Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные BJT-транзисторы(15763)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Упаковка | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Частота | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Продукт увеличения пропускной способности | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Макс. ток коллектора (IC) | Макс. Коллектор-эмиттер напряжения | Непрерывный ток коллектора | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота смены | Минимальное устройство постоянного тока (hFE) | Выключить Тайм-Макс (toff) | Время включения-Макс (тонна) | Базовое напряжение коллектора (VCBO) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | hFE Мин. | Частота – переход |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PN2222A | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 150°С | -65°С | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/centralsemiconductor-pn2222a-datasheets-9711.pdf | ТО-92 | 3 | 8 недель | нет | EAR99 | 8541.21.00.75 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НПН | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-PBCY-T3 | 300 МГц | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 800 мА | 625 МВт | 40В | 1В | 1В | 800 мА | 300 МГц | 100 | 285 нс | 35 нс | 75В | 6В | 300 МГц | ||||||||||||||||||||||||||
| MPSA63 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 150°С | -65°С | Соответствует RoHS | 2001 г. | /files/centralsemiconductor-mpsa63-datasheets-9616.pdf | ТО-92 | Без свинца | 3 | 8 недель | нет | 8541.21.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ПНП | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 625 МВт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-PBCY-T3 | 100 мА | 625 МВт | 20 В | 1,5 В | 500 мА | 125 МГц | 10000 | 30 В | 10 В | 5000 | 125 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н708 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Коробка | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/centralsemiconductor-2n708-datasheets-9590.pdf | ТО-18 | 3 | 8 недель | нет | EAR99 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НПН | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 200°С | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-MBCY-W3 | 400 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 0,36 Вт | 15 В | 400мВ | 15 В | 25 мкА | 400 МГц | 30 | 70нс | 40 нс | 40В | 5В | 30 | 400 МГц | |||||||||||||||||||||||||||
| MPSA18 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/centralsemiconductor-mpsa18-datasheets-9473.pdf | ТО-92 | Без свинца | 3 | 8 недель | нет | EAR99 | НИЗКИЙ ШУМ | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НПН | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | 150°С | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-PBCY-T3 | 100 МГц | КРЕМНИЙ | 625 МВт | 45В | 300мВ | 200 мА | 100 МГц | 500 | 45В | 6,5 В | 500 | 100 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||
| СОВЕТ32C | Центральный полупроводниковый завод | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Не соответствует требованиям RoHS | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductor-tip32c-datasheets-8765.pdf | 3 | 14 недель | нет | EAR99 | не_совместимо | 8541.29.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | НЕ УКАЗАН | 3 | 150°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 40 Вт | 3А | 100В | ТО-220АБ | 3 МГц | 10 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| СОВЕТ31C | Центральный полупроводниковый завод | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Не соответствует требованиям RoHS | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductor-tip31c-datasheets-8437.pdf | 3 | 12 недель | нет | EAR99 | не_совместимо | 8541.29.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | НЕ УКАЗАН | 3 | 150°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | НПН | 30 Вт | 3А | 100В | ТО-220АБ | 3 МГц | 10 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СОВЕТ31А | Центральный полупроводниковый завод | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Не соответствует требованиям RoHS | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductor-tip31a-datasheets-8358.pdf | 3 | 12 недель | нет | EAR99 | не_совместимо | 8541.29.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | НЕ УКАЗАН | 3 | 150°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | НПН | 30 Вт | 3А | 60В | ТО-220АБ | 3 МГц | 10 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СОВЕТ29C | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 150°С | -65°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2017 год | /files/centralsemiconductor-tip29c-datasheets-8187.pdf | ТО-220 | 3 | нет | EAR99 | не_совместимо | 8541.29.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НПН | НЕТ | ОДИНОКИЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 3 МГц | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 450 мА | 30 Вт | 700мВ | 100В | 1А | 3 МГц | 15 | 100В | 5В | 40 | ||||||||||||||||||||||||||||
