Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактВыпрямительная диодная матрица (12345)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Прямой ток | Прямое напряжение | Максимальный импульсный ток | Максимальный обратный ток утечки | Соединение корпуса | Приложение | Скорость | Материал диодного элемента | Rep Pk Обратное напряжение-Макс. | Максимальный прямой импульсный ток (Ifsm) | Пиковый обратный ток | Максимальное повторяющееся обратное напряжение (Vrrm) | Пиковый неповторяющийся импульсный ток | Обратный ток-Макс. | Код JEDEC-95 | Обратное время восстановления | Тип диода | Макс. обратное напряжение (постоянный ток) | Средний выпрямленный ток | Неповторяющийся Pk Прямой ток-макс. | Количество фаз | Выходной ток-Макс. | Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Ток – средний выпрямленный (Io) | Рабочая температура - соединение | Конфигурация диода |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| МБР10Л60КТГ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | РЕЖИМ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ™ | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/onsemiconductor-mbr10l60ctg-datasheets-5442.pdf | ТО-220-3 | Без свинца | 3 | 2 недели | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) | да | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЖНОСТИ | Олово | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | НЕТ | ОДИНОКИЙ | 3 | Общий катод | 2 | Выпрямительные диоды | 10А | 660 мВ | 200А | 220 мкА | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 200А | 220 мкА | 60В | 200А | ТО-220АБ | Шоттки | 60В | 5А | 1 | 5А | 220 мкА при 60 В | 570 мВ при 5 А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||||
| 2006 финансовый годДНТУ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/onsemiconductor-fyp2006dntu-datasheets-5447.pdf | 60В | 20А | ТО-220-3 | 9,9 мм | 15,7 мм | 4,5 мм | Без свинца | 3 | 2 недели | 1,8 г | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Олово (Вс) | ОДИНОКИЙ | Общий катод | 2 | Выпрямительные диоды | 20А | 710 мВ | 200А | 1 мА | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 200А | 1 мА | 60В | 200А | ТО-220АБ | Шоттки | 60В | 20А | 1 | 1 при мА 60 В | 710 мВ при 20 А | -65°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||
| VF20150C-M3/4W | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТМБС® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vf20150cm34w-datasheets-5462.pdf | ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | 3 | 10 недель | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЩНОСТИ | неизвестный | 8541.10.00.80 | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | Общий катод | НЕ УКАЗАН | 2 | Выпрямительные диоды | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | 20А | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 150 мкА | 150 В | 120А | ТО-220АБ | Шоттки | 150 В | 10А | 1 | 150 мкА при 150 В | 1,2 В @ 10 А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| УГФ2005Г C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-ugf2005gc0g-datasheets-5381.pdf | ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | 16 недель | ИТО-220АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 20 нс | Стандартный | 300В | 5 мкА при 300 В | 1,25 В при 10 А | 20А | -55°К~175°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MSRTA200140(А)Д | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2017 год | Три башни | 6 недель | ПРОИЗВОДСТВО (последнее обновление: 5 месяцев назад) | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | Стандартный | 1,4 кВ | 200А | 1400В | 10 мкА при 1400 В | 1,1 В при 200 А | -55°К~150°К | 1 пара последовательного подключения | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБРФ20150CT C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-mbrf20200ctc0g-datasheets-6235.pdf | ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | 3 | 10 недель | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЩНОСТИ, ПРИЗНАНО УЛ | 8541.10.00.80 | НЕТ | ОДИНОКИЙ | 150°С | 2 | Выпрямительные диоды | Р-ПСФМ-Т3 | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 150 В | 100 мкА | Шоттки | 150А | 1 | 10А | 150 В | 100 мкА при 150 В | 1,05 В при 20 А | 20А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБРБ3045CT-E3/81 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-mbrb3045cte381-datasheets-5390.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | 22 недели | 3 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЩНОСТИ | Олово | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | МБРБ3045CT | 3 | Общий катод | 2 | Выпрямительные диоды | Р-ПССО-Г2 | 30А | 760 мВ | 200А | 1 мА | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 1 мА | 45В | 200А | Шоттки | 45В | 15А | 1 | 1 при мА 45 В | 600 мВ при 20 А | -65°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||||||||
| F1842CCD600 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБРБ30Х60СТ-1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | РЕЖИМ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ™ | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/onsemiconductor-mbrb30h60ctt4g-datasheets-2745.pdf | ТО-262-3 Длинные выводы, И2Пак, ТО-262АА | 10,31 мм | 9,65 мм | 4,7 мм | Без свинца | 3 | 2 недели | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЖНОСТИ | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | 260 | МБРБ30H60CT | 3 | Общий катод | 40 | 2 | Выпрямительные диоды | 15А | 780 мВ | 260А | 300 мкА | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 260А | 300 мкА | 60В | 260А | Шоттки | 60В | 15А | 1 | 7,5 А | 300 мкА при 60 В | 620 мВ при 15 А | -55°К~175°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||
