Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные стабилитроны(43788)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Статус RoHS | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Количество окончаний | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Код HTS | Толерантность | Терминальные отделки | Полярность | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Количество элементов | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Конфигурация | Мощность - Макс. | Материал диодного элемента | Рассеиваемая мощность-Макс. | Обратный ток-Макс. | Опорное напряжение | Напряжение Тол-Макс | Рабочий тестовый ток | Обратное испытательное напряжение | Тип диода | Динамический импеданс-макс. | Импеданс-Макс. | Напряжение Температурный Коэфф-Макс | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Напряжение - Стабилитрон (Ном) (Вз) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| БЗД17К180П М2Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd17c12pr3g-datasheets-4602.pdf | ДО-219АБ | ±6,38% | Суб-SMA | 800мВт | 450 Ом | 1 мкА при 130 В | 1,2 В при 200 мА | 180 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| БЗД27С68П МХГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf | ДО-219АБ | ±5,88% | Суб-SMA | 1 Вт | 80 Ом | 1 мкА при 51 В | 1,2 В при 200 мА | 68В | ||||||||||||||||||||||||||||
| БЗД27С43П МХГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf | ДО-219АБ | ±6,97% | Суб-SMA | 1 Вт | 45 Ом | 1 мкА при 33 В | 1,2 В при 200 мА | 43В | ||||||||||||||||||||||||||||
| РИТЭГ БЗД17К13П | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd17c12pr3g-datasheets-4602.pdf | ДО-219АБ | ±6,53% | Суб-SMA | 800мВт | 10 Ом | 2 мкА при 10 В | 1,2 В при 200 мА | 13В | ||||||||||||||||||||||||||||
| 1SMC5352HM6G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ДО-214АБ, СМК | ±5% | ДО-214АБ (СМК) | 5 Вт | 2,5 Ом | 1 мкА при 11,5 В | 15 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| БЗД17К13П МТГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd17c12pr3g-datasheets-4602.pdf | ДО-219АБ | ±6,53% | Суб-SMA | 800мВт | 10 Ом | 2 мкА при 10 В | 1,2 В при 200 мА | 13В | ||||||||||||||||||||||||||||
| БЗД27К6В8П МХГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c6v8prvg-datasheets-5247.pdf | ДО-219АБ | ±5,88% | Суб-SMA | 1 Вт | 3Ом | 10 мкА при 3 В | 1,2 В при 200 мА | 6,8 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| РИТЭГ БЗД17К12П | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd17c12pr3g-datasheets-4602.pdf | ДО-219АБ | ±5,41% | Суб-SMA | 800мВт | 7 Ом | 3 мкА при 9,1 В | 1,2 В при 200 мА | 12 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| BZD27C9V1PHMHG | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf | ДО-219АБ | ±6,07% | Суб-SMA | 1 Вт | 4Ом | 10 мкА при 5 В | 1,2 В при 200 мА | 9,05 В | |||||||||||||||||||||||||||
| БЗД17К16П МТГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd17c12pr3g-datasheets-4602.pdf | ДО-219АБ | 2 | да | EAR99 | НИЗКИЙ ТОК УТЕЧКИ | 8541.10.00.50 | ±5,625% | Чистое олово (Sn) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 1 | Р-ПДСО-Ф2 | ОДИНОКИЙ | 800мВт | КРЕМНИЙ | 0,8 Вт | 1 мкА | 16 В | 5,55% | 25 мА | 12 В | стабилитрон | 15Ом | 15Ом | 17,82 мВ/°С | 1 мкА при 12 В | 1,2 В при 200 мА | 16 В | |||||
