Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОценочные комиссии СМПС(5991)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Без свинца | Срок выполнения заказа на заводе | Оценочный комплект | Базовый номер детали | Выходное напряжение | Напряжение — вход | Мощность — Выход | используемая микросхема/деталь | Напряжение — выход | Ток - Выход | Поставляемый контент | Частота — переключение | Основная цель | Тип | Выходы и тип | Топология регулятора |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| UCC29950EVM-631 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/texasinstruments-ucc29950evm631-datasheets-4594.pdf | Модуль | Да | 90 В~265 В переменного тока | 300 Вт | UCC29950 | 12 В | 25А | Совет(ы) | AC/DC, первичная сторона и PFC | Полностью заселен | 1, изолированный | Обратный ход | |||||||||||
| MAX17521EVKIT# | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/maximintegrated-max17521evkit-datasheets-4519.pdf | Да | 7В~60В | МАКС17521 | 3,3 В 5 В | 1А | Совет(ы) | DC/DC, шаг вниз | Полностью заселен | 2, неизолированный | Бак | |||||||||||
| FEBFAN23SV06-LVA-GEVB | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | 7В~15В | ФАН23СВ06 | 1,2 В | 6А | Совет(ы) | 500 кГц | DC/DC, шаг вниз | Полностью заселен | 1, неизолированный | Бак | ||||||||||||||
| P048F048M24AL-CB | Корпорация Викор | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | VI Чип® PRM® | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | Да | 36 В~75 В | 240 Вт | P048F048M24AL | 48В | 5А | Совет(ы) | 1,45 МГц | DC/DC, шаг вверх или вниз | Полностью заселен | 1, неизолированный | Бак-Буст | ||||||||||
| FEBFAN23SV56-LVA-GEVB | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | 7В~24В | ФАН23СВ56 | 1,2 В | 6А | Совет(ы) | 500 кГц | DC/DC, шаг вниз | Полностью заселен | 1, неизолированный | Бак | ||||||||||||||
| FEBFAN2306M-LVA-GEVB | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | 4,5 В~18 В | ФАН2306М | 1,2 В | 6А | Совет(ы) | 500 кГц | DC/DC, шаг вниз | Полностью заселен | 1, неизолированный | Бак | ||||||||||||||
| DC1547A | Линейные технологии / Аналоговые устройства | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | 2009 год | 3,1 В~9 В | LT3757 | 12 В | 1,5 А | Совет(ы) | 400 кГц | DC/DC, шаг вперед | Полностью заселен | 1, неизолированный | Возможность увеличивать высоту | |||||||||||||
| FEBFAN6920MR-T02U120A-GEVB | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | 90 В~264 В переменного тока | 120 Вт | ВЕНТИЛЯТОР6920MR | 19В | 6,3А | Совет(ы) | AC/DC, первичная и вторичная стороны с PFC | Полностью заселен | 1, изолированный | Обратный ход | ||||||||||||||
| FEBFAN23SV10M-LVA-GEVB | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | 7В~15В | ФАН23СВ10М | 1,2 В | 10А | Совет(ы) | 500 кГц | DC/DC, шаг вниз | Полностью заселен | 1, неизолированный | Бак | ||||||||||||||
| DC1811B-А | Линейные технологии / Аналоговые устройства | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | µМодуль® | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/lineartechnologyanalogdevices-ltm4676iy-datasheets-4185.pdf | 4 недели | 4,5 В~26,5 В | LTM4676 | 1 В 1,8 В | 13А 13А | Совет(ы) | 500 кГц | DC/DC, шаг вниз | Полностью заселен | 2, неизолированный | Бак | |||||||||
| AS1345D-TD-AD_EK_ST | утра | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/ams-as1345abwlt15-datasheets-4378.pdf | Да | 2,9 В~5 В | AS1345D | 15 В | Совет(ы) | DC/DC, шаг вперед | Полностью заселен | 1, неизолированный | Возможность увеличивать высоту | |||||||||||||
| ТС3ДДР32611ЕВМ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/texasinstruments-ts3ddr32611evm-datasheets-4429.pdf | Модуль | Да | 750 мВ | 3В~3,6В | ТС3DDR32611 | Совет(ы) | Блок памяти DC/DC специального назначения, DDR | Полностью заселен | |||||||||||||||
| FEBFAN302HL-CH442V1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | 90 В~264 В переменного тока | 6 Вт | ФАН302HL | 5В | 1,2А | Совет(ы) | AC/DC, первичная сторона | Полностью заселен | 1, изолированный | |||||||||||||||
| DC1174A-B | Линейные технологии / Аналоговые устройства | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | µМодуль® | 1 (без блокировки) | /files/lineartechnologyanalogdevices-dc1174ab-datasheets-4432.pdf | 9В~36В | 50 Вт | LTC3725, LTC3726 | 12 В | 4,2А | Совет(ы) | 200 кГц | DC/DC, шаг вниз | Полностью заселен | 1, изолированный | Прямой конвертер | |||||||||||
