Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные стабилитроны (43788)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Импеданс | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Толерантность | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Справочный стандарт | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Максимальный обратный ток утечки | Стабильное напряжение | Конфигурация | Соединение корпуса | Тестовый ток | Мощность - Макс. | Материал диодного элемента | Опорное напряжение | Напряжение Тол-Макс | Рабочий тестовый ток | Тип диода | Допуск по напряжению | Импеданс-Макс. | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Напряжение - Стабилитрон (Ном) (Вз) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BZG05C68-E3-TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 20 недель | 2 | 130Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Олово | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 30 | 1 | 500нА | 68В | ОДИНОКИЙ | 4мА | КРЕМНИЙ | 68В | 5,88% | стабилитрон | 130Ом | 500 нА при 51 В | 1,2 В @ 200 мА | |||||||||||||||||||||||||||
| BZG05C9V1-E3-TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 20 недель | 2 | 5Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Олово | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 30 | 1 | 1 мкА | 9,1 В | ОДИНОКИЙ | 25 мА | КРЕМНИЙ | 9,1 В | 6,08% | стабилитрон | 5Ом | 1 мкА при 6,8 В | 1,2 В @ 200 мА | ||||||||||||||||||||||||||||
| BZG05C56-HE3-TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 20 недель | 120Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 30 | 1 | Р-ПДСО-С2 | 56В | ОДИНОКИЙ | КРЕМНИЙ | 56В | 7,14% | 4мА | стабилитрон | 120Ом | 500 нА при 43 В | 1,2 В @ 200 мА | 56В | ||||||||||||||||||||||||||
| BZG05C82-E3-TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 20 недель | 2 | 200Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Олово | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 30 | 1 | 500нА | 82В | ОДИНОКИЙ | 2,7 мА | КРЕМНИЙ | 82В | 6,1% | стабилитрон | 200Ом | 500 нА при 62 В | 1,2 В @ 200 мА | |||||||||||||||||||||||||||
| BZG05C10-E3-TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 20 недель | 2 | 7Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Олово | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 30 | 1 | 500нА | 10 В | ОДИНОКИЙ | 25 мА | КРЕМНИЙ | 10 В | 6% | стабилитрон | 7Ом | 500 нА при 75 В | 1,2 В @ 200 мА | |||||||||||||||||||||||||||
| JANTXV1N6343US | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/533 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°К~175°К | Масса | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Не соответствует требованиям RoHS | 1999 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-1n6325us-datasheets-2505.pdf | SQ-MELF, Б | 2 | 20 недель | 2 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | EAR99 | Свинец, Олово | 8541.10.00.50 | ±5% | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | МИЛ-19500/533Ф | 500мВт | КОНЕЦ | ЗАВЕРШИТЬ ВОКРУГ | Одинокий | 1 | Квалифицированный | 62В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 62В | 5% | стабилитрон | 125 Ом | 50 нА при 47 В | 1,4 В при 1 А | 62В | ||||||||||||||||||||||||||||
| BZG05C8V2-E3-TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 4,5 мм | 2,2 мм | 2,8 мм | 2 | 20 недель | 2 | 5Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Олово | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | Одинокий | 30 | 1 | 1 мкА | 8,2 В | 25 мА | КРЕМНИЙ | 8,2 В | 6,1% | стабилитрон | 5Ом | 1 мкА при 6,2 В | 1,2 В @ 200 мА | ||||||||||||||||||||||||
| BZG05C12-HE3-TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 20 недель | 9Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 30 | 1 | Р-ПДСО-С2 | 12 В | ОДИНОКИЙ | КРЕМНИЙ | 12 В | 5,39% | 20 мА | стабилитрон | 9Ом | 500 нА при 9,1 В | 1,2 В @ 200 мА | 12 В | ||||||||||||||||||||||||||
| BZG05C20-E3-TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 20 недель | 2 | 24Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Олово | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 30 | 1 | 500нА | 20 В | ОДИНОКИЙ | 10 мА | КРЕМНИЙ | 20 В | 6% | стабилитрон | 24Ом | 500 нА при 15 В | 1,2 В @ 200 мА | |||||||||||||||||||||||||||
| BZG05C27-HE3-TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 20 недель | 30Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 30 | 1 | Р-ПДСО-С2 | 27В | ОДИНОКИЙ | КРЕМНИЙ | 27В | 7,04% | 8мА | стабилитрон | 30Ом | 500 нА при 20 В | 1,2 В @ 200 мА | 27В | ||||||||||||||||||||||||||
| BZG05C30-HE3-TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 20 недель | 30Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 30 | 1 | Р-ПДСО-С2 | 30 В | ОДИНОКИЙ | КРЕМНИЙ | 30 В | 6,67% | 8мА | стабилитрон | 30Ом | 500 нА при 22 В | 1,2 В @ 200 мА | 30 В | ||||||||||||||||||||||||||
