Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактПромо-конфигурации для FPGA(667)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Рабочий ток питания | Режим работы | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Макс. частота | Идентификатор производителя производителя | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Напряжение | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Максимальный переход температуры (Tj) | Диапазон температуры окружающей среды: высокий | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Размер | Тип | Выходные характеристики | Время доступа | Программирование напряжения | Тактовая частота | Организация | Ширина памяти | Плотность памяти | Параллельный/последовательный | Максимальный ток в режиме ожидания | Выносливость | Максимальное время записи цикла (tWC) | Время хранения данных-мин | Защита от записей | Время доступа (макс.) | Опрос данных | Переключить бит | Командный пользовательский интерфейс | Количество секторов/размер | Готов/Занят | Общий интерфейс Flash | Размер страницы | Тип памяти микросхем | Программируемый тип |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| XC1765ELSO8C | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Трубка | 3 (168 часов) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,7272 мм | Не соответствует требованиям RoHS | /files/rochesterelectronicsllc-xc1765elvog8c-datasheets-1305.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9276 мм | 3,937 мм | 8 | нет | ИСПОЛЬЗУЕТСЯ ДЛЯ ХРАНЕНИЯ ПОТОКОВ БИТОВЫХ КОНФИГУРАЦИИ XILINX FPGAS. | неизвестный | 1 | е0 | Оловянный свинец | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 3,3 В | 1,27 мм | 8 | 3,6 В | 3В | 30 | КОММЕРЧЕСКИЙ | Р-ПДСО-Г8 | 65кб | 64КХ1 | 1 | 65536 бит | СЕРИАЛ | ПАМЯТЬ КОНФИГУРАЦИИ | ОТП | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| XCF32PFSG48C | Ксилинкс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | СМД/СМТ | КМОП | СИНХРОННЫЙ | Соответствует ROHS3 | 1999 год | /files/xilinxinc-xcf16pfsg48c-datasheets-1087.pdf | 48-ТФБГА, КСПБГА | 9 мм | 860 мкм | 8 мм | Без свинца | 48 | 10 недель | Неизвестный | 48 | Параллельный, последовательный | да | EAR99 | ТАКЖЕ МОЖЕТ РАБОТАТЬ ПРИ НОМИНАЛЬНОМ НАПРЯЖЕНИИ 2,5, 3,3 Вольта. | 8542.32.00.51 | 1 | е2 | Олово/серебро/медь/никель (Sn/Ag/Cu/Ni) | 1,65 В~2 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,8 В | XCF*P | 48 | 2В | 1,65 В | 30 | Флэш-памяти | 1,5/3,31,8 В | 0,04 мА | Не квалифицированный | 32Мб | ФЛЕШ, ПРОМ | 32MX1 | 33554432 бит | 20000 циклов записей/стираний | 20 | В системном программировании | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АТ17Н512-10ПИ | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/rochesterelectronicsllc-at17n51210pi-datasheets-1337.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 3В~3,6В | 8-ПДИП | 512кб | Серийный EEPROM | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT17LV512A-10JC | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Трубка | 2 (1 год) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/rochesterelectronicsllc-at17lv512a10ji-datasheets-1296.pdf | 20-LCC (J-вывод) | 3В~3,6В 4,75В~5,25В | 20-ПЛСС (9х9) | 512кб | Серийный EEPROM | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АТ17ЛВ010-10Ю | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 2 (1 год) | КМОП | 10 МГц | 10 мА | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/microchiptechnology-at17lv01010cu-datasheets-1135.pdf | 20-LCC (J-вывод) | 9,04 мм | 3,68 мм | 9,04 мм | 5В | Без свинца | 20 | 8 недель | 722,005655мг | Нет СВХК | 20 | 2-проводной, последовательный | 1 Мб | да | ТАКЖЕ МОЖЕТ РАБОТАТЬ В ДИАПАЗОНЕ НАПРЯЖЕНИЯ ПИТАНИЯ 4,75–5,25 В. | Олово | Нет | 1 | 10 мА | е3 | 5В | 3В~3,6В | КВАД | ДЖ БЕНД | 3,3 В | 1,27 мм | AT17LV010 | ЭСППЗУ | 1MX1 | 0,0002А | 100000 циклов записи/стирания | 90 | АППАРАТНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | Серийный EEPROM | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АТ17ЛВ256-10ПУ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | 12,5 МГц | 10 мА | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/microchiptechnology-at17lv01010cu-datasheets-1135.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 10,16 мм | 5,334 мм | 7,11 мм | Без свинца | 8 | 6 недель | 930,006106мг | Нет СВХК | 8 | 2-проводной | 256 КБ | да | ТАКЖЕ МОЖЕТ РАБОТАТЬ В ДИАПАЗОНЕ НАПРЯЖЕНИЯ ПИТАНИЯ 4,75–5,25 В. | Нет | 1 | 10 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 3В~3,6В 4,5В~5,5В | ДВОЙНОЙ | 3,3 В | 2,54 мм | АТ17LV256 | 3,6 В | 3В | 3,3 В | 256Кб | ЭСППЗУ | 256КХ1 | 0,00015А | 100000 циклов записи/стирания | 90 | АППАРАТНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | Серийный EEPROM | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АТ17ЛВ010А-10ПУ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | 33 МГц | 5,334 мм | Соответствует ROHS3 | 1996 год | /files/microchiptechnology-at17lv010a10ju-datasheets-1173.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 9,271 мм | 7,62 мм | 8 | 8 недель | Нет СВХК | 8 | 2-проводной, последовательный | 1 Мб | да | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ ПИТАНИИ 5 В. | Нет | 1 | 10 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 3В~3,6В 4,5В~5,5В | ДВОЙНОЙ | 3,3 В | 2,54 мм | АТ17LV010A | 3,6 В | 3В | 3,3/5 В | ЭСППЗУ | 1MX1 | 1 | АППАРАТНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | Серийный EEPROM | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT17LV512A-10JI | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 2 (1 год) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/rochesterelectronicsllc-at17lv512a10ji-datasheets-1296.pdf | 20-LCC (J-вывод) | 3В~3,6В 4,5В~5,5В | 20-ПЛСС (9х9) | 512кб | Серийный EEPROM | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| XC17S200AVQ44C | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Не соответствует требованиям RoHS | /files/rochesterelectronicsllc-xc17s200avq44c-datasheets-1297.pdf | 44-TQFP | 10 мм | 10 мм | 44 | нет | неизвестный | 1 | е0 | Оловянный свинец | ДА | 3В~3,6В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 3,3 В | 0,8 мм | 44 | 3,6 В | 3В | 30 | КОММЕРЧЕСКИЙ | S-PQFP-G44 | 2Мб | 1335840X1 | 1 | 1335840 бит | СЕРИАЛ | ПАМЯТЬ КОНФИГУРАЦИИ | ОТП | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT17F080A-30QC | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Поднос | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | 10 МГц | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | /files/microchiptechnology-at17f080a30cu-datasheets-1274.pdf | 32-TQFP | Содержит свинец | 3,63 В | 2,97 В | 32 | 50 мА | 2,97~3,63 В | AT17F080A | 32-ТКФП (7х7) | 8Мб | ВСПЫШКА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АТ17LV65-10CI | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | 5мА | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | /files/microchiptechnology-at17lv6510cc-datasheets-1163.pdf | 8-ТДФН | Содержит свинец | 5,5 В | 4,5 В | 8 | Серийный | 12,5 МГц | 3В~3,6В 4,5В~5,5В | АТ17LV65 | 8-КРУГОВ (6х6) | 64кб | ЭСППЗУ | Серийный EEPROM | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АТ17Ф040-30Ю | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 2 (1 год) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 4,572 мм | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/microchiptechnology-at17f04030ju-datasheets-1204.pdf | 20-LCC (J-вывод) | 8,9662 мм | 8,9662 мм | Без свинца | 20 | 17 недель | 20 | да | 1 | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДА | 2,97~3,63 В | КВАД | ДЖ БЕНД | 245 | 3,3 В | 1,27 мм | AT17F040 | 3,63 В | 2,97 В | 40 | Не квалифицированный | 4Мб | 33 МГц | 4MX1 | 1 | 4194304 бит | СЕРИАЛ | 0,03 мс | ПАМЯТЬ КОНФИГУРАЦИИ | ВСПЫШКА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPCQ16ASI8N | Интел | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ЭПКК-А | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 3 (168 часов) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,75 мм | Соответствует RoHS | /files/intel-epcq16asi8n-datasheets-1212.