАН | 357 Вт | 4 | Не квалифицированный | 10 нс | 12нс | 35 нс | 121 нс | 18А | 30В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1000В 1кВ | 1000В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 72А | 2500 мДж | 4 N-канала (H-мост) | 4350пФ при 25 В | 540 мОм при 9 А, 10 В | 5 В @ 2,5 мА | 154 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SLA5068-LF830 | Санкен | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2001 г. | /files/sanken-sla5068lf830-datasheets-2497.pdf | 15-SIP Открытая вкладка, сформированные выводы | 12 недель | 5 Вт | 15-ЗИП | 660пФ | 7А | 60В | 5 Вт | 6 Н-каналов (3-фазный мост) | 660пФ при 10 В | 100 мОм при 3,5 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 7А | Стандартный | 100 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQUN702E-T1_GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Поверхностный монтаж, смачиваемая боковая поверхность | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-squn702et1ge3-datasheets-2463.pdf | Править | 12 недель | Править | 40В 200В | 48 Вт Тк 60 Вт Тк | N и P-каналы, общий сток | 1474пФ 1450пФ 1302пФ при 20В 100В | 9,2 мОм при 9,8 А, 10 В, 60 мОм при 5 А, 10 В, 30 мОм при 6 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА, 3,5 В при 250 мкА | 30А Тк 20А Тк | 23 нк, 14 нк, 30,2 нк при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDPC8013S | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/onsemiconductor-fdpc8013s-datasheets-2136.pdf | 8-PowerWDFN | 3,4 мм | 750 мкм | 3,4 мм | Без свинца | 12 недель | 192мг | Нет СВХК | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 2 Вт | Двойной | 2 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 6 нс | 5нс | 4 нс | 30 нс | 55А | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,7 В | 800 МВт 900 МВт | 30В | 2 N-канала (двойной) | 827пФ при 15 В | 1,7 В | 6,4 мОм при 13 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 13А 26А | 13 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQJQ904E-T1_GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-sqjq904et1ge3-datasheets-2347.pdf | PowerPAK® 8 x 8 двойной | 4 | 14 недель | Нет СВХК | 6 | неизвестный | ДА | 135 Вт | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 2 | Р-ПССО-Г4 | 100А | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | 40В | 40В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2В | 75 Вт | 300А | 0,0034Ом | 125 мДж | 2 N-канала (двойной) | 5900пФ при 20 В | 3,4 мОм при 20 А, 10 В | 3,5 В @ 250 мкА | 100А Ц | 75 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФДМД8240ЛЕТ40 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fdmd8240let40-datasheets-2327.pdf | 12-PowerWDFN | 12 недель | 82,3188 мг | Нет СВХК | 12 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | не_совместимо | 8541.29.00.95 | е3 | Олово (Вс) | 50 Вт | 260 | Двойной | НЕ УКАЗАН | 24А | 40В | 2В | 2 N-канала (двойной) | 4230пФ при 20 В | 2,6 мОм при 23 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 56 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФДМД8680 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fdmd8680-datasheets-2342.pdf | 8-PowerWDFN | 12 недель | 97,95918 мг | Нет СВХК | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | 39 Вт | НЕ УКАЗАН | Двойной | НЕ УКАЗАН | 66А | 80В | 3В | 2 N-канала (двойной) | 5330пФ при 40 В | 4,7 мОм при 16 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 66А Тк | 73 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4943CDY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -50°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si4943cdyt1e3-datasheets-1867.