Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактПромо-конфигурации для FPGA(667)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Рабочий ток питания | Режим работы | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Размер | Тип | Тактовая частота | Организация | Ширина памяти | Плотность памяти | Параллельный/последовательный | Максимальный ток в режиме ожидания | Выносливость | Максимальное время записи цикла (tWC) | Время хранения данных, мин. | Защита от записей | Время доступа (макс.) | Готов/Занят | Тип памяти микросхем | Программируемый тип |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| АТ17Ф16-30КУ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 3 (168 часов) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,14 мм | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/microchiptechnology-at17f1630ju-datasheets-1319.pdf | 8-ТДФН | 5,99 мм | 5,99 мм | Без свинца | 8 | 17 недель | да | 1 | е4 | Никель/Золото (Ni/Au) | ДА | 2,97~3,63 В | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 3,3 В | 1,27 мм | АТ17Ф16 | 3,63 В | 2,97 В | 40 | 3,3 В | 0,04 мА | Не квалифицирован | S-XDSO-N8 | 16Мб | 33 МГц | 16MX1 | 1 | 16777216 бит | СЕРИАЛ | 0,002А | 10000 циклов записи/стирания | 0,03 мс | ПАМЯТЬ КОНФИГУРАЦИИ | ВСПЫШКА | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| XC1765EVO8C | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Трубка | 3 (168 часов) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,1938 мм | Не соответствует требованиям RoHS | /files/rochesterelectronicsllc-xc1765elvog8c-datasheets-1305.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9276 мм | 3,937 мм | 8 | нет | ИСПОЛЬЗУЕТСЯ ДЛЯ ХРАНЕНИЯ ПОТОКОВ БИТОВЫХ КОНФИГУРАЦИИ XILINX FPGAS. | неизвестный | 1 | е0 | Оловянный свинец | ДА | 4,75 В~5,25 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 5В | 1,27 мм | 8 | 5,25 В | 4,75 В | 30 | КОММЕРЧЕСКИЙ | Р-ПДСО-Г8 | 65кб | 64КХ1 | 1 | 65536 бит | СЕРИАЛ | ПАМЯТЬ КОНФИГУРАЦИИ | ОТП | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| XC18V01PCG20C | Ксилинкс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Трубка | 3 (168 часов) | КМОП | 4,572 мм | Соответствует ROHS3 | 1999 год | /files/xilinxinc-xc18v02pc44c0936-datasheets-4382.pdf | 20-LCC (J-вывод) | 8,9662 мм | 8,9662 мм | 3,3 В | Без свинца | 20 | 10 недель | 20 | 1 Мб | да | EAR99 | Нет | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 3В~3,6В | КВАД | ДЖ БЕНД | 245 | 3,3 В | 1,27 мм | ХС18В01 | 20 | 3,6 В | 3В | 30 | Флэш-памяти | 0,025 мА | 33 МГц | 128КХ8 | 8 | ПАРАЛЛЕЛЬНЫЙ/ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНЫЙ | 0,01 А | 20 | 15 нс | ПАМЯТЬ КОНФИГУРАЦИИ | В системном программировании | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| XC18V512PCG20C | Ксилинкс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 4,572 мм | Соответствует ROHS3 | 1999 год | /files/xilinxinc-xc18v02pc44c0936-datasheets-4382.pdf | 20-LCC (J-вывод) | 8,9662 мм | 8,9662 мм | 3,3 В | 20 | 10 недель | 20 | 512 КБ | да | EAR99 | Нет | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 3В~3,6В | КВАД | ДЖ БЕНД | 245 | 3,3 В | 1,27 мм | ХС18В512 | 20 | 3,6 В | 3В | 30 | Флэш-памяти | 0,025 мА | 33 МГц | 64КХ8 | 8 | ПАРАЛЛЕЛЬНЫЙ/ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНЫЙ | 0,01 А | 20 | 15 нс | ПАМЯТЬ КОНФИГУРАЦИИ | В системном программировании | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| АТ17Ф16А-30КУ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 3 (168 часов) | КМОП | 10 МГц | 1,14 мм | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/microchiptechnology-at17f16a30cu-datasheets-1490.pdf | 8-ТДФН | 5,99 мм | 5,99 мм | 3,3 В | Без свинца | 8 | 17 недель | 8 | 2-проводной, последовательный | 16 Мб | да | Золото | Нет | 1 | 50 мА | е4 | 