Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактСпециализированные транзисторы(172)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Напряжение - номинальное | Частота | Режим работы | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Макс. частота | Код HTS | Количество функций | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Приложения | Полярность | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Температурный класс | Рабочая температура (макс.) | Количество вариантов | Аналоговая микросхема — другой тип | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Максимальный выходной ток | Максимальное выходное напряжение | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Продукт увеличения пропускной способности | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Макс. ток коллектора (IC) | Макс. Коллектор-эмиттер напряжения | Напряжение стока к источнику (Vdss) | Непрерывный ток коллектора | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Текущий рейтинг (А) | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота смены | Минимальное устройство постоянного тока (hFE) | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Базовое напряжение коллектора (VCBO) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | VCEsat-Макс | hFE Мин. | Тип транзистора |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ALD910019САЛИ | Advanced Linear Devices Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | САБ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Трубка | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | 10,6 В | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/advancedlineardeviceinc-ald910019sal-datasheets-4842.pdf | 80 мА | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 недель | Автоматическая балансировка суперконденсатора | 2 | 8-СОИК | 80 мА | 2 N-канала (двойной) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CPH5905G-TL-E | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | 50 В NPN 15 В N-канал | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/onsemiconductor-cph5905htle-datasheets-5115.pdf | 50 мА | СОТ-23-5 Тонкий, ЦОТ-23-5 | 2,9 мм | 900 мкм | 1,6 мм | Без свинца | 2 недели | 5 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | Общего назначения | НПН | CPH5905 | 5 | Одинокий | 50 мА | -10В | 150 мА NPN 50 мА N-канал | NPN, N-канал | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZXPD4000DH-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 120 В | Соответствует ROHS3 | /files/diodesincorporated-zxpd4000dh7-datasheets-5448.pdf | 8-ВДФН | 14 недель | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | Общего назначения | 260 | 30 | 2А | NPN – Дарлингтон | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭМФ32Т2Р | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 50 В PNP 30 В N-канал | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/rohmsemiconductor-umf32ntr-datasheets-5423.pdf | 100 мА | СОТ-563, СОТ-666 | 6 | 6 | да | EAR99 | Нет | е3/е2 | ОЛОВО/ ОЛОВО МЕДЬ | Общего назначения | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | 6 | 150°С | 10 | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ БИПОЛЯРНЫМ ТРАНСИСТОРОМ И ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 0,15 Вт | 0,1 А | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 100 мА PNP 100 мА N-канальный | 100 | 0,1 А | 8Ом | ПНП с предварительным смещением, N-канал | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ALD810021SCL | Advanced Linear Devices Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | САБ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Трубка | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | 10,6 В | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/advancedlineardeviceinc-ald910021sali-datasheets-4979.pdf | 80 мА | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 недель | 665,986997мг | 16 | Автоматическая балансировка суперконденсатора | 500мВт | 4 | 16-СОИК | 10 нс | 10 нс | 1 мкА | 10,6 В | 10,6 В | 80 мА | 2,1 МОм | 4 N-канала | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STC04IE170HP | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | 1700В 1,7кВ | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stc04ie170hp-datasheets-5495.pdf | 4А | ТО-247-4 | Без свинца | 4 | 38 недель | Нет СВХК | 4 | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | Водитель ворот | НПН | 50 Вт | STC04I | 3 | Одинокий | 50 Вт | 1 | Другие транзисторы | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 8А | 4 | NPN — биполярный с эмиттерным переключением | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НСТБ1005DXV5T1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-nstb1005dxv5t1g-datasheets-5451.pdf | 50В | 100 мА | СОТ-553 | Без свинца | 5 | 17 недель | 5 | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | Нет | е3 | Олово (Вс) | НПН, ПНП | ДА | 357 МВт | ПЛОСКИЙ | НСТБ1005DXV5 | 5 | Двойной | 2 | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 0,1 А | 250 мВ | 50В | 80 | 50В | 80 | 1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DS3922T+ | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Поднос | 1 (без блокировки) | 95°С | -40°С | 0,8 мм | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 24-WFQFN Открытая колодка | 3,5 мм | 3,5 мм | 24 | 6 недель | Неизвестный | 3,63 В | 2,85 В | 24 | 8542.39.00.01 | 1 | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 0,4 мм | DS3922 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | АНАЛОГОВАЯ ЦЕПЬ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ALD810018SCL | Advanced Linear Devices Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | САБ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Трубка | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | 10,6 В | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/advancedlineardeviceinc-ald810018scl-datasheets-5457.pdf | 80 мА | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 недель | 665,986997мг | 16 | Автоматическая балансировка суперконденсатора | 500мВт | 4 | 16-СОИК | 10 нс | 10 нс | 1 мкА | 10,6 В | 10,6 В | 80 мА | 1,8 МОм | 4 N-канала | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| UMF9NTR | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | 12 В NPN 30 В N-канальный | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/rohmsemiconductor-umf9ntr-datasheets-5459.pdf | 100 мА | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | Без свинца | 6 | 10 недель | Нет СВХК | 6 | да | EAR99 | Нет | е2 | ОЛОВО МЕДЬ | Общего назначения | НПН | 150 мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 6 | 2 | Двойной | 10 | 1 | Другие транзисторы | 500 мА | 12 В | 320 МГц | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500 мА NPN 100 мА N-канал | 12 В | 100 мВ | 12 В | 500 мА | 320 МГц | 270 | 15 В | 6В | 270 | NPN, N-канал | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ALD810024SCL | Advanced Linear Devices Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | САБ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Трубка | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | 10,6 В | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/advancedlineardeviceinc-ald910024sal-datasheets-5213.pdf | 80 мА | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 недель | 665,986997мг | 16 | Автоматическая балансировка суперконденсатора | 500мВт | 4 | 16-СОИК | 10 нс | 10 нс | 1 мкА | 10,6 В | 10,6 В | 80 мА | 2,4 МОм | 4 N-канала | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ALD810017SCL | Advanced Linear Devices Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | САБ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Трубка | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | 10,6 В | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/advancedlineardeviceinc-ald810017scl-datasheets-5462.pdf | 80 мА | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 недель | 665,986997мг | 16 | Автоматическая балансировка суперконденсатора | 500мВт | 4 | 16-СОИК | 10 нс | 10 нс | 1 мкА | 10,6 В | 10,6 В | 80 мА | 1,7 МОм | 4 N-канала | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ALD910022SALI | Advanced Linear Devices Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | САБ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Трубка | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | 2,2 В | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/advancedlineardeviceinc-ald810022scl-datasheets-4943.pdf | 80 мА | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 недель | 8 | Автоматическая балансировка суперконденсатора | 500мВт | 2 | 8-СОИК | 10 нс | 10 нс | 1 мкА | 10,6 В | 10,6 В | 80 мА | 2,2 МОм | 2 N-канала (двойной) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ALD910020SALI | Advanced Linear Devices Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | САБ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Трубка | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | 10,6 В | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/advancedlineardeviceinc-ald910020sali-datasheets-5466.pdf | 80 мА | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 недель | 84,99187мг | 8 | Автоматическая балансировка суперконденсатора | 500мВт | 2 | Двойной | 8-СОИК | 10 нс | 10 нс | 80 мА | 10,6 В | 10,6 В | 80 мА | 16ГОм | 2 N-канала (двойной) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMC904F00R | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/panasonicelectroniccomComponents-dmc904f00r-datasheets-5267.pdf | 15 мА | СОТ-563, СОТ-666 | 1,6 мм | 550 мкм | 1,2 мм | 6 | 10 недель | 6 | EAR99 | Нет | 8541.21.00.75 | Высокая частота | НПН | 125 МВт | ПЛОСКИЙ | DMC904F0 | 2 | Другие транзисторы | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2 ЭЛЕМЕНТА | УСИЛИТЕЛЬ | 15 мА | 300мВ | 20 В | 100 мА | 650 МГц | 210 | 60В | 3В | 65 | 2 НПН (двойной) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭМФ6Т2Р | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | 12 В PNP 30 В N-канал | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | /files/rohmsemiconductor-emf6t2r-datasheets-5422.pdf | 100 мА | СОТ-563, СОТ-666 | 6 | 6 | да | EAR99 | Нет | 8541.21.00.75 | е2 | ОЛОВО МЕДЬ | Общего назначения | ПНП | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | 6 | 10 | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ПТ И ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 0,15 Вт | 0,5 А | 12 В | 500 мА PNP 100 мА N-канал | 260 МГц | 270 | ПНП, N-канал | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| УМФ32НТР | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | 50 В PNP 30 В N-канал | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/rohmsemiconductor-umf32ntr-datasheets-5423.pdf | 100 мА | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 6 | Нет СВХК | 6 | да | EAR99 | Нет | е2 | ОЛОВО МЕДЬ | Общего назначения | ПНП | 150 мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 6 | 2 | Двойной | 10 | 1 | Другие транзисторы | 100 мА | 30 В | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 0,1 А | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 100 мА PNP 100 мА N-канальный | -50В | -50В | 250 МГц | 100 | 0,1 А | 8Ом | ПНП с предварительным смещением, N-канал | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CPH5901G-TL-E | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-cph5901gtle-datasheets-5424.pdf | 150 мА | СОТ-23-5 Тонкий, ЦОТ-23-5 | 2,9 мм | 900 мкм | 1,6 мм | Без свинца | 2 недели | 5 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 недели назад) | да | EAR99 | Олово | 200 МГц | е6 | Усилитель | НПН | 350 мВт | 5 | Одинокий | 350 мВт | 400 мкВ | 50В | 150 мА | 55В | 6В | НПН + полевой транзистор | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CPH5902G-TL-E | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | 50В | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/onsemiconductor-cph5902gtle-datasheets-5427.pdf | 50 мА | СОТ-23-5 Тонкий, ЦОТ-23-5 | 2,9 мм | 900 мкм | 1,6 мм | Без свинца | 2 недели | 5 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | Усилитель | НПН | 5 | Одинокий | 50 мА | -10В | НПН + полевой транзистор | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CPH5902H-TL-E | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | 50В | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/onsemiconductor-cph5902gtle-datasheets-5427.pdf | 150 мА | СОТ-23-5 Тонкий, ЦОТ-23-5 | 2,9 мм | 900 мкм | 1,6 мм | Без свинца | 2 недели | 5 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | Усилитель | НПН | 5 | Одинокий | 50 мА | -10В | НПН + полевой транзистор | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ALD910028SAL | Advanced Linear Devices Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | САБ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Трубка | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | 10,6 В | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/advancedlineardevicesinc-ald910028sal-datasheets-5442.pdf | 80 мА | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 недель | 84,99187мг | 8 | Автоматическая балансировка суперконденсатора | 500мВт | 2 | 8-СОИК | 10 нс | 10 нс | 1 мкА | 10,6 В | 10,6 В | 80 мА | 2,8 МОм | 2 N-канала (двойной) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЦВ62Б,215 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 30 В | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/nexperiausainc-bcv62a215-datasheets-4879.pdf | ТО-253-4, ТО-253АА | 2,9 мм | 4 | 4 недели | 4 | EAR99 | ДЛЯ ТРАНСИСТОРА 2 HFE 220 | е3 | Олово (Вс) | Текущее зеркало | ПНП | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | БЦВ62 | 4 | 30 | 1 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | 0,1 А | 30 В | 100 мА | 100 МГц | 220 | 2 PNP (двойное) дневное зеркало | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ALD910022SAL | Advanced Linear Devices Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | САБ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Трубка | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | 10,6 В | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/advancedlineardeviceinc-ald810022scl-datasheets-4943.pdf | 