Предварительно смещенные BJT-транзисторы(3991)

Имя	Производитель	Количество	Размер (ДхШхВ)	Ряд	Тип монтажа	Пакет/ключи	Поставщик пакета оборудования	Мощность - Макс.	Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)	Ток-Коллектор (Ic) (Макс)	Ток-отсечка коллектора (макс.)	Тип транзистора	Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce	Частота – переход	Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic	Резистор — база (R1)	Резистор — база эмиттера (R2)	Производитель
РН2409,ЛХХФ	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0		Поверхностный монтаж	ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3	S-Мини	200 мВт	50 В	100 мА	500нА	ПНП — предварительный смещенный	70 при 10 мА, 5 В	200 МГц	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	47 кОм	22 кОм	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
PDTD123YQAZ	НХП Полупроводники	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	*														НХП Полупроводники
PDTA114YQBZ	Нексперия США Инк.	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	-	Поверхностный монтаж, смачиваемая боковая поверхность	3-XDFN Открытая площадка	DFN1110D-3	340 мВт	50 В	100 мА	100нА	ПНП — предварительный смещенный	100 при 5 мА, 5 В	180 МГц	100 мВ при 250 мкА, 5 мА	10 кОм	47 кОм	Нексперия США Инк.
PDTA123JQBZ	Нексперия США Инк.	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	-	Поверхностный монтаж, смачиваемая боковая поверхность	3-XDFN Открытая площадка	DFN1110D-3	340 мВт	50 В	100 мА	100нА	ПНП — предварительный смещенный	100 при 10 мА, 5 В	180 МГц	100 мВ при 250 мкА, 5 мА	2,2 кОм	47 кОм	Нексперия США Инк.
PDTA124XQBZ	Нексперия США Инк.	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	-	Поверхностный монтаж, смачиваемая боковая поверхность	3-XDFN Открытая площадка	DFN1110D-3	340 мВт	50 В	100 мА	100нА	ПНП — предварительный смещенный	80 при 5 мА, 5 В	180 МГц	100 мВ при 500 мкА, 10 мА	22 кОм	47 кОм	Нексперия США Инк.
PDTC123JQBZ	Нексперия США Инк.	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	-	Поверхностный монтаж, смачиваемая боковая поверхность	3-XDFN Открытая площадка	DFN1110D-3	340 мВт	50 В	100 мА	100нА	ПНП — предварительный смещенный	100 при 10 мА, 5 В	180 МГц	100 мВ при 250 мкА, 5 мА	2,2 кОм	47 кОм	Нексперия США Инк.
PDTC144EQBZ	Нексперия США Инк.	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	-	Поверхностный монтаж, смачиваемая боковая поверхность	3-XDFN Открытая площадка	DFN1110D-3	340 мВт	50 В	100 мА	100нА	ПНП — предварительный смещенный	80 при 5 мА, 5 В	180 МГц	100 мВ при 500 мкА, 10 мА	47 кОм	47 кОм	Нексперия США Инк.
PDTC124EQBZ	Нексперия США Инк.	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	-	Поверхностный монтаж, смачиваемая боковая поверхность	3-XDFN Открытая площадка	DFN1110D-3	340 мВт	50 В	100 мА	100нА	ПНП — предварительный смещенный	60 при 5 мА, 5 В	180 МГц	100 мВ при 500 мкА, 10 мА	22 кОм	22 кОм	Нексперия США Инк.
RN1107,LXHF(CT	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	Автомобильная промышленность, AEC-Q101	Поверхностный монтаж	СК-75, СОТ-416	ССМ	100 мВт	50 В	100 мА	500нА	NPN — предварительный смещенный	80 при 10 мА, 5 В	250 МГц	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	10 кОм	47 кОм	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
РН1403,ЛХХФ	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	Автомобильная промышленность, AEC-Q101	Поверхностный монтаж	ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3	S-Мини	200 мВт	50 В	100 мА	500нА	NPN — предварительный смещенный	70 при 10 мА, 5 В	250 МГц	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	22 кОм	22 кОм	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
RN2404,LXHF	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	Автомобильная промышленность, AEC-Q101	Поверхностный монтаж	ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3	S-Мини	200 мВт	50 В	100 мА	500нА	ПНП — предварительный смещенный	80 при 10 мА, 5 В	200 МГц	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	47 кОм	47 кОм	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
RN1106MFV,L3XHF(CT	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	Автомобильная промышленность, AEC-Q101	Поверхностный монтаж	СОТ-723	ВЕСМ	150 мВт	50 В	100 мА	500нА	NPN — предварительный смещенный	80 при 1 мА, 5 В		300 мВ при 500 мкА, 5 мА	4,7 кОм	47 кОм	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
PDTA143XQBZ	Нексперия США Инк.	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	-	Поверхностный монтаж, смачиваемая боковая поверхность	3-XDFN Открытая площадка	DFN1110D-3	340 мВт	50 В	100 мА	100нА	ПНП — предварительный смещенный	50 при 10 мА, 5 В	180 МГц	100 мВ при 500 мкА, 10 мА	4,7 кОм	10 кОм	Нексперия США Инк.
PDTC143EQBZ	Нексперия США Инк.	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	-	Поверхностный монтаж, смачиваемая боковая поверхность	3-XDFN Открытая площадка	DFN1110D-3	340 мВт	50 В	100 мА	100нА	ПНП — предварительный смещенный	30 при 10 мА, 5 В	180 МГц	100 мВ при 500 мкА, 10 мА	4,7 кОм	4,7 кОм	Нексперия США Инк.
РН1406,ЛХХФ	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	Автомобильная промышленность, AEC-Q101	Поверхностный монтаж	ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3	S-Мини	200 мВт	50 В	100 мА	500нА	NPN — предварительный смещенный	80 при 10 мА, 5 В	250 МГц	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	4,7 кОм	47 кОм	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