| ВС-MURB1020CT-1-М3 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ФРЕД Пт® | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsmurb1020ct1m3-datasheets-5338.pdf | ТО-262-3 Длинные выводы, И2Пак, ТО-262АА | 14 недель | ТО-262АА | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 35 нс | Стандартный | 200В | 10 мкА при 200 В | 1,25 В при 10 А | 5А | -65°К~175°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РБ228НС-30ФХТЛ | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/rohmsemiconductor-rb228ns30fhtl-datasheets-5343.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | 12 недель | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 150°С | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПССО-Г2 | 30А | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 35В | 10 мкА | Шоттки | 1 | 15А | 30В | 10 мкА при 30 В | 720 мВ при 15 А | 150°С Макс. | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБР2Х030А100 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | СОТ-227-4, миниБЛОК | 6 недель | ПРОИЗВОДСТВО (последнее обновление: 5 месяцев назад) | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 100В | 60А | 100В | 1 при мА 100 В | 840 мВ при 30 А | -40°К~150°К | 2 независимых | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВС-MURB2020CT-M3 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ФРЕД Пт® | Поверхностный монтаж | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2018 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsmurb2020ctrm3-datasheets-8355.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 14 недель | ТО-263АБ (Д2ПАК) | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 35 нс | Стандартный | 200В | 10 мкА при 200 В | 1,15 В при 16 А | 10А | -65°К~175°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MBRF10100CT C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-mbrf10200ctc0g-datasheets-6194.pdf | ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | 10 недель | ИТО-220АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 100В | 100 мкА при 100 В | 950 мВ при 10 А | 10А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБРП1545НТУ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/onsemiconductor-mbrp1545ntu-datasheets-5353.pdf | 45В | 15А | ТО-220-3 | 10,67 мм | 16,51 мм | 4,83 мм | Без свинца | 3 | 2 недели | 1,8 г | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Олово (Вс) | ОДИНОКИЙ | Общий катод | 2 | Выпрямительные диоды | 15А | 800мВ | 150А | 1 мА | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 150А | 1 мА | 45В | 150А | ТО-220АБ | Шоттки | 45В | 15А | 1 | 1 при мА 45 В | 800 мВ при 15 А | -65°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||
| ВС-HFA08TA60C-M3 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ГЕКСФРЕД® | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vshfa08ta60cm3-datasheets-5362.pdf | ТО-220-3 | 13 недель | ТО-220АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 42нс | Стандартный | 600В | 3 мкА при 600 В | 2,2 В при 8 А | 4А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБРБ1545CT-E3/81 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-mbrb1545cthe3ap-datasheets-8642.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | Без свинца | 2 | 27 недель | 3 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЩНОСТИ | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | МБРБ1545CT | 3 | Общий катод | 2 | Выпрямительные диоды | Р-ПССО-Г2 | 15А | 840мВ | 690А | 100 мкА | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 100 мкА | 45В | 690А | Шоттки | 45В | 7,5 А | 1 | 100 мкА при 45 В | 840 мВ при 15 А | -65°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||||||
| МБРФ20100CT C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-mbrf20200ctc0g-datasheets-6235.pdf | ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | 3 | 10 недель | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЩНОСТИ, ПРИЗНАНО УЛ | 8541.10.00.80 | НЕТ | ОДИНОКИЙ | 150°С | 2 | Выпрямительные диоды | Р-ПСФМ-Т3 | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 100В | 100 мкА | Шоттки | 150А | 1 | 10А | 100В | 100 мкА при 100 В | 950 мВ при 20 А | 20А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РБР20НС40АФХТЛ | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/rohmsemiconductor-rbr20ns40afhtl-datasheets-5282.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | 12 недель | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 150°С | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПССО-Г2 | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 40В | 240 мкА | Шоттки | 100А | 1 | 10А | 40В | 240 мкА при 40 В | 620 мВ при 10 А | 20А | 150°С Макс. | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РБ238НС-30ФХТЛ | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/rohmsemiconductor-rb238ns30fhtl-datasheets-5366.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | 12 недель | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 150°С | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПССО-Г2 | 40А | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 35В | 12 мкА | Шоттки | 1 | 20А | 30В | 12 мкА при 30 В | 750 мВ при 20 А | 150°С Макс. | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РБ218НС-40ФХТЛ | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/rohmsemiconductor-rb218ns40fhtl-datasheets-5285.