Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные IGBT(3888)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Тип входа | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Терминальная позиция | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Время задержки отключения | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Непрерывный ток коллектора | Мощность - Макс. | Максимальное напряжение проба | Код JEDEC-95 | Обратное время восстановления | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Время включения | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Время выключения-Nom (toff) | Условия испытаний | Напряжение затвор-эмиттер-Макс. | Затвор-эмиттер Thr Напряжение-Макс. | Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic | Тип БТИЗ | Заряд от ворот | Ток-коллекторный импульсный (Icm) | Td (вкл/выкл) при 25°C | Переключение энергии | Время падения-Макс (тс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| СТГБ20Х60ДФ | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stgf20h60df-datasheets-9651.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 10,4 мм | 4,6 мм | 9,35 мм | 20 недель | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | EAR99 | 167 Вт | НЕ УКАЗАН | STGB20 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 167 Вт | 600В | 90 нс | 600В | 600В | 40А | 400 В, 20 А, 10 Ом, 15 В | 20 В | 2 В @ 15 В, 20 А | Траншейная полевая остановка | 115 НК | 80А | 42,5 нс/177 нс | 209 мкДж (вкл.), 261 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИГВ20Н60Х3ФКСА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчСтоп® | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/infineontechnologies-igw20n60h3fksa1-datasheets-2913.pdf | ТО-247-3 | 3 | 16 недель | да | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 170 Вт | 37 нс | 600В | 40А | 241 нс | 400 В, 20 А, 14,6 Ом, 15 В | 2,4 В @ 15 В, 20 А | Траншейная полевая остановка | 120 НК | 80А | 17 нс/194 нс | 800мкДж | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТГВ40Х65ФБ | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stgwa40h65fb-datasheets-0486.pdf | ТО-247-3 | 15,75 мм | 20,15 мм | 5,15 мм | Без свинца | 20 недель | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | Нет | 283 Вт | СТГВ40 | Одинокий | 283 Вт | 650В | 1,6 В | 650В | 80А | 400 В, 40 А, 5 Ом, 15 В | 2,3 В @ 15 В, 40 А | Траншейная полевая остановка | 210 НК | 160А | 40 нс/142 нс | 498 мДж (включено), 363 мДж (выключено) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РГТХ60ТС65ГК11 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/rohmsemiconductor-rgth60ts65gc11-datasheets-2923.pdf | ТО-247-3 | 3 | 17 недель | Неизвестный | 3 | да | EAR99 | 194 Вт | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | КРЕМНИЙ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 30А | 197 Вт | 650В | 1,6 В | 67 нс | 650В | 58А | 179 нс | 400 В, 30 А, 10 Ом, 15 В | 2,1 В @ 15 В, 30 А | Траншейная полевая остановка | 58 НК | 120А | 27 нс/105 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RJH1CV7DPK-00#T0 | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/renesaselectronicsamerica-rjh1cv7dpk00t0-datasheets-2935.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | 16 недель | 3 | да | EAR99 | 320 Вт | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 320 Вт | 200 нс | 1,2 кВ | 2,3 В | 70А | 1200В | 600 В, 35 А, 5 Ом, 15 В | 2,3 В @ 15 В, 35 А | Тренч | 166 НК | 53 нс/185 нс | 3,2 мДж (вкл.), 2,5 мДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RJP6085DPK-00#T0 | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/renesaselectronicsamerica-rjp6085dpk00t0-datasheets-2937.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | Без свинца | 16 недель | да | EAR99 | 178,5 Вт | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | БИП-транзисторы с изолированным затвором | 30 нс | 60 нс | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 178,5 Вт | 600В | 3,5 В | 40А | 30В | 6В | 3,5 В @ 15 В, 40 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AFGB40T65SQDN | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Не соответствует требованиям RoHS | /files/onsemiconductor-afgb40t65sqdn-datasheets-2941.