2,97~3,63 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 1,27 мм | АТ17Ф16А | 3,63 В | 2,97 В | 40 | 16MX1 | 1 | 0,03 мс | ПАМЯТЬ КОНФИГУРАЦИИ | ВСПЫШКА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| XC18V02VQG44C | Ксилинкс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 1999 год | /files/xilinxinc-xc18v02pc44c0936-datasheets-4382.pdf | 44-TQFP | 10 мм | 10 мм | 3,3 В | 44 | 10 недель | 44 | 2 Мб | да | EAR99 | Нет | 8542.32.00.51 | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 3В~3,6В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | ХС18В02 | 44 | 3,6 В | 3В | 30 | Флэш-памяти | 0,025 мА | 20 МГц | 256КХ8 | 8 | ПАРАЛЛЕЛЬНЫЙ/ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНЫЙ | 0,01 А | 20000 циклов записей/стираний | 20 | 20 нс | ПАМЯТЬ КОНФИГУРАЦИИ | В системном программировании | |||||||||||||||||||||||||||||||
| АТ17ЛВ65-10СИ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | 10 мА | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | /files/microchiptechnology-at17lv51210sc-datasheets-1455.pdf | 20-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | Содержит свинец | 5,5 В | 4,5 В | 12,5 МГц | 3В~3,6В 4,5В~5,5В | АТ17LV65 | 20-СОИК | 64кб | ЭСППЗУ | Серийный EEPROM | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| XC18V512SOG20C | Ксилинкс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 2,6416 мм | Соответствует ROHS3 | 1999 год | /files/xilinxinc-xc18v02pc44c0936-datasheets-4382.pdf | 20-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 12 827 мм | 7,5184 мм | 3,3 В | 20 | 10 недель | 20 | 512 КБ | да | EAR99 | Нет | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 1,27 мм | ХС18В512 | 20 | 3,6 В | 3В | 30 | Флэш-памяти | 0,025 мА | 33 МГц | 64КХ8 | 8 | ПАРАЛЛЕЛЬНЫЙ/ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНЫЙ | 0,01 А | 20 | 15 нс | ПАМЯТЬ КОНФИГУРАЦИИ | В системном программировании | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| АТ17Ф080-30Ю | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 3 (168 часов) | КМОП | 33 МГц | 20 мА | СИНХРОННЫЙ | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/microchiptechnology-at17f04030ju-datasheets-1204.pdf | 20-LCC (J-вывод) | 9,04 мм | 3,68 мм | 9,04 мм | 3,3 В | Без свинца | 20 | 17 недель | 722,005655мг | Нет СВХК | 20 | 2-проводной, последовательный | 8 Мб | да | Олово | 1 | 20 мА | е3 | 2,97~3,63 В | КВАД | ДЖ БЕНД | 245 | 3,3 В | 1,27 мм | AT17F080 | 3,63 В | 2,97 В | 40 | Не квалифицирован | 8MX1 | 0,03 мс | ПАМЯТЬ КОНФИГУРАЦИИ | ВСПЫШКА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АТ17ЛВ512-10СК | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Трубка | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | 10 мА | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | /files/microchiptechnology-at17lv51210sc-datasheets-1455.pdf | 20-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | Содержит свинец | 5,25 В | 4,75 В | 20 | Серийный | 15 МГц | 3В~3,6В 4,75В~5,25В | АТ17LV512 | 20-СОИК | 512кб | ЭСППЗУ | Серийный EEPROM | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT17LV002-10JC | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Трубка | 2 (1 год) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/rochesterelectronicsllc-at17lv6510ji-datasheets-1345.pdf | 20-LCC (J-вывод) | 3В~3,6В 4,75В~5,25В | 20-ПЛСС (9х9) | 2Мб | Серийный EEPROM | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT17LV002-10TQC | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Поднос | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | 10 мА | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | /files/microchiptechnology-at17lv00210tqi-datasheets-1441.pdf | 44-TQFP | Содержит свинец | 5,5 В | 4,5 В | 44 | 15 МГц | 3В~3,6В 4,75В~5,25В | AT17LV002 | 44-ТКФП (10х10) | 