Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактВыпрямительная диодная матрица (12345)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Эмкость | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Прямой ток | Прямое напряжение | Среднеквадратичный ток (Irms) | Максимальный импульсный ток | Максимальный обратный ток утечки | Соединение корпуса | Приложение | Скорость | Материал диодного элемента | Rep Pk Обратное напряжение-Макс. | Максимальный прямой импульсный ток (Ifsm) | Пиковый обратный ток | Максимальное повторяющееся обратное напряжение (Vrrm) | Пиковый неповторяющийся импульсный ток | Обратное напряжение | Обратный ток-Макс. | Код JEDEC-95 | Обратное время восстановления | Время восстановления | Тип диода | Макс. обратное напряжение (постоянный ток) | Средний выпрямленный ток | Неповторяющийся Pk Прямой ток-макс. | Количество фаз | Выходной ток-Макс. | Обратное напряжение (постоянный ток) | Напряжение — обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Ток – средний выпрямленный (Io) | Рабочая температура - соединение | Конфигурация диода |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STTH3002CT | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stth3002cg-datasheets-2563.pdf | 200В | 30А | ТО-220-3 | 10,4 мм | 15,9 мм | 4,6 мм | Без свинца | 3 | 11 недель | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ОДИНОКИЙ | СТТХ30 | 3 | Общий катод | 2 | Выпрямительные диоды | 15А | 1,05 В | 180А | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 180А | 20 мкА | 200В | 180А | 200В | ТО-220АБ | 22 нс | 22 нс | Стандартный | 200В | 15А | 1 | 20 мкА при 200 В | 1,05 В @ 15 А | 175°С Макс. | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||||||||
| БИВ32-200-Е3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-byv32200e345-datasheets-9375.pdf | ТО-220-3 | 10,54 мм | 8,89 мм | 4,7 мм | Без свинца | 3 | 20 недель | 3 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД | Олово | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | ОДИНОКИЙ | БИВ32-200 | 3 | Общий катод | 2 | Выпрямительные диоды | 18А | 1,15 В | 150А | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 150А | 10 мкА | 200В | 150А | 200В | ТО-220АБ | 25 нс | 25 нс | Стандартный | 200В | 18А | 1 | 9А | 10 мкА при 200 В | 1,15 В при 20 А | -65°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2010 финансовый годДНТУ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/onsemiconductor-fyp2010dntu-datasheets-9299.pdf | 100 В | 20А | ТО-220-3 | 10,67 мм | 16,51 мм | 4,83 мм | Без свинца | 3 | 4 недели | 1,8 г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 9 часов назад) | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Олово (Вс) | ОДИНОКИЙ | Общий катод | 2 | Выпрямительные диоды | 20А | 770 мВ | 150А | 100 мкА | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 150А | 1 мА | 100 В | 150А | ТО-220АБ | Шоттки | 100 В | 20А | 1 | 100 мкА при 100 В | 770 мВ при 10 А | -65°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБР40Л45КТГ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | РЕЖИМ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/onsemiconductor-mbr40l45ctg-datasheets-9308.pdf | ТО-220-3 | Без свинца | 3 | 2 недели | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЧНОСТИ | не_совместимо | 8541.10.00.80 | е3 | Олово (Вс) | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | Общий катод | НЕ УКАЗАН | 2 | Выпрямительные диоды | Не квалифицированный | 20А | 630мВ | 200А | 1,2 мА | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 1,2 мА | 45В | 200А | ТО-220АБ | Шоттки | 45В | 20А | 1 | 1,2 мА при 45 В | 500 мВ при 20 А | -65°К~175°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MURF1660CTG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | РЕЖИМ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ™ | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-murf1660ctg-datasheets-9313.pdf | 600В | 16А | ТО-220-3 Полный пакет | 10,63 мм | 16,12 мм | 4,9 мм | Без свинца | 3 | 8 недель | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 19 часов назад) | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД | Олово | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | НЕТ | ОДИНОКИЙ | 260 | 3 | Общий катод | 40 | 2 | Выпрямительные диоды | 16А | 1,5 В | 100А | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | СВЕРХБЫСТРОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ МОЧНОСТИ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 100А | 10 мкА | 600В | 100А | 600В | ТО-220АБ | 60 нс | 60 нс | Стандартный | 600В | 8А | 1 | 8А | 10 мкА при 600 В | 1,5 В при 8 А | -65°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||||