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 20 недель | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | 238 Вт | 131 нс | 650В | 80А | 400 В, 40 А, 6 Ом, 15 В | 2,1 В при 15 В, 40 А | 76 НК | 160А | 17,6 нс/75,2 нс | 858 мкДж (вкл.), 229 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РГТ60ТС65ДГК11 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/rohmsemiconductor-rgt60ts65dgc11-datasheets-2848.pdf | ТО-247-3 | 3 | 15 недель | 38.000013г | Неизвестный | 3 | да | EAR99 | 194 Вт | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | КРЕМНИЙ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 30А | 194 Вт | 58 нс | 650В | 1,65 В | 70 нс | 650В | 55А | 218 нс | 400 В, 30 А, 10 Ом, 15 В | 2,1 В @ 15 В, 30 А | Траншейная полевая остановка | 58 НК | 90А | 29 нс/100 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТГБ25Н40ЛЗАГ | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Логика | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stgd25n40lzag-datasheets-6601.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 8 недель | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | НЕ УКАЗАН | STGB25 | НЕ УКАЗАН | 150 Вт | 435В | 25А | 300 В, 10 А, 1 кОм, 5 В | 1,25 В @ 4 В, 6 А | 26 НК | 50А | 1,1 мкс/4,6 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НГТБ15Н120ФЛРГ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-ngtb15n120flwg-datasheets-2862.pdf | ТО-247 | 16,26 мм | 21,08 мм | 5,3 мм | Без свинца | Нет СВХК | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | НЕТ | 156 Вт | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 156 Вт | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 166 нс | 1,2 кВ | 2В | 1,2 кВ | 30А | 20 В | 6,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXYB82N120C3H1 | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | GenX3™, XPT™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/ixys-ixyb82n120c3h1-datasheets-2957.pdf | ТО-264-3, ТО-264АА | 20,29 мм | 26,59 мм | 5,31 мм | Без свинца | 3 | 24 недели | 264 | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | 1,04 кВт | 3 | Одинокий | 1,04 кВт | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Р-ПСИП-Т3 | 29 нс | 192 нс | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 1040 Вт | 420 нс | 1,2 кВ | 2,75 В | 119 нс | 1,2 кВ | 164А | 1200В | 295 нс | 600 В, 80 А, 2 Ом, 15 В | 20 В | 5В | 3,2 В при 15 В, 82 А | 215 НК | 320А | 29 нс/192 нс | 4,95 мДж (вкл.), 2,78 мДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТГВТ30В60ДФ | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stgw30v60df-datasheets-5894.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | 15,7 мм | 26,7 мм | 5,7 мм | 32 недели | 3 | EAR99 | Нет | 258 Вт | СТГВТ30 | Одинокий | 258 Вт | 53 нс | 600В | 2,35 В | 600В | 60А | 400 В, 30 А, 10 Ом, 15 В | 2,3 В при 15 В, 30 А | Траншейная полевая остановка | 163 НК | 120А | 45 нс/189 нс | 383 мкДж (вкл.), 233 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RJP60V0DPM-00#T1 | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamerica-rjp60v0dpm00t1-datasheets-2868.pdf | ТО-3ПФМ, СК-93-3 | 3 | 16 недель | 3 | да | EAR99 | 40 Вт | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 40 Вт | 600В | 85 нс | 2,1 В | 45А | 170 нс | 300 В, 22 А, 5 Ом, 15 В | 7,5 В | 2,1 В @ 15 В, 22 А | Тренч | 75 НК | 45 нс/100 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТГВТ60В60ДФ | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stgwa60v60df-datasheets-2509.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | 15,7 мм | 26,7 мм | 5,7 мм | Без свинца | 32 недели | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | Нет | 375 Вт | СТГВТ60 | Одинокий | 375 Вт | 60 нс | 208 нс | 74нс | 600В | 2,35 В | 600В | 80А | 400 В, 60 А, 4,7 Ом, 15 В | 2,3 В @ 15 В, 60 А | Траншейная полевая остановка | 334нК | 240А | 60 нс/208 нс | 750 мкДж (вкл.), 550 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТГФВ40В60ДФ | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stgw40v60df-datasheets-5258.pdf | ТО-3ПФМ, СК-93-3 | 32 недели | 6.961991г | 3 | EAR99 | Олово | 62,5 Вт | НЕ УКАЗАН | STGFW40 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 62,5 Вт | 41 нс | 600В | 1,8 В | 600В | 80А | 400 В, 40 А, 10 Ом, 15 В | 2,3 В @ 15 В, 40 А | Траншейная