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 14 недель | 186,993455мг | 19,2 мОм | 8 | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | 3,1 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ4943 | 8 | 2 | Двойной | 30 | 2 Вт | 2 | 50 нс | 71нс | 15 нс | 29 нс | -8А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3,1 Вт | 8А | -20В | 2 P-канала (двойной) | 1945 пФ при 10 В | 19,2 мОм при 8,3 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 8А | 62 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SP8K32FRATB | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/rohm-sp8k32fratb-datasheets-8940.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 20 недель | EAR99 | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПДСО-G8 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 Вт | 4,5 А | 18А | 0,077Ом | 2 N-канала (двойной) | 500пФ при 10В | 65 мОм при 4,5 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 4,5 А Та | 10 НК при 5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВМФД5489НЛТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-nvmfd5489nlt1g-datasheets-1954.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 6 недель | 37,393021мг | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ДА | 3 Вт | 8 | 2 | Двойной | Полевой транзистор общего назначения | 7 нс | 11нс | 21 нс | 31 нс | 12А | 20 В | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 N-канала (двойной) | 330пФ при 25В | 65 мОм при 15 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 4,5 А | 12,4 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФДМС8090 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/onsemiconductor-fdms8090-datasheets-2438.pdf | 8-PowerWDFN | 5 мм | 750 мкм | 6 мм | Без свинца | 4 | 4 недели | 250мг | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) | да | EAR99 | Нет | е4 | Никель/Палладий/Золото/Серебро (Ni/Pd/Au/Ag) | 2,2 Вт | Двойной | 59 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПДСО-Н4 | 10,6 нс | 4,6 нс | 4 нс | 17,4 нс | 10А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 40А | 0,013Ом | 100В | 2 N-канала (двойной) | 1800пФ при 50В | 13 мОм при 10 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 27 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7956DP-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysiliconix-si7956dpt1e3-datasheets-2416.pdf | PowerPAK® SO-8 двойной | 4,9 мм | 1,04 мм | 5,89 мм | 6 | 14 недель | 506,605978мг | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,4 Вт | С ИЗГИБ | 260 | СИ7956 | 8 | Двойной | 40 | 1,4 Вт | 2 | Полномочия общего назначения FET | Р-XDSO-C6 | 13 нс | 36нс | 36 нс | 18 нс | 4,1А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,105 Ом | 150 В | 2 N-канала (двойной) | 105 мОм при 4,1 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 2,6А | 26 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФДМД8280 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-fdmd8280-datasheets-2431.pdf | 12-PowerWDFN | 12 | 12 недель | 82,3188 мг | 12 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | 1 Вт | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 2 | Двойной | НЕ УКАЗАН | 2 | 15 нс | 12нс | 8,9 нс | 26 нс | 11А | 20 В | КРЕМНИЙ | ДРЕНАЖНЫЙ ИСТНИКОЧ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 80В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 80В | 2 N-канала (двойной) | 3050пФ при 40В | 8,2 мОм при 11 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 44 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СК8673010Л | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C, ТиДжей | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует RoHS | /files/panasonic-sc8673010l-datasheets-8905.pdf | 8-PowerSMD, плоские выводы | 4,9 мм | 950 мкм | 5,9 мм | 6 | 12 недель | 8 | EAR99 | неизвестный | 34 Вт | НЕ УКАЗАН | Двойной | НЕ УКАЗАН | 34 Вт | 2 | Р-ПДСО-Ф6 | 7 нс | 14 нс | 9 нс | 64 нс | 40А | 3В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,7 Вт 2,5 Вт | 10А | 0,014 Ом | 30В | 2 N-канальных (двойных) асимметричных | 5180пФ при 10 В | 10 мОм при 8 А, 10 В | 3 В при 4,38 мА | 16А 40А | 6,3 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQJQ906EL-T1_GE3 | Вишай Силиконикс | 2,05 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sqjq906elt1ge3-datasheets-2310.pdf | PowerPAK® 8 x 8 двойной | 2,03 мм | 14 недель | 2 | 187 Вт | 175°С | PowerPAK® 8 x 8 двойной | 10 нс | 25 нс | 160А | 20 В | 40В | 187 Вт | 3,6 мОм | 40В | 2 N-канала (двойной) | 3238пФ при 20 В | 4,3 мОм при 5 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 160А Ц | 45 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CSD87350Q5D | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НексФЕТ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 8-PowerLDFN | 5 мм | 1,5 мм | 6 мм | Содержит свинец | 8 | 6 недель | Нет СВХК | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) | да | 1,5 мм | EAR99 | Олово | Нет | 1 | е3 | 12 Вт | 260 | 1,27 мм | CSD87350 | 9 | КОММУТАЦИОННЫЙ РЕГУЛЯТОР | Двойной | 12 Вт | 8 нс | 17нс | 2,3 нс | 33 нс | 40А | 8В | 30В | 2,1 В | 12 В | 27В | ШИРОТНО-ИМПУЛЬСНАЯ МОДУЛЯЦИЯ | БАК | 1500 кГц | 30В | 2 N-канала (двойной) | 1770пФ при 15В | 5,9 мОм при 20 А, 8 В | 2,1 В при 250 мкА | 10,9 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CSD86356Q5D | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НексФЕТ™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 1,05 мм | Соответствует ROHS3 | 8-PowerTDFN | 6 мм | 6 мм | 8 | 6 недель | да | EAR99 | не_совместимо | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 1,27 мм | CSD86356 | КОММУТАЦИОННЫЙ РЕГУЛЯТОР | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-Н8 | 25В | 12 Вт Та | 12 В | 22В | ШИРОТНО-ИМПУЛЬСНАЯ МОДУЛЯЦИЯ | БАК | 1500 кГц | 2 Н-канала (полумост) | 1,04 нФ при 12,5 В 2,51 нФ при 12,5 В | 4,5 м Ом при 20 А, 5 В, 0,8 м Ом при 20 А, 5 В | 1,85 В при 250 мкА, 1,5 В при 250 мкА | 40А Та | 7,9 нк при 4,5 В, 19,3 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня, привод 5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQJQ980EL-T1_GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-sqjq980elt1ge3-datasheets-2325.pdf | PowerPAK® 8 x 8 двойной | 2,03 мм | 14 недель | неизвестный | 2 | 187 Вт | 175°С | 10 нс | 21 нс | 36А | 20 В | 80В | 2 N-канала (двойной) | 1995 пФ при 40 В | 13,5 мОм при 5 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 36А Тк | 36 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTMFD5C674NLT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-ntmfd5c674nlt1g-datasheets-2108.pdf | 8-PowerTDFN | 48 недель | АКТИВНО (Последнее обновление: 5 дней назад) | да | е3 | Олово (Вс) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 60В | 3 Вт Та 37 Вт Тс | 2 N-канала (двойной) | 640пФ при 25В | 14,4 мОм при 10 А, 10 В | 2,2 В @ 25 мкА | 11А Та 42А Ц | 10 нк @ 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТПС1120ДР | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/texasinstruments-tps1120dr-datasheets-8878.pdf | -15В | -1,17А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 1,75 мм | 3,91 мм | Без свинца | 8 | 6 недель | 8 | АКТИВНО (Последнее обновление: 5 дней назад) | да | 1,58 мм | EAR99 | СОВМЕСТИМОСТЬ ЛОГИЧЕСКОГО УРОВНЯ, ЗАЩИТА ОТ ЭСР | Золото | Нет | е4 | 840мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ТПС1120 | 8 | 840мВт | 2 | Другие транзисторы | 4,5 нс | 10 нс | 10 нс | 13 нс | 1,17А | 2В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,4 Ом | 15 В | 2 P-канала (двойной) | 180 мОм при 1,5 А, 10 В | 1,5 В @ 250 мкА | 5,45 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК2108 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ЭГАН® | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2108-datasheets-2121.pdf | 9-ВФБГА | 14 недель | 9-БГА (1,35х1,35) | 60В 100В | 3 N-канала (полумост + синхронная загрузка) | 22пФ при 30В 7пФ при 30В | 190 мОм при 2,5 А, 5 В, 3,3 Ом при 2,5 А, 5 В | 2,5 В при 100 мкА, 2,5 В при 20 мкА | 1,7 А 500 мА | 0,22 нк при 5 В, 0,044 нк при 5 В | GaNFET (нитрид галлия) |
