Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактПромо-конфигурации для FPGA(667)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Режим работы | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Размер | Тип | Выходные характеристики | Тактовая частота | Организация | Ширина памяти | Плотность памяти | Параллельный/последовательный | Максимальный ток в режиме ожидания | Время доступа (макс.) | Тип ввода/вывода | Тип памяти микросхем | Программируемый тип |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| EPC1LC20 | Интел | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | EPC | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Трубка | 1 (без блокировки) | МОС | СИНХРОННЫЙ | 4,572 мм | Не соответствует требованиям RoHS | /files/intel-epc1064pc8-datasheets-4453.pdf | 20-LCC (J-вывод) | 8,9662 мм | 8,9662 мм | 20 | 3A991.B.2.A | ТАКЖЕ МОЖЕТ РАБОТАТЬ ПРИ ПИТАНИИ 5 В. | 8542.32.00.61 | 1 | е0 | Оловянный свинец | ДА | 3В~3,6В 4,75В~5,25В | КВАД | ДЖ БЕНД | 220 | 3,3 В | 1,27 мм | ЕРС1 | 3,6 В | 3В | 30 | 5В | 0,05 мА | Не квалифицирован | S-PQCC-J20 | 1Мб | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 10 МГц | 1046496X1 | 1 | 1046496 бит | СЕРИАЛ | ОБЩИЙ | ПАМЯТЬ КОНФИГУРАЦИИ | ОТП | ||||||||||||||||||||||||||
| XC17S15AVOG8C | Ксилинкс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 1,2 мм | Соответствует RoHS | 1999 год | /files/xilinxinc-xc17s200apdg8i-datasheets-4355.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | 3,3 В | 8 | 8 | 512 КБ | да | EAR99 | Нет | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 1,27 мм | ХС17С15А | 8 | 3,6 В | 3В | 30 | 0,015 мА | 150кб | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 197696X1 | 1 | СЕРИАЛ | 0,001А | ОБЩИЙ | ПАМЯТЬ КОНФИГУРАЦИИ | ОТП | |||||||||||||||||||||||||||
| XC17S30XLVOG8I | Ксилинкс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует RoHS | 1998 год | /files/xilinxinc-xc17s10xlpdg8c-datasheets-4365.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | 8 | 8 | EAR99 | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 1,27 мм | XC17S30XL | 8 | 3,6 В | 3В | 30 | 3,3 В | 0,005 мА | Не квалифицирован | 300кб | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 10 МГц | 1 | 0,00005А | ОБЩИЙ | ЦЕПЬ ПАМЯТИ | ОТП | |||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК1ПИ8 | Интел | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | EPC | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | МОС | СИНХРОННЫЙ | 4,318 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | /files/intel-epc1064pc8-datasheets-4453.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 9,398 мм | 7,62 мм | 8 | 3A991.B.2.A | ТАКЖЕ МОЖЕТ РАБОТАТЬ ПРИ ПИТАНИИ 5 В. | 8542.32.00.61 | 1 | е0 | Оловянный свинец | НЕТ | 3В~3,6В 4,5В~5,5В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 2,54 мм | ЕРС1 | 3,6 В | 3В | НЕ УКАЗАН | 5В | 0,05 мА | Не квалифицирован | Р-ПДИП-Т8 | 1Мб | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 10 МГц | 1046496X1 | 1 | 1046496 бит | СЕРИАЛ | ОБЩИЙ | ПАМЯТЬ КОНФИГУРАЦИИ | ОТП | ||||||||||||||||||||||||||
| XC1765ELSOG8C | Ксилинкс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Поднос | 1 (без блокировки) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,7272 мм | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/xilinxinc-xc1736esog8c-datasheets-4352.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9276 мм | 3,937 мм | 8 | 8 | да | EAR99 | ИСПОЛЬЗУЕТСЯ ДЛЯ ХРАНЕНИЯ ПОТОКОВ БИТОВЫХ КОНФИГУРАЦИИ XILINX FPGAS. | неизвестный | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 1,27 мм | XC1765EL | 8 | 3,6 В | 3В | 20 | 3,3 В | 0,005 мА | Не квалифицирован | 65кб | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 2,5 МГц | 64КХ1 | 1 | 65536 бит | СЕРИАЛ | 0,00005А | ОБЩИЙ | ПАМЯТЬ КОНФИГУРАЦИИ | ОТП | |||||||||||||||||||||||
