Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактВыпрямительная диодная матрица (12345)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Рабочая температура (мин) | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Выходной ток | Тип цепи | Прямой ток | Прямое напряжение | Среднеквадратичный ток (Irms) | Максимальный импульсный ток | Конфигурация | Соединение корпуса | Приложение | Скорость | Материал диодного элемента | Rep Pk Обратное напряжение-Макс. | Максимальный прямой импульсный ток (Ifsm) | Пиковый обратный ток | Максимальное повторяющееся обратное напряжение (Vrrm) | Пиковый неповторяющийся импульсный ток | Обратное напряжение | Обратный ток-Макс. | Прямое напряжение-Макс. | Обратное время восстановления | Тип диода | Макс. обратное напряжение (постоянный ток) | Средний выпрямленный ток | Неповторяющийся Pk Прямой ток-макс. | Количество фаз | Выходной ток-Макс. | Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Ток – средний выпрямленный (Io) | Рабочая температура - соединение | Конфигурация диода |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| МДД175-28Н1 | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/ixys-mdd17528n1-datasheets-7414.pdf | Y1-CU | 3 | 28 недель | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | 8541.10.00.80 | е3 | Олово (Sn) - с никелевым (Ni) барьером | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | 3 | 140°С | -40°С | НЕ УКАЗАН | 2 | Выпрямительные диоды | Не квалифицированный | Р-XUFM-X3 | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ВЫСОКАЯ МОЩНОСТЬ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | Стандартный | 2,8 кВ | 240А | 4300А | 1 | 175А | 2800В | 1 при мА 2800 В | 1,07 В при 200 А | 1 пара последовательного подключения | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВС-ВСКД270-08ПБФ | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsvskt25016pbf-datasheets-9679.pdf | 270А | 3-МАГН-А-ПАК™ | 3 | 12 недель | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, ОДОБРЕН УЛ | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | Общий катод | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПУФМ-Х3 | Диоды | 424А | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ВЫСОКОЕ НАПРЯЖЕНИЕ МОЩНОСТИ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 50000мкА | 1,48 В | Стандартный | 800В | 135А | 9340А | 1 | 50 при мА 800 В | -40°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SET031011 | Корпорация Семтек | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | Модуль | 18 недель | НАБОР03 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 30 нс | 150 В | 15А | 150 В | 10 мкА при 150 В | 1,1 В при 9 А | 15А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВС-ВСКД320-16ПБФ | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsvskt25016pbf-datasheets-9679.pdf | 320А | 3-МАГН-А-ПАК™ | 12 недель | да | EAR99 | НЕ УКАЗАН | Общий катод | НЕ УКАЗАН | Диоды | 502А | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | Стандартный | 1,6 кВ | 160А | 1600В | 50 при мА 1600 В | -40°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДД171Н18ХПСА1 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LD411460 | Powerex Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/powerexinc-ld411660-datasheets-8048.pdf | Модуль POW-R-BLOK™ | 3 | 24 недели | Неизвестный | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | 3 | 150°С | -40°С | НЕ УКАЗАН | 2 | Выпрямительные диоды | Не квалифицированный | Р-XUFM-X3 | 600А | 1,18 В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 1,4 кВ | Стандартный | 1,4 кВ | 600А | 1 | 1400В | 40 при мА 1400 В | 1,19 В при 1800 А | 1 пара последовательного подключения | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SET030804 | Корпорация Семтек | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | Модуль | 3 | 18 недель | EAR99 | неизвестный | 8541.10.00.80 | РАДИАЛЬНЫЙ | НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ | НАБОР03 | 3 | 175°С | 2 | Выпрямительные диоды | Не квалифицированный | O-XRFM-D3 | ОБЩИЙ АНОД, 2 ЭЛЕМЕНТА | АНОД | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 1 мкА | 150 нс | ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД | 400В | 15А | 150А | 1 | 30А | 400В | 1 мкА при 400 В | 1,5 В при 9 А | -55°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTXV1N6660CAT1 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/608 | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jantx1n6660-datasheets-8454.pdf | ТО-254-3, ТО-254АА (прямые выводы) | 3 | 26 недель | EAR99 | 8541.10.00.80 | МИЛ-19500/608 | НЕТ | ОДИНОКИЙ | ПИН/ПЭГ | 3 | 150°С | 2 | Квалифицированный | S-XSFM-P3 | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ВЛАСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 45В | Шоттки | 300А | 1 | 15А | 45В | 1 при мА 45 В | 750 мВ при 15 А | 15А | -65°К~150°К | 1 пара общего анода | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTX1N6660CCT1 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/608 | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jantx1n6660-datasheets-8454.pdf | ТО-254-3, ТО-254АА (прямые выводы) | 3 | 30 недель | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | 8541.10.00.80 | МИЛ-19500/608 | НЕТ | ОДИНОКИЙ | ПИН/ПЭГ | 3 | 2 | Квалифицированный | С-МСФМ-П3 | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 45В | Шоттки | 300А | 1 | 30А | 45В | 1 при мА 45 В | 750 мВ при 15 А | 15А | -65°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВС-ВСКДЖ250-16ПБФ | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsvskt25016pbf-datasheets-9679.pdf | 250А | 3-МАГН-А-ПАК™ | 12 недель | да | EAR99 | НЕ УКАЗАН | Общий анод | НЕ УКАЗАН | Диоды | 393А | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | Стандартный | 1,6 кВ | 125А | 1600В | 50 при мА 1600 В | -40°К~150°К | 1 пара общего анода | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EDD480N22P60HPSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | Модуль | 12 недель | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | Стандартный | 2200В | 480А | 1 пара последовательного подключения | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВС-ВСКК320-20ПБФ | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | 130°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsvskt25016pbf-datasheets-9679.pdf | 270А | ИНТ-А-Пак | 12 недель | да | EAR99 | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | Диоды | 424А | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | Стандартный | 2кВ | 40А | 2000В | 50 при мА 2000 В | -40°К~150°К | 1 пара последовательного подключения | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВС-ВСКД320-20ПБФ | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsvskt25016pbf-datasheets-9679.pdf | 320А | 3-МАГН-А-ПАК™ | 12 недель | 499,858792г | да | EAR99 | НЕ УКАЗАН | Общий катод | НЕ УКАЗАН | Диоды | 502А | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | Стандартный | 2кВ | 160А | 2000В | 50 при мА 2000 В | -40°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВС-ВСКД320-04ПБФ | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsvskt25016pbf-datasheets-9679.pdf | 320А | 3-МАГН-А-ПАК™ | 3 | 12 недель | 499,858792г | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, ОДОБРЕН УЛ | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | Общий катод | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПУФМ-Х3 | Диоды | 502А | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ВЫСОКОЕ НАПРЯЖЕНИЕ МОЩНОСТИ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 50000мкА | 1,28 В | Стандартный | 400В | 160А | 10580А | 1 | 50 при мА 400 В | -40°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МДМА600П1600ПТ-ПК | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 16 недель | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДД261Н20ХПСА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Масса | Непригодный | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/infineontechnologies-dd261n20khpsa1-datasheets-7379.pdf | Модуль | 3 | 8 недель | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ, ПРИЗНАННАЯ УЛ | совместимый | 8541.10.00.80 | МЭК-61140 | НЕТ | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | 150°С | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПУФМ-Х3 | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | СРЕДНЯЯ МОЩНОСТЬ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 2000В | 40000мкА | Стандартный | 8300А | 1 | 260А | 2000В | 40 при мА 2000 В | 1,42 В при 800 А | 260А | -40°К~150°К | 1 пара последовательного подключения | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МУРТА60040 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/genesicemiconductor-murta60040-datasheets-1438.pdf | Три башни | 3 | 6 недель | ПРОИЗВОДСТВО (последнее обновление: 5 месяцев назад) | да | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 150°С | -55°С | 2 | Р-ПУФМ-Х3 | 4,4 кА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | СУПЕР БЫСТРОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 25 мкА | 400В | 220 нс | Стандартный | 400В | 600А | 4400А | 1 | 300А | 25 мкА при 50 В | 1,5 В при 300 А | 600А постоянного тока | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДД350Н16ХПСА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Масса | Непригодный | Не соответствует требованиям RoHS | 2012 год | /files/infineontechnologies-dd350n12khpsa1-datasheets-7308.pdf | Модуль | Без свинца | 3 | 8 недель | Нет СВХК | 350 | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ, ПРИЗНАННАЯ УЛ | 8541.10.00.80 | МЭК-61140 | Не содержит галогенов | НЕТ | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | 150°С | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПУФМ-Х3 | 550А | 350А | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | СРЕДНЯЯ МОЩНОСТЬ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 11 кА | 1,6 кВ | 1,6 кВ | 30000мкА | Стандартный | 1 | 1600В | 30 при мА 1600 В | 1,28 В при 1000 А | -40°К~150°К | 1 пара последовательного подключения | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДД261Н22ХПСА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Масса | Непригодный | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-dd261n20khpsa1-datasheets-7379.pdf | Модуль | 3 | 8 недель | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ, ПРИЗНАННАЯ УЛ | совместимый | 8541.10.00.80 | МЭК-61140 | НЕТ | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | 150°С | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПУФМ-Х3 | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | СРЕДНЯЯ МОЩНОСТЬ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 2200В | 40000мкА | Стандартный | 8300А | 1 | 260А | 2200В | 40 при мА 2200 В | 1,42 В при 800 А | 260А | -40°К~150°К | 1 пара последовательного подключения | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДД260Н12КХПСА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Непригодный | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-dd260n12khpsa1-datasheets-7250.pdf | 3 | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ, ПРИЗНАННАЯ УЛ | совместимый | 8541.10.00.80 | МЭК-61140 | НЕТ | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 150°С | -40°С | 2 | Р-ПУФМ-Х3 | ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОЕ ПОДКЛЮЧЕНИЕ, ЦЕНТРАЛЬНЫЙ ОТВОД, 2 ЭЛЕМЕНТА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | СРЕДНЯЯ МОЩНОСТЬ | КРЕМНИЙ | 1200В | 30000мкА | 1,32 В | ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД | 8300А | 1 | 260А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MSRTA300140(А)Д | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/genesicemiconductor-msrta300140ad-datasheets-1429.pdf | Три башни | 6 недель | ПРОИЗВОДСТВО (последнее обновление: 5 месяцев назад) | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | Стандартный | 1400В | 20 мкА при 1400 В | 1,1 В при 300 А | 300А постоянного тока | -55°К~150°К | 1 пара последовательного подключения | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВС-ВСКДЖ320-04ПБФ | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsvskt25016pbf-datasheets-9679.pdf | 320А | 3-МАГН-А-ПАК™ | 12 недель | 499,858792г | да | EAR99 | НЕ УКАЗАН | Общий анод | НЕ УКАЗАН | Диоды | 502А | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | Стандартный | 400В | 160А | 50 при мА 400 В | -40°К~150°К | 1 пара общего анода | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВС-ВСКК320-04ПБФ | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | 130°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsvskt25016pbf-datasheets-9679.pdf | 270А | ИНТ-А-Пак | 3 | 12 недель | 499,858792г | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, ОДОБРЕН УЛ | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПУФМ-Х3 | Диоды | 424А | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ВЫСОКОЕ НАПРЯЖЕНИЕ МОЩНОСТИ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 50000мкА | 1,28 В | Стандартный | 400В | 40А | 10580А | 1 | 320А | 50 при мА 400 В | -40°К~150°К | 1 пара последовательного подключения | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВС-ВСКК320-08ПБФ | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | 130°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsvskt25016pbf-datasheets-9679.pdf | 270А | ИНТ-А-Пак | 3 | 12 недель | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, ОДОБРЕН УЛ | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПУФМ-Х3 | Диоды | 424А | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ВЫСОКОЕ НАПРЯЖЕНИЕ МОЩНОСТИ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 50000мкА | 1,28 В | Стандартный | 800В | 40А | 10580А | 1 | 320А | 50 при мА 800 В | -40°К~150°К | 1 пара последовательного подключения | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВС-ВСКК250-08ПБФ | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | 130°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsvskt25016pbf-datasheets-9679.pdf | 250А | ИНТ-А-Пак | 3 | 12 недель | 499,858792г | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, ПРИЗНАННЫЙ УЛ | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПУФМ-Х3 | Диоды | 393А | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ВЫСОКОЕ НАПРЯЖЕНИЕ МОЩНОСТИ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 50000мкА | 1,29 В | Стандартный | 800В | 125А | 7345А | 1 | 50 при мА 800 В | -40°К~150°К | 1 пара последовательного подключения | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВС-ВСКД270-30ПБФ | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsvskt25016pbf-datasheets-9679.pdf | 270А | 3-МАГН-А-ПАК™ | Без свинца | 12 недель | да | неизвестный | НЕ УКАЗАН | Общий катод | НЕ УКАЗАН | Диоды | 424А | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | Стандартный | 3кВ | 135А | 3000В | 50 при мА 3000 В | -40°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EDD630N16P60HPSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | Модуль | 12 недель | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | Стандартный | 1600В | 630А | 1 пара последовательного подключения | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTX1N7037CCU1 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/730 | Поверхностный монтаж | Поднос | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jan1n7037ccu1-datasheets-7183.pdf | 3-СМД, без свинца | 8 недель | У1 (СМД-1) | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | Шоттки | 100 В | 500 мкА при 100 В | 1,22 В при 35 А | 35А | -65°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВС-ВСКЖ320-08ПБФ | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsvskt25016pbf-datasheets-9679.pdf | 320А | 3-МАГН-А-ПАК™ | 12 недель | да | EAR99 | НЕ УКАЗАН | Общий анод | НЕ УКАЗАН | Диоды | 502А | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | Стандартный | 800В | 160А | 50 при мА 800 В | -40°К~150°К | 1 пара общего анода | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЯН1N6660CCT1 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/608 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jantx1n6660-datasheets-8454.pdf | ТО-254-3, ТО-254АА (прямые выводы) | 3 | 26 недель | 3 | EAR99 | Нет | 8541.10.00.80 | МИЛ-19500/608 | ОДИНОКИЙ | ПИН/ПЭГ | 3 | Общий катод | 2 | Квалифицированный | 15А | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ВЛАСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 1 мА | 45В | 300А | Шоттки | 1 | 1 при мА 45 В | 750 мВ при 15 А | -65°К~150°К | 1 пара с общим катодом |
