Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМодули драйверов питания(1071)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Установить | Тип монтажа | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Рабочий ток питания | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | Максимальное напряжение питания | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Текущий | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Максимальный текущий рейтинг | Максимальное входное напряжение | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Напряжение | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Базовый номер детали | Температурный класс | Рабочая температура (макс.) | Рабочая температура (мин) | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Аналоговая микросхема — другой тип | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Подкатегория | Источники питания | Максимальный ток питания (Isup) | Статус квалификации | Код JESD-30 | Максимальное выходное напряжение | Минимальное входное напряжение | Минимальное выходное напряжение | Выходной ток | Включить время задержки | Время задержки отключения | Конфигурация | Количество выходов | Частота переключения | Напряжение – изоляция | Входное напряжение-ном. | Входное напряжение (мин.) | Входное напряжение (макс.) | Минимальное напряжение проба | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Выходной ток-Макс. | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Техника управления | Снижение сопротивления до источника | Частота переключения-Макс. |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| НФП36060L42T | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | Движение СПМ® 3 | Сквозное отверстие | Непригодный | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-nfp36060l42t-datasheets-2024.pdf | Модуль 27-PowerDIP (1,205, 30,60 мм) | 27 | 15 недель | да | 60А | 1 | 600В | НЕТ | ЗИГ-ЗАГ | 15 В | АВТОМОБИЛЬНЫЙ | 125°С | -40°С | Р-XZFM-T27 | 2 фаза | 2500 В (среднеквадратичное значение) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФДМФ5076 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МОП-транзистор | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 25-PowerWFQFN | 12 недель | да | 35А | 30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФСБ70450 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МОП-транзистор | Движение СПМ® 7 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 150°С | -40°С | 15 кГц | 1,7 мА | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/onsemiconductor-fsb70450-datasheets-1895.pdf | Модуль 27-PowerLQFN | 13 мм | 1,4 мм | 13 мм | 300В | 27 | 6 недель | 2,174663г | 400В | 27 | АКТИВНО (Последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | не_совместимо | 8541.29.00.95 | 4,8А | е3 | Олово (Вс) | 110 Вт | 260 | 15 В | НЕ УКАЗАН | Электроника управления движением | 15 В | Не квалифицирован | 4,8А | 3 фаза | 3 | 15 кГц | 1500 В (среднеквадратичное значение) | 500В | 500В | 4,8А | 1,9 Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НФАМ2012L5BT | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | Сквозное отверстие | Непригодный | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-nfam2012l5bt-datasheets-1946.pdf | Модуль 39-PowerDIP (1,413, 35,90 мм), 30 выводов | 8 недель | да | 20А | 1,2 кВ | 3 фаза | 2500 В (среднеквадратичное значение) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИМ564Х6ДХКМА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МОП-транзистор | СИПОС™ | Сквозное отверстие | Непригодный | Соответствует ROHS3 | /files/infineontechnologies-im564x6dxkma1-datasheets-2031.pdf | Модуль 24-PowerDIP (1,028, 26,10 мм) | 20А | 600В | 3-фазный инвертор | 2000 В (среднеквадратичное значение) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТГИПС10К60Т | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | СЛИММ™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stgips10k60t-datasheets-1947.pdf | Модуль 25-PowerDIP (0,993, 25,23 