| XC1701LPCG20I | Ксилинкс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 4,572 мм | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/xilinxinc-xc1736esog8c-datasheets-4352.pdf | 20-LCC (J-вывод) | 8,9662 мм | 8,9662 мм | 20 | 20 | да | EAR99 | ИСПОЛЬЗУЕТСЯ ДЛЯ ХРАНЕНИЯ ПОТОКОВ БИТОВЫХ КОНФИГУРАЦИИ XILINX FPGAS. | неизвестный | 8542.32.00.61 | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 3В~3,6В | КВАД | ДЖ БЕНД | 245 | 3,3 В | 1,27 мм | ХС1701Л | 20 | 3,6 В | 3В | 30 | 3,3 В | 0,01 мА | Не квалифицирован | 1Мб | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 15 МГц | 1MX1 | 1 | 1048576 бит | СЕРИАЛ | 0,00005А | ОБЩИЙ | ПАМЯТЬ КОНФИГУРАЦИИ | ОТП | ||||||||||||||||||||||
| XC17S20XLVOG8C | Ксилинкс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует RoHS | 1999 год | /files/xilinxinc-xc17s10xlpdg8c-datasheets-4365.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | 8 | 8 | да | EAR99 | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 1,27 мм | XC17S20XL | 8 | 3,6 В | 3В | 30 | 3,3 В | 0,005 мА | Не квалифицирован | 200кб | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 10 МГц | 179160X1 | 1 | 179160 бит | 0,00005А | ОБЩИЙ | ЦЕПЬ ПАМЯТИ | ОТП | ||||||||||||||||||||||||||
| XC17S10XLVOG8C | Ксилинкс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует RoHS | 1999 год | /files/xilinxinc-xc17s10xlpdg8c-datasheets-4365.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | 8 | 8 | да | EAR99 | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 1,27 мм | XC17S10XL | 8 | 3,6 В | 3В | 30 | 3,3 В | 0,005 мА | Не квалифицирован | 100 КБ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 10 МГц | 95752X1 | 1 | 95752 бит | 0,00005А | ОБЩИЙ | ЦЕПЬ ПАМЯТИ | ОТП | ||||||||||||||||||||||||||
| XC17S200AVOG8C | Ксилинкс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 1,2 мм | Соответствует RoHS | 1999 год | /files/xilinxinc-xc17s200apdg8i-datasheets-4355.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | 3,3 В | 8 | 8 | да | EAR99 | Нет | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 1,27 мм | ХС17С200А | 8 | 3,6 В | 3В | 30 | 0,015 мА | 2Мб | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 1 | СЕРИАЛ | 0,001А | ОБЩИЙ | ПАМЯТЬ КОНФИГУРАЦИИ | ОТП | |||||||||||||||||||||||||||||
| XC17128EPCG20C | Ксилинкс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 4,572 мм | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/xilinxinc-xc1736esog8c-datasheets-4352.pdf | 20-LCC (J-вывод) | 8,9662 мм | 8,9662 мм | 20 | 20 | да | EAR99 | ИСПОЛЬЗУЕТСЯ ДЛЯ ХРАНЕНИЯ ПОТОКОВ БИТОВЫХ КОНФИГУРАЦИИ XILINX FPGAS. | неизвестный | 8542.32.00.61 | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 4,75 В~5,25 В | КВАД | ДЖ БЕНД | 245 | 5В | 1,27 мм | XC17128E | 20 | 5,25 В | 4,75 В | 30 | 5В | 0,01 мА | Не квалифицирован | 128кб | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 15 МГц | 128КХ1 | 1 | 131072 бит | СЕРИАЛ | 0,00005А | ОБЩИЙ | ПАМЯТЬ КОНФИГУРАЦИИ | ОТП | ||||||||||||||||||||||