80 мА | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 недель | Автоматическая балансировка суперконденсатора | 2 | 8-СОИК | 80 мА | 2 N-канала (двойной) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 62 235 БЦВ | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | 100 МГц | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/nexperiausainc-bcv62a215-datasheets-4879.pdf | 100 мА | ТО-253-4, ТО-253АА | 4 | 4 недели | EAR99 | Олово | е3 | Текущее зеркало | ПНП | 250мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | БЦВ62 | 4 | Двойной | 30 | 250мВт | 2 | Р-ПДСО-Г4 | 100 МГц | КОЛЛЕКЦИОНЕР | 30 В | 100 мА | 100 МГц | 100 | 30 В | 6В | 2 PNP (двойное) дневное зеркало | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМБ54Д0УДВ-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | 45 В ПНП 50 В N-канальный | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/diodesincorporated-dmb54d0udw7-datasheets-5368.pdf | 160 мА | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 6 | 18 недель | 6,010099мг | Нет СВХК | 6 | да | EAR99 | ЗАЩИТА ОТ ЭСР, НИЗКИЙ ПОРОГ | е3 | Матовый олово (Sn) | Общего назначения | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ДМБ54Д0У | 6 | 40 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | 160 мА | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ БИПОЛЯРНЫМ ТРАНСИСТОРОМ И ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 0,25 Вт | 0,1 А | 50В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 100 мА PNP 160 мА N-канал | 220 | 5Ом | 0,4 В | ПНП, N-канал | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЛМН400Б01-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/diodesincorporated-lmn400b017-datasheets-5392.pdf | -50В | 115 мА | СОТ-23-6 | Без свинца | 6 | 19 недель | 6 | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ | е3 | Матовый олово (Sn) | Переключатель нагрузки | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ЛМН400 | 6 | 40 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ БИПОЛЯРНЫМ ТРАНСИСТОРОМ И РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 0,3 Вт | 0,4 А | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 400 мА PNP 115 мА | 70 | 0,115А | 2Ом | 5 пФ | 0,3 В | PNP с предварительным смещением, N-канальный с предварительным смещением | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМБ54Д0УВ-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | 45 В ПНП 50 В N-канальный | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/diodesincorporated-dmb54d0uv7-datasheets-5347.pdf | 160 мА | СОТ-563, СОТ-666 | 6 | 12 недель | 3,005049мг | Нет СВХК | 6 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | е3 | Матовый олово (Sn) | Общего назначения | ПНП | 250мВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | 6 | 1 | 40 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | 160 мА | 12 В | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ПТ И ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 45В | 50В | 100 мА PNP 160 мА N-канал | 100 МГц | 220 | 3,1 Ом | 0,4 В | ПНП, N-канал | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭМС3DXV5T5G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/onsemiconductor-emc3dxv5t1g-datasheets-4902.pdf | 50В | 100 мА | СОТ-553 | Без свинца | 5 | 17 недель | 5 | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | е3 | Олово (Вс) | НПН, ПНП | Без галогенов | ДА | ПЛОСКИЙ | 260 | ЭМС3DXV5 | 5 | 40 | 357 МВт | 2 | БИП Малый сигнал общего назначения | Не квалифицирован | СЛОЖНЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 0,1 А | 100 мА | 50В | 35 | 35 | 1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭМФ9Т2Р | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | 12 В NPN 30 В N-канал | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/rohmsemiconductor-emf9t2r-datasheets-5410.pdf | 100 мА | СОТ-563, СОТ-666 | 6 | 10 недель | Нет СВХК | 6 | да | EAR99 | Нет | е2 | ОЛОВО МЕДЬ | Общего назначения | НПН, ПНП | 150 мВт | ПЛОСКИЙ | 260 | 6 | 2 | Двойной | 10 | 1 | Другие транзисторы | 100 мА | 12 В | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 0,5 А | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 500 мА NPN 100 мА N-канал | 12 В | 320 МГц | 270 | 0,1 А | 8Ом | NPN, N-канал | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PBSM5240PFH,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | 40 В ПНП 30 В N-канальный | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/nexperiausainc-pbsm5240pfh115-datasheets-5362.pdf | 1,8 А | 6-УДФН Открытая площадка | 8 недель | 6 | е3 | Олово (Вс) | Общего назначения | 1,1 Вт | PBSM5240PF | 6 | 2 | 4 нс | 7,5 нс | 4,5 нс | 18 нс | 1,8 А | 700мВ | 40В | 1,8 А PNP, 660 мА, N-канал | 580мОм | ПНП, N-канал |
