Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные IGBT(3888)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Тип входа | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Включить время задержки | Время подъема | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Напряжение стока к источнику (Vdss) | Мощность - Макс. | Максимальное напряжение проба | Код JEDEC-95 | Обратное время восстановления | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Время включения | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Время нарастания-Макс. | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Время выключения-Nom (toff) | Условия испытаний | Напряжение затвор-эмиттер-Макс. | Затвор-эмиттер Thr Напряжение-Макс. | Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic | Тип БТИЗ | Заряд от ворот | Ток-коллекторный импульсный (Icm) | Td (вкл/выкл) при 25°C | Переключение энергии | Время падения-Макс (тс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| НГТБ20Н120ЛВГ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 1999 год | /files/onsemiconductor-ngtb20n120lwg-datasheets-9157.pdf | ТО-247-3 | 16,26 мм | 21,08 мм | 5,3 мм | Без свинца | 3 | Нет СВХК | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | 192 Вт | 3 | Одинокий | 77 Вт | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | 86 нс | 235 нс | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ МОТОРОМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 192 Вт | 1,2 кВ | 2,2 В | 110 нс | 1,2 кВ | 40А | 1200В | 485 нс | 600 В, 20 А, 10 Ом, 15 В | 20 В | 6,5 В | 2,2 В @ 15 В, 20 А | Траншейная полевая остановка | 200 НК | 200А | 86 нс/235 нс | 3,1 мДж (вкл.), 700 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФГД3040Г2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ЭкоСПАРК® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Логика | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-fgd3040g2-datasheets-9161.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2 | да | е3 | Олово (Вс) | 150 Вт | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | ФГД3040 | 175°С | НЕ УКАЗАН | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ И РЕЗИСТОРОМ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | АВТОМОБИЛЬНОЕ ЗАЖИГАНИЕ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 400В | 1,25 В | 23,2А | 7000 нс | 41А | 300 В, 6,5 А, 1 кОм, 5 В | 14 В | 2,2 В | 1,25 В @ 4 В, 6 А | 21 нС | -/4,8 мкс | 15000 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НГТБ15Н120ЛВГ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/onsemiconductor-ngtb15n120lwg-datasheets-9162.pdf | ТО-247-3 | 16,26 мм | 21,08 мм | 5,3 мм | Без свинца | 3 | Нет СВХК | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | НЕТ | 156 Вт | 3 | Одинокий | 156 Вт | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | 72 нс | 165 нс | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ МОТОРОМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 229 Вт | 1,2 кВ | 2,2 В | 91 нс | 1,2 кВ | 30А | 1200В | 435 нс | 600 В, 15 А, 15 Ом, 15 В | 20 В | 6,5 В | 2,2 В @ 15 В, 15 А | Траншейная полевая остановка | 160 НК | 120А | 72 нс/165 нс | 2,1 мДж (вкл.), 560 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АУИРПГПС4067Д1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/infineontechnologies-auirgps4067d1-datasheets-9166.pdf | ТО-247-3 | 16,1 мм | 20,8 мм | 5,5 мм | Без свинца | 3 | 25 недель | 247 | EAR99 | Нет | 750 Вт | Одинокий | 750 Вт | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Р-ПСИП-Т3 | 69 нс | 198 нс | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | ТО-274АА | 360 нс | 600В | 2,05 В | 127 нс | 2,05 В | 240А | 82нс | 281 нс | 400 В, 120 А, 4,7 Ом, 15 В | 20 В | 6,5 В | 2,05 В при 15 В, 120 А | Тренч | 360 НК | 360А | 69 нс/198 нс | 8,2 мДж (вкл.), 2,9 мДж (выкл.) | 48нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NGTB15N120IHLWG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/onsemiconductor-ngtb15n120ihlwg-datasheets-9175.pdf | ТО-247-3 | 16,26 мм | 21,08 мм | 5,3 мм | Без свинца | 3 | 24 недели | Нет СВХК | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | НЕТ | 156 Вт | 3 | Одинокий | 250 Вт | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 156 Вт | 1,2 кВ | 1,8 В | 1,2 кВ | 30А | 1200В | 440 нс | 600 В, 15 А, 15 Ом, 15 В | 20 В | 6,5 В | 2,2 В @ 15 В, 15 А | 160 НК | 120А | -/165нс | 560 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АУИРГП50Б60ПД1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/infineontechnologies-auirgp50b60pd1e-datasheets-9019.pdf | ТО-247-3 | 15,87 мм | 20,7 мм | 5,31 мм | Без свинца | 3 | 14 недель | Нет СВХК | 3 | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ ПРОВОДИМОСТИ | Нет | 390 Вт | Одинокий | 390 Вт | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | 40 нс | 150 нс | КРЕМНИЙ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | ТО-247АС | 42 нс | 600В | 2,35 В | 39 нс | 2,85 В | 75А | 15нс | 161 нс | 390 В, 33 А, 3,3 Ом, 15 В | 20 В | 5В | 2,85 В @ 15 В, 50 А | ДНЯО | 205 НК | 150А | 30 нс/130 нс | 255 мкДж (вкл.), 375 мкДж (выкл.) | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТ102GA60B2 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СИЛОВАЯ МОС 8™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 1999 год | /files/microsemicorporation-apt102ga60b2-datasheets-9184.pdf | ТО-247-3 Вариант | 3 | да | НИЗКИЕ ПОТЕРИ ПРОВОДИМОСТИ | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 780 Вт | 3 | Одинокий | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 780 Вт | ТО-247АД | 600В | 64 нс | 600В | 183А | 389 нс | 400 В, 62 А, 4,7 Ом, 15 В | 30В | 6В | 2,5 В @ 15 В, 62 А | ПТ | 294 НК | 307А | 28 нс/212 нс | 1354 мДж (вкл.), 1614 мДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФГД3440Г2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ЭкоСПАРК® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Логика | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-fgd3440g2-datasheets-9185.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | да | 166 Вт | ФГД3440 | 166 Вт | 400В | 1,2 В | 26,9А | 300 В, 6,5 А, 1 кОм, 5 В | 1,2 В @ 4 В, 6 А | 24 нС | -/5,3 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXGX28N140B3H1 | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ГенХ3™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | ТО-247-3 | 3 | 20 недель | да | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 300 Вт | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | 150°С | НЕ УКАЗАН | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Не квалифицирован | Р-ПСИП-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 300 Вт | 350 нс | 1,4 кВ | 66 нс | 3,6 В | 60А | 1400В | 915 нс | 960 В, 28 А, 5 Ом, 15 В | 20 В | 5В | 3,6 В @ 15 В, 28 А | 88нК | 150А | 16 нс/190 нс | 3,6 мДж (вкл.), 3,9 мДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXGA50N60C4 | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/ixys-ixga50n60c4-datasheets-9187.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | 300 Вт | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 4 | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 300 Вт | ТО-263АА | 600В | 75 нс | 2,3 В | 90А | 306 нс | 400 В, 36 А, 10 Ом, 15 В | 20 В | 6,5 В | 2,3 В @ 15 В, 36 А | ПТ | 113 НК | 220А | 40 нс/270 нс | 950 мкДж (вкл.), 840 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXGH24N60C4D1 | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/ixys-ixgh24n60c4d1-datasheets-9189.pdf | ТО-247-3 | 3 | да | 190 Вт | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 190 Вт | ТО-247АД | 25 нс | 600В | 52 нс | 2,7 В | 56А | 248 нс | 360 В, 24 А, 10 Ом, 15 В | 20 В | 5В | 2,7 В при 15 В, 24 А | ПТ | 64 НК | 130А | 21 нс/143 нс | 400 мкДж (вкл.), 300 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RJH1CF6RDPQ-80#T2 | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/renesaselectronicsamerica-rjh1cf6rdpq80t2-datasheets-9129.pdf | ТО-247-3 | 16 недель | 227,2 Вт | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 227,2 Вт | 1,2 кВ | 2,3 В | 55А | 1200В | 2,3 В при 15 В, 30 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НГТБ15Н60ЭГ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/onsemiconductor-ngtb15n60eg-datasheets-9134.pdf | ТО-220-3 | 10,28 мм | 15,75 мм | 4,82 мм | Без свинца | 4 недели | Нет СВХК | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | 117 Вт | 3 | Одинокий | 47 Вт | БИП-транзисторы с изолированным затвором | 78 нс | 130 нс | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 117 Вт | 270 нс | 600В | 1,95 В | 600В | 30А | 400 В, 15 А, 22 Ом, 15 В | 20 В | 6,5 В | 1,95 В при 15 В, 15 А | ДНЯО | 80 НК | 120А | 78 нс/130 нс | 900 мкДж (вкл.), 300 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RJH60D5DPK-00#T0 | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/renesaselectronicsamerica-rjh60d5dpk00t0-datasheets-9078.