| XC17S30XLPDG8C | Ксилинкс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 0°С~70°С | Трубка | 1 (без блокировки) | Сквозное отверстие | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 4,5974 мм | Соответствует RoHS | 1999 год | /files/xilinxinc-xc17s10xlpdg8c-datasheets-4365.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 9,3599 мм | 7,62 мм | 8 | Нет СВХК | 8 | Серийный | EAR99 | неизвестный | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 250 | 3,3 В | 2,54 мм | XC17S30XL | 8 | 3,6 В | 3В | 30 | 3,3 В | 0,005 мА | Не квалифицирован | 300кб | ВЫПУСКНОЙ ВЕЧЕР | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 10 МГц | 1 | 0,00005А | ОБЩИЙ | ОТП | ||||||||||||||||||||||||||
| AT18F040-30XU | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | 33 МГц | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/microchiptechnology-at18f04030xu-datasheets-4390.pdf | 20-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 3,3 В | 3,6 В | 3В | 20 | 1 мА | 3В~3,6В | AT18F040 | 20-ЦСОП | 4Мб | ВСПЫШКА | ВСПЫШКА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| XC17128EPDG8C | Ксилинкс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 0°С~70°С | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 4,5974 мм | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/xilinxinc-xc1736esog8c-datasheets-4352.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 9,3599 мм | 7,62 мм | 8 | 8 | да | EAR99 | ИСПОЛЬЗУЕТСЯ ДЛЯ ХРАНЕНИЯ ПОТОКОВ БИТОВЫХ КОНФИГУРАЦИИ XILINX FPGAS. | неизвестный | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | 4,75 В~5,25 В | ДВОЙНОЙ | 250 | 5В | 2,54 мм | XC17128E | 8 | 5,25 В | 4,75 В | 30 | 5В | 0,01 мА | Не квалифицирован | 128кб | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 15 МГц | 1 | 131072 бит | СЕРИАЛ | 0,00005А | ОБЩИЙ | ПАМЯТЬ КОНФИГУРАЦИИ | ОТП | |||||||||||||||||||||||||
| AT18F080-30XU | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/microchiptechnology-at18f04030xu-datasheets-4390.pdf | 20-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 3В~3,6В | AT18F080 | 20-ЦСОП | 7Мб | ВСПЫШКА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| XC17256EPCG20C | Ксилинкс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 4,572 мм | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/xilinxinc-xc1736esog8c-datasheets-4352.pdf | 20-LCC (J-вывод) | 8,9662 мм | 8,9662 мм | 20 | 20 | да | EAR99 | ИСПОЛЬЗУЕТСЯ ДЛЯ ХРАНЕНИЯ ПОТОКОВ БИТОВЫХ КОНФИГУРАЦИИ XILINX FPGAS. | неизвестный | 8542.32.00.61 | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 4,75 В~5,25 В | КВАД | ДЖ БЕНД | 245 | 5В | 1,27 мм | XC17256E | 20 | 5,25 В | 4,75 В | 30 | 5В | 0,01 мА | Не квалифицирован | 256Кб | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 15 МГц | 256КХ1 | 1 | 262144 бит | СЕРИАЛ | 0,00005А | ОБЩИЙ | ПАМЯТЬ КОНФИГУРАЦИИ | ОТП | ||||||||||||||||||||||
| XC1736EVOG8C | Ксилинкс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/xilinxinc-xc1736esog8c-datasheets-4352.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9276 мм | 3,937 мм | 8 | 8 | да | EAR99 | ИСПОЛЬЗУЕТСЯ ДЛЯ ХРАНЕНИЯ ПОТОКОВ БИТОВЫХ КОНФИГУРАЦИИ XILINX FPGAS. | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 4,75 В~5,25 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 1,27 мм | XC1736E | 8 | 5,25 В | 4,75 В | 30 | 5В | 0,01 мА | Не квалифицирован | 36кб | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 10 МГц | 1 | СЕРИАЛ | 0,00005А | ОБЩИЙ | ПАМЯТЬ КОНФИГУРАЦИИ | ОТП | |||||||||||||||||||||||||||
| XC17128EVOG8C | Ксилинкс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/xilinxinc-xc1736esog8c-datasheets-4352.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9276 мм | 3,937 мм | 8 | 8 | да | EAR99 | ИСПОЛЬЗУЕТСЯ ДЛЯ ХРАНЕНИЯ ПОТОКОВ БИТОВЫХ КОНФИГУРАЦИИ XILINX FPGAS. | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 4,75 В~5,25 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 1,27 мм | XC17128E | 8 | 5,25 В | 4,75 В | 30 | 5В | 0,01 мА | Не квалифицирован | 128кб | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 15 МГц | 1 | 131072 бит | СЕРИАЛ | 0,00005А | ОБЩИЙ | ПАМЯТЬ КОНФИГУРАЦИИ | ОТП | ||||||||||||||||||||||||||
| XC17S100AVOG8C | Ксилинкс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | 1999 год | /files/xilinxinc-xc17s200apdg8i-datasheets-4355.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 3,3 В | 8 | 1 Мб | да | 3А991.Б.1 | Нет | 3В~3,6В | XC17S100A | 8 | ОТП | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| XC17S10XLVOG8I | Ксилинкс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует RoHS | 1999 год | /files/xilinxinc-xc17s10xlpdg8c-datasheets-4365.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | 8 | 8 | EAR99 | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 1,27 мм | XC17S10XL | 8 | 3,6 В | 3В | 30 | 3,3 В | 0,005 мА | Не квалифицирован | 100 КБ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 10 МГц | 95752X1 | 1 | 95752 бит | 0,00005А | ОБЩИЙ | ЦЕПЬ ПАМЯТИ | ОТП | |||||||||||||||||||||||||||
| XC17S200AVOG8I | Ксилинкс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 1,2 мм | Соответствует RoHS | 1999 год | /files/xilinxinc-xc17s200apdg8i-datasheets-4355.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | 3,3 В | 8 | 8 | да | EAR99 | Нет | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 1,27 мм | ХС17С200А | 8 | 3,6 В | 3В | 30 | 0,015 мА | 2Мб | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 1 | СЕРИАЛ | 0,001А | ОБЩИЙ | ПАМЯТЬ КОНФИГУРАЦИИ | ОТП | |||||||||||||||||||||||||||||
| XC17S50APDG8C | Ксилинкс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 0°С~70°С | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | 4,5974 мм | Соответствует RoHS | 1999 год | /files/xilinxinc-xc17s200apdg8i-datasheets-4355.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 9,3599 мм | 7,62 мм | 3,3 В | 8 | 8 | 1 Мб | да | EAR99 | Нет | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 250 | 3,3 В | 2,54 мм | ХС17С50А | 8 | 3,6 В | 3В | 30 | 0,015 мА | 500кб | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 559200X1 | 1 | СЕРИАЛ | 0,001А | ОБЩИЙ | ПАМЯТЬ КОНФИГУРАЦИИ | ОТП | ||||||||||||||||||||||||||||
| XC1765EPDG8C | Ксилинкс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 0°С~70°С | Трубка | 1 (без блокировки) | Сквозное отверстие | КМОП | 4,5974 мм | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/xilinxinc-xc1736esog8c-datasheets-4352.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 9,3599 мм | 7,62 мм | 8 | Нет СВХК | 8 | Серийный | 64 КБ | да | EAR99 | ИСПОЛЬЗУЕТСЯ ДЛЯ ХРАНЕНИЯ ПОТОКОВ БИТОВЫХ КОНФИГУРАЦИИ XILINX FPGAS. | Нет | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | 4,75 В~5,25 В | ДВОЙНОЙ | 250 | 5В | 2,54 мм | XC1765E | 8 | 5,25 В | 4,75 В | 30 | 5В | 0,01 мА | 65кб | ВЫПУСКНОЙ ВЕЧЕР | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 10 МГц | 64КХ1 | 1 | 0,00005А | ОБЩИЙ | ОТП | ||||||||||||||||||||||||
| XC18V02PC44C0936 | Ксилинкс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Трубка | 3 (168 часов) | КМОП | 4,572 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 1999 год | /files/xilinxinc-xc18v02pc44c0936-datasheets-4382.pdf | 44-LCC (J-вывод) | 16,5862 мм | 16,5862 мм | 3,3 В | 44 | 44 | 2 Мб | нет | 3А991.Б.1 | Нет | 8542.32.00.61 | 1 | е0 | Оловянный свинец | ДА | 3В~3,6В | КВАД | ДЖ БЕНД | 225 | 3,3 В | 1,27 мм | ХС18В02 | 44 | 3,6 В | 3В | 30 | 256КХ8 | 8 | ПАРАЛЛЕЛЬНЫЙ/ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНЫЙ | 20 нс | ПАМЯТЬ КОНФИГУРАЦИИ | В системном программировании | ||||||||||||||||||||||||||||||