| BYV34-500,127 | ВеЭн Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/weensemiconductors-byv34500127-datasheets-0830.pdf | ТО-220-3 | 3 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | МЭК-60134 | НЕТ | ОДИНОКИЙ | БИВ34-500 | 150°С | 2 | Р-ПСФМ-Т3 | СВЕРХБЫСТРОЕ МЯГКОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ МОЩНОСТИ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 500В | 50 мкА | 60нс | Стандартный | 132А | 1 | 500В | 50 мкА при 500 В | 1,35 В при 20 А | 20А | 150°С Макс. | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MURHF860CTG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | РЕЖИМ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ™ | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-murhf860ctg-datasheets-9323.pdf | 600В | 8А | ТО-220-3 Полный пакет | 10,63 мм | 16,12 мм | 4,9 мм | Без свинца | 3 | 2 недели | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 5 дней назад) | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | 260 | 3 | Общий катод | 40 | 2 | Выпрямительные диоды | 8А | 2,8 В | 100А | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | СВЕРХБЫСТРОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ МОЧНОСТИ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 100А | 10 мкА | 600В | 100А | 600В | ТО-220АБ | 35 нс | 35 нс | Стандартный | 600В | 4А | 1 | 4А | 10 мкА при 600 В | 2,8 В при 4 А | -65°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||||
| STPS40150CG | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Трубка | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stps40150cgtr-datasheets-7951.pdf | 150 В | 40А | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 10,4 мм | 4,6 мм | 9,35 мм | Без свинца | 2 | 11 недель | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 6 месяцев назад) | EAR99 | НИЗКИЙ ТОК УТЕЧКИ | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 245 | СТПС401 | 3 | Общий катод | 30 | 2 | Выпрямительные диоды | Р-ПССО-Г2 | 40А | 1В | 250А | 8мкА | ВЫСОКОЕ НАПРЯЖЕНИЕ МОЩНОСТИ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 250А | 8мкА | 150 В | 250А | Шоттки | 150 В | 20А | 1 | 8 мкА при 150 В | 920 мВ при 20 А | 175°С Макс. | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||||||||
| STTH16L06CT | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stth16l06cgtr-datasheets-7316.pdf | 600В | 20А | ТО-220-3 | Без свинца | 3 | 11 недель | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 6 месяцев назад) | EAR99 | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДИНОКИЙ | STTH16 | 3 | Общий катод | 2 | Выпрямительные диоды | 20А | 2,08 В | 90А | ВЫСОКОЕ НАПРЯЖЕНИЕ СВЕРХБЫСТРОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 120А | 8мкА | 600В | 120А | 600В | ТО-220АБ | 55 нс | 55 нс | Стандартный | 600В | 10А | 1 | 8 мкА при 600 В | 1,8 В при 8 А | 175°С Макс. | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MBR16100CTG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | РЕЖИМ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ™ | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/onsemiconductor-mbr16100ctg-datasheets-9334.pdf | 100 В | 16А | ТО-220-3 | 500пФ | Без свинца | 8 недель | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | Олово | Нет | Общий катод | ТО-220АБ | 16А | 840мВ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 150А | 100 мкА | 100 В | 150А | Шоттки | 100 В | 8А | 100 В | 100 мкА при 100 В | 740 мВ при 8 А | 8А | -65°К~175°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБР2035CT | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-mbr2035ct-datasheets-9339.pdf | 35В | 20А | ТО-220-3 | 600пФ | Без свинца | 20 недель | 1,8 г | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) | Нет | МБР2035CT | Общий катод | ТО-220-3 | 840мВ | 150А | 100 мкА | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 150А | 100 мкА | 35В | 150А | Шоттки | 35В | 20А | 35В | 100 мкА при 35 В | 840 мВ при 20 А | 20А | -65°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБР20150CTTU | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/onsemiconductor-mbr20150cttu-datasheets-9271.pdf | ТО-220-3 | 10,67 мм | 16,51 мм | 4,83 мм | Без свинца | 3 | 16 недель | 1,8 г | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЧНОСТИ | Олово | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | ОДИНОКИЙ | МБР20150CT | Общий катод | 2 | Выпрямительные диоды | 20А | 950 мВ | 150А | 200 мкА | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 150А | 5мА | 150 В | 150А | ТО-220АБ | Шоттки | 150 В | 10А | 1 | 200 мкА при 150 В | 750 мВ при 10 А | 150°С Макс. | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BYW51-200G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | РЕЖИМ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ™ | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-byw51200g-datasheets-9277.pdf | 200В | 16А | ТО-220-3 | 10,28 мм | 9,28 мм | 4,82 мм | Без свинца | 3 | 9 недель | 4.535924г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЧНОСТИ | Олово | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | НЕТ | ОДИНОКИЙ | 260 | BYW51-200 | 3 | Общий катод | 40 | 2 | Выпрямительные диоды | 16А | 970 мВ | 100А | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 100А | 10 мкА | 200В | 100А | 200В | ТО-220АБ | 35 нс | 35 нс | Стандартный | 200В | 8А | 1 | 8А | 10 мкА при 200 В | 970 мВ при 8 А | -65°К~175°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||
