Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактИС синхронизации линий задержки(1094)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Глубина | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Код HTS | Способ упаковки | Количество функций | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Температурный класс | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Выходная полярность | Источники питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Семья | Тип логической микросхемы | Поставщик пакета оборудования | Выходное сопротивление | функция | Выходные характеристики | Программируемая линия задержки | Общая задержка-ном. (тд) | Максимальный ток источника питания (ICC) | Опора Delay@Nom-Sup | Количество нажатий/шагов | Количество независимых задержек | Задержка до 1-го касания | Доступные общие задержки | Нажмите «Приращение» | Количество нажатий |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DS1013S-30+ | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | 2,67 мм | Соответствует ROHS3 | 1999 год | /files/maximintegrated-ds1013s10-datasheets-6330.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 10,285 мм | 7,5 мм | Содержит свинец | 16 | EAR99 | ТОЧНОСТЬ ПЕРЕДНЕЙ И ЗАДНЕЙ ТОЧНОСТИ; МАКС. ВЕНТИЛЯТОР ИЗ 10 74LS НАГРУЗКА НА ВЫХОД | е3 | Олово (Вс) | 4,75 В~5,25 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 1,27 мм | DS1013 | 5,25 В | 4,75 В | 30 | истинный | Не квалифицирован | Р-ПДСО-G16 | КМОП | КРЕМНИЕВАЯ ЛИНИЯ ЗАДЕРЖКИ | Многочисленные, непрограммируемые | НЕТ | 30 нс | 1 | 3 | 30 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||
| DS1013-20+ | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 0°С~70°С | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | 4,572 мм | Соответствует ROHS3 | 1999 год | /files/maximintegrated-ds1013s10-datasheets-6330.pdf | 14-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 19,05 мм | 7,62 мм | 14 | EAR99 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | НЕТ | 4,75 В~5,25 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 2,54 мм | DS1013 | 5,25 В | 4,75 В | НЕ УКАЗАН | истинный | Не квалифицирован | Р-ПДИП-Т14 | КМОП | КРЕМНИЕВАЯ ЛИНИЯ ЗАДЕРЖКИ | Многочисленные, непрограммируемые | НЕТ | 20 нс | 1 | 3 | 20нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DS1007S-2+ | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 1999 год | /files/maximintegrated-ds1007s2-datasheets-6252.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 10,285 мм | 16 | 8542.39.00.01 | е3 | Олово (Вс) | ДА | 4,75 В~5,25 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | DS1007 | 5,25 В | 30 | истинный | Не квалифицирован | Р-ПДСО-G16 | КРЕМНИЕВАЯ ЛИНИЯ ЗАДЕРЖКИ | Многочисленные, непрограммируемые | НЕТ | 16 нс | 1 | 7 | 4нс | 3 нс ~ 10 нс, 9 нс ~ 40 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДС1013-15+ | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 0°С~70°С | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | 4,572 мм | Соответствует ROHS3 | 1999 год | /files/maximintegrated-ds1013s10-datasheets-6330.pdf | 14-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 19,05 мм | 7,62 мм | 14 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | 4,75 В~5,25 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 2,54 мм | DS1013 | 5,25 В | 4,75 В | НЕ УКАЗАН | истинный | Не квалифицирован | Р-ПДИП-Т14 | КМОП | КРЕМНИЕВАЯ ЛИНИЯ ЗАДЕРЖКИ | Многочисленные, непрограммируемые | НЕТ | 15 нс | 1 | 3 | 15 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DS1013S-100+ | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | 2,67 мм | Соответствует ROHS3 | 1999 год | /files/maximintegrated-ds1013s10-datasheets-6330.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 10,285 мм | 7,5 мм | 16 | EAR99 | ТОЧНОСТЬ ПЕРЕДНЕЙ И ЗАДНЕЙ ТОЧНОСТИ; МАКС. ВЕНТИЛЯТОР ИЗ 10 74LS НАГРУЗКА НА ВЫХОД | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 4,75 В~5,25 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 1,27 мм | DS1013 | 5,25 В | 4,75 В | НЕ УКАЗАН | истинный | Не квалифицирован | Р-ПДСО-G16 | КМОП | КРЕМНИЕВАЯ ЛИНИЯ ЗАДЕРЖКИ | Многочисленные, непрограммируемые | НЕТ | 100 нс | 1 | 3 | 100 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДС1100М-250+ | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/maximintegrated-ds1100u100-datasheets-6224.