полевая остановка | 226 НК | 160А | 52 нс/208 нс | 456 мкДж (вкл.), 411 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRG4BC30UPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Сквозное отверстие | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/infineontechnologies-irg4bc30upbf-datasheets-2784.pdf | 600В | 23А | ТО-220-3 | 10 668 мм | 16,51 мм | 4826 мм | Содержит свинца, не содержит свинца | 3 | 16 недель | Нет СВХК | 3 | EAR99 | СВЕРХБЫСТРОЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Нет | 100 Вт | Одинокий | 100 Вт | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | 1,1 нФ | 17 нс | 9,6 нс | 78 нс | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | ТО-220АБ | 600В | 2,1 В | 33 нс | 2,1 В | 23А | 320 нс | 480 В, 12 А, 23 Ом, 15 В | 20 В | 6В | 2,1 В @ 15 В, 12 А | 50 НК | 92А | 17 нс/78 нс | 160 мкДж (вкл.), 200 мкДж (выкл.) | 150 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||
| РГПР30НС40HRTL | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -40°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/rohmsemiconductor-rgpr30ns40hrtl-datasheets-2513.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 17 недель | EAR99 | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 125 Вт | 430В | 30А | 300 В, 8 А, 100 Ом, 5 В | 2,0 В @ 5 В, 10 А | 22 НК | 500 нс/4 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТ5Б65М1 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Альфа-БТИЗ™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2010 год | ТО-220-3 | 3 | 18 недель | да | 83 Вт | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 83 Вт | ТО-220АБ | 195 нс | 650В | 21 нс | 1,98 В | 10А | 161 нс | 400 В, 5 А, 60 Ом, 15 В | 1,98 В @ 15 В, 5 А | 14 НК | 15А | 8,5 нс/106 нс | 80 мкДж (вкл.), 70 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТГФ30Х60ДФ | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stgw30h60df-datasheets-9802.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | Без свинца | 3 | EAR99 | Нет | 37 Вт | СТГФ30 | Одинокий | 37 Вт | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 110 нс | 600В | 2,4 В | 600В | 60А | 400 В, 30 А, 10 Ом, 15 В | 20 В | 2,4 В при 15 В, 30 А | Траншейная полевая остановка | 105 НК | 120А | 50 нс/160 нс | 350 мкДж (вкл.), 400 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТГФ17НК60СД | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerMESH™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stgf17nc60sd-datasheets-2817.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | не_совместимо | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 32 Вт | СТГФ17 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 32 Вт | 31 нс | 600В | 1,9 В | 17А | 480 В, 12 А, 10 Ом, 15 В | 20 В | 6,2 В | 1,9 В @ 15 В, 12 А | 54,5 нк | 80А | 17,5 нс/175 нс | 135 мкДж (вкл.), 815 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RJH60D3DPE-00#J3 | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/renesaselectronicsamerica-rjh60d3dpe00j3-datasheets-2819.pdf | СК-83 | Без свинца | 16 недель | 83 | Нет | 113 Вт | RJH60D | 4 | Одинокий | 35 нс | 80 нс | 113 Вт | 600В | 100 нс | 600В | 600В | 35А | 300 В, 17 А, 5 Ом, 15 В | 2,2 В @ 15 В, 17 А | Тренч | 37нК | 35 нс/80 нс | 200 мкДж (вкл.), 210 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRG4IBC20KDPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | /files/infineontechnologies-irg4ibc20kdpbf-datasheets-2821.pdf | 600В | 11,5А | ТО-220-3 Полный пакет | 10,67 мм | 9,02 мм | 4826 мм | Без свинца | 3 | 16 недель | 2,299997г | Нет СВХК | 3 | EAR99 | Нет | 34 Вт | Одинокий | 34 Вт | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | 34 нс | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | ТО-220АБ | 37 нс | 600В | 2,8 В | 88 нс | 2,8 В | 11,5А | 380 нс | 480 В, 9 А, 50 Ом, 15 В | 20 В | 6В | 2,8 В @ 15 В, 9 А | 34 НК | 23А | 54 нс/180 нс | 340 мкДж (вкл.), 300 мкДж (выкл.) | 110 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТГД10NC60HDT4 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerMESH™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stgf10nc60hd-datasheets-5037.