Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМассивы МОП-транзисторов(4365)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Режим работы | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Толщина | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Количество функций | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Аналоговая микросхема — другой тип | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Пороговое напряжение | Мощность - Макс. | Входное напряжение-ном. | Конфигурация коммутатора | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Частота переключения-Макс. | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | РДС на Максе |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SI7216DN-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -50°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysiliconix-si7216dnt1ge3-datasheets-1729.pdf | PowerPAK® 1212-8 двойной | 3,05 мм | 1,04 мм | 3,05 мм | Без свинца | 6 | 14 недель | Неизвестный | 39мОм | 8 | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 2,5 Вт | С ИЗГИБ | 260 | СИ7216 | 8 | 2 | Двойной | 30 | 2,5 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | S-XDSO-C6 | 9 нс | 57нс | 5 нс | 19 нс | 5А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40В | 40В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3В | 20,8 Вт | 5 мДж | 2 N-канала (двойной) | 670пФ при 20 В | 32 мОм при 5 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 6А | 19 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZXMC4559DN8TC | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/diodesincorporated-zxmc4559dn8tc-datasheets-1836.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 12 недель | Нет СВХК | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,25 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 2 | Двойной | 40 | 2,1 Вт | 2 | Другие транзисторы | 3,5 нс | 4,1 нс | 10 нс | 35 нс | 2,6А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -1В | 3,6А | 0,055 Ом | -60В | N и P-канал | 1063пФ при 30 В | 55 мОм при 4,5 А, 10 В | 1 В @ 250 мкА (мин) | 3,6 А 2,6 А | 20,4 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИ4542ДИ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/onsemiconductor-si4542dy-datasheets-1596.pdf | 30В | 7А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 1,575 мм | 3,9 мм | Без свинца | 8 | 8 недель | 230,4 мг | Нет СВХК | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 16 часов назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 1 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | СИ4542Д | Одинокий | 2 Вт | 2 | Другие транзисторы | 22нс | 18 нс | 47 нс | 6А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,5 В | 6А | 30В | N и P-канал | 830пФ при 15В | 1,5 В | 28 мОм при 6 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 13 НК при 5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STL66DN3LLH5 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, STripFET™ V | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stl66dn3llh5-datasheets-1762.pdf | 8-PowerVDFN | Без свинца | 14 недель | 8 | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | Нет | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 72 Вт | STL66 | 72 Вт | 2 | Полномочия общего назначения FET | 8,8 нс | 18нс | 4 нс | 26 нс | 78,5А | 22В | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 N-канала (двойной) | 1500пФ при 25В | 6,5 мОм при 10 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 12 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SP8K22FRATB | РОМ Полупроводник | 1,01 доллар США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/rohm-sp8k22fratb-datasheets-8767.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 20 недель | EAR99 | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПДСО-G8 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 45В | 45В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 Вт | 4,5 А | 18А | 0,064Ом | 2 N-канала (двойной) | 550пФ при 10 В | 46 мОм при 4,5 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 4,5 А Та | 9,6 НК при 5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDS8984-F085 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/onsemiconductor-fds8984f085-datasheets-1655.