| МБРД650КТГ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | РЕЖИМ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ™ | Поверхностный монтаж | Трубка | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/onsemiconductor-mbrd660ctt4g-datasheets-0084.pdf | 50В | 6А | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 8 недель | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 4 дня назад) | Олово | Нет | Без галогенов | МБРД650КТ | Общий катод | ДПАК | 6А | 900 мВ | 75А | 100 мкА | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 75А | 100 мкА | 50В | 75А | Шоттки | 50В | 3А | 50В | 100 мкА при 50 В | 700 мВ при 3 А | 3А | -65°К~175°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SBR20A200CTB | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СБР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Трубка | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/diodesincorporated-sbr20a200ctb13-datasheets-7510.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 10,66 мм | 4,82 мм | 9,65 мм | Без свинца | 2 | 16 недель | 2.000002г | Нет СВХК | 3 | нет | EAR99 | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | SBR20A200CT | 3 | Общий катод | 40 | 2 | Выпрямительные диоды | Р-ПССО-Г2 | 20А | 960 мВ | СУПЕР БЫСТРОЕ МЯГКОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 100 мкА | 200В | 180А | 30 нс | Супер Барьер | 200В | 10А | 1 | 200В | 100 мкА при 200 В | 960 мВ при 20 А | -65°К~175°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||||||||
| SBT80-06J | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/rochesterelectronicsllc-sbt8006j-datasheets-9293.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | ТО-220МЛ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 60В | 100 мкА при 30 В | 580 мВ при 3 А | 8А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБР60Л45КТГ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | РЕЖИМ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ™ | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/onsemiconductor-mbr60l45wtg-datasheets-6335.pdf | ТО-220-3 | 10,28 мм | 9,28 мм | 4,82 мм | Без свинца | 3 | 10 недель | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 21 час назад) | да | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЧНОСТИ | Олово | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | НЕТ | ОДИНОКИЙ | 260 | 3 | Общий катод | 40 | 2 | Выпрямительные диоды | 30А | 730 мВ | 200А | 1,2 мА | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 200А | 1,2 мА | 45В | 200А | ТО-220АБ | Шоттки | 45В | 30А | 1 | 1,2 мА при 45 В | 550 мВ при 30 А | -65°К~175°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||||||||
| МБРБ20100CT-E3/8W | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | 1,52 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТМБС® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-mbr20100cte34w-datasheets-2442.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 10,45 мм | 4,83 мм | 9,14 мм | Без свинца | 2 | 14 недель | 3 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЩНОСТИ | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 245 | МБРБ20100CT | 3 | Общий катод | 40 | 2 | Выпрямительные диоды | Р-ПССО-Г2 | 20А | 800мВ | 150А | 100 мкА | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 100 мкА | 100 В | 150А | Шоттки | 100 В | 10А | 1 | 100 мкА при 100 В | 800 мВ при 10 А | -65°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||||||||
| SBR20A200CTFP | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СБР® | Поверхностный монтаж, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Сквозное отверстие | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/diodesincorporated-sbr20a200ct-datasheets-2296.pdf | ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | 10,36 мм | 15,2 мм | 4,7 мм | Без свинца | 3 | 15 недель | 2,299997г | 3 | нет | EAR99 | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДИНОКИЙ | 260 | SBR20A200CT | 3 | Общий катод | 40 | 2 | Выпрямительные диоды | 20А | 960 мВ | БЫСТРОЕ МЯГКОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 180А | 100 мкА | 200В | 180А | ТО-220АБ | 30 нс | Супер Барьер | 200В | 10А | 1 | 100 мкА при 200 В | 860 мВ при 10 А | -65°К~175°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| TSF10U60C C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-tsf10u60cc0g-datasheets-9223.pdf | ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | 3 | 14 недель | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЧНОСТИ | 8541.10.00.80 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 150°С | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПСФМ-Т3 | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 60В | 500 мкА | ТО-220АБ | Шоттки | 150А | 1 | 5А | 60В | 500 мкА при 60 В | 420 мВ при 5 А | 5А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НТСВ20100КТГ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-ntsv20100ctg-datasheets-9226.pdf | ТО-220-3 | 10,28 мм | 9,28 мм | 4,82 мм | Без свинца | 3 | 2 недели | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЩНОСТИ | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | НЕТ | ОДИНОКИЙ | NTST20100CT | 3 | Общий катод | 2 | Выпрямительные диоды | 20А | 980 мВ | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 100А | 800 мкА | 100 В | 100А | ТО-220АБ | Шоттки | 100 В | 10А | 1 | 800 мкА при 100 В | 980 мВ при 10 А | -40°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MURF1640CT C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-murf1640ctc0g-datasheets-9231.pdf | ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | 10 недель | ИТО-220АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 50 нс | Стандартный | 400В | 10 мкА при 400 В | 1,3 В при 8 А | 16А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТПС20Х100КГ | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Трубка | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stps20h100cfp-datasheets-2411.pdf | 100 В | 20А | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 10,4 мм | 4,6 мм | 9,35 мм | Без свинца | 2 | 11 недель | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 245 | СТПС20 | 3 | Общий катод | 30 | 2 | Выпрямительные диоды | Р-ПССО-Г2 | 10А | 640мВ | 250А | 4,5 мкА | ВЫСОКОЕ НАПРЯЖЕНИЕ МОЩНОСТИ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 250А | 4,5 мкА | 100 В | 250А | Шоттки | 100 В | 10А | 1 | 4,5 мкА при 100 В | 770 мВ при 10 А | 175°С Макс. | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||||||||
| СТПС30Л45КТ | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stps30l45cw-datasheets-3454.pdf | 45В | 30А | ТО-220-3 | 10,4 мм | 9,15 мм | 4,6 мм | Без свинца | 3 | 11 недель | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ОДИНОКИЙ | СТПС30Л45 | 3 | Общий катод | 2 | Выпрямительные диоды | 30А | 740 мВ | 30А | 220А | 400 мкА | ВЛАСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 220А | 400 мкА | 45В | 220А | ТО-220АБ | Шоттки | 45В | 15А | 1 | 400 мкА при 45 В | 550 мВ при 15 А | 150°С Макс. | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБР20200CTTU | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/onsemiconductor-mbr20200cttu-datasheets-9248.pdf | ТО-220-3 | 10,67 мм | 16,51 мм | 4,83 мм | Без свинца | 3 | 16 недель | 1,8 г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЧНОСТИ | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Олово (Вс) | ОДИНОКИЙ | МБР20200CT | Общий катод | 2 | Выпрямительные диоды | 20А | 1В | 150А | 200 мкА | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 150А | 200 мкА | 200В | 150А | ТО-220АБ | Шоттки | 200В | 10А | 1 | 200 мкА при 200 В | 800 мВ при 10 А | 150°С Макс. | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФФФФ20УП60ДНТУ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/onsemiconductor-ffpf20up60dntu-datasheets-9259.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 10,16 мм | 15,87 мм | 4,7 мм | 3 | 5 недель | 2,27 г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Олово (Вс) | ОДИНОКИЙ | Общий катод | 2 | Выпрямительные диоды | 10А | 2,2 В | 50А | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | УЛЬТРА БЫСТРОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 50А | 100 мкА | 600В | 50А | 600В | ТО-220АБ | 70 нс | 70 нс | Стандартный | 600В | 10А | 1 | 100 мкА при 600 В | 2,2 В при 10 А | -65°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTST40120CTG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-ntst40120ctg-datasheets-9266.pdf | ТО-220-3 | 10,28 мм | 9,28 мм | 4,82 мм | Без свинца | 3 | 2 недели | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЙ ТОК УТЕЧКИ, НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЧНОСТИ | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | 3 | Общий катод | 2 | Выпрямительные диоды | 40А | 910 мВ | 80А | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 250А | 500 мкА | 120 В | 250А | ТО-220АБ | Шоттки | 120 В | 20А | 1 | 500 мкА при 120 В | 910 мВ при 20 А | -40°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБР40Л60КТГ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | РЕЖИМ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ™ | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/onsemiconductor-mbr40l60ctg-datasheets-9173.pdf | ТО-220-3 | 10,28 мм | 15,75 мм | 4,82 мм | Без свинца | 3 | 2 недели | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЧНОСТИ | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | 3 | Общий катод | 2 | Выпрямительные диоды | 40А | 810 мВ | 240А | 550 мкА | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 240А | 550 мкА | 60В | 240А | ТО-220АБ | Шоттки | 60В | 20А | 1 | 550 мкА при 60 В | 610 мВ при 20 А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБР2045CT C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-mbr20100ctc0g-datasheets-6144.pdf | ТО-220-3 | 10 недель | ТО-220АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 45В | 100 мкА при 45 В | 840 мВ при 20 А | 20А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RF2001T3D | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | 300В | 20А | ТО-220-3 Полный пакет | Без свинца | 3 | 12 недель | да | EAR99 | Нет | 8541.10.00.80 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ОДИНОКИЙ | 260 | RF2001T3D | 3 | Общий катод | 10 | 2 | Выпрямительные диоды | Р-ПСФМ-Т3 | 20А | 1,3 В | 100А | ОЧЕНЬ БЫСТРОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 10 мкА | 300В | 100А | 200В | ТО-220АБ | 25 нс | 25 нс | Стандартный | 300В | 10А | 1 | 10 мкА при 300 В | 1,3 В @ 10 А | 150°С Макс. | 1 пара с общим катодом |
