Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные стабилитроны(43788)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус RoHS | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Толерантность | Поставщик пакета оборудования | Мощность - Макс. | Импеданс-Макс. | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Напряжение - Стабилитрон (Ном) (Вз) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| БЗТ55К2В4 Л0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | ±5% | Мини МЕЛФ | 500мВт | 85 Ом | 50 мкА при 1 В | 1 В при 10 мА | 2,4 В | |||||
| БЗТ55Б33 Л0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzt55b33l1g-datasheets-7776.pdf | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | ±2% | Мини МЕЛФ | 500мВт | 80 Ом | 100 нА при 24 В | 1 В при 10 мА | 33В | ||||
| БЗТ55Б39 Л0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzt55b33l1g-datasheets-7776.pdf | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | ±2% | Мини МЕЛФ | 500мВт | 90 Ом | 100 нА при 28 В | 1 В при 10 мА | 39В | ||||
| БЗТ55К3В9 Л0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | ±5% | Мини МЕЛФ | 500мВт | 85 Ом | 2 мкА при 1 В | 1 В при 10 мА | 3,9 В | |||||
| БЗТ55Б2В7 Л0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzt55b33l1g-datasheets-7776.pdf | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | ±2% | Мини МЕЛФ | 500мВт | 85 Ом | 10 мкА при 1 В | 1 В при 10 мА | 2,7 В | ||||
| БЗТ55Б6В8 Л0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzt55b33l1g-datasheets-7776.pdf | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | ±2% | Мини МЕЛФ | 500мВт | 8 Ом | 100 нА при 3 В | 1 В при 10 мА | 6,8 В | ||||
| БЗТ55К24 Л0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | ±5% | Мини МЕЛФ | 500мВт | 80 Ом | 100 нА при 18 В | 1 В при 10 мА | 24В | |||||
| БЗТ55К3В0 Л0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | ±5% | Мини МЕЛФ | 500мВт | 85 Ом | 4 мкА при 1 В | 1 В при 10 мА | 3В | |||||
| БЗТ55К75 Л0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | ±5% | Мини МЕЛФ | 500мВт | 170 Ом | 100 нА при 56 В | 1 В при 10 мА | 75В | |||||
| БЗТ55К5В1 Л0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | ±5% | Мини МЕЛФ | 500мВт | 35 Ом | 100 нА при 1 В | 1 В при 10 мА | 5,1 В | |||||
| БЗД17К120П М2Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd17c12pr3g-datasheets-4602.pdf | ДО-219АБ | ±5,41% | Суб-SMA | 800мВт | 300 Ом | 1 мкА при 91 В | 1,2 В при 200 мА | 120 В | ||||
| БЗТ55Б18 Л0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzt55b33l1g-datasheets-7776.pdf | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | ±2% | Мини МЕЛФ | 500мВт | 50 Ом | 100 нА при 13 В | 1 В при 10 мА | 18В | ||||
| БЗТ55К36 Л0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | ±5% | Мини МЕЛФ | 500мВт | 80 Ом | 100 нА при 27 В | 1 В при 10 мА | 36В | |||||
| БЗТ55К4В3 Л0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | ±5% | Мини МЕЛФ | 500мВт | 75 Ом | 1 мкА при 1 В | 1 В при 10 мА | 4,3 В | |||||
| БЗД17С15П МХГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd17c12pr3g-datasheets-4602.pdf | ДО-219АБ | ±6% | Суб-SMA | 800мВт | 10 Ом | 1 мкА при 11 В | 1,2 В при 200 мА | 15 В | ||||
| БЗТ55К15 Л0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | ±5% | Мини МЕЛФ | 500мВт | 30 Ом | 100 нА при 11 В | 1 В при 10 мА | 15 В | |||||
| БЗТ55К16 Л0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | ±5% | Мини МЕЛФ | 500мВт | 40 Ом | 100 нА при 12 В | 1 В при 10 мА | 16 В | |||||
| БЗТ55Б27 Л0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzt55b33l1g-datasheets-7776.pdf | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | ±2% | Мини МЕЛФ | 500мВт | 80 Ом | 100 нА при 20 В | 1 В при 10 мА | 27В | ||||
| БЗТ55К56 Л0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | ±5% | Мини МЕЛФ | 500мВт | 135 Ом | 100 нА при 42 В | 1 В при 10 мА | 56В | |||||
| BZD27C6V8PHRHG | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf | ДО-219АБ | ±5,88% | Суб-SMA | 1 Вт | 3Ом | 10 мкА при 3 В | 1,2 В при 200 мА | 6,8 В | |||
| БЗТ55К3В3 Л0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | ±5% | Мини МЕЛФ | 500мВт | 85 Ом | 2 мкА при 1 В | 1 В при 10 мА | 3,3 В | |||||
| БЗД27С36П РХГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf | ДО-219АБ | ±5,55% | Суб-SMA | 1 Вт | 40 Ом | 1 мкА при 27 В | 1,2 В при 200 мА | 36В | ||||
| BZD27C7V5PHRHG | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf | ДО-219АБ | ±6,04% | Суб-SMA | 1 Вт | 2Ом | 50 мкА при 3 В | 1,2 В при 200 мА | 7,45 В | |||
| БЗТ55К30 Л0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | ±5% | Мини МЕЛФ | 500мВт | 80 Ом | 100 нА при 22 В | 1 В при 10 мА | 30 В | |||||
| БЗД27С8В2П РХГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c6v8prvg-datasheets-5247.pdf | ДО-219АБ | ±6,09% | Суб-SMA | 1 Вт | 2Ом | 10 мкА при 3 В | 1,2 В при 200 мА | 8,2 В | ||||
| БЗД27С75П РХГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf | ДО-219АБ | ±6,04% | Суб-SMA | 1 Вт | 100 Ом | 1 мкА при 56 В | 1,2 В при 200 мА | 74,5 В | ||||
| БЗТ55Б3В9 Л0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzt55b33l1g-datasheets-7776.pdf | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | ±2% | Мини МЕЛФ | 500мВт | 85 Ом | 2 мкА при 1 В | 1 В при 10 мА | 3,9 В | ||||
| БЗТ55С10 Л0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | ±5% | Мини МЕЛФ | 500мВт | 15 Ом | 100 нА при 7,5 В | 1 В при 10 мА | 10 В | |||||
| BZD27C62PHRHG | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf | ДО-219АБ | ±6,45% | Суб-SMA | 1 Вт | 80 Ом | 1 мкА при 47 В | 1,2 В при 200 мА | 62В | |||
| БЗТ55Б68 Л0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzt55b33l1g-datasheets-7776.pdf | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | ±2% | Мини МЕЛФ | 500мВт | 160 Ом | 100 нА при 51 В | 1 В при 10 мА | 68В |