| 2N6388 | Центральный полупроводниковый завод | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Соответствует RoHS | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductor-2n6388-datasheets-7858.pdf | ТО-220-3 | 3 | 12 недель | нет | EAR99 | 8541.29.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | 175°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ДАРЛИНГТОН | КОЛЛЕКЦИОНЕР | НПН | 65 Вт | ТО-220АБ | 80В | 10А | 20 МГц | 1000 | 20 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N4895 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/centralsemiconductor-2n4895-datasheets-7755.pdf | ТО-39 | 3 | 8 недель | нет | EAR99 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НПН | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 3 | 175°С | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-MBCY-W3 | 50 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 0,8 Вт | 60В | 60В | 1 мкА | 50 МГц | 40 | 120 В | 6В | 40 | 50 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||
| МПС651 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Сквозное отверстие | Масса | 150°С | -55°С | 75 МГц | Соответствует RoHS | 2002 г. | /files/onsemiconductor-mps651-datasheets-1541.pdf | 60В | 800 мА | ТО-92-3 | Без свинца | 201мг | 3 | УСТАРЕЛО (Последнее обновление: 1 день назад) | НПН | Одинокий | 625 МВт | 1 | 75 МГц | 625 МВт | 60В | 500мВ | 60В | 800 мА | 80В | 5В | 75 | 75 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н3055 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Не соответствует требованиям RoHS | 2017 год | /files/centralsemiconductor-2n3055-datasheets-5455.pdf | 2 | нет | EAR99 | не_совместимо | 8541.29.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕТ | НИЖНИЙ | ПИН/ПЭГ | НЕ УКАЗАН | 2 | 200°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-МБФМ-П2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 115 Вт | 15А | 60В | ТО-3 | 2,5 МГц | 5 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTX2N5339 | Аэрофлекс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Сквозное отверстие | Масса | 200°С | -65°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/aeroflex-jantx2n5339-datasheets-5408.pdf | 16 недель | 3 | Нет | 1 Вт | 100В | 5А | 100В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5086 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 150°С | -65°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2012 год | /files/centralsemiconductor-2n5086-datasheets-4831.pdf | ТО-92-3 | 3 | нет | EAR99 | НИЗКИЙ ШУМ | не_совместимо | 8541.21.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ПНП | НЕТ | НИЖНИЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-PBCY-T3 | 40 МГц | УСИЛИТЕЛЬ | 0,05А | 625 МВт | 300мВ | 50В | 40 МГц | 150 | 50В | 3В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| МПС751 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | Не соответствует требованиям RoHS | 2014 год | /files/centralsemiconductor-mps751-datasheets-4729.pdf | ТО-226-3 | 3 | 8 недель | нет | EAR99 | не_совместимо | 8541.21.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | 150°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-PBCY-T3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 625 МВт | ТО-92 | 60В | 500мВ | 2А | 75 МГц | 40 | 75 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||
| СОВЕТ32 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 150°С | -65°С | Соответствует RoHS | 2017 год | /files/centralsemiconductor-tip32-datasheets-3980.pdf | ТО-220 | 3 | нет | EAR99 | 8541.29.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ПНП | НЕТ | ОДИНОКИЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 3 МГц | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | -3А | 40 Вт | 1,2 В | -40В | 3А | 3 МГц | 10 | -40В | -5В | 25 | |||||||||||||||||||||||||||||
| СОВЕТ29 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Масса | 150°С | -65°С | Соответствует RoHS | 2017 год | /files/centralsemiconductor-tip29-datasheets-3833.pdf | ТО-220 | 3 | нет | EAR99 | 8541.29.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НПН | НЕТ | ОДИНОКИЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 3 МГц | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1А | 30 Вт | 700мВ | 40В | 1А | 3 МГц | 15 | 40В | 5В | 40 | ||||||||||||||||||||||||||||
| MJE13005 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 150°С | -65°С | Соответствует RoHS | 2005 г. | /files/centralsemiconductor-mje13005-datasheets-3801.pdf | ТО-220 | 3 | 12 недель | нет | 8541.29.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НПН | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 4 МГц | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 2 Вт | 400В | 1В | 4А | 4 МГц | 8 | 9В | 10 | 4 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC1815 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/centralsemiconductor-2sc1815-datasheets-2693.pdf | 3 | 8 недель | EAR99 | НЕТ | НИЖНИЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | 1 | О-PBCY-T3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 400мВт | ТО-92 | 50В | 250 мВ | 150 мА | 80 МГц | 70 | 80 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н6433 | Центральный полупроводниковый завод | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 150°С | -65°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductor-2n6433-datasheets-3766.pdf | ТО-18 | 3 | нет | EAR99 | не_совместимо | 8541.21.