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | 8 | 14 недель | EAR99 | 8542.32.00.51 | 1 | ДА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 1,27 мм | 3,6 В | 2,7 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-Г8 | 16Мб | 3,3 В | 100 МГц | 16MX1 | 1 | 16777216 бит | СЕРИАЛ | ВСПЫШКА | В системном программировании | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АТ17ЛВ256-10НУ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | 33 МГц | 10 мА | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/microchiptechnology-at17lv01010cu-datasheets-1135.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 3,99 мм | 5В | Без свинца | 8 | 14 недель | Нет СВХК | 8 | 2-проводной, последовательный | 256 КБ | да | ТАКЖЕ МОЖЕТ РАБОТАТЬ В ДИАПАЗОНЕ НАПРЯЖЕНИЯ ПИТАНИЯ 4,75–5,25 В. | Нет | 1 | 10 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 3В~3,6В 4,5В~5,5В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 1,27 мм | АТ17LV256 | 3,6 В | 3В | 40 | 3,3 В | 256Кб | ЭСППЗУ | 256КХ1 | 0,00015А | 100000 циклов записи/стирания | 90 | АППАРАТНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | Серийный EEPROM | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АТ17ЛВ512А-10ПУ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | 10 мА | 5,334 мм | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/microchiptechnology-at17lv01010cu-datasheets-1135.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 9,271 мм | 7,62 мм | Без свинца | 8 | 8 недель | 930,006106мг | 8 | 2-проводной, последовательный | 512 КБ | да | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ ПИТАНИИ 5 В. | Олово | Нет | 15 МГц | 1 | 10 мА | е3 | 3В~3,6В 4,5В~5,5В | ДВОЙНОЙ | 3,3 В | 2,54 мм | АТ17LV512A | 3,6 В | 3В | ЭСППЗУ | 512КХ1 | 1 | Серийный EEPROM | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| XCF02SVOG20C | Ксилинкс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 3 (168 часов) | КМОП | 50 МГц | СИНХРОННЫЙ | Соответствует ROHS3 | 1999 год | /files/xilinxinc-xcf16pfsg48c-datasheets-1087.pdf | 20-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 6,5 мм | 1,19 мм | 4,39 мм | 3,3 В | Без свинца | 20 | 10 недель | Неизвестный | 20 | Параллельно | да | EAR99 | XCF02SVOG20C | 8542.32.00.51 | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,65 мм | XCF*S | 20 | 3,6 В | 3В | 30 | 0,01 мА | Не квалифицированный | 125°С | 85°С | 2Мб | ВСПЫШКА | 2MX1 | СЕРИАЛ | 0,001А | 20 | В системном программировании | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| XCF128XFTG64C | Ксилинкс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 50 МГц | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/xilinxinc-xcf128xftg64c-datasheets-1244.pdf | 64-ГАТБ | 13 мм | 10 мм | 64 | 10 недель | Неизвестный | 64 | EAR99 | Медь, Серебро, Олово | Нет | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 1,7 В~2 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,8 В | 1 мм | XCF128X | 64 | 2В | 1,7 В | 30 | 1,81,8/3,3 В | 0,053 мА | 128 МБ | ВСПЫШКА | 85 нс | 1,8 В | 8MX16 | 16 | 134217728 бит | ПАРАЛЛЕЛЬНО | 0,000075А | НЕТ | НЕТ | ДА | 4127 | ДА | ДА | 4 слова | В системном программировании | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPCQ4ASI8N | Интел | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ЭПКК-А | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 3 (168 часов) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,75 мм | Соответствует RoHS | /files/intel-epcq16asi8n-datasheets-1212.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | 8 | 14 недель | 8542.32.00.71 | 1 | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3В | 1,27 мм | 3,6 В | 2,7 В | НЕ УКАЗАН | 0,005 мА | Р-ПДСО-Г8 | 4 МБ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 100 МГц | 512КХ8 | 8 | 4194304 бит | СЕРИАЛ | 0,00005А | 20 | ПАМЯТЬ КОНФИГУРАЦИИ | В системном программировании | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPCQ128ASI16N | Интел | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ЭПКК-А | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 3 (168 часов) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 2,65 мм | Соответствует RoHS | /files/intel-epcq16asi8n-datasheets-1212.