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | Без свинца | 16 недель | да | 200 Вт | НЕ УКАЗАН | RJH60D | 4 | НЕ УКАЗАН | 50 нс | 135 нс | 200 Вт | 100 нс | 600В | 2,2 В | 75А | 300 В, 37 А, 5 Ом, 15 В | 2,2 В при 15 В, 37 А | Тренч | 78нК | 50 нс/135 нс | 650 мкДж (вкл.), 400 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АУИРГР4045ДТРЛ | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/infineontechnologies-auirgr4045dtrl-datasheets-9138.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2 | 13 недель | EAR99 | совместимый | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ИРГР4045 | 30 | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 77 Вт | 77 Вт | ТО-252АА | 74нс | 38 нс | 15нс | 600В | 12А | 127 нс | 400 В, 6 А, 47 Ом, 15 В | 20 В | 6,5 В | 2В @ 15В, 6А | Тренч | 19,5 нк | 18А | 27 нс/75 нс | 56 мкДж (вкл.), 122 мкДж (выкл.) | 22нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТГБ20НК60ВТ4 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerMESH™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stgb20nc60v-datasheets-5090.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | 3 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 200 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 245 | STGB20 | 4 | Одинокий | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 200 Вт | 600В | 600В | 42,5 нс | 600В | 60А | 280 нс | 390 В, 20 А, 3,3 Ом, 15 В | 20 В | 5,75 В | 2,5 В @ 15 В, 20 А | 100 НК | 100А | 31 нс/100 нс | 220 мкДж (вкл.), 330 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРГС15Б60КПБФ | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2005 г. | /files/infineon-irgs15b60kpbf-datasheets-5880.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | Без свинца | 2 | 11 недель | Нет СВХК | 3 | EAR99 | Нет | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | 208 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | Одинокий | 30 | 208 Вт | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ МОТОРОМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 600В | 2,2 В | 52 нс | 2,2 В | 31А | 22нс | 231 нс | 400 В, 15 А, 22 Ом, 15 В | 20 В | 5,5 В | 2,2 В @ 15 В, 15 А | ДНЯО | 56 НК | 62А | 34 нс/184 нс | 220 мкДж (вкл.), 340 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RJH60D5DPM-00#T1 | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/renesaselectronicsamerica-rjh60d5dpm00t1-datasheets-9082.pdf | ТО-3ПФМ, СК-93-3 | 16 недель | да | 45 Вт | НЕ УКАЗАН | RJH60D | 3 | НЕ УКАЗАН | 45 Вт | 100 нс | 600В | 2,2 В | 75А | 300 В, 37 А, 5 Ом, 15 В | 2,2 В при 15 В, 37 А | Тренч | 78нК | 50 нс/135 нс | 650 мкДж (вкл.), 270 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РДЖХ60Д1ДПП-М0#Т2 | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/renesaselectronicsamerica-rjh60d1dppm0t2-datasheets-9093.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | Без свинца | 3 | 16 недель | Нет СВХК | 3 | Нет | 20,8 Вт | RJH60D | 3 | Одинокий | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | 30 нс | 42 нс | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 30 Вт | ТО-220АБ | 70 нс | 600В | 2,6 В | 43 нс | 2,5 В | 20А | 117 нс | 300 В, 10 А, 5 Ом, 15 В | 2,5 В @ 15 В, 10 А | Тренч | 13нК | 30 нс/42 нс | 100 мкДж (вкл.), 130 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TIG062E8-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/onsemiconductor-tig062e8tlh-datasheets-9095.pdf | 8-СМД, плоский вывод | 8 | Нет | 400В | 8В | 8 В @ 3 В, 100 А | 150А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НГБ8207ANT4G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Логика | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/onsemiconductor-ngb8207ant4g-datasheets-9098.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | Без свинца | 2 | 12 недель | 3 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 165 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | НГБ8207А | 3 | Одинокий | 1 | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 165 Вт | 365В | 2450 нс | 365В | 20А | 14700 нс | 2,2 В @ 3,7 В, 10 А | 50А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТГБ10НБ60СТ4 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerMESH™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stgb10nb60st4-datasheets-9069.pdf | 600В | 10А | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | Без свинца | 2 | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 80 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 245 | STGB10 | 3 | Одинокий | 30 | 80 Вт | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Р-ПССО-Г2 | 460 нс | 10А | КРЕМНИЙ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 600В | 600В | 600В | 1,7 В | 1160 нс | 600В | 29А | 3100 нс | 480 В, 10 А, 1 кОм, 15 В | 20 В | 5В | 1,75 В @ 15 В, 10 А | 33 НК | 80А | 700 нс/1,2 мкс | 600 мкДж (вкл.), 5 мДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТГП35Н35ЛЗ | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerMESH™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Логика | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stgb35n35lzt4-datasheets-5666.pdf | ТО-220-3 | Без свинца | 3 | 2,299997г | EAR99 | ЗАЖИМ НАПРЯЖЕНИЯ | Нет | е3 | Олово (Вс) | 176 Вт | СТГП35 | 3 | Одинокий | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Р-ПСФМ-Т3 | 1,1 мкс | 26,5 мкс | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 176 Вт | ТО-220АБ | 345В | 1,7 В | 7600 нс | 1,7 В | 40А | 37000 нс | 300В, 15А, 5В | 12 В | 2,3 В | 1,7 В @ 4,5 В, 15 А | 49 НК | 80А | 1,1 мкс/26,5 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РДЖХ60Д2ДПП-М0#Т2 | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/renesaselectronicsamerica-rjh60d2dppm0t2-datasheets-9104.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | Без свинца | 16 недель | 3 | Нет | 27,2 Вт | RJH60D | 3 | Одинокий | БИП-транзисторы с изолированным затвором | 32 нс | 85 нс | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 34 Вт | 100 нс | 600В | 2,2 В | 2,2 В | 25А | 300 В, 12 А, 5 Ом, 15 В | 2,2 В @ 15 В, 12 А | Тренч | 19 НК | 32 нс/85 нс | 100 мкДж (вкл.), 160 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРГС10Б60КДТРЛП | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/infineontechnologies-irgsl10b60kdpbf-datasheets-5264.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | 16 недель | 260,39037мг | 3 | Нет | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | 156 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ИРГС10Б60КДПБФ | Одинокий | 30 | 1 | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ МОТОРОМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 156 Вт | 600В | 90 нс | 600В | 50 нс | 2,2 В | 22А | 276 нс | 400 В, 10 А, 47 Ом, 15 В | 2,2 В @ 15 В, 10 А | ДНЯО | 38нК | 44А | 30 нс/230 нс | 140 мкДж (вкл.), 250 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IHY20N135R3XKSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчСтоп® | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | 2010 год | /files/infineontechnologies-ihy20n135r3xksa1-datasheets-9115.pdf | ТО-247-3 Вариант | 3 | да | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 310 Вт | 1350В | 40А | 505 нс | 600 В, 20 А, 15 Ом, 15 В | 1,8 В @ 15 В, 20 А | Тренч | 195 НК | 60А | -/335нс | 1,3 мДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRGB4086PBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | Стандартный | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/infineontechnologies-irgs4086pbf-datasheets-8547.pdf | ТО-220-3 | 3 | 160 Вт | Одинокий | 160 Вт | ТО-220АБ | 160 Вт | 300В | 2,1 В | 2,96 В | 70А | 300В | 70А | 196В, 25А, 10Ом | 2,96 В при 15 В, 120 А | Тренч | 65 НК | 36 нс/112 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РДЖХ60Д3ДПП-М0#Т2 | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/renesaselectronicsamerica-rjh60d3dppm0t2-datasheets-9126.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | Без свинца | 16 недель | Нет | 40 Вт | RJH60D | 3 | Одинокий | 40 Вт | 100 нс | 600В | 600В | 35А | 300 В, 17 А, 5 Ом, 15 В | 2,2 В @ 15 В, 17 А | Тренч | 37нК | 35 нс/80 нс | 200 мкДж (вкл.), 210 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТ44GA60B | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СИЛОВАЯ МОС 8™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 1999 год | /files/microsemicorporation-apt44ga60b-datasheets-9128.pdf | ТО-247-3 | 3 | 22 недели | да | НИЗКИЕ ПОТЕРИ ПРОВОДИМОСТИ | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 337 Вт | 3 | Одинокий | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 337 Вт | 600В | 29 нс | 600В | 78А | 208 нс | 400 В, 26 А, 4,7 Ом, 15 В | 30В | 6В | 2,5 В при 15 В, 26 А | ПТ | 128 НК | 130А | 16 нс/84 нс | 409 мкДж (вкл.), 258 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТ44GA60BD30C | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СИЛОВАЯ МОС 8™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/microsemicorporation-apt44ga60bd30c-datasheets-9068.pdf | ТО-247-3 | 3 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ ПРОВОДИМОСТИ | 337 Вт | ОДИНОКИЙ | 3 | 150°С | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 337 Вт | 600В | 29 нс | 1,6 В | 78А | 292 нс | 400 В, 26 А, 4,7 Ом, 15 В | 30В | 6В | 1,6 В @ 15 В, 26 А | ПТ | 128 НК | 130А | 16 нс/102 нс | 409 мкДж (вкл.), 450 мкДж (выкл.) |
