Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные МОП-транзисторы(33658)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Тип монтажа | Рабочая температура | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Срок выполнения заказа на заводе | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Код JEDEC-95 | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | ВГС (Макс) | Количество терминалов | Упаковка | Производитель | Статус продукта | Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) | Рассеиваемая мощность (макс.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ИРФ123 | Международный выпрямитель | 140,91 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | Сквозное отверстие | -55°С ~ 150°С (ТДж) | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-204АА, ТО-3 | ТО-3 | 60 В | N-канал | 600 пФ при 25 В | 400 мОм при 4 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 7А (Тс) | 15 нк @ 10 В | - | ±20 В | Международный выпрямитель | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RFP15N12 | Харрис Корпорейшн | $212,15 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | Сквозное отверстие | -55°С ~ 150°С (ТДж) | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-220-3 | ТО-220-3 | 120 В | N-канал | 1700 пФ при 25 В | 150 мОм при 7,5 А, 10 В | 4 В @ 1 мА | 15А (Тс) | - | ±20 В | Харрис Корпорейшн | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF523 | Харрис Корпорейшн | $8,96 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | Сквозное отверстие | -55°С ~ 175°С (ТДж) | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-220-3 | ТО-220 | 80 В | N-канал | 350 пФ при 25 В | 360 мОм при 5,6 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 8А (Тс) | 15 нк @ 10 В | - | ±20 В | Масса | Харрис Корпорейшн | Активный | 10 В | 60 Вт (Тс) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RFP18N08 | Харрис Корпорейшн | 1,22 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | Сквозное отверстие | -55°С ~ 150°С (ТДж) | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-220-3 | ТО-220 | 80 В | N-канал | 1700 пФ при 25 В | 100 мОм при 9 А, 10 В | 4 В @ 1 мА | 18А (Тс) | - | ±20 В | Харрис Корпорейшн | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРФ613 | Харрис Корпорейшн | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | Сквозное отверстие | -55°С ~ 150°С (ТДж) | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-220-3 | ТО-220АБ | 150 В | N-канал | 135 пФ при 25 В | 2,4 Ом @ 1,6 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 2,6 А (Тс) | 8,2 НК при 10 В | - | ±20 В | Масса | Харрис Корпорейшн | Активный | 10 В | 43 Вт (Тс) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БСК110Н06НС3Г | Инфинеон | 2,89 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | /хранилище/загрузка/BSC110N06NS3-G.pdf | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTD3055L170T4 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Не соответствует требованиям RoHS | [объект объект] | не_совместимо | 8541.29.00.95 | 3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTD24N06LT4 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | [объект объект] | EAR99 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | не_совместимо | 8541.29.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn80Pb20) | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3 | 175°С | 30 | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицированный | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 1,36 Вт | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 24А | 72А | 0,045 Ом | 162 мДж | 2 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| NTD60N02R-001 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Не соответствует требованиям RoHS | EAR99 | не_совместимо | 3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НТГС3433Т1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | EAR99 | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn80Pb20) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 235 | 6 | 150°С | 30 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г6 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | П-КАНАЛ | 0,5 Вт | 12 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,65 А | 0,075 Ом | 6 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НТБ52Н10 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | [объект объект] | EAR99 | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn80Pb20) | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 235 | 3 | 150°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицированный | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 178 Вт | 100 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 52А | 156А | 0,03 Ом | 800 мДж | 2 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| NTD20N06L | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | EAR99 | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn80Pb20) | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3 | 175°С | 30 | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицированный | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 1,36 Вт | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 20А | 60А | 0,048Ом | 128 мДж | 2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SJ655 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | [объект объект] | Олово/медь/серебро/никель (Sn/Cu/Ag/Ni) | НЕТ | 150°С | Другие транзисторы | Одинокий | П-КАНАЛ | 25 Вт | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 12А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2СК3709 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | [объект объект] | 8541.29.00.95 | Олово/медь/серебро/никель (Sn/Cu/Ag/Ni) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | 3 | 1 | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 100 