Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМодули драйверов питания(1071)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Установить | Тип монтажа | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Текущий | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Максимальный текущий рейтинг | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Напряжение | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Температурный класс | Рабочая температура (макс.) | Рабочая температура (мин) | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Подкатегория | Источники питания | Максимальный ток питания (Isup) | Статус квалификации | Максимальный переход температуры (Tj) | Код JESD-30 | Выходное напряжение | Выходной ток | Включить время задержки | Время задержки отключения | Конфигурация | Количество выходов | Частота переключения | Напряжение – изоляция | Входное напряжение-ном. | Входное напряжение (мин.) | Входное напряжение (макс.) | Подстройка/регулируемый выход | Минимальное напряжение проба | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Выходной ток-Макс. | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| СТГИПН3Х60 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | СЛИММ™ | Печатная плата, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stgipn3h60-datasheets-0809.pdf | Модуль 26-PowerDIP (0,846, 21,48 мм) | 29,25 мм | 3,1 мм | 12,55 мм | Без свинца | 26 | 10 недель | Нет СВХК | 26 | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | Нет | 3А | 8542.39.00.01 | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | 8 Вт | ДВОЙНОЙ | 15 В | 1,8 мм | СТГИПН3 | 26 | 275 нс | 890 нс | 3 фаза | 1000 В постоянного тока | 600В | 3А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТГИПС20К60 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | СЛИММ™ | Печатная плата, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | ГИБРИДНЫЙ | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stgips20k60-datasheets-0819.pdf | Модуль 25-PowerDIP (0,993, 25,23 мм) | 44,9 мм | 7,5 мм | 22,5 мм | Без свинца | 25 | 12 недель | Нет СВХК | 25 | АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | EAR99 | Нет | 17А | 1 | 52 Вт | ДВОЙНОЙ | 15 В | СТГИПС20 | 25 | Электроника управления движением | 15 В | 300 нс | 700 нс | 3 фаза | 1 | 2500 В постоянного тока | 15 В | 13,5 В | 18В | НЕТ | 600В | 18А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STGIPS20C60T-H | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | СЛИММ™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | 125°С | -40°С | 7,5 мм | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stgips20c60th-datasheets-0826.pdf | Модуль 25-PowerDIP (0,993, 25,23 мм) | 44,4 мм | 22 мм | 25 | 32 недели | 25 | EAR99 | 20А | 8542.39.00.01 | 1 | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 15 В | СТГИПС20 | АВТОМОБИЛЬНЫЙ | 18В | 13,5 В | НЕ УКАЗАН | 3 фаза | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 600В | 20А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IKCM20L60GDXKMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | СИПОС™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | 5,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/infineontechnologies-ikcm20l60gdxkma1-datasheets-0831.pdf | 20А | Модуль 24-PowerDIP (1,028, 26,10 мм) | 36 мм | 21 мм | Без свинца | 24 | 20 недель | 24 | да | EAR99 | 8542.39.00.01 | 1 | Без галогенов | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 16В | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 18,5 В | 14,5 В | НЕ УКАЗАН | 600В | 20А | 3 фаза | 2000 В (среднеквадратичное значение) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOZ5237QI | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МОП-транзистор | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | Модуль 31-PowerVFQFN | 18 недель | 40А | 1 фаза | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FNA25012A | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | Движение СПМ® 2 | Сквозное отверстие | Непригодный | ГИБРИДНЫЙ | 9,2 мм | Не соответствует требованиям RoHS | /files/onsemiconductor-fna25012a-datasheets-0840.pdf | Модуль 34-PowerDIP (1480, 37,60 мм) | 80 мм | 33 мм | 34 | 7 недель | да | НАПРЯЖЕНИЕ ПИТАНИЯ УПРАВЛЕНИЯ (VCC) = 15 В | 50А | 1 | 1,2 кВ | НЕТ | ДВОЙНОЙ | 600В | АВТОМОБИЛЬНЫЙ | 125°С | -40°С | Р-XDMA-T34 | 3-фазный