Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактИС драйверов ворот(7655)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Тип входа | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Ширина | Количество окончаний | Количество водителей | ECCN-код | Количество функций | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Базовый номер детали | Количество контактов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Тип интерфейса микросхемы | Время подъема/спада (типичное) | Драйвер верхней стороны | Тип канала | Управляемая конфигурация | Тип ворот | Ток — пиковый выход (источник, приемник) | Напряжение на стороне повышенного напряжения — максимальное (начальная загрузка) | Логическое напряжение – ВИЛ, VIH |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ISL6608CB-T | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~125°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | Не соответствует требованиям RoHS | /files/renesaselectronicsamericainc-isl6608ib-datasheets-4475.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 2 | 4,5 В~5,5 В | ISL6608 | 8нс 8нс | синхронный | Полумост | N-канальный МОП-транзистор | 2А 2А | 22В | |||||||||||||||||||||||||
| ISL6612ECB-T | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~125°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | Не соответствует требованиям RoHS | /files/renesaselectronicsamemericainc-isl6612crzt-datasheets-6770.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) Открытая площадка | 2 | EAR99 | 10,8 В~13,2 В | НЕ УКАЗАН | ISL6612 | НЕ УКАЗАН | 26 нс 18 нс | синхронный | Полумост | N-канальный МОП-транзистор | 1,25 А 2 А | 36В | ||||||||||||||||||||||
| ISL6612CR-T | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~125°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | Не соответствует требованиям RoHS | /files/renesaselectronicsamemericainc-isl6612crzt-datasheets-6770.pdf | 10-ВФДФН Открытая площадка | 2 | 10,8 В~13,2 В | ISL6612 | 10-ДФН (3х3) | 26 нс 18 нс | синхронный | Полумост | N-канальный МОП-транзистор | 1,25 А 2 А | 36В | ||||||||||||||||||||||||
| ISL6612CBZA | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~125°С ТДж | Трубка | 3 (168 часов) | Неинвертирующий | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamemericainc-isl6612crzt-datasheets-6770.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 2 | EAR99 | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 10,8 В~13,2 В | НЕ УКАЗАН | ISL6612 | 8 | НЕ УКАЗАН | 26 нс 18 нс | синхронный | Полумост | N-канальный МОП-транзистор | 1,25 А 2 А | 36В | |||||||||||||||||||
| ISL6612EIB | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | Не соответствует требованиям RoHS | /files/renesaselectronicsamemericainc-isl6612crzt-datasheets-6770.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) Открытая площадка | 2 | EAR99 | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 10,8 В~13,2 В | НЕ УКАЗАН | ISL6612 | 8 | НЕ УКАЗАН | 26 нс 18 нс | синхронный | Полумост | N-канальный МОП-транзистор | 1,25 А 2 А | 36В | |||||||||||||||||||
| ISL6612ECBZ | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~125°С ТДж | Трубка | 3 (168 часов) | Неинвертирующий | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamemericainc-isl6612crzt-datasheets-6770.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) Открытая площадка | 2 | EAR99 | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 10,8 В~13,2 В | НЕ УКАЗАН | ISL6612 | 8 | НЕ УКАЗАН | 26 нс 18 нс | синхронный | Полумост | N-канальный МОП-транзистор | 1,25 А 2 А | 36В | |||||||||||||||||||
| ИСЛ6612ИБЗ | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТДж | Трубка | 3 (168 часов) | Неинвертирующий | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamemericainc-isl6612crzt-datasheets-6770.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 2 | EAR99 | 10,8 В~13,2 В | НЕ УКАЗАН | ISL6612 | НЕ УКАЗАН | 26 нс 18 нс | синхронный | Полумост | N-канальный МОП-транзистор | 1,25 А 2 А | 36В | ||||||||||||||||||||||
| MIC5013BM-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | /files/microchiptechnology-mic5013ymtr-datasheets-8521.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 1 | 7В~32В | MIC5013 | 8-СОИК | Одинокий | Верхняя сторона или нижняя сторона | N-канальный МОП-транзистор | 2В 4,5В | |||||||||||||||||||||||||
| ISL6612БИР-Т | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | Не соответствует требованиям RoHS | /files/renesaselectronicsamericainc-isl6612bcbz-datasheets-4796.pdf | 10-ВФДФН Открытая площадка | 2 | 7 В~13,2 В | ISL6612B | 10-ДФН (3х3) | 26 нс 18 нс | синхронный | Полумост | N-канальный МОП-транзистор | 1,25 А 2 А | 36В | ||||||||||||||||||||||||
| ISL6612BEIBZ-T | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Неинвертирующий | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamericainc-isl6612bcbz-datasheets-4796.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) Открытая площадка | 2 | е3 | Матовый олово (Sn) | 7 В~13,2 В | НЕ УКАЗАН | ISL6612B | НЕ УКАЗАН | ПОЛНОМОСТОВОЙ ДРАЙВЕР МОП-транзистор | 26 нс 18 нс | синхронный | Полумост | N-канальный МОП-транзистор | 1,25 А 2 А | 36В | ||||||||||||||||||||
| ISL6605CB | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~125°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | 1,75 мм | Не соответствует требованиям RoHS | /files/renesaselectronicsamericainc-isl6605crztk-datasheets-5003.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | 8 | 2 | 1 | ДА | 4,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 5В | ISL6605 | Р-ПДСО-Г8 | 8нс 8нс | ДА | синхронный | Полумост | N-канальный МОП-транзистор | 2А 2А | 33