| BZG05C47-HE3-TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 20 недель | 90Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 30 | 1 | Р-ПДСО-С2 | 47В | ОДИНОКИЙ | КРЕМНИЙ | 47В | 6,38% | 4мА | стабилитрон | 90Ом | 500 нА при 36 В | 1,2 В @ 200 мА | 47В | ||||||||||||||||||||||||||
| BZG05C39-E3-TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 20 недель | 2 | 50Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Олово | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 30 | 1 | 500нА | 39В | ОДИНОКИЙ | 6мА | КРЕМНИЙ | 39В | 5,13% | стабилитрон | 50Ом | 500 нА при 30 В | 1,2 В @ 200 мА | |||||||||||||||||||||||||||
| BZG05C15-HE3-TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 20 недель | 15Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 30 | 1 | Р-ПДСО-С2 | 15 В | ОДИНОКИЙ | КРЕМНИЙ | 15 В | 6,12% | 15 мА | стабилитрон | 15Ом | 500 нА при 11 В | 1,2 В @ 200 мА | 15 В | ||||||||||||||||||||||||||
| JANTX1N6334 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/533 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Масса | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Не соответствует требованиям RoHS | 1999 год | /files/microsemicorporation-jans1n6324-datasheets-4469.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 2 | 15 недель | 2 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 3 недели назад) | нет | EAR99 | Свинец, Олово | 8541.10.00.50 | ±5% | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | МИЛ-19500/533Ф | 500мВт | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Квалифицированный | 27В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 27В | 5% | 4,6 мА | стабилитрон | 27Ом | 50 нА при 21 В | 1,4 В при 1 А | 27В | |||||||||||||||||||||||
| БЗТ55А16-GS08 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2016 год | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | 2 | 40Ом | EAR99 | НИЗКИЙ ШУМ | неизвестный | 8541.10.00.50 | ±1% | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 500мВт | КОНЕЦ | ЗАВЕРШИТЬ ВОКРУГ | 2 | 1 | Не квалифицированный | О-LELF-R2 | 16В | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 16В | 1% | 5мА | стабилитрон | 40Ом | 100 нА при 11 В | 1,5 В при 200 мА | 16В | ||||||||||||||||||||||||||||
| BZG05C11-HE3-TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 20 недель | 8Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 30 | 1 | Р-ПДСО-С2 | 11В | ОДИНОКИЙ | КРЕМНИЙ | 11В | 5,45% | 20 мА | стабилитрон | 8Ом | 500 нА при 8,2 В | 1,2 В @ 200 мА | 11В | ||||||||||||||||||||||||||
| ЯН1Н753АУР-1 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/127 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°К~175°К | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 1999 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-cdll751a-datasheets-7228.pdf | ДО-213АА (Стекло) | 14 недель | 2 | EAR99 | Свинец, Олово | 8541.10.00.50 | ±5% | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 500мВт | Одинокий | 500мВт | Квалифицированный | 6,2 В | 20 мА | КРЕМНИЙ | стабилитрон | 5% | 7Ом | 5 мкА при 3,5 В | 1,1 В при 200 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTX1N757CUR-1 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/127 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°К~175°К | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 1999 год | /files/microsemicorporation-cdll751a-datasheets-7228.pdf | ДО-213АА (Стекло) | 14 недель | 2 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 4 недели назад) | EAR99 | Свинец, Олово | 8541.10.00.50 | ±2% | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 500мВт | Одинокий | 500мВт | Квалифицированный | 9,1 В | 20 мА | КРЕМНИЙ | стабилитрон | 2% | 10Ом | 1 мкА при 7 В | 1,1 В при 200 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTX1N754CUR-1 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/127 | Поверхностный монтаж, сквозное отверстие | Поверхностный монтаж | -65°К~175°К | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-cdll751a-datasheets-7228.pdf | ДО-213АА (Стекло) | 2 | EAR99 | Да | 8541.10.00.50 | ±2% | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 480мВт | Одинокий | 500мВт | Квалифицированный | 100нА | 6,8 В | 20 мА | КРЕМНИЙ | стабилитрон | 2% | 5Ом | 2 мкА при 4 В | 1,1 В при 200 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MMBZ5227BLT1H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 7 недель | 24Ом | ±5% | 225 МВт | 3,6 В | 24Ом | 15 мкА при 1 В | 950 мВ при 10 мА | 3,6 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZG05C33-HE3-TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 20 недель | 2 | 35Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | Одинокий | 30 | 1 | 500нА | 33В | КРЕМНИЙ | 33В | 6,06% | 8мА | стабилитрон | 35Ом | 500 нА при 24 В | 1,2 В @ 200 мА | ||||||||||||||||||||||||||