инвертор | 2500 В (среднеквадратичное значение) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФСБ50550АТ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МОП-транзистор | Движение СПМ® 5 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/onsemiconductor-fsb50550at-datasheets-0844.pdf | Модуль 23-PowerDIP (0,748, 19,00 мм) | 29,2 мм | 3,3 мм | 12,2 мм | 23 | 8 недель | 5,99 г | 400В | 23 | АКТИВНО (Последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | не_совместимо | 8541.29.00.95 | 1 | 2А | 200 мкА | е3 | Олово (Вс) | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 15 В | ФСБ50550 | 13,5 В | НЕ УКАЗАН | Электроника управления движением | 15 В | 0,2 мА | Не квалифицирован | 3 фаза | 15 кГц | 1500 В (среднеквадратичное значение) | 500В | 5А | 500В | 2А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФСБ50325АТ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МОП-транзистор | Движение СПМ® 5 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Непригодный | 150°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-fsb50325at-datasheets-6154.pdf | Модуль 23-PowerDIP (0,748, 19,00 мм) | 29,2 мм | 3,3 мм | 12,2 мм | 23 | 7 недель | 5,99 г | 16,5 В | 13,5 В | 23 | АКТИВНО (Последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | не_совместимо | 8541.29.00.95 | 1 | 1,7 А | 200 мкА | е3 | Олово (Вс) | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 15 В | ФСБ50325 | НЕ УКАЗАН | Электроника управления движением | 15 В | 0,2 мА | Не квалифицирован | 3 фаза | 15 кГц | 1500 В (среднеквадратичное значение) | 250 В | 4,4А | 250 В | 1,7 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOZ5166QI | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МОП-транзистор | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | Модуль 40-PowerWFQFN | 18 недель | EAR99 | 60А | 8542.39.00.01 | 1 фаза | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТИПН2М50Т-ХЛ | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МОП-транзистор | СЛИММ™ | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stipn2m50thl-datasheets-0762.pdf | Модуль 26-PowerDIP (0,573, 14,50 мм) | 13 недель | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | 2А | 500В | НЕ УКАЗАН | СТИПН2 | НЕ УКАЗАН | 3-фазный инвертор | 1000 В (среднеквадратичное значение) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФСБ50650BS | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МОП-транзистор | Движение СПМ® 5 | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ГИБРИДНЫЙ | 3,5 мм | Не соответствует требованиям RoHS | /files/onsemiconductor-fsb50650bs-datasheets-0817.pdf | Модуль 23-PowerSMD, крыло чайки | 29 мм | 12 мм | 23 | 8 недель | да | 4А | 1 | 500В | ДА | ДВОЙНОЙ | 15 В | АВТОМОБИЛЬНЫЙ | 125°С | -40°С | Р-XDMA-G23 | 3-фазный инвертор | 1500 В (среднеквадратичное значение) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOZ5537QI | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МОП-транзистор | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | Модуль 31-PowerVFQFN | 18 недель | 50А | 1 фаза | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТГИПС10К60А2 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | СЛИММ™ | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | 7,5 мм | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stgips10k60a2-datasheets-0869.pdf | Модуль 25-PowerDIP (0,993, 25,23 мм) | 44,4 мм | 22 мм | 25 | 12 недель | NRND (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | 10А | 8542.39.00.01 | 1 | НЕТ | 33 Вт | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 15 В | СТГИПС10 | АВТОМОБИЛЬНЫЙ | 17В | 12 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДМА-Т25 | 3 фаза | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 2,1 В | 600В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IFCM20T65GDXKMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | СИПОС™ | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | ГИБРИДНЫЙ | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/infineontechnologies-ifcm20t65gdxkma1-datasheets-0776.pdf | Модуль 24-PowerDIP (1,028, 26,10 мм) | 24 | 20 недель | да | 20А | 1 | 650В | НЕТ | ДВОЙНОЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | АВТОМОБИЛЬНЫЙ | 125°С | -40°С | НЕ УКАЗАН | Р-МДФМ-Х24 | 2 фаза | 1 | 2000 В (среднеквадратичное значение) | 13,5 В | НЕТ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IM240S6Y1BAKMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | СИПОС™ | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | Модуль 23-ДИП (0,573, 14,55 мм) | 3А | 600В | 1900 В (среднеквадратичное значение) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТИПН2М50-Н | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МОП-транзистор | СЛИММ™ | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stipn2m50h-datasheets-0780.pdf | Модуль 26-PowerDIP (0,846, 21,48 мм) | 13 недель | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | 2А | 500В | СТИПН2 | 3-фазный инвертор | 1000 В (среднеквадратичное значение) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФСБ50325А | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МОП-транзистор | Движение СПМ® 5 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-fsb50325a-datasheets-6159.pdf | Модуль 23-PowerDIP (0,573, 14,56 мм) | 29,2 мм | 3,3 мм | 12,2 мм | Без свинца | 23 | 8 недель | 5,968 г | 16,5 В | 13,5 В | 23 | АКТИВНО (Последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | не_совместимо | 8541.29.00.95 | 1 | 1,7 А | 500 мА | е3 | Олово (Вс) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 15 В | ФСБ50325 | НЕ УКАЗАН | 12,3 Вт | Электроника управления движением | 15 В | 0,2 мА | Не квалифицирован | 3 фаза | 15 кГц | 1500 В (среднеквадратичное значение) | 250 В | 4,4А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФСБ50450А | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МОП-транзистор | Движение СПМ® 5 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-fsb50450a-datasheets-0784.pdf | Модуль 23-PowerDIP (0,573, 14,56 мм) | 29 мм | 3,3 мм | 12,2 мм | 15 В | 23 | 8 недель | 5,968 г | 16,5 В | 13,5 В | 23 | АКТИВНО (Последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Нет | 8541.29.00.95 | 1 | 1,5 А | 200 мкА | е3 | Олово (Вс) | ДВОЙНОЙ | 15 В | ФСБ50450 | Электроника управления движением | 0,2 мА | 3 фаза | 15 кГц | 1500 В (среднеквадратичное значение) | 500В | 3,9А | 500В | 1,5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FNC42060F2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | Движение SPM® 45 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-fnc42060f2-datasheets-0895.pdf | Модуль 26-PowerDIP (1,024, 26,00 мм) | 39,5 мм | 4,8 мм | 23,5 мм | 15 В | 26 | 8 недель | 17.088г | 400В | 13,5 В | 26 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | 8541.29.00.95 | 1 | 20А | е3 | Олово (Вс) | ДВОЙНОЙ | 15 В | 50 Вт | Электроника управления движением | 4мА | 1 мА | 3 фаза | 5 кГц | 2000 В (среднеквадратичное значение) | 600В | 2,35 В | 20А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФСББ30Ч60КТ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | Движение СПМ® 3 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-fsbb30ch60c-datasheets-0537.pdf | Модуль 27-PowerDIP (1,205, 30,60 мм) | 44,2 мм | 5,7 мм | 27 мм | 400В | Без свинца | 27 | 8 недель | 21 978 г | 450В | 27 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | 1 | 30А | 500 мкА | е3 | Олово (Вс) | ДВОЙНОЙ | 300В | ФСББ30Ч60 | 103 Вт | Электроника управления движением | 15 В | 23 мА | Не квалифицирован | 3 фаза | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 600В | 60А | 2,6 В | 30А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТГИБ15Ч60ТС-Э | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | СЛИММ™ | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | 6 мм | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stgib15ch60tse-datasheets-0701.pdf | Модуль 26-PowerDIP (1,327, 33,70 мм) | 38 мм | 24 мм | 26 | 26 недель | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | 20А | 8542.39.00.01 | 1 | 600В | НЕТ | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 15 В | СТГИБ15 | АВТОМОБИЛЬНЫЙ | 125°С | -40°С | НЕ УКАЗАН | Р-ПДМА-Т26 | 3-фазный инвертор | 1500 В (среднеквадратичное значение) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IKCM10L60GAXKMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | СИПОС™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | 5,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/infineontechnologies-ikcm10l60gaxkma1-datasheets-0708.pdf | 10А | Модуль 24-PowerDIP (1,028, 26,10 мм) | 36 мм | 21 мм | Без свинца | 24 | 20 недель | 24 | да | EAR99 | 8542.39.00.01 | 1 | Без