| БЗД27К8В2П МХГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c6v8prvg-datasheets-5247.pdf | ДО-219АБ | ±6,09% | Суб-SMA | 1 Вт | 2Ом | 10 мкА при 3 В | 1,2 В при 200 мА | 8,2 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| БЗД17К12П МКГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd17c12pr3g-datasheets-4602.pdf | ДО-219АБ | ±5,41% | Суб-SMA | 800мВт | 7 Ом | 3 мкА при 9,1 В | 1,2 В при 200 мА | 12 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| БЗД27С24П М2Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf | ДО-219АБ | ±5,78% | Суб-SMA | 1 Вт | 15 Ом | 1 мкА при 18 В | 1,2 В при 200 мА | 24,2 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| БЗД17С15П МТГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd17c12pr3g-datasheets-4602.pdf | ДО-219АБ | ±6% | Суб-SMA | 800мВт | 10 Ом | 1 мкА при 11 В | 1,2 В при 200 мА | 15 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| БЗД17К120П МКГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd17c12pr3g-datasheets-4602.pdf | ДО-219АБ | ±5,41% | Суб-SMA | 800мВт | 300 Ом | 1 мкА при 91 В | 1,2 В при 200 мА | 120 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| БЗД27С8В2П М2Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c6v8prvg-datasheets-5247.pdf | ДО-219АБ | ±6,09% | Суб-SMA | 1 Вт | 2Ом | 10 мкА при 3 В | 1,2 В при 200 мА | 8,2 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| РИТЭГ БЗД17К11П | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd17c12pr3g-datasheets-4602.pdf | ДО-219АБ | ±5,45% | Суб-SMA | 800мВт | 7 Ом | 4 мкА при 8,2 В | 1,2 В при 200 мА | 11В | ||||||||||||||||||||||||||||
| БЗД27К51ПХМ2Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf | ДО-219АБ | ±5,88% | Суб-SMA | 1 Вт | 60 Ом | 1 мкА при 39 В | 1,2 В при 200 мА | 51В | |||||||||||||||||||||||||||
| БЗД17К13П МКГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd17c12pr3g-datasheets-4602.pdf | ДО-219АБ | ±6,53% | Суб-SMA | 800мВт | 10 Ом | 2 мкА при 10 В | 1,2 В при 200 мА | 13В | ||||||||||||||||||||||||||||
| БЗД27С7В5П М2Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c6v8prvg-datasheets-5247.pdf | ДО-219АБ | ±6,04% | Суб-SMA | 1 Вт | 2Ом | 50 мкА при 3 В | 1,2 В при 200 мА | 7,45 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| BZD27C33PHMHG | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf | ДО-219АБ | ±6,06% | Суб-SMA | 1 Вт | 15 Ом | 1 мкА при 24 В | 1,2 В при 200 мА | 33В | |||||||||||||||||||||||||||
| БЗД27С6В8П М2Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c6v8prvg-datasheets-5247.pdf | ДО-219АБ | ±5,88% | Суб-SMA | 1 Вт | 3Ом | 10 мкА при 3 В | 1,2 В при 200 мА | 6,8 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| РИТЭГ BZD17C120P | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd17c12pr3g-datasheets-4602.pdf | ДО-219АБ | ±5,41% | Суб-SMA | 800мВт | 300 Ом | 1 мкА при 91 В | 1,2 В при 200 мА | 120 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| BZD27C82PHMHG | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf | ДО-219АБ | ±6,09% | Суб-SMA | 1 Вт | 200 Ом | 1 мкА при 62 В | 1,2 В при 200 мА | 82В | |||||||||||||||||||||||||||
| БЗД27К6В8ПХМ2Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf | ДО-219АБ | ±5,88% | Суб-SMA | 1 Вт | 3Ом | 10 мкА при 3 В | 1,2 В при 200 мА | 6,8 В | |||||||||||||||||||||||||||
| BZD27C27PHMHG | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf | ДО-219АБ | ±7,03% | Суб-SMA | 1 Вт | 15 Ом | 1 мкА при 20 В | 1,2 В при 200 мА | 27В | |||||||||||||||||||||||||||
| БЗД27К62П М2Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf | ДО-219АБ | ±6,45% | Суб-SMA | 1 Вт | 80 Ом | 1 мкА при 47 В | 1,2 В при 200 мА | 62В | ||||||||||||||||||||||||||||
| БЗД27С39П МХГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf | ДО-219АБ | ±5,12% | Суб-SMA | 1 Вт | 40 Ом | 1 мкА при 30 В | 1,2 В при 200 мА | 39В | ||||||||||||||||||||||||||||
| БЗД27С30П М2Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf | ДО-219АБ | ±6,66% | Суб-SMA | 1 Вт | 15 Ом | 1 мкА при 22 В | 1,2 В при 200 мА | 30В | ||||||||||||||||||||||||||||
| BZD27C62PHMHG | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf | ДО-219АБ | ±6,45% | Суб-SMA | 1 Вт | 80 Ом | 1 мкА при 47 В | 1,2 В при 200 мА | 62В |