| JANTXV1N752AUR-1 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/127 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°К~175°К | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 1999 год | /files/microsemicorporation-cdll751a-datasheets-7228.pdf | ДО-213АА (Стекло) | 17 недель | 2 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | EAR99 | Свинец, Олово | 8541.10.00.50 | ±5% | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 500мВт | 2 | Одинокий | 500мВт | Квалифицированный | 5,6 В | 20 мА | КРЕМНИЙ | стабилитрон | 5% | 11Ом | 5 мкА при 2,5 В | 1,1 В при 200 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTX1N981BUR-1 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/117 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~175°К | Масса | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Не соответствует требованиям RoHS | 1999 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jantx1n965bur1-datasheets-3524.pdf | ДО-213АА (Стекло) | 14 недель | 2 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 4 недели назад) | Свинец, Олово | ±5% | 500мВт | Одинокий | ДО-213АА | 68В | 500мВт | 230 Ом | 500 нА при 52 В | 1,1 В при 200 мА | 68В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZG05C36-E3-TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 20 недель | 2 | 40Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Олово | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 30 | 1 | 500нА | 36В | ОДИНОКИЙ | 8мА | КРЕМНИЙ | 36В | 5,56% | стабилитрон | 40Ом | 500 нА при 27 В | 1,2 В @ 200 мА | |||||||||||||||||||||||||||
| ЯН1Н821-1 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/159 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~175°К | Масса | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Не соответствует требованиям RoHS | 1999 год | /files/microsemicorporation-jantx1n8271-datasheets-2405.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | Содержит свинец | 2 | 30 недель | 2 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 3 недели назад) | нет | EAR99 | Свинец, Олово | 8541.10.00.50 | ±5% | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | МИЛ-19500/159М | 500мВт | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 2 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 500мВт | 1 | Квалифицированный | 6,2 В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 7,5 мА | КРЕМНИЙ | 6,2 В | 5% | стабилитрон | 5% | 15Ом | 2 мкА при 3 В | 1,1 В при 200 мА | 7,5 В | ||||||||||||||||||||
| JANTXV1N6350 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/533 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Масса | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Не соответствует требованиям RoHS | 1999 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jans1n6324-datasheets-4469.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 2 | 2 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | нет | EAR99 | Нет | 8541.10.00.50 | ±5% | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | МИЛ-19500/533 | 500мВт | ПРОВОЛОКА | Одинокий | 1 | Квалифицированный | 50нА | 120 В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 120 В | 5% | 1 мА | стабилитрон | 600Ом | 50 нА при 91 В | 1,4 В при 1 А | ||||||||||||||||||||||||||
| BZG05C27-E3-TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 20 недель | 2 | 30Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Олово | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 30 | 1 | 500нА | 27В | ОДИНОКИЙ | 8мА | КРЕМНИЙ | 27В | 7,04% | стабилитрон | 30Ом | 500 нА при 20 В | 1,2 В @ 200 мА | |||||||||||||||||||||||||||
| ЯН1Н748АУР-1 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/127 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°К~175°К | Масса | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Не соответствует требованиям RoHS | 1999 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-cdll751a-datasheets-7228.pdf | ДО-213АА (Стекло) | 14 недель | 2 | Свинец, Олово | Нет | ±5% | 500мВт | Одинокий | 500мВт | ДО-213АА | 3,9 В | 20 мА | 500мВт | 5% | 23 Ом | 2 мкА при 1 В | 1,1 В при 200 мА | 3,9 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZG05C20-HE3-TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 20 недель | 24Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 30 | 1 | Р-ПДСО-С2 | 20 В | ОДИНОКИЙ | КРЕМНИЙ | 20 В | 6% | 10 мА | стабилитрон | 24Ом | 500 нА при 15 В | 1,2 В @ 200 мА | 20 В |