галогенов | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 16В | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 18,5 В | 14 В | НЕ УКАЗАН | 600В | 10А | 3 фаза | 2000 В (среднеквадратичное значение) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БМ63764С-ВА | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | ГИБРИДНЫЙ | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/rohmsemiconductor-bm63764sva-datasheets-0715.pdf | Модуль 25-PowerDIP (1,134, 28,80 мм) | 24 | 13 недель | Нет СВХК | 15А | 8542.39.00.01 | 1 | 600В | НЕТ | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 15 В | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 125°С | -25°С | НЕ УКАЗАН | Р-XDFM-T24 | 3-фазный инвертор | 1500 В (среднеквадратичное значение) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТИБ1560ДМ2Т-Л | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МОП-транзистор | СЛИММ™ | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/stmicroelectronics-stib1560dm2tl-datasheets-0723.pdf | Модуль 26-PowerDIP (1,146, 29,10 мм) | 38 мм | 24 мм | 26 | 15 недель | 17А | совместимый | 1 | 600В | НЕТ | ЗИГ-ЗАГ | НЕ УКАЗАН | 15 В | СТИБ1560 | АВТОМОБИЛЬНЫЙ | 125°С | -40°С | НЕ УКАЗАН | Р-XZFM-T26 | 3-фазный инвертор | 1500 В (среднеквадратичное значение) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IKCM30F60GDXKMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | СИПОС™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | 125°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/infineontechnologies-ikcm30f60gdxkma1-datasheets-0728.pdf | 30А | Модуль 24-PowerDIP (1,028, 26,10 мм) | 36 мм | 5,6 мм | Без свинца | 24 | 20 недель | 18,5 В | 13,5 В | 24 | да | EAR99 | 1 | Без галогенов | 79,1 Вт | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 16В | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | НЕ УКАЗАН | 150°С | 600В | 30А | 3 фаза | 1 | 20 кГц | 2000 В (среднеквадратичное значение) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOZ5339QI | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МОП-транзистор | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | Модуль 31-PowerVFQFN | 18 недель | 50А | 1 фаза | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТИПН2М50Т-Х | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МОП-транзистор | СЛИММ™ | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stipn2m50th-datasheets-0631.pdf | Модуль 26-PowerDIP (0,846, 21,48 мм) | 13 недель | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | 2А | 500В | СТИПН2 | 3-фазный инвертор | 1000 В (среднеквадратичное значение) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STGIPS15C60-H | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | СЛИММ™ | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stgips15c60h-datasheets-0738.pdf | Модуль 25-PowerDIP (0,993, 25,23 мм) | 32 недели | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | 15А | 42 Вт | НЕ УКАЗАН | СТГИПС15 | НЕ УКАЗАН | 3 фаза | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,6 В | 600В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФСБ50660СФ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МОП-транзистор | Motion SPM® 5 SuperFET® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-fsb50660sf-datasheets-0636.pdf | Модуль 23-PowerDIP (0,573, 14,56 мм) | 29,2 мм | 3,3 мм | 12,2 мм | 300В | 23 | 8 недель | 5,968 г | 400В | 23 | АКТИВНО (Последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Нет | 8541.29.00.95 | 1 | 3,1А | 200 мкА | е3 | Олово (Вс) | ДВОЙНОЙ | 15 В | 14,2 Вт | Электроника управления движением | 15 В | 0,2 мА | 3 фаза | 3 | 20 кГц | 1500 В (среднеквадратичное значение) | 600В | 8.1А | 600В | 3,1А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФСБ50760СФТ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МОП-транзистор | Motion SPM® 5 SuperFET® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-fsb50760sft-datasheets-0745.pdf | Модуль 23-PowerDIP (0,748, 19,00 мм) | 29,2 мм | 3,3 мм | 12,2 мм | 15 В | 23 | 8 недель | 5,99 г | 400В | 23 | АКТИВНО (Последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Нет | 8541.29.00.95 | 1 | 3,6А | е3 | Олово (Вс) | ДВОЙНОЙ | 15 В | 13,5 В | 14,5 Вт | Электроника управления движением | 0,2 мА | 3 фаза | 20 кГц | 1500 В (среднеквадратичное значение) | 600В | 9,4А | 600В | 3,6А |