РН1401,LXHF	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	Автомобильная промышленность, AEC-Q101	Поверхностный монтаж	ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3	S-Мини	200 мВт	50 В	100 мА	500нА	NPN — предварительный смещенный	30 при 10 мА, 5 В	250 МГц	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	4,7 кОм	4,7 кОм	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
RN2107,LXHF(CT	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	Автомобильная промышленность, AEC-Q101	Поверхностный монтаж	СК-75, СОТ-416	ССМ	100 мВт	50 В	100 мА	500нА	ПНП — предварительный смещенный	80 при 10 мА, 5 В	200 МГц	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	10 кОм	47 кОм	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
RN2115,LXHF(CT	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	Автомобильная промышленность, AEC-Q101	Поверхностный монтаж	СК-75, СОТ-416	ССМ	100 мВт	50 В	100 мА	500нА	ПНП — предварительный смещенный	50 при 10 мА, 5 В	200 МГц	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	2,2 кОм	10 кОм	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
RN1110,LXHF(CT	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	Автомобильная промышленность, AEC-Q101	Поверхностный монтаж	СК-75, СОТ-416	ССМ	100 мВт	50 В	100 мА	100нА (ИКБО)	NPN — предварительный смещенный	120 при 1 мА, 5 В	250 МГц	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	4,7 кОм		Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
RN1108,LXHF(CT	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	Автомобильная промышленность, AEC-Q101	Поверхностный монтаж	СК-75, СОТ-416	ССМ	100 мВт	50 В	100 мА	500нА	NPN — предварительный смещенный	80 при 10 мА, 5 В	250 МГц	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	22 кОм	47 кОм	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
RN2105MFV,L3XHF(CT	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	Автомобильная промышленность, AEC-Q101	Поверхностный монтаж	СОТ-723	ВЕСМ	150 мВт	50 В	100 мА	500нА	ПНП — предварительный смещенный	80 при 10 мА, 5 В	250 МГц	300 мВ при 500 мкА, 5 мА	2,2 кОм	47 кОм	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
RN1105,LXHF(CT	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	Автомобильная промышленность, AEC-Q101	Поверхностный монтаж	СК-75, СОТ-416	ССМ	100 мВт	50 В	100 мА	500нА	NPN — предварительный смещенный	80 при 10 мА, 5 В	250 МГц	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	2,2 кОм	47 кОм	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
RN2105,LXHF(CT	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	Автомобильная промышленность, AEC-Q101	Поверхностный монтаж	СК-75, СОТ-416	ССМ	100 мВт	50 В	100 мА	500нА	ПНП — предварительный смещенный	80 при 10 мА, 5 В	200 МГц	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	2,2 кОм	47 кОм	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
RN1412,LXHF	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	Автомобильная промышленность, AEC-Q101	Поверхностный монтаж	ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3	S-Мини	200 мВт	50 В	100 мА	100нА (ИКБО)	NPN — предварительный смещенный	120 при 1 мА, 5 В	250 МГц	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	22 кОм		Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
RN1407,LXHF	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	Автомобильная промышленность, AEC-Q101	Поверхностный монтаж	ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3	S-Мини	200 мВт	50 В	100 мА	500нА	NPN — предварительный смещенный	80 при 10 мА, 5 В	250 МГц	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	10 кОм	47 кОм	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
RN2111,LXHF(CT	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	Автомобильная промышленность, AEC-Q101	Поверхностный монтаж	СК-75, СОТ-416	ССМ	100 мВт	50 В	100 мА	100нА (ИКБО)	ПНП — предварительный смещенный	120 при 1 мА, 5 В	200 МГц	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	10 кОм		Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
RN1103,LXHF(CT	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	Автомобильная промышленность, AEC-Q101	Поверхностный монтаж	СК-75, СОТ-416	ССМ	100 мВт	50 В	100 мА	500нА	NPN — предварительный смещенный	70 при 10 мА, 5 В	250 МГц	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	22 кОм	22 кОм	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
RN1109,LXHF(CT	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	Автомобильная промышленность, AEC-Q101	Поверхностный монтаж	СК-75, СОТ-416	ССМ	100 мВт	50 В	100 мА	500нА	NPN — предварительный смещенный	70 при 10 мА, 5 В	250 МГц	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	47 кОм	22 кОм	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
РН2407,ЛХХФ	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	Автомобильная промышленность, AEC-Q101	Поверхностный монтаж	ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3	S-Мини	200 мВт	50 В	100 мА	500нА	ПНП — предварительный смещенный	80 при 10 мА, 5 В	200 МГц	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	10 кОм	47 кОм	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
RN2108,LXHF(CT	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	Автомобильная промышленность, AEC-Q101	Поверхностный монтаж	СК-75, СОТ-416	ССМ	100 мВт	50 В	100 мА	500нА	ПНП — предварительный смещенный	80 при 10 мА, 5 В	200 МГц	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	22 кОм	47 кОм	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных

Предварительно смещенные BJT-транзисторы(3991)

Скайп

WhatAapp

Электронная почта

Тел.

В наличии