+86 19168759373 info@chipsmt.ru

Дискретные полупроводники

Рекомендуемые детали

СТЛ11Н6Ф7

MOSFET (оксид металла) N-канальная лента и катушка (TR) 12 м Ом при 5,5 А, 10 В ±20 В 1035 пФ при 30 В 17 нК при 10 В 60 В 8-PowerVDFN
ТК10А60В5,С5ВС

МОП-транзистор (оксид металла) Н-канальная лампа 450 мОм при 4,9 А, 10 В ±30 В 720 пФ при 300 В 25 нК при 10 В 600 В ТО-220-3 Полный комплект
ДМП2021УТС-13

MOSFET (металлооксид) P-канальная лента и катушка (TR) 16 м Ом при 4,5 А, 4,5 В ±10 В 2760 пФ при 15 В 59 нК при 8 В 20 В 8-TSSOP (0,173, ширина 4,40 мм)
ИПП120Н10С403АКСА1

MOSFET (металлооксид) N-канальная лампа 3,9 м Ом при 100 А, 10 В ±20 В 10 120 пФ при 25 В 140 нК при 10 В ТО-220-3
FQA7N90M

МОП-транзистор (оксид металла) Н-канальная лампа 1,8 Ом при 3,5 А, 10 В ±30 В 1880 пФ при 25 В 52 нК при 10 В 900 В ТО-3П-3, СК-65-3
NTMS4176PR2G

MOSFET (металлооксид) P-канальная лента и катушка (TR) 18 м Ом при 9,6 А, 10 В ±25 В 1720 пФ при 24 В 17 нК при 4,5 В 8-SOIC (0,154, ширина 3,90 мм)
220CNQ030

Выпрямительный диод Шоттки, 1 пара, общий катод, быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Io) -55°C~150°C Крепление на шасси PRM4
SQS460ENW-T1_GE3

MOSFET (оксид металла) N-канальная лента и катушка (TR) 36 мОм при 5,3 А, 10 В ±20 В 755 пФ при 25 В 20 нК при 10 В 60 В PowerPAK® 1212-8 Вт
NTTFS015P03P8ZTAG

MOSFET (металлооксид) P-канальная лента и катушка (TR) 9,3 м Ом при 12 А, 10 В ±25 В 2706 пФ при 15 В 62,3 нК при 10 В 30 В 8-PowerWDFN
FQB6N90TM_AM002

MOSFET (оксид металла) N-канальная лента и катушка (TR) 1,9 Ом @ 2,9 А, 10 В ±30 В 1880 пФ @ 25 В 52 нК @ 10 В 900 В TO-263-3, D2Pak (2 вывода + вывод), TO-263AB
ФДД8770

Техническое описание FDD8770 в формате pdf и Транзисторы — полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы — подробные сведения о отдельных продуктах со склада ON Semiconductor доступны на сайте Feilidi.
HUF75639P3

Техническое описание HUF75639P3 в формате pdf и Транзисторы — поляки и полочные транзисторы — подробные сведения о отдельных продуктах, имеющихся на складе ON Semiconductor в Фейлиди.
FQI12N50TU

МОП-транзистор (оксид металла) Н-канальная лампа 490 мОм при 6,05 А, 10 В ±30 В 2020 пФ при 25 В 51 нК при 10 В 500 В ТО-262-3 Длинные выводы, И2Пак, ТО-262АА
2N5001

1 элемент 3 клеммы SILICON PNP Bulk

Рекомендуемые производители

Похожие блоги

Динамика российской полупроводниковой отрасли и развитие литографических технологий в 2024 году
Пятница, 21 февраля 2025 г.171
Россия возобновляет поставки микропроцессоров Байкал, несмотря на санкции и сложности поставок
Пятница, 21 февраля 2025 г.140
Перспективы рассмотрения производства полупроводников к 2035 году
Пятница, 21 февраля 2025 г.127

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.