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | 12 недель | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 150°С | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПССО-Г2 | 20А | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 45В | 5 мкА | Шоттки | 1 | 10А | 40В | 5 мкА при 40 В | 770 мВ при 10 А | 150°С Макс. | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STPS20L60CG-TR | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stps20l60cgtr-datasheets-5304.pdf | 60В | 20А | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | Без свинца | 2 | 11 недель | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | EAR99 | НИЗКОЕ ПРЯМОЕ НАПРЯЖЕНИЕ | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 245 | СТПС20 | 3 | Общий катод | 30 | 2 | Выпрямительные диоды | Р-ПССО-Г2 | 20А | 740 мВ | 220А | 350 мкА | ВЛАСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 350 мкА | 60В | 220А | Шоттки | 60В | 10А | 1 | 350 мкА при 60 В | 600 мВ при 10 А | 150°С Макс. | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||||
| МБРП3010НТУ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/onsemiconductor-mbrp3010ntu-datasheets-5290.pdf | 100В | 30А | ТО-220-3 | 9,9 мм | 15,95 мм | 4,5 мм | Без свинца | 3 | 2 недели | 1,8 г | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Олово (Вс) | ОДИНОКИЙ | Общий катод | 2 | Выпрямительные диоды | 30А | 1,05 В | 250А | 1 мА | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 250А | 1 мА | 100В | 250А | ТО-220АБ | Шоттки | 100В | 30А | 1 | 1 при мА 100 В | 1,05 В при 30 А | -65°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||
| МБР2045CTE3/ТУ | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 1997 год | ТО-220-3 | 3 | 13 недель | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 3 недели назад) | да | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЖНОСТИ | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ОДИНОКИЙ | 3 | 175°С | Общий катод | 2 | Р-ПСФМ-Т3 | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | ТО-220АБ | Шоттки | 45В | 10А | 225А | 1 | 100 мкА при 45 В | 700 мВ при 10 А | 150°С Макс. | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MD36C16D1-BP | Микрокоммерческие компоненты (MCC) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/microcommercialco-md36c16d1bp-datasheets-5300.pdf | Д1 | 3 | 12 недель | EAR99 | 8541.10.00.80 | НЕТ | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 260 | 150°С | 10 | 2 | Р-XUFM-X3 | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 1600В | 5000мкА | Стандартный | 650А | 1 | 36А | 1600В | 5 при мА 1600 В | 1,4 В при 100 А | 36А | -40°К~150°К | 1 пара последовательного подключения | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБР20Л60КТГ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | РЕЖИМ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ™ | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/onsemiconductor-mbrf20l60ctg-datasheets-9202.pdf | ТО-220-3 | Без свинца | 3 | 2 недели | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | 3 | Общий катод | 2 | Выпрямительные диоды | 20А | 730 мВ | 240А | 380 мкА | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 240А | 380 мкА | 60В | 240А | ТО-220АБ | Шоттки | 60В | 10А | 1 | 380 мкА при 60 В | 570 мВ при 10 А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||||||
| МБР10200FCT-BP | Микрокоммерческие компоненты (MCC) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/microcommercialco-mbr10200fctbp-datasheets-5332.pdf | ТО-220-3 Изолированная вкладка | 3 | 16 недель | EAR99 | 8541.10.00.80 | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 150°С | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПСФМ-Т3 | ВЫСОКОЕ НАПРЯЖЕНИЕ МОЩНОСТИ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 200В | 500 мкА | ТО-220АБ | Шоттки | 125А | 1 | 5А | 200В | 500 мкА при 200 В | 920 мВ при 5 А | 10А | -50°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MBRF10150CT C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-mbrf10200ctc0g-datasheets-6194.pdf | ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | 10 недель | ИТО-220АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 150 В | 100 мкА при 150 В | 900 мВ при 10 А | 10А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РБК20НС45АТЛ | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/rohmsemiconductor-rbq20ns45atl-datasheets-5240.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | 8 недель | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 150°С | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПССО-Г2 | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 45В | 140 мкА | Шоттки | 20А | 100А | 1 | 10А | 45В | 140 мкА при 45 В | 650 мВ при 10 А | 150°С Макс. | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБРТ50080 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2017 год | Три башни | 3 | 6 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 6 месяцев назад) | да | EAR99 | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 2 | Р-ПУФМ-Х3 | 500А | 3,5 кА | 1 мкА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ВЛАСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 1А | 80В | Шоттки | 80В | 500А | 1 | 250А | 1 при мА 20 В | 880 мВ при 250 А | 500А постоянного тока | 1 пара с общим катодом |