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 4 недели | 230,4 мг | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | Нет | 1,6 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | Одинокий | 1,6 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 5 нс | 9нс | 21 нс | 42 нс | 7А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 7А | 30А | 30В | 2 N-канала (двойной) | 635пФ при 15 В | 23 мОм при 7 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 13 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STL7DN6LF3 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, STripFET™ III | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stl7dn6lf3-datasheets-1397.pdf | 8-PowerVDFN | Без свинца | 6 | 12 недель | 8 | АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 52 Вт | ПЛОСКИЙ | 260 | STL7D | Двойной | 52 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПДСО-Ф6 | 20А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 26А | 0,06 Ом | 190 мДж | 60В | 2 N-канала (двойной) | 432пФ при 25 В | 43 мОм при 3 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 8,8 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК7К32-100ЕХ | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/nexperiausainc-buk7k32100ex-datasheets-1387.pdf | СОТ-1205, 8-ЛФПАК56 | 6 | 12 недель | АЭК-Q101; МЭК-60134 | 64 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 8 | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПДСО-Г6 | 29А | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100В | 100В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 64 Вт | 116А | 0,0275Ом | 67 мДж | 2 N-канала (двойной) | 2137пФ при 25 В | 27,5 мОм при 5 А, 10 В | 4 В при 1 мА | 34 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФДМС3615С | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fdms3615s-datasheets-1676.pdf | 8-PowerTDFN | 5,1 мм | 1,05 мм | 6,1 мм | 6 | 18 недель | 90мг | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 1 Вт | 1 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПДСО-Н6 | 3нс | 2,2 нс | 24 нс | 18А | 20 В | КРЕМНИЙ | ДРЕНАЖНЫЙ ИСТНИКОЧ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 16А | 115 пФ | 25В | 2 N-канальных (двойных) асимметричных | 1765пФ при 13В | 5,8 мОм при 16 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 16А 18А | 27 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDS6890A | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-fds6890a-datasheets-1290.pdf | 20 В | 7,5 А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 10 недель | 187 мг | Нет СВХК | 180мОм | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | БЫСТРОЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Олово | Нет | е3 | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | Двойной | 2 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 13 нс | 26нс | 23 нс | 65 нс | 7,5 А | 8В | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 800мВ | 900мВт | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 2130пФ при 10 В | 800 мВ | 18 мОм при 7,5 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 32 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI9926CDY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-si9926cdyt1e3-datasheets-1229.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | Без свинца | 14 недель | 186,993455мг | Нет СВХК | 18мОм | 8 | Нет | 3,1 Вт | СИ9926 | 2 | Двойной | 3,1 Вт | 2 | 8-СО | 1,2 нФ | 10 нс | 12нс | 10 нс | 25 нс | 8А | 12 В | 20 В | 1,5 В | 3,1 Вт | 18мОм | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 1200пФ при 10В | 18 мОм при 8,3 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 8А | 33 НК при 10 В | Ворота логического уровня | 18 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDPC5018SG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-fdpc5018sg-datasheets-1705.pdf | 8-PowerWDFN | 8 | 23 недели | 207,7333мг | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | 1,1 Вт | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | НЕ УКАЗАН | 2 | 32А | КРЕМНИЙ | ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОЕ ПОДКЛЮЧЕНИЕ, ЦЕНТРАЛЬНЫЙ ОТВЕТ, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1 Вт 1,1 Вт | 17А | 0,005 Ом | 60 пФ | 2 N-канальных (двойных) асимметричных | 1715пФ при 15В | 5 мОм при 17 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 17А 32А | 24 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDPC5030SG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/onsemiconductor-fdpc5030sg-datasheets-1739.pdf | 8-PowerWDFN | 23 недели | 207,7333мг | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | 1,1 Вт | 260 | НЕ УКАЗАН | 25А | 30В | 1 Вт 1,1 Вт | 2 N-канальных (двойных) асимметричных | 1715пФ при 15В | 5 мОм при 17 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 17А 25А | 24 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FC8V22040L | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/panasonicelectroniccomComponents-fc8v22040l-datasheets-1285.pdf | 8-СМД, плоский вывод | 2,9 мм | 830 мкм | 2,4 мм | 8 | 10 недель | 8 | EAR99 | неизвестный | 1 Вт | НЕ УКАЗАН | FC8V2204 | Двойной | НЕ УКАЗАН | 1 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 600 пс | 4,4 мкс | 8А | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 24В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 8А | 0,02 Ом | 24В | 2 N-канала (двойной) | 15 мОм при 4 А, 4,5 В | 1,5 В при 1 мА | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИЗ710ДТ-Т1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2018 год | /files/vishaysiliconix-siz710dtt1ge3-datasheets-1461.pdf | 6-PowerPair™ | 6 мм | 750 мкм | 3,73 мм | Без свинца | 6 | 14 недель | Неизвестный | 6,8 мОм | 6 | да | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | 48 Вт | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | СИЗ710 | 6 | 2 | Двойной | 40 | 4,6 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | 15нс | 12 нс | 16А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2,2 В | 27 Вт 48 Вт | 35А | 70А | 20 В | 2 Н-канала (полумост) | 820пФ при 10 В | 2,2 В | 6,8 мОм при 19 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 16А 35А | 18 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7236DP-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysiliconix-si7236dpt1ge3-datasheets-1565.pdf | PowerPAK® SO-8 двойной | 4,9 мм | 1,04 мм | 5,89 мм | 6 | 15 недель | 506,605978мг | 8 | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 46 Вт | С ИЗГИБ | 260 | СИ7236 | 8 | Двойной | 30 | 3,5 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Р-XDSO-C6 | 10 нс | 15нс | 10 нс | 60 нс | 20,7А | 12 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 60А | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 4000пФ при 10В | 5,2 мОм при 20,7 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 60А | 105 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СП8М51ФРАТБ | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2017 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 20 недель | EAR99 | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПДСО-G8 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 100В | 100В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 Вт | 3А | 12А | 0,19 Ом | N и P-канал | 610пФ при 10В 1550пФ при 25В | 170 мОм при 3 А, 10 В, 290 м Ом при 2,5 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 3А Та 2,5А Та | 8,5 нк при 5 В, 12,5 нк при 5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИЗ902ДТ-Т1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-siz902dtt1ge3-datasheets-1531.pdf | 8-PowerWDFN | 6 мм | 750 мкм | 5 мм | 6 | 14 недель | 8 | EAR99 | Олово | Нет | 66 Вт | СИЗ902 | 2 | Двойной | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПДСО-Н6 | 10 нс | 10 нс | 35 нс | 16А | 20 В | КРЕМНИЙ | ДРЕНАЖНЫЙ ИСТНИКОЧ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 29 Вт 66 Вт | 50А | 16 мДж | 2 Н-канала (полумост) | 790пФ при 15 В | 12 мОм при 13,8 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 21 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQ4961EY-T1_GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/vishaysiliconix-sq4961eyt1ge3-datasheets-1499.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 12 недель | 8 | Нет | 3,3 Вт | 2 | 8-СО | 11 нс | 13нс | 8 нс | 36 нс | 4,4А | 20 В | 60В | 3,3 Вт | 2 P-канала (двойной) | 1140пФ при 25В | 85 мОм при 3,5 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 4,4 А Тс | 40 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7923DN-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-si7923dnt1e3-datasheets-1593.pdf | PowerPAK® 1212-8 двойной | 3,05 мм | 1,04 мм | 3,05 мм | Без свинца | 6 | 14 недель | Неизвестный | 47мОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,3 Вт | С ИЗГИБ | 260 | СИ7923 | 8 | Двойной | 40 | 1,3 Вт | 2 | Другие транзисторы | S-XDSO-C6 | 10 нс | 12нс | 12 нс | 38 нс | -6,4А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -3В | 4,3А | -30В | 2 P-канала (двойной) | 47 мОм при 6,4 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 4,3А | 21 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СП8М10ФРАТБ | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 8 недель | EAR99 | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПДСО-G8 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 30В | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 Вт Та | 7А | 28А | 0,037Ом | N и P-канал | 600пФ 850пФ при 10В | 25 мОм при 7 А, 10 В, 56 м Ом при 4,5 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 7А Та 4,5А Та | 8,4 нк, 8,5 нк при 5 В | Ворота логического уровня, привод 4 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ш8М24ТБ1 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/rohmsemiconductor-sh8m24gzetb-datasheets-0736.