+86 19168759373 info@chipsmt.ru

Дискретные полупроводники

Рекомендуемые детали

ФДМС7698

Техническое описание FDMS7698 в формате pdf и Транзисторы — поля и полочные транзисторы — подробные сведения об отдельных продуктах со склада ON Semiconductor доступны на сайте Feilidi.
ДМТ6016LJ3
APT1003RSFLLG

МОП-транзистор (оксид металла) Н-канальная лампа 3 Ом при 2 А, 10 В 694 пФ при 25 В 34 нК при 10 В 1000 В ТО-268-3, D3Pak (2 вывода + вывод), ТО-268АА
MJH6287

Техническое описание MJH6287 в формате pdf и транзисторы — биполярные (BJT) — подробные сведения о отдельных продуктах со склада ON Semiconductor доступны на сайте Feilidi.
ФДД24АН06ЛА0

MOSFET (металлооксид) N-канальная лента и катушка (TR) 19 мОм при 40 А, 10 В ±20 В 1850 пФ при 25 В 21 нК при 5 В 60 В ТО-252-3, DPak (2 вывода + контакт), SC-63
IRFR214TR

MOSFET (оксид металла) N-канальная лента и катушка (TR) 2 Ом при 1,3 А, 10 В ± 20 В 140 пФ при 25 В 8,2 нк при 10 В 250 В ТО-252-3, DPak (2 выхода + контакт), SC-63
РШ070Н05ТБ1

МОП-транзистор Н-Ч 45 В 7 А СОП8
ЗВН2120АСТЗ

MOSFET (оксид металла) N-канальная лента и катушка (TR) 10 Ом при 250 мА, 10 В ±20 В, 85 пФ при 25 В E-Line-3
ИРЛ3705ЗСПБФ

Техническое описание IRL3705ZSPBF в формате pdf и Транзисторы — поля и полочные транзисторы — подробные сведения о отдельных продуктах со склада Infineon Technologies, доступные на сайте Feilidi.
АУИРФ5210С

Техническое описание AUIRF5210S в формате pdf и Транзисторы — поля и полочные транзисторы — подробные сведения об отдельных продуктах со склада Infineon Technologies, доступные на сайте Feilidi.
NTP18N06L

МОП-транзистор (оксид металла) Н-канальная лампа 100 м Ом при 7,5 А, 5 В ±10 В 440 пФ при 25 В 20 нК при 5 В 60 В ТО-220-3
IRFZ44NSPBF

MOSFET (металлооксид) N-канальная лампа 17,5 м Ом при 25 А, 10 В ±20 В 1470 пФ при 25 В 63 нК при 10 В 55 В ТО-263-3, D2Pak (2 вывода + вывод), ТО-263АБ
IPD053N08N3GBTMA1

MOSFET (оксид металла) N-канальная лента и катушка (TR) 5,3 м Ом при 90 А, 10 В ±20 В 4750 пФ при 40 В 69 нк при 10 В 80 В ТО-252-3, DPak (2 вывода + контакт), SC-63
ПСМН1Р0-40YSHX

MOSFET (оксид металла) N-канальная лента и катушка (TR) 1 м Ом при 25 А, 10 В ±20 В 9433 пФ при 20 В 122 нК при 10 В 40 В SOT-1023, 4-LFPAK

Рекомендуемые производители

Похожие блоги

Динамика российской полупроводниковой отрасли и развитие литографических технологий в 2024 году
Пятница, 21 февраля 2025 г.171
Россия возобновляет поставки микропроцессоров Байкал, несмотря на санкции и сложности поставок
Пятница, 21 февраля 2025 г.140
Перспективы рассмотрения производства полупроводников к 2035 году
Пятница, 21 февраля 2025 г.127

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.