2Мб | ЭСППЗУ | Серийный EEPROM | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АТ17ЛВ256-10КУ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 3 (168 часов) | КМОП | 12,5 МГц | СИНХРОННЫЙ | 1,14 мм | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/microchiptechnology-at17lv01010cu-datasheets-1135.pdf | 8-ТДФН | 5,99 мм | 5,99 мм | Без свинца | 8 | 25 недель | 8 | 2-проводной, последовательный | 256 КБ | да | ТАКЖЕ МОЖЕТ РАБОТАТЬ В ДИАПАЗОНЕ НАПРЯЖЕНИЯ ПИТАНИЯ 4,75–5,25 В. | Золото | 1 | 10 мА | е4 | 3В~3,6В 4,5В~5,5В | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 3,3 В | 1,27 мм | АТ17LV256 | 3,6 В | 3В | 40 | 3,3 В | Не квалифицирован | 256Кб | ЭСППЗУ | 256КХ1 | 1 | 0,0001А | Серийный EEPROM | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| XC18V01SOG20C | Ксилинкс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Трубка | 3 (168 часов) | КМОП | 2,6416 мм | Соответствует ROHS3 | 1999 год | /files/xilinxinc-xc18v02pc44c0936-datasheets-4382.pdf | 20-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 12 827 мм | 7,5184 мм | 3,3 В | Без свинца | 20 | 10 недель | 20 | 1 Мб | да | EAR99 | Нет | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 1,27 мм | ХС18В01 | 20 | 3,6 В | 3В | 30 | Флэш-памяти | 0,025 мА | 33 МГц | 128КХ8 | 8 | ПАРАЛЛЕЛЬНЫЙ/ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНЫЙ | 0,01 А | 20 | 15 нс | ПАМЯТЬ КОНФИГУРАЦИИ | В системном программировании | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT17F040A-30JC | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Трубка | 2 (1 год) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/rochesterelectronicsllc-at17f040a30jc-datasheets-1480.pdf | 20-LCC (J-вывод) | 2,97~3,63 В | 20-ПЛСС (9х9) | 4Мб | ВСПЫШКА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АТ17ЛВ002-10КУ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 3 (168 часов) | КМОП | 33 МГц | 1,14 мм | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/microchiptechnology-at17lv01010cu-datasheets-1135.pdf | 8-ТДФН | 5,99 мм | 5,99 мм | Без свинца | 8 | 6 недель | Нет СВХК | 8 | 2-проводной, последовательный | 2 Мб | да | ТАКЖЕ МОЖЕТ РАБОТАТЬ В ДИАПАЗОНЕ НАПРЯЖЕНИЯ ПИТАНИЯ 4,75–5,25 В. | Золото | Нет | 1 | 10 мА | е4 | 3В~3,6В 4,5В~5,5В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 1,27 мм | AT17LV002 | 3,6 В | 3В | 40 | 3,3/5 В | ЭСППЗУ | 2MX1 | 1 | 0,00035А | 100000 циклов записи/стирания | 90 | АППАРАТНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | Серийный EEPROM | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| АТ17Ф080-30КУ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 3 (168 часов) | КМОП | 33 МГц | СИНХРОННЫЙ | 1,14 мм | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/microchiptechnology-at17f04030ju-datasheets-1204.pdf | 8-ТДФН | 5,99 мм | 5,99 мм | 3,3 В | Без свинца | 8 | 17 недель | 8 | 2-проводной, последовательный | 8 Мб | да | Золото | 1 | 20 мА | е4 | 2,97~3,63 В | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 3,3 В | 1,27 мм | AT17F080 | 3,63 В | 2,97 В | 40 | Не квалифицирован | 1 | 0,03 мс | ПАМЯТЬ КОНФИГУРАЦИИ | ВСПЫШКА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АТ17ЛВ256-10Ю | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 2 (1 год) | КМОП | 10 МГц | 10 мА | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/microchiptechnology-at17lv01010cu-datasheets-1135.pdf | 20-LCC (J-вывод) | 9,04 мм | 3,68 мм | 9,04 мм | Без свинца | 20 | 6 недель | 722,005655мг | Нет СВХК | 20 | 2-проводной, последовательный | 256 КБ | да | ТАКЖЕ МОЖЕТ РАБОТАТЬ В ДИАПАЗОНЕ НАПРЯЖЕНИЯ ПИТАНИЯ 4,75–5,25 В. | Нет | 1 | 10 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | 3В~3,6В 4,5В~5,5В | КВАД | ДЖ БЕНД | 3,3 В | 1,27 мм | АТ17LV256 | 3,6 В | 3В | 3,3 В | 256Кб | ЭСППЗУ | 256КХ1 | 0,00015А | 100000 циклов записи/стирания | 90 | АППАРАТНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | 80 нс | Серийный EEPROM | |||||||||||||||||||||||||||||||
| AT17LV040-10TQU | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 15 МГц | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/microchiptechnology-at17lv01010cu-datasheets-1135.pdf | 44-TQFP | 10 мм | 10 мм | Без свинца | 44 | 7 недель | 44 | 2-проводной, последовательный | 4 Мб | да | ТАКЖЕ МОЖЕТ РАБОТАТЬ В ДИАПАЗОНЕ НАПРЯЖЕНИЯ ПИТАНИЯ 4,75–5,25 В. | Нет | 1 | 10 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 3В~3,6В 4,5В~5,5В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | АТ17LV040 | 3,6 В | 3В | 40 | 3,3 В | ЭСППЗУ | 4MX1 | 1 | 0,0001А | АППАРАТНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | Серийный EEPROM | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АТ17ЛВ010-10ПУ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | 10 МГц | 10 мА | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/microchiptechnology-at17lv01010cu-datasheets-1135.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 9,27 мм | 5,334 мм | 6,35 мм | 5В | Без свинца | 8 | 8 недель | 930,006106мг | 8 | 2-проводной | 1 Мб | да | ТАКЖЕ МОЖЕТ РАБОТАТЬ В ДИАПАЗОНЕ НАПРЯЖЕНИЯ ПИТАНИЯ 4,75–5,25 В. | Олово | Нет | 1 | 10 мА | е3 | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 3,3 В | 2,54 мм | АТ17LV010 | 3,6 В | 3В | ЭСППЗУ | 1MX1 | 0,0002А | 100000 циклов записи/стирания | 90 | АППАРАТНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | Серийный EEPROM | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| XCF01SVO20C | Ксилинкс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 1,19 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 1999 год | /files/xilinxinc-xcf16pfsg48c-datasheets-1087.pdf | 20-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 6,5024 мм | 4,4 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 20 | 10 недель | 20 | нет | EAR99 | Нет | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 3,3 В | 0,65 мм | XCF*S | 20 | 3,6 В | 3В | 30 | Флэш-памяти | 1,8/3,33 В | 0,01 мА | 1Мб | 1MX1 | 1 | 1048576 бит | СЕРИАЛ | 0,001А | 20 | ПАМЯТЬ КОНФИГУРАЦИИ | В системном программировании | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| АТ17Ф080А-30Ю | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 2 (1 год) | КМОП | 10 МГц | 50 мА | СИНХРОННЫЙ | 4,572 мм | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/microchiptechnology-at17f080a30cu-datasheets-1274.pdf | 20-LCC (J-вывод) | 8,9662 мм | 8,9662 мм | 3,3 В | Без свинца | 20 | 17 недель | 722,005655мг | 20 | 2-проводной, последовательный | 8 Мб | да | Олово | 1 | 50 мА | е3 | 2,97~3,63 В | КВАД | ДЖ БЕНД | 245 | 3,3 В | 1,27 мм | AT17F080A | 3,63 В | 2,97 В | 40 | Не квалифицирован | 8MX1 | 1 | 0,03 мс | ПАМЯТЬ КОНФИГУРАЦИИ | ВСПЫШКА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| XCF04SVO20C | Ксилинкс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 3 (168 часов) | КМОП | 1,19 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 1999 год | /files/xilinxinc-xcf16pfsg48c-datasheets-1087.pdf | 20-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 6,5024 мм | 4,4 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 20 | 10 недель | 20 | нет | EAR99 | Нет | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 3,3 В | 0,65 мм | XCF*S | 20 | 3,6 В | 3В | 30 | Флэш-памяти | 0,01 мА | 4Мб | 33 МГц | 4MX1 | 1 | 4194304 бит | СЕРИАЛ | 0,001А | ПАМЯТЬ КОНФИГУРАЦИИ | В системном программировании | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| АТ17Ф16-30ТКК | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Поднос | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | 33 МГц | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | /files/microchiptechnology-at17f1630ju-datasheets-1319.pdf | 44-TQFP | Содержит свинец | 3,63 В | 2,97 В | 44 | 40 мА | 2,97~3,63 В | АТ17Ф16 | 44-ТКФП (10х10) | 16Мб | ВСПЫШКА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT17LV002-10TQI | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | 10 мА | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | /files/microchiptechnology-at17lv00210tqi-datasheets-1441.pdf | 44-TQFP | Содержит свинец | 5,5 В | 4,5 В | 44 | 15 МГц | 3В~3,6В 4,5В~5,5В | AT17LV002 | 44-ТКФП (10х10) | 2Мб | ЭСППЗУ | Серийный EEPROM | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АТ17ЛВ002-10СУ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 3 (168 часов) | КМОП | 10 мА | СИНХРОННЫЙ | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/microchiptechnology-at17lv01010cu-datasheets-1135.pdf | 20-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 13 мм | 2,35 мм | 7,6 мм | 5В | Без свинца | 20 | 4 недели | 20 | 2-проводной, последовательный | 2 Мб | да | ТАКЖЕ МОЖЕТ РАБОТАТЬ В ДИАПАЗОНЕ НАПРЯЖЕНИЯ ПИТАНИЯ 4,75–5,25 В. | Олово | 15 МГц | 1 | 10 мА | е3 | 3В~3,6В 4,5В~5,5В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 250 | 3,3 В | 1,27 мм | AT17LV002 | 3,6 В | 3В | 40 | Не квалифицирован | ЭСППЗУ | 10 МГц | 2MX1 | 0,00035А | 100000 циклов записи/стирания | 90 | АППАРАТНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | Серийный EEPROM | |||||||||||||||||||||||||||||||
| АТ17ЛВ512А-10Ю | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 2 (1 год) | КМОП | 33 МГц | 5мА | 4,572 мм | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/microchiptechnology-at17lv01010cu-datasheets-1135.pdf | 20-LCC (J-вывод) | 8,9662 мм | 8,9662 мм | Без свинца | 20 | 8 недель | 722,005655мг | 20 | 2-проводной, последовательный | 512 КБ | да | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ ПИТАНИИ 5 В. | Олово | Нет | 1 | 10 мА | е3 | 3В~3,6В 4,5В~5,5В | КВАД | ДЖ БЕНД | 245 | 3,3 В | 1,27 мм | АТ17LV512A | 3,6 В | 3В | 40 | 3,3 В | ЭСППЗУ | 512КХ1 | 1 | 0,0002А | 100000 циклов записи/стирания | 90 | АППАРАТНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | ДА | Серийный EEPROM | ||||||||||||||||||||||||||||||
| XC17V02PC44C | Рочестер Электроникс, ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Трубка | 3 (168 часов) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 4,57 мм | Не соответствует требованиям RoHS | /files/rochesterelectronicsllc-xc17v02vq44c-datasheets-1359.pdf | 44-LCC (J-вывод) | 16,5862 мм | 16,5862 мм | 44 | нет | неизвестный | 1 | е0 | Оловянный свинец | ДА | 3В~3,6В | КВАД | ДЖ БЕНД | 225 | 3,3 В | 1,27 мм | 44 | 3,6 В | 3В | 30 | КОММЕРЧЕСКИЙ | S-PQCC-J44 | 2Мб | 2MX1 | 1 | 2097152 бит | СЕРИАЛ | ПАМЯТЬ КОНФИГУРАЦИИ | ОТП | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АТ17ЛВ512-10Ю | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 2 (1 год) | КМОП | 10 МГц | 5мА | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/microchiptechnology-at17lv01010cu-datasheets-1135.pdf | 20-LCC (J-вывод) | 9,04 мм | 3,68 мм | 9,04 мм | Без свинца | 20 | 8 недель | 722,005655мг | Нет СВХК | 20 | 2-проводной, последовательный | 512 КБ | да | ТАКЖЕ МОЖЕТ РАБОТАТЬ В ДИАПАЗОНЕ НАПРЯЖЕНИЯ ПИТАНИЯ 4,75–5,25 В. | Олово | Нет | 1 | 10 мА | е3 | 3В~3,6В 4,5В~5,5В | КВАД | ДЖ БЕНД | 245 | 3,3 В | 1,27 мм | АТ17LV512 | 3,6 В | 3В | 40 | 3,3 В | ЭСППЗУ | 512КХ1 | 0,0002А | 100000 циклов записи/стирания | 90 | АППАРАТНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | Серийный EEPROM | |||||||||||||||||||||||||||||||
| АТ17ЛВ128-10НИ | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/rochesterelectronicsllc-at17lv6510ji-datasheets-1345.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 3В~3,6В 4,5В~5,5В | 8-СОИК | 128кб | Серийный EEPROM |