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 52 недели | 8 | 2 Вт | *M24 | 2 Вт | 3,5 А | 45В | N и P-канал | 550пФ при 10 В | 46 мОм при 4,5 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 4,5 А 3,5 А | 9,6 НК при 5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDMC7208S | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/onsemiconductor-fdmc7208s-datasheets-1311.pdf | 8-PowerWDFN | 3 мм | 750 мкм | 3 мм | 4 | 23 недели | 196мг | 8 | АКТИВНО (Последнее обновление: 5 дней назад) | да | EAR99 | Нет | е4 | Никель/Палладий/Золото/Серебро (Ni/Pd/Au/Ag) | 800мВт | Двойной | 1,9 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | С-ПДСО-Н4 | 7 нс | 2 нс | 23 нс | 16А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 12А | 0,009 Ом | 55 пФ | 30В | 2 N-канала (двойной) | 1130пФ при 15В | 9 мОм при 12 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 12А 16А | 18 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STL8DN6LF3 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, STripFET™ III | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stl8dn6lf3-datasheets-1452.pdf | 8-PowerVDFN | Без свинца | 12 недель | 8 | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | Нет | 65 Вт | STL8 | 65 Вт | 2 | Полномочия общего назначения FET | 9 нс | 7,7 нс | 5 нс | 32,5 нс | 20А | 20 В | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 N-канала (двойной) | 668пФ при 25 В | 30 мОм при 4 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 13 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ш8К32ГЗЭТБ | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/rohmsemiconductor-sh8k32gzetb-datasheets-1391.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 16 недель | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 60В | 1,4 Вт Та | 2 N-канала (двойной) | 500пФ при 10В | 65 мОм при 4,5 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 4,5 А Та | 10 НК при 5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7272DP-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysiliconix-si7272dpt1ge3-datasheets-1489.pdf | PowerPAK® SO-8 двойной | 4,9 мм | 1,04 мм | 5,89 мм | Без свинца | 6 | 14 недель | 506,605978мг | Нет СВХК | 8 | да | EAR99 | Олово | неизвестный | е3 | 22 Вт | С ИЗГИБ | 260 | СИ7272 | 8 | 30 | 3,6 Вт | 2 | Полномочия общего назначения FET | Не квалифицирован | Р-XDSO-C6 | 20 нс | 15нс | 10 нс | 22 нс | 15А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2,5 В | 60А | 0,0093Ом | 2 N-канала (двойной) | 1100пФ при 15В | 9,3 мОм при 15 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 25А | 26 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CSD87333Q3DT | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НексФЕТ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 125°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 1,05 мм | Соответствует ROHS3 | 8-PowerTDFN | 3,3 мм | 3,3 мм | Содержит свинец | 8 | 6 недель | 75,891673мг | 8 | АКТИВНО (Последнее обновление: 5 дней назад) | да | 900 мкм | EAR99 | Золото | не_совместимо | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | 6 Вт | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 0,65 мм | CSD87333 | 2 | КОММУТАЦИОННЫЙ КОНТРОЛЛЕР | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 2,1 нс | 3,9 нс | 2,2 нс | 9,4 нс | 15А | 950 мВ | 30В | 12 В | БАК-БУСТ | 1500 кГц | 2 N-канальных (двойных) асимметричных | 662пФ при 15 В | 14,3 мОм при 4 А, 8 В | 1,2 В @ 250 мкА | 4,6 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня, привод 5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4936BDY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysiliconix-si4936bdyt1ge3-datasheets-1205.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 14 недель | 506,605978мг | Неизвестный | 8 | да | EAR99 | Нет | Чистая матовая банка (Sn) | 2,8 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ4936 | 8 | 2 | Двойной | 30 | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 5 нс | 25нс | 10 нс | 12 нс | 6,9А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3В | 0,035 Ом | 30В | 2 N-канала (двойной) | 530пФ при 15В | 35 мОм при 5,9 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 15 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4948BEY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/vishaysiliconix-si4948beyt1ge3-datasheets-1222.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,55 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 14 недель | 186,993455мг | Неизвестный | 120МОм | 8 | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 1,4 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ4948 | 8 | 2 | Двойной | 30 | 2,4 Вт | 2 | 10 нс | 15нс | 35 нс | 50 нс | -2,4А | 20 В | КРЕМНИЙ | 60В | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -3В | 2 P-канала (двойной) | -3 В | 120 мОм при 3,1 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 2,4А | 22 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQJ951EP-T1_GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysiliconix-sqj951ept1ge3-datasheets-1217.pdf | PowerPAK® SO-8 двойной | 12 недель | 8 | 56 Вт | 56 Вт | 2 | PowerPAK® SO-8 двойной | 1,68 нФ | 30А | 20 В | 30В | 56 Вт | 2 P-канала (двойной) | 1680пФ при 10В | 17 мОм при 7,5 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 30А | 50 НК при 10 В | Стандартный | 17 мОм |