мм) | 44,9 мм | 7,5 мм | 22,5 мм | Без свинца | 25 | 12 недель | 25 | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | Нет | 10А | 8542.39.00.01 | 1 | 33 Вт | ДВОЙНОЙ | 15 В | СТГИПС10 | АВТОМОБИЛЬНЫЙ | 18В | 13,5 В | 320 нс | 430 нс | 3 фаза | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 600В | 10А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOZ5039QI | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МОП-транзистор | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | Модуль 31-PowerWFQFN | 18 недель | 50А | 1 фаза | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФСБ70325 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МОП-транзистор | Движение СПМ® 7 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 150°С | -40°С | ГИБРИДНЫЙ | 15 кГц | 1,7 мА | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-fsb70325-datasheets-1952.pdf | Модуль 27-PowerLQFN | 13 мм | 1,4 мм | 13 мм | 150 В | 30 | 6 недель | 2,174663г | 200В | 27 | АКТИВНО (Последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | не_совместимо | 8541.29.00.95 | 1 | 4,1А | е3 | Олово (Вс) | 49 Вт | НЕУКАЗАНО | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 150 В | НЕ УКАЗАН | Электроника управления движением | 15 В | Не квалифицирован | 5мА | 3 фаза | 3 | 15 кГц | 1500 В (среднеквадратичное значение) | 250 В | 250 В | 4,1А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФСБ50450УД | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МОП-транзистор | Движение СПМ® 5 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/onsemiconductor-fsb50450ud-datasheets-2040.pdf | Модуль 23-PowerDIP (0,551, 14,00 мм) | 29,2 мм | 3,3 мм | 12,2 мм | 15 В | 23 | 5,337 г | 400В | 23 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | не_совместимо | 8541.29.00.95 | 1 | 1,5 А | 160 мкА | е3 | Олово (Вс) | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 15 В | ФСБ50450 | 13,5 В | НЕ УКАЗАН | Не квалифицирован | 3 фаза | 15 кГц | 1500 В (среднеквадратичное значение) | 500В | 3,8А | 500В | 1,5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STK554U392C-E | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | Сквозное отверстие | Непригодный | ГИБРИДНЫЙ | /files/onsemiconductor-stk554u392ce-datasheets-1958.pdf | Модуль 29-SSIP, 21 отведение, сформированные отведения | 21 | 12 недель | да | 15А | 1 | 600В | НЕТ | ОДИНОКИЙ | 280В | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 100°С | -40°С | Р-XSFM-T21 | 3-фазный инвертор | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТГИПН3Х60-Х | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | СЛИММ™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | Модуль 26-PowerDIP (0,846, 21,48 мм) | 29,55 мм | 3,1 мм | 12,55 мм | Без свинца | 26 | EAR99 | Нет | 3А | 8542.39.00.01 | 21В | СТГИПН3 | 8 Вт | 14,7 В | -300мВ | 150 мВ | 3 фаза | 1000 В (среднеквадратичное значение) | 2,15 В | 600В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NFAM3065L4B | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | Трубка | Непригодный | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-nfam3065l4b-datasheets-1973.pdf | Модуль 39-PowerDIP (1,413, 35,90 мм), 29 выводов | 17 недель | да | 30А | 650В | 3-фазный инвертор | 2500 В (среднеквадратичное значение) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФСБ70550 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МОП-транзистор | Движение СПМ® 7 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 150°С | -40°С | 15 кГц | 1,7 мА | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/onsemiconductor-fsb70550-datasheets-1923.pdf | Модуль 27-PowerLQFN | 300В | 27 | 12 недель | 2,174663г | 27 | АКТИВНО (Последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | не_совместимо | 8541.29.00.95 | 5,3А | е3 | Олово (Вс) | 110 Вт | 260 | 15 В | НЕ УКАЗАН | Электроника управления движением | 15 В | Не квалифицирован | 5,3А | 3 фаза | 3 | 1500 В (среднеквадратичное значение) | 500В | 1,85 Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОЗ5047QIS-01 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 24-PowerTFQFN | 18 недель | КОММУТАЦИОННЫЙ РЕГУЛЯТОР | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФСБ50550ASE | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МОП-транзистор | Движение СПМ® 5 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 150°С | -40°С | 3,5 мм | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-fsb50550ase-datasheets-1975.pdf | Модуль 23-PowerSMD, крыло чайки | 29 мм | 12 мм | 23 | 41 неделя | 3864 г | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | 2А | не_совместимо | 8541.29.00.95 | 1 | 1,2А | е3 | Олово (Вс) | ДВОЙНОЙ | 260 | 15 В | 16,5 В | 13,5 В | НЕ УКАЗАН | Р-XDMA-G23 | 3 фаза | 1500 В (среднеквадратичное значение) | 500В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФСБ70250 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МОП-транзистор | Движение СПМ® 7 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 150°С | -40°С | 15 кГц | 1,7 мА | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/onsemiconductor-fsb70250-datasheets-1868.pdf | Модуль 27-PowerLQFN | 13 мм | 1,4 мм | 13 мм | 300В | 27 | 39 недель | 2,174663г | 400В | 27 | АКТИВНО (Последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | не_совместимо | 8541.29.00.95 | 1 | 3,3А | е3 | Олово (Вс) | 81 Вт | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 15 В | НЕ УКАЗАН | Электроника управления движением | 15 В | Не квалифицирован | 5мА | 3 фаза | 3 | 15 кГц | 1500 В (среднеквадратичное значение) | 500В | 500В | 3,3А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НФАМ2065L4BT | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | Сквозное отверстие | Непригодный | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-nfam2065l4bt-datasheets-2012.pdf | Модуль 39-PowerDIP (1,413, 35,90 мм), 30 выводов | 16 недель | да | 20А | 650В | 3 фаза | 2500 В (среднеквадратичное значение) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТГИБ30М60С-Э | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | СЛИММ™ | Сквозное отверстие | Модуль 26-PowerDIP (1,146, 29,10 мм) | 26 недель | 35А | 600В | 3-фазный инвертор | 1500 В (среднеквадратичное значение) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| XR78021ELTR-F | МаксЛинейар, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МОП-транзистор | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | Соответствует RoHS | /files/maxlinearinc-xr78021eltrf-datasheets-2013.pdf | 27-PowerVQFN | 20А | H-мост | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NFAM5065L4B | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | Трубка | Непригодный | ГИБРИДНЫЙ | 7,7 мм | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-nfam5065l4b-datasheets-1861.pdf | Модуль 39-PowerDIP (1,413, 35,90 мм), 29 выводов | 54,5 мм | 31 мм | 29 | 14 недель | да | 50А | 1 | 650В | НЕТ | ДВОЙНОЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | 300В | АВТОМОБИЛЬНЫЙ | 125°С | -40°С | Р-XDMA-T29 | 3-фазный инвертор | 2500 В (среднеквадратичное значение) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИМ240М6Y2BAKMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | СИПОС™ | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | Модуль 23-PowerDIP (0,748, 19,00 мм) | 4А | 600В | 1900 В (среднеквадратичное значение) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BM63964S-VC | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | ГИБРИДНЫЙ | Соответствует ROHS3 | /files/rohmsemiconductor-bm63964svc-datasheets-1864.pdf | Модуль 25-PowerDIP (1,327, 33,70 мм) | 25 | 13 недель | EAR99 | ТАКЖЕ ТРЕБУЕТСЯ ОТ 13 В ДО 18,5 В; НАПРЯЖЕНИЕ ПИТАНИЯ ОТ 0 В ДО 400 В | 15А | 8542.39.00.01 | 1 | 600В | НЕТ | ЗИГ-ЗАГ | НЕ УКАЗАН | 15 В | ДРУГОЙ | 100°С | -25°С | НЕ УКАЗАН | Р-XZFM-T25 | 3-фазный инвертор | 1500 В (среднеквадратичное значение) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOZ5038QI | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МОП-транзистор | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 0,85 мм | Соответствует ROHS3 | 2010 год | Модуль 31-PowerWFQFN | 5 мм | 5 мм | 31 | 18 недель | 50А | 1 | ДА | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 85°С | -40°С | НЕ УКАЗАН | S-XQCC-N31 | 1 фаза | 12 В | 4,5 В | 25 В | ШИРОТНО-ИМПУЛЬСНАЯ МОДУЛЯЦИЯ | 2000 кГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТГИБ15Ч60ТС-Х | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | СЛИММ™ | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stgib15ch60tsx-datasheets-1875.pdf | Модуль 26-PowerDIP (1,146, 29,10 мм) | 26 недель | 20А | 600В | 3-фазный инвертор | 1500 В (среднеквадратичное значение) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФСБ50250АТ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МОП-транзистор | Движение СПМ® 5 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | 200 мкА | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-fsb50250at-datasheets-1880.pdf | Модуль 23-PowerDIP (0,551, 14,00 мм) | 29,2 мм | 3,3 мм | 12,2 мм | 300В | 23 | 8 недель | 5,99 г | 400В | 23 | АКТИВНО (Последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | не_совместимо | 8541.29.00.95 | 1 | 1,2А | е3 | Олово (Вс) | 13,4 Вт | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 15 В | ФСБ50250 | НЕ УКАЗАН | Электроника управления движением | 15 В | 0,2 мА | Не квалифицирован | 3 фаза | 3 | 15 кГц | 1500 В (среднеквадратичное значение) | 500В | 500В | 1,2А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФСБ50450BS | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МОП-транзистор | Движение СПМ® 5 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 150°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2017 год | /files/onsemiconductor-fsb50450bs-datasheets-1889.pdf | Модуль 23-PowerSMD, крыло чайки | 8 недель | 3864 г | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | 2,2А | 1А | 3-фазный инвертор | 1500 В (среднеквадратичное значение) | 500В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БМ63563С-ВК | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | ГИБРИДНЫЙ | Соответствует ROHS3 | /files/rohmsemiconductor-bm63563sva-datasheets-1457.pdf | Модуль 25-PowerDIP (1,327, 33,70 мм) | 25 | 13 недель | ТАКЖЕ ТРЕБУЕТСЯ ОТ 13 В ДО 18,5 В; НАПРЯЖЕНИЕ ПИТАНИЯ ОТ 0 В ДО 400 В | 10А | 1 | 600В | НЕТ | ЗИГ-ЗАГ | НЕ УКАЗАН | 15 В | ДРУГОЙ | 100°С | -25°С | НЕ УКАЗАН | Р-XZFM-T25 | 3-фазный инвертор | 1500 В (среднеквадратичное значение) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BM63564S-VC | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | ГИБРИДНЫЙ | Соответствует ROHS3 | /files/rohmsemiconductor-bm63564sva-datasheets-1459.pdf | Модуль 25-PowerDIP (1,327, 33,70 мм) | 25 | 13 недель | ТАКЖЕ ТРЕБУЕТСЯ ОТ 13 В ДО 18,5 В; НАПРЯЖЕНИЕ ПИТАНИЯ ОТ 0 В ДО 400 В | 15А | 1 | 600В | НЕТ | ЗИГ-ЗАГ | НЕ УКАЗАН | 15 В | ДРУГОЙ | 100°С | -25°С | НЕ УКАЗАН | Р-XZFM-T25 | 3-фазный инвертор | 1500 В (среднеквадратичное значение) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТИПН1М50-Н | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МОП-транзистор | СЛИММ™ | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stipn1m50h-datasheets-1849.pdf | Модуль 26-PowerDIP (0,846, 21,48 мм) | 13 недель | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | 1А | 500В | НЕ УКАЗАН | СТИПН1 | НЕ УКАЗАН | 3-фазный инвертор | 1000 В (среднеквадратичное значение) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NFAM5065L4BT | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | Трубка | Непригодный | ГИБРИДНЫЙ | 13,2 мм | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-nfam5065l4bt-datasheets-1911.pdf | Модуль 39-PowerDIP (1,413, 35,90 мм), 30 выводов | 54,5 мм | 31 мм | 30 | 9 недель | да | 50А | 1 | 650В | НЕТ | ДВОЙНОЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | 15 В | АВТОМОБИЛЬНЫЙ | 125°С | -40°С | Р-XDMA-T30 | 3-фазный инвертор | 2500 В (среднеквадратичное значение) |