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ПНП | НЕТ | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-MBCY-W3 | 50 МГц | УСИЛИТЕЛЬ | 500мВт | 500мВ | 300В | 100 мА | 50 МГц | 30 | 300В | 5В | 30 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N4058 | Центральный полупроводниковый завод | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Не соответствует требованиям RoHS | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductor-2n4058-datasheets-3732.pdf | 3 | нет | EAR99 | НИЗКИЙ ШУМ | не_совместимо | 8541.21.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕТ | НИЖНИЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | НЕ УКАЗАН | 3 | 150°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-PBCY-T3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПНП | 0,62 Вт | 0,2 А | 30 В | ТО-92 | 100 МГц | 100 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н6430 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Не соответствует требованиям RoHS | 2017 год | /files/centralsemiconductor-2n6430-datasheets-3588.pdf | 3 | нет | EAR99 | не_совместимо | 8541.21.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕТ | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 200°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-MBCY-W3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 0,5 Вт | 0,1 А | 200В | ТО-18 | 50 МГц | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н697А | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/centralsemiconductor-2n697a-datasheets-3498.pdf | ТО-39 | 3 | 8 недель | нет | EAR99 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НПН | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 3 | 200°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-MBCY-W3 | 50 МГц | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 5 Вт | 35В | 35В | 1 мкА | 50 МГц | 40 | 60В | 5В | 40 | 50 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||
| 2N6426 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Масса | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/centralsemiconductor-2n6426-datasheets-3250.pdf | ТО-92 | 3 | нет | EAR99 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НПН | НЕТ | НИЖНИЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | НЕ УКАЗАН | 3 | 150°С | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 625 МВт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-PBCY-T3 | КРЕМНИЙ | 450 мА | 40В | 50нА | 150 МГц | 40В | 12 В | 20000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5963 | Центральные технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Не соответствует требованиям RoHS | 3 | нет | EAR99 | НИЗКИЙ ШУМ | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕТ | НИЖНИЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | НЕ УКАЗАН | 3 | 150°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-PBCY-T3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | НПН | 0,625 Вт | 0,05А | 30 В | ТО-92 | 150 МГц | 1200 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTX2N5154 | Аэрофлекс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Сквозное отверстие | Масса | 200°С | -65°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/aeroflex-jantx2n5154-datasheets-3185.pdf | 16 недель | 3 | Нет | 100мВт | 80В | 2А | 100В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N6099 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Коробка | 150°С | -65°С | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/centralsemiconductor-2n6099-datasheets-3121.pdf | ТО-220 | 3 | 12 недель | нет | EAR99 | 8541.29.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ПНП | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 5 МГц | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | 450 мА | 75 Вт | 60В | 2,5 В | 60В | 10А | 5 МГц | 20 | 70В | 5В | 20 | 5 МГц | |||||||||||||||||||||||||||
| 2N6384 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С | -65°С | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/centralsemiconductor-2n6384-datasheets-3115.pdf | ТО-3 | 2 | 12 недель | нет | EAR99 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НПН | НИЖНИЙ | ПИН/ПЭГ | 2 | 1 | О-МБФМ-П2 | ДАРЛИНГТОН | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УСИЛИТЕЛЬ | 100 Вт | 60В | 2В | 3В | 10А | 100 | 60В | 5В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н6290 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 150°С | -65°С | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/centralsemiconductor-2n6290-datasheets-2998.pdf | ТО-220-3 | 3 | 12 недель | нет | EAR99 | 8541.29.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НПН | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 4 МГц | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 450 мА | 40 Вт | ТО-220АБ | 50В | 3,5 В | 3,5 В | 7А | 4 МГц | 30 | 60В | 5В | 30 | 4 МГц | ||||||||||||||||||||||||||
| 2N6109 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 150°С | -65°С | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/centralsemiconductor-2n6109-datasheets-2923.pdf | ТО-220 | 3 | 12 недель | нет | EAR99 | 8541.29.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ПНП | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 10 МГц | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 450 мА | 40 Вт | 50В | 3,5 В | 3,5 В | 7А | 4 МГц | 30 | 60В | 5В | 30 | 4 МГц |