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2 | 3 | EAR99 | не_совместимо | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 62 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СТГД10 | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Не квалифицированный | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 62 Вт | 600В | ТО-252АА | 22 нс | 600В | 19 нс | 600В | 20А | 247 нс | 390 В, 5 А, 10 Ом, 15 В | 20 В | 5,75 В | 2,5 В @ 15 В, 5 А | 19,2 нК | 30А | 14,2 нс/72 нс | 31,8 мкДж (вкл.), 95 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РГТ50НС65ДГТЛ | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/rohmsemiconductor-rgt50ns65dgtl-datasheets-2630.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | 17 недель | не_совместимо | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 194 Вт | 58нс | 65 нс | 650В | 48А | 210 нс | 400 В, 25 А, 10 Ом, 15 В | 2,1 В @ 15 В, 25 А | Траншейная полевая остановка | 49 НК | 75А | 27 нс/88 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТГВТ20Х65ФБ | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stgfw20h65fb-datasheets-5730.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | 32 недели | 6.756003г | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | EAR99 | 168 Вт | НЕ УКАЗАН | СТГВТ20 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 168 Вт | 650В | 1,55 В | 650В | 40А | 400 В, 20 А, 10 Ом, 15 В | 20 В | 7В | 2 В @ 15 В, 20 А | Траншейная полевая остановка | 120 НК | 80А | 30 нс/139 нс | 77 мкДж (вкл.), 170 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РГТХ50ТС65ДГК11 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/rohmsemiconductor-rgth50ts65dgc11-datasheets-2834.pdf | ТО-247-3 | 3 | 17 недель | 38.000013г | Неизвестный | 3 | да | EAR99 | 174 Вт | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | КРЕМНИЙ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 25А | 174 Вт | 58 нс | 650В | 1,6 В | 65 нс | 650В | 50А | 172 нс | 400 В, 25 А, 10 Ом, 15 В | 2,1 В @ 15 В, 25 А | Траншейная полевая остановка | 49 НК | 100А | 27 нс/94 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РДЖХ60М1ДПП-М0#Т2 | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/renesaselectronicsamerica-rjh60m1dppm0t2-datasheets-2734.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 16 недель | EAR99 | 30 Вт | НЕ УКАЗАН | РДЖХ60М | 3 | НЕ УКАЗАН | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 30 Вт | 75 нс | 600В | 2,4 В | 16А | 300 В, 8 А, 5 Ом, 15 В | 30В | 2,4 В @ 15 В, 8 А | Тренч | 20,5 нк | 30 нс/55 нс | 80 мкДж (вкл.), 90 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRG4BC30WPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Сквозное отверстие | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | /files/infineontechnologies-irg4bc30wpbf-datasheets-2736.pdf | 600В | 23А | ТО-220-3 | 10,54 мм | 8,77 мм | 4,69 мм | Содержит свинца, не содержит свинца | 3 | 16 недель | 6.000006г | Нет СВХК | 3 | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ ПРОВОДИМОСТИ | Нет | 100 Вт | ОДИНОКИЙ | Двойной | 100 Вт | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | 25 нс | 17нс | 99 нс | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | ТО-220АБ | 600В | 2,7 В | 41 нс | 2,7 В | 23А | 300 нс | 480 В, 12 А, 23 Ом, 15 В | 20 В | 6В | 2,7 В @ 15 В, 12 А | 51 НК | 92А | 25 нс/99 нс | 130 мкДж (вкл.), 130 мкДж (выкл.) | 100 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ИГП40Н65Х5ХКСА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчСтоп® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/infineontechnologies-igw40n65h5fksa1-datasheets-2932.pdf | ТО-220-3 | 16 недель | 6.000006г | Неизвестный | 3 | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | 255 Вт | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 255 Вт | 650В | 1,65 В | 1,65 В | 74А | 400 В, 20 А, 15 Ом, 15 В | 20 В | 4,8 В | 2,1 В при 15 В, 40 А | 95 НК | 120А | 22 нс/165 нс | 390 мкДж (вкл.), 120 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NGTB40N65IHRTG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Трубка | Непригодный | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/onsemiconductor-ngtb40n65ihrtg-datasheets-2762.pdf | 25 недель | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 6 дней назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН |