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 7,62 мм | Без свинца | 8 | да | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | 4,75 В~5,25 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | ДС1100 | 30 | Линии задержки | истинный | 5В | Не квалифицирован | Р-ПДИП-Т8 | КРЕМНИЕВАЯ ЛИНИЯ ЗАДЕРЖКИ | 50Ом | Непрограммируемый | НЕТ | 250 нс | 5 | 1 | 50 нс | 250 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДС1100М-60+ | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/maximintegrated-ds1100u100-datasheets-6224.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 7,62 мм | Без свинца | 8 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | 4,75 В~5,25 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | ДС1100 | НЕ УКАЗАН | Линии задержки | истинный | 5В | Не квалифицирован | Р-ПДИП-Т8 | КРЕМНИЕВАЯ ЛИНИЯ ЗАДЕРЖКИ | 50Ом | Непрограммируемый | НЕТ | 60 нс | 60 нс | 5 | 1 | 12нс | 60нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC100E196FNG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100E | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К | Трубка | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mc10e196fn-datasheets-8928.pdf | 28-LCC (J-вывод) | Без свинца | 28 | да | 4,2 В~5,7 В | MC100E196 | Программируемый | 128 | 1 | 1,39 нс | 1,39 нс ~ 3,63 нс | 20 пс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДС1100М-450+ | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/maximintegrated-ds1100u100-datasheets-6224.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Без свинца | 4,75 В~5,25 В | ДС1100 | Непрограммируемый | 5 | 1 | 90 нс | 450 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DS1013S-25+ | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | 2,67 мм | Соответствует ROHS3 | 1999 год | /files/maximintegrated-ds1013s10-datasheets-6330.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 10,285 мм | 7,5 мм | 16 | EAR99 | ТОЧНОСТЬ ПЕРЕДНЕЙ И ЗАДНЕЙ ТОЧНОСТИ; МАКС. ВЕНТИЛЯТОР ИЗ 10 74LS НАГРУЗКА НА ВЫХОД | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 4,75 В~5,25 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 1,27 мм | DS1013 | 5,25 В | 4,75 В | НЕ УКАЗАН | истинный | Не квалифицирован | Р-ПДСО-G16 | КМОП | КРЕМНИЕВАЯ ЛИНИЯ ЗАДЕРЖКИ | Многочисленные, непрограммируемые | НЕТ | 25 нс | 1 | 3 | 25нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДС1100М-400+ | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/maximintegrated-ds1100u100-datasheets-6224.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Без свинца | 4,75 В~5,25 В | ДС1100 | Непрограммируемый | 5 | 1 | 80нс | 400 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY605JZ ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 28-LCC (J-вывод) | 4,2 В~5,7 В | SY605 | Программируемый | 255 | 1 | 4нс | 4 нс ~ 40 нс | 15,7 пс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДС1100М-75+ | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/maximintegrated-ds1100u100-datasheets-6224.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 7,62 мм | Без свинца | 8 | е3 | Матовый олово (Sn) | 4,75 В~5,25 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | ДС1100 | НЕ УКАЗАН | Линии задержки | истинный | 5В | Не квалифицирован | Р-ПДИП-Т8 | КРЕМНИЕВАЯ ЛИНИЯ ЗАДЕРЖКИ | 50Ом | Непрограммируемый | НЕТ | 75 нс | 5 | 1 | 15 нс | 75нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DS1110S-150+ | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | 2,65 мм | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | /files/maximintegrated-ds1110e450-datasheets-6184.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 7,5 мм | 5В | Без свинца | 16 | 8 недель | да | EAR99 | е3 | ИНН | 4,75 В~5,25 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | DS1110 | НЕ УКАЗАН | Линии задержки | истинный | 5В | Не квалифицирован | КРЕМНИЕВАЯ ЛИНИЯ ЗАДЕРЖКИ | Непрограммируемый | НЕТ | 150 нс | 10 | 1 | 15 нс | 150 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| DS1040Z-D60+ | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/maximintegrated-ds1040za15-datasheets-6273.