| FEBFAN2356-LVA-GEVB | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | 4,5 В~24 В | ФАН2356 | 1,2 В | 6А | Совет(ы) | 500 кГц | DC/DC, шаг вниз | Полностью заселен | 1, неизолированный | Бак | ||||||||||||||
| MIC28512-1YFL-EV | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Гиперлегкая нагрузка® | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/microchiptechnology-mic285121yflev-datasheets-4438.pdf | Да | MIC28512 | 4,6 В~70 В | МИК28512-1 | 2А | Совет(ы) | 300 кГц | DC/DC, шаг вниз | Полностью заселен | 1, неизолированный | Бак | |||||||||
| MIC28511-2YFL-EV | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Гиперскоростной контроль® | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/microchiptechnology-mic285112yflev-datasheets-4482.pdf | Да | MIC28511 | 4,6 В~60 В | МИК28511-2 | 3А | Совет(ы) | 300 кГц | DC/DC, шаг вниз | Полностью заселен | 1, неизолированный | Бак | |||||||||
| МВТД36БФ022М055А00 | Корпорация Викор | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | VI Чип® VTM® | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 16 недель | Да | 26 В~50 В | МВТМ36Bx022M055A00 | 2,25 В | 55А | Совет(ы) | 1,43 МГц | DC/DC, шаг вниз | Полностью заселен | 1, изолированный | Бак | |||||||||
| FEBFAN2310-LVA-GEVB | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | 4,5 В~15 В | ФАН2310 | 1,2 В | 10А | Совет(ы) | 500 кГц | DC/DC, шаг вниз | Полностью заселен | 1, неизолированный | Бак | ||||||||||||||
| MDCD28AP050M180A50 | Корпорация Викор | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | VI Чип® DCM® | Соответствует ROHS3 | Без свинца | 16 недель | Да | 16 В~50 В | 180 Вт | MDCM28AP050M180A50 | 5В | 36А | Совет(ы) | DC/DC, шаг вниз | Полностью заселен | 1, изолированный | Бак | ||||||||||
| FEBFAN7688SJXA-CP14U306-GEVB | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/onsemiconductor-fan7688sjx-datasheets-2523.pdf | 13 недель | 90 В~264 В переменного тока | 306 Вт | ФАН7688 | 12В 12В | Совет(ы) | AC/DC, вторичная сторона | Полностью заселен | 2, изолированный | ||||||||||||
| AS3701B-WL-ES_EK_ST | утра | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/ams-as3701bwlesekst-datasheets-4445.pdf | Да | 2,7 В~5,5 В | АС3701 | Совет(ы) | DC/DC, понижение напряжения с помощью LDO | Полностью заселен | 3, неизолированный | Бак | ||||||||||||||
| FEBFAN6756MR_T03U065A | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-febfan6756mrt03u065a-datasheets-4496.pdf | Да | 90 В~264 В переменного тока | 65 Вт | ФАН6756 | 19В | 3,42А | Совет(ы) | AC/DC, первичная сторона | Полностью заселен | 1, изолированный | Обратный ход | |||||||||||
| ISL85402EVAL1Z | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/renesaselectronicsamericainc-isl85402eval1z-datasheets-4448.pdf | 3В~36В | ISL85402 | 5В | 2А | Совет(ы) | 500 кГц | DC/DC, шаг вверх или вниз | Полностью заселен | 2, неизолированный | Буст, Бак | ||||||||||||
| MDCD270P480M500A40 | Корпорация Викор | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | VI Чип® DCM® | Соответствует ROHS3 | 11 недель | Да | 160 В~420 В | 500 Вт | МДКМ270П480М500А40 | 48В | Совет(ы) | DC/DC, шаг вниз | Полностью заселен | 1, изолированный | Бак | ||||||||||||
| FEBFAN23SV06P-LVA-GEVB | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | 7В~15В | ФАН23СВ06П | 1,2 В | 6А | Совет(ы) | 500 кГц | DC/DC, шаг вниз | Полностью заселен | 1, неизолированный | Бак | ||||||||||||||
| FEBFAN2306-LVA-GEVB | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | 4,5 В~18 В | ФАН2306 | 1,2 В | 6А | Совет(ы) | 500 кГц | DC/DC, шаг вниз | Полностью заселен | 1, неизолированный | Бак | ||||||||||||||
| FEBFAN23SV15M-LVA-GEVB | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | 7В~15В | ФАН23СВ15М | 1,2 В | 15А | Совет(ы) | 500 кГц | DC/DC, шаг вниз | Полностью заселен | 1, неизолированный | Бак | ||||||||||||||
| BD9G341EFJ-EVK-101 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/rohmsemiconductor-bd9g341efje2-datasheets-1357.pdf | Да | 12 В~76 В | БД9Г341 | 3А | Совет(ы) | DC/DC, шаг вниз | Полностью заселен | 1, неизолированный | Бак | ||||||||||||
| ТПС65279ТЕВМ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/texasinstruments-tps65279tevm-datasheets-4467.pdf | Модуль | Да | ТПС65279 | 4,5 В~18 В | ТПС65279 | 1,2 В 1,8 В | 5А 5А | Совет(ы) | 500 кГц | DC/DC, шаг вниз | Полностью заселен | 2, неизолированный | Бак |