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 10,3 мм | 7,5 мм | 16 | 14 недель | 8542.32.00.71 | 1 | ДА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3В | 1,27 мм | 3,6 В | 2,7 В | НЕ УКАЗАН | 0,02 мА | Р-ПДСО-G16 | 128 МБ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 100 МГц | 16MX8 | 8 | 134217728 бит | СЕРИАЛ | 0,00006А | 20 | ПАМЯТЬ КОНФИГУРАЦИИ | В системном программировании | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| XC18V01VQ44C | Ксилинкс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 1,2 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 1999 год | /files/xilinxinc-xc18v02pc44c0936-datasheets-4382.pdf | 44-TQFP | 10 мм | 10 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 44 | 10 недель | 44 | 1 Мб | нет | EAR99 | Нет | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | 3В~3,6В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 3,3 В | 0,8 мм | ХС18В01 | 44 | 3,6 В | 3В | 30 | Флэш-памяти | 0,025 мА | 33 МГц | 128КХ8 | 8 | ПАРАЛЛЕЛЬНЫЙ/ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНЫЙ | 0,01 А | 20000 циклов записей/стираний | 20 | 15 нс | ПАМЯТЬ КОНФИГУРАЦИИ | В системном программировании | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АТ17ЛВ010-10КУ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 3 (168 часов) | КМОП | 15 МГц | 1,14 мм | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/microchiptechnology-at17lv01010cu-datasheets-1135.pdf | 8-ТДФН | 5,99 мм | 5,99 мм | Без свинца | 8 | 7 недель | 8 | 2-проводной, последовательный | 1 Мб | да | ТАКЖЕ МОЖЕТ РАБОТАТЬ В ДИАПАЗОНЕ НАПРЯЖЕНИЯ ПИТАНИЯ 4,75–5,25 В. | Золото | Нет | 1 | 10 мА | е4 | 5В | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 1,27 мм | AT17LV010 | 40 | ЭСППЗУ | 1MX1 | 1 | 0,0002А | 100000 циклов записи/стирания | 90 | АППАРАТНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | Серийный EEPROM | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| XCF01SVOG20C | Ксилинкс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 3 (168 часов) | КМОП | 50 МГц | СИНХРОННЫЙ | Соответствует ROHS3 | 1999 год | /files/xilinxinc-xcf16pfsg48c-datasheets-1087.pdf | 20-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 6,5 мм | 1,04 мм | 4,39 мм | 3,3 В | Без свинца | 20 | 10 недель | Неизвестный | 20 | Параллельный, последовательный | да | EAR99 | 8542.32.00.51 | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,65 мм | XCF*S | 20 | 3,6 В | 3В | 30 | 0,01 мА | Не квалифицированный | 1Мб | ВСПЫШКА | 1MX1 | 1048576 бит | 0,001А | 20 | В системном программировании | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| XCF04SVOG20C | Ксилинкс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 3 (168 часов) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 1999 год | /files/xilinxinc-xcf16pfsg48c-datasheets-1087.pdf | 20-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 6,5 мм | 1,04 мм | 4,39 мм | 3,3 В | Без свинца | 20 | 13 недель | Неизвестный | 20 | Параллельный, последовательный | да | EAR99 | Нет | 8542.32.00.51 | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,65 мм | XCF*S | 20 | 3,6 В | 3В | 30 | 0,01 мА | 4Мб | ВСПЫШКА | 33 МГц | 4MX1 | 4194304 бит | 0,001А | 20 | В системном программировании | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АТ17LV65-10CC | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Трубка | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | 5мА | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | /files/microchiptechnology-at17lv6510cc-datasheets-1163.pdf | 8-ТДФН | Содержит свинец | 5,5 В | 4,5 В | 8 | 12,5 МГц | 3В~3,6В 4,75В~5,25В | АТ17LV65 | 8-КРУГОВ (6х6) | 64кб | ЭСППЗУ | Серийный EEPROM | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| XC18V04VQ44C | Ксилинкс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 1,2 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 1998 год | /files/xilinxinc-xc18v02pc44c0936-datasheets-4382.pdf | 44-TQFP | 10 мм | 10 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 44 | 10 недель | 44 | 4 Мб | нет | EAR99 | Нет | 8542.32.00.51 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | 3В~3,6В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 3,3 В | 0,8 мм | ХС18В04 | 44 | 3,6 В | 3В | 30 | Флэш-памяти | 0,025 мА | 20 МГц | 512КХ8 | 8 | ПАРАЛЛЕЛЬНЫЙ/ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНЫЙ | 0,01 А | 20000 циклов записей/стираний | 20 | 20 нс | ПАМЯТЬ КОНФИГУРАЦИИ | В системном программировании | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АТ17ЛВ010А-10Ю | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 2 (1 год) | КМОП | 33 МГц | 10 мА | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/microchiptechnology-at17lv010a10ju-datasheets-1173.pdf | 20-LCC (J-вывод) | 9,04 мм | 3,68 мм | 9,04 мм | 5В | Без свинца | 20 | 8 недель | 722,005655мг | Нет СВХК | 20 | 2-проводной, последовательный | 1 Мб | да | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ ПИТАНИИ 5 В. | Нет | 1 | 10 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 3В~3,6В 4,5В~5,5В | КВАД | ДЖ БЕНД | 245 | 3,3 В | 1,27 мм | АТ17LV010A | 3,6 В | 3В | 40 | ЭСППЗУ | 1MX1 | 0,0002А | 100000 циклов записи/стирания | 90 | АППАРАТНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | ДА | Серийный EEPROM | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| XCF16PFSG48C | Ксилинкс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 50 МГц | СИНХРОННЫЙ | Соответствует ROHS3 | 1999 год | /files/xilinxinc-xcf16pfsg48c-datasheets-1087.pdf | 48-ТФБГА, КСПБГА | 9 мм | 860 мкм | 8 мм | 1,8 В | Без свинца | 48 | 10 недель | Неизвестный | 48 | Параллельный, последовательный | да | EAR99 | ТАКЖЕ МОЖЕТ РАБОТАТЬ ПРИ НОМИНАЛЬНОМ НАПРЯЖЕНИИ 2,5, 3,3 Вольта. | 8542.32.00.51 | 1 | е2 | Олово/серебро/медь/никель (Sn/Ag/Cu/Ni) | 1,65 В~2 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,8 В | XCF*P | 48 | 2В | 1,65 В | 30 | 0,04 мА | Не квалифицированный | 16Мб | ВСПЫШКА | 16MX1 | 16777216 бит | 20000 циклов записей/стираний | 20 | В системном программировании | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| XCF08PFSG48C | Ксилинкс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 50 МГц | Соответствует ROHS3 | 1999 год | /files/xilinxinc-xcf16pfsg48c-datasheets-1087.pdf | 48-ТФБГА, КСПБГА | 9 мм | 860 мкм | 8 мм | 1,8 В | Без свинца | 48 | 10 недель | Неизвестный | 48 | Параллельный, последовательный | да | EAR99 | Нет | 8542.32.00.51 | 1 | е2 | Олово/серебро/медь/никель (Sn/Ag/Cu/Ni) | 1,65 В~2 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,8 В | XCF*P | 48 | 2В | 1,65 В | 30 | 0,04 мА | 8Мб | ВСПЫШКА | 8MX1 | 8388608 бит | 0,001А | 20000 циклов записей/стираний | В системном программировании | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| XCF16PVOG48C | Ксилинкс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 50 МГц | Соответствует ROHS3 | 1999 год | /files/xilinxinc-xcf16pfsg48c-datasheets-1087.pdf | 48-ТФСОП (0,724, ширина 18,40 мм) | 18,45 мм | 1,2 мм | 12 мм | 1,8 В | Без свинца | 48 | 10 недель | Неизвестный | 48 | Параллельно | да | EAR99 | Нет | 8542.32.00.51 | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 1,65 В~2 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1,8 В | 0,5 мм | XCF*P | 48 | 2В | 1,65 В | 30 | 0,04 мА | 125°С | 85°С | 16Мб | ВСПЫШКА | 16MX1 | 1 | 16777216 бит | СЕРИАЛ | 20000 циклов записей/стираний | 20 | В системном программировании | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| XCF02SVO20C | Ксилинкс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 3 (168 часов) | КМОП | 1,19 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 1999 год | /files/xilinxinc-xcf16pfsg48c-datasheets-1087.pdf | 20-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 6,5024 мм | 4,4 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 20 | 10 недель | 20 | нет | EAR99 | Свинец, Олово | Нет | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 3,3 В | 0,65 мм | XCF*S | 20 | 3,6 В | 3В | 30 | Флэш-памяти | 0,01 мА | 2Мб | 2MX1 | 1 | СЕРИАЛ | 0,001А | 20 | ПАМЯТЬ КОНФИГУРАЦИИ | В системном программировании |