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | 8 | е3 | Олово (Вс) | ДА | 4,75 В~5,25 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | DS1040 | НЕ УКАЗАН | Линии задержки | ДОПОЛНИТЕЛЬНО | 5В | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г8 | КМОП/ТТЛ | ЛИНИЯ ЗАДЕРЖКИ ГЕНЕРАТОРА ИМПУЛЬСОВ | 1 выстрел, программируемый | ДА | 5 | 1 | 20нс | 60нс | 10 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DS1110LE-50+ | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Трубка | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/maximintegrated-ds1110le50-datasheets-9026.pdf | 14-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 5 мм | 4,4 мм | 14 | е3 | Олово (Вс) | ДА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,65 мм | DS1110L | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 3,6 В | 2,7 В | НЕ УКАЗАН | Не квалифицирован | КРЕМНИЕВАЯ ЛИНИЯ ЗАДЕРЖКИ | Непрограммируемый | НЕТ | 50 нс | 10 | 1 | 5нс | 50 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY10E195JZ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 10E, Precision Edge® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 2 (1 год) | ОКУ | 4,57 мм | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/microchiptechnology-sy100e195jitr-datasheets-7312.pdf | 28-LCC (J-вывод) | 28 | 9 недель | 28 | е3 | Матовый олово (Sn) | -4,2 В~-5,5 В | КВАД | ДЖ БЕНД | 260 | SY10E195 | 5,5 В | 4,2 В | 40 | ДОПОЛНИТЕЛЬНО | Не квалифицирован | 10Е | КРЕМНИЕВАЯ ЛИНИЯ ЗАДЕРЖКИ | Программируемый | ДА | 3,63 нс | 128 | 1 | 1,39 нс | 1,39 нс ~ 3,63 нс | 20 пс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DS1045S-3+Т&Р | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/maximintegrated-ds1045s4-datasheets-6461.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 4,75 В~5,25 В | DS1045 | 16-СОИК | Многочисленные, программируемые | 16 | 2 | 9нс | 54нс | 3нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC10E195FNR2G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 10Е | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ОКУ | 4,57 мм | Соответствует RoHS | 2006 г. | 28-LCC (J-вывод) | 11,58 мм | Без свинца | 11,58 мм | 28 | 7 недель | 28 | да | РЕЖИМ NECL: VCC = 0 В, VEE = от -4,2 В до -5,7 В. | Нет | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | 4,2 В~5,7 В | КВАД | ДЖ БЕНД | 260 | 5В | MC10E195 | 5,7 В | 4,2 В | 40 | Линии задержки | ДОПОЛНИТЕЛЬНО | -5,2 В | 10Е | АКТИВНАЯ ЛИНИЯ ЗАДЕРЖКИ | Программируемый | ОТКРЫТЫЙ ЭМИТТЕР | ДА | 3,63 нс | 4,72 нс | 128 | 1 | 1,39 нс | 1,39 нс ~ 3,63 нс | 20 пс | ||||||||||||||||||||||||
| DS1045S-4+Т&Р | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/maximintegrated-ds1045s4-datasheets-6461.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 4,75 В~5,25 В | DS1045 | 16-СОИК | Многочисленные, программируемые | 16 | 2 | 9нс | 69нс | 4нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДС1100М-350+ | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/maximintegrated-ds1100u100-datasheets-6224.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Без свинца | 4,75 В~5,25 В | ДС1100 | Непрограммируемый | 5 | 1 | 70нс | 350 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДС1100М-150+ | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/maximintegrated-ds1100u100-datasheets-6224.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 7,62 мм | Без свинца | 8 | е3 | Матовый олово (Sn) | 4,75 В~5,25 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | ДС1100 | 30 | Линии задержки | истинный | 5В | Не квалифицирован | Р-ПДИП-Т8 | КРЕМНИЕВАЯ ЛИНИЯ ЗАДЕРЖКИ | 50Ом | Непрограммируемый | НЕТ | 150 нс | 5 | 1 | 30 нс | 150 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC100E196FNR2G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100E | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ОКУ | 4,57 мм | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mc10e196fn-datasheets-8928.pdf | 28-LCC (J-вывод) | Без свинца | 28 | 28 | да | РЕЖИМ NECL: VCC=0 С VEE=-4,2 В ДО -5,7 В | Нет | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | 4,2 В~5,7 В | КВАД | ДЖ БЕНД | 260 | 5В | MC100E196 | 5,7 В | 4,2 В | 40 | Линии задержки | ДОПОЛНИТЕЛЬНО | -4,5 В | АКТИВНАЯ ЛИНИЯ ЗАДЕРЖКИ | Программируемый | ОТКРЫТЫЙ ЭМИТТЕР | ДА | 3,63 нс | 4,72 нс | 128 | 1 | 1,39 нс | 1,39 нс ~ 3,63 нс | 20 пс | |||||||||||||||||||||||||||