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | ТО-220АБ | 37А | 148А | 0,032Ом | 427 мДж | 3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF1104LPBF | Инфинеон Технологии АГ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | [объект объект] | EAR99 | ЛАВИННЫЙ НОМИНАЛ, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ, СВЕРХНИЗКАЯ СОПРОТИВЛЕНИЕ | совместимый | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | НЕТ | ОДИНОКИЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | 260 | 175°С | 30 | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицированный | Р-ПСИП-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 170 Вт | 40В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | ТО-262АА | 100А | 400А | 0,009 Ом | 350 мДж | 3 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРФЗ48ВСПБФ | Инфинеон Технологии АГ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | [объект объект] | EAR99 | ЛАВИННЫЙ НОМИНАЛ, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ, СВЕРХНИЗКАЯ СОПРОТИВЛЕНИЕ | совместимый | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 175°С | 30 | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицированный | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 150 Вт | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 72А | 290А | 0,012 Ом | 166 мДж | 2 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 2СК3702 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | РЕЖИМ Истощения | Соответствует RoHS | [объект объект] | 8541.29.00.95 | Олово/медь/серебро/никель (Sn/Cu/Ag/Ni) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | 3 | 1 | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | ТО-220АБ | 18А | 72А | 0,085 Ом | 3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SK4096LS | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | [объект объект] | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | 8541.29.00.95 | Олово/медь/серебро/никель (Sn/Cu/Ag/Ni) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | 3 | 1 | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 500В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | ТО-220АБ | 8А | 32А | 0,85 Ом | 397 мДж | 3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SK4094 | САНЬО СЕМИКОНДУКТОР КО ЛТД. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АУИРФСЛ8408 | Инфинеон Технологии АГ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | EAR99 | совместимый | НЕТ | НЕ УКАЗАН | 175°С | НЕ УКАЗАН | Мощность полевого транзистора общего назначения | Одинокий | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 294 Вт | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 195А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SK2632LS | САНЬО ЭЛЕКТРИК, ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | 8541.29.00.95 | НЕТ | ОДИНОКИЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | 3 | 150°С | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 25 Вт | 800В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2,5 А | 7,5 А | 4,8 Ом | 3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SJ651 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | [объект объект] | 8541.29.00.95 | Олово/медь/серебро/никель (Sn/Cu/Ag/Ni) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | 3 | 1 | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | П-КАНАЛ | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | ТО-220АБ | 20А | 80А | 0,092Ом | 175 мДж | 3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SK4097LS | САНЬО СЕМИКОНДУКТОР КО ЛТД. | $5,98 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| XR46000ESE | Корпорация Экзар | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | совместимый | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| XR46000ESETR | Корпорация Экзар | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 2014 год | 8 недель | значок-pbfree да | совместимый | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СПВ20Н60С3 | Инфинеон Технологии АГ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | значок-pbfree да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | совместимый | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | НЕ УКАЗАН | 3 | 150°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 208 Вт | 600В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | ТО-247АД | 20,7А | 62,1А | 0,19 Ом | 690 мДж | 3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| PMXB56EN | Нексперия | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | EAR99 | совместимый | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФДН340П | Корпорация Fairchild Semiconductor | 0,15 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | значок-pbfree да | EAR99 | совместимый | 8541.21.00.95 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3 | 150°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | П-КАНАЛ | 0,5 Вт | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2А | 70Ом | 3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| БСС138 | Корпорация Fairchild Semiconductor | 0,48 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | значок-pbfree да | EAR99 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | совместимый | 8541.21.00.95 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3 | 150°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 0,36 Вт | 50В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,2 А | 6Ом | 10 пФ | 3 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| БСС84 | Корпорация Fairchild Semiconductor | 0,16 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | значок-pbfree да | EAR99 | совместимый | 8541.21.00.95 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3 | 150°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | П-КАНАЛ | 0,25 Вт | 50В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | ТО-236АБ | 0,13 А | 10Ом | 12 пФ | 3 |