| XC17S200APDG8C | Ксилинкс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 0°С~70°С | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | 4,5974 мм | Соответствует RoHS | 1999 год | /files/xilinxinc-xc17s200apdg8i-datasheets-4355.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 9,3599 мм | 7,62 мм | 3,3 В | 8 | 8 | да | EAR99 | Нет | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 250 | 3,3 В | 2,54 мм | ХС17С200А | 8 | 3,6 В | 3В | 30 | 0,015 мА | 2Мб | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 1 | СЕРИАЛ | 0,001А | ОБЩИЙ | ПАМЯТЬ КОНФИГУРАЦИИ | ОТП | ||||||||||||||||||||||||||||||
| АТ17Н256-10СИ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | /files/microchiptechnology-at17n25610pi-datasheets-4303.pdf | 20-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 3В~3,6В | АТ17Н256 | 20-СОИК | 256Кб | Серийный EEPROM | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| XC17256EPDG8C | Ксилинкс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 0°С~70°С | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 4,5974 мм | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/xilinxinc-xcmechff1738-datasheets-4887.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 9,3599 мм | 7,62 мм | 8 | 8 | да | EAR99 | ИСПОЛЬЗУЕТСЯ ДЛЯ ХРАНЕНИЯ ПОТОКОВ БИТОВЫХ КОНФИГУРАЦИИ XILINX FPGAS. | неизвестный | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | 4,75 В~5,25 В | ДВОЙНОЙ | 250 | 5В | 2,54 мм | XC17256E | 8 | 5,25 В | 4,75 В | 30 | 5В | 0,01 мА | Не квалифицирован | 256Кб | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 15 МГц | 256КХ1 | 1 | 262144 бит | СЕРИАЛ | 0,00005А | ОБЩИЙ | ПАМЯТЬ КОНФИГУРАЦИИ | ОТП | ||||||||||||||||||||||||
| АТ17Н256-10ПК | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 0°С~70°С | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | /files/microchiptechnology-at17n25610pi-datasheets-4303.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 3В~3,6В | АТ17Н256 | 8-ПДИП | 256Кб | Серийный EEPROM | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АТ17Н512-10СИ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | /files/microchiptechnology-at17n25610pi-datasheets-4303.pdf | 20-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 3В~3,6В | АТ17Н512 | 20-СОИК | 512кб | Серийный EEPROM | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АТ17Н512-10СК | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | /files/microchiptechnology-at17n25610pi-datasheets-4303.pdf | 20-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 3В~3,6В | АТ17Н512 | 20-СОИК | 512кб | Серийный EEPROM | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| XC1736ESOG8C | Ксилинкс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,7272 мм | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/xilinxinc-xc1736esog8c-datasheets-4352.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9276 мм | 3,937 мм | Без свинца | 8 | 8 | да | EAR99 | ИСПОЛЬЗУЕТСЯ ДЛЯ ХРАНЕНИЯ ПОТОКОВ БИТОВЫХ КОНФИГУРАЦИИ XILINX FPGAS. | неизвестный | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 4,75 В~5,25 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 1,27 мм | XC1736E | 8 | 5,25 В | 4,75 В | 40 | 5В | 0,01 мА | Не квалифицирован | 36кб | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 10 МГц | 1 | СЕРИАЛ | 0,00005А | ОБЩИЙ | ПАМЯТЬ КОНФИГУРАЦИИ | ОТП |