| SY100E195JY ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100E, Precision Edge® | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ОКУ | 4,57 мм | Соответствует ROHS3 | /files/microchiptechnology-sy100e195jitr-datasheets-7312.pdf | 28-LCC (J-вывод) | 28 | да | ТР | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | -4,2 В~-5,5 В | КВАД | ДЖ БЕНД | 260 | SY100E195 | 5,5 В | 4,2 В | 40 | ДОПОЛНИТЕЛЬНО | Не квалифицирован | S-PQCC-J28 | КРЕМНИЕВАЯ ЛИНИЯ ЗАДЕРЖКИ | Программируемый | ДА | 3,63 нс | 128 | 1 | 1,39 нс | 1,39 нс ~ 3,63 нс | 20 пс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДС1100М-35+ | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/maximintegrated-ds1100u100-datasheets-6224.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 7,62 мм | Без свинца | 8 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | 4,75 В~5,25 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | ДС1100 | НЕ УКАЗАН | Линии задержки | истинный | 5В | Не квалифицирован | Р-ПДИП-Т8 | КРЕМНИЕВАЯ ЛИНИЯ ЗАДЕРЖКИ | 50Ом | Непрограммируемый | НЕТ | 35 нс | 5 | 1 | 7нс | 35 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100E196JY | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100E, Precision Edge® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Трубка | 2 (1 год) | ОКУ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/microchiptechnology-sy100e196ji-datasheets-7358.pdf | 28-LCC (J-вывод) | 11,48 мм | 11,48 мм | 28 | 28 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | -4,2 В~-5,5 В | КВАД | ДЖ БЕНД | 260 | SY100E196 | 40 | ДОПОЛНИТЕЛЬНО | Не квалифицирован | КРЕМНИЕВАЯ ЛИНИЯ ЗАДЕРЖКИ | Программируемый | ДА | 3,63 нс | 7 | 1 | 1,39 нс | 1,39 нс ~ 3,63 нс | 20 пс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДС1100М-500+ | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/maximintegrated-ds1100u100-datasheets-6224.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 7,62 мм | Без свинца | 8 | е3 | Матовый олово (Sn) | 4,75 В~5,25 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | ДС1100 | 30 | Линии задержки | истинный | 5В | Не квалифицирован | Р-ПДИП-Т8 | КРЕМНИЕВАЯ ЛИНИЯ ЗАДЕРЖКИ | Непрограммируемый | НЕТ | 500 нс | 5 | 1 | 100 нс | 500 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DS1110S-250+ | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Трубка | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | КМОП | 2,65 мм | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | /files/maximintegrated-ds1110e450-datasheets-6184.pdf | СОИК | 7,5 мм | 5В | Без свинца | 16 | 6 недель | 5,25 В | 4,75 В | да | EAR99 | 8542.39.00.01 | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 1,27 мм | 16 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | НЕ УКАЗАН | Линии задержки | истинный | 5В | Не квалифицирован | Р-ПДСО-G16 | КРЕМНИЕВАЯ ЛИНИЯ ЗАДЕРЖКИ | НЕТ | 250 нс | 150 мА | 250 нс | 10 | ||||||||||||||||||||||||||||
| ДС1100М-125+ | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/maximintegrated-ds1100u100-datasheets-6224.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 7,62 мм | Без свинца | 8 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | 4,75 В~5,25 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | ДС1100 | 30 | Линии задержки | истинный | 5В | Не квалифицирован | Р-ПДИП-Т8 | КРЕМНИЕВАЯ ЛИНИЯ ЗАДЕРЖКИ | 50Ом | Непрограммируемый | НЕТ | 125 нс | 5 | 1 | 25нс | 125 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДС1100М-175+ | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/maximintegrated-ds1100u100-datasheets-6224.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 7,62 мм | Без свинца | 8 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | 4,75 В~5,25 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | ДС1100 | НЕ УКАЗАН | Линии задержки | истинный | 5В | Не квалифицирован | Р-ПДИП-Т8 | КРЕМНИЕВАЯ ЛИНИЯ ЗАДЕРЖКИ | 50Ом | Непрограммируемый | НЕТ | 175 нс | 5 | 1 | 35 нс | 175 нс |
