+86 19168759373 info@chipsmt.ru

Дискретные полупроводники

Рекомендуемые детали

32CTQ030

Техническое описание 32CTQ030 в формате pdf и сведения о диодах — выпрямителях — массивах со склада подразделения Vishay Semiconductor Diodes Division доступны на сайте Feilidi.
DMT10H072LFDFQ-7

MOSFET (оксид металла) N-канальная лента и катушка (TR) 62 м Ом при 4,5 А, 10 В ±20 В 228 пФ при 50 В 4,5 нк при 10 В 100 В 6-UDFN Открытая площадка
IRFR6215TRL

MOSFET (металлооксид) P-канальная лента и катушка (TR) 295 м Ом @ 6,6 А, 10 В ±20 В 860 пФ @ 25 В 66 нК @ 10 В 150 В ТО-252-3, DPak (2 вывода + контакт), SC-63
СТЛ13Н60ДМ2

MOSFET (оксид металла) N-канальная лента и катушка (TR) 370 м Ом при 4 А, 10 В ±25 В 730 пФ при 100 В 19 нК при 10 В 600 В 8-PowerVDFN
АПТ50М50JVFR

МОП-транзистор (оксид металла) N-канальная лампа 50 мОм @ 500 мА, 10 В 19 600 пФ @ 25 В 1000 нК @ 10 В 500 В SOT-227-4, miniBLOC
АПТМ50СКМ17Г

МОП-транзистор (оксид металла) N-канальный, 20 м Ом при 90 А, 10 В ±30 В 28 000 пФ при 25 В 560 нК при 10 В 500 В SP6
IRFR9010TRL

MOSFET (металлооксид) P-канальная лента и катушка (TR) 500 мОм при 2,8 А, 10 В ±20 В 240 пФ при 25 В 9,1 нК при 10 В 50 В ТО-252-3, DPak (2 вывода + контакт), SC-63
NTD14N03RG

MOSFET (металлооксид) N-канальная лампа 95 мОм при 5 А, 10 В ±20 В 115 пФ при 20 В 1,8 нК при 5 В 25 В ТО-252-3, DPak (2 выхода + контакт), SC-63
АПТМ10СКМ02Г

МОП-транзистор (оксид металла) Н-канальный, 2,5 м Ом при 200 А, 10 В ±30 В, 40 000 пФ при 25 В 1360 нК при 10 В 100 В SP6
СУД50П04-15-Е3

Транс МОП-транзистор P-CH 40 В 50 А 3-контактный (2+вывод) ДПАК
БСО119Н03С

MOSFET (оксид металла) N-канальная лента и катушка (TR) 11,9 мОм при 11 А, 10 В ±20 В 1730 пФ при 15 В 13 нК при 5 В 30 В 8-SOIC (0,154, ширина 3,90 мм)
ПМВ45ЕН,215

MOSFET (оксид металла) N-канальная лента и катушка (TR) 42 мОм при 2 А, 10 В ±20 В 350 пФ при 30 В 9,4 нК при 10 В 30 В ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3
IRF530NSPBF

Техническое описание IRF530NSPBF в формате pdf и транзисторы — поляки и полочные транзисторы — подробные сведения об отдельных продуктах со склада Infineon Technologies доступны на сайте Feilidi.
АУИРФ7484Q

MOSFET (металлооксид) N-канальная лампа 10 м Ом @ 14 А, 7 В ± 8 В 3520 пФ @ 25 В 100 нК @ 7 В 40 В 8-SOIC (0,154, ширина 3,90 мм)

Рекомендуемые производители

Похожие блоги

Динамика российской полупроводниковой отрасли и развитие литографических технологий в 2024 году
Пятница, 21 февраля 2025 г.171
Россия возобновляет поставки микропроцессоров Байкал, несмотря на санкции и сложности поставок
Пятница, 21 февраля 2025 г.140
Перспективы рассмотрения производства полупроводников к 2035 году
Пятница, 21 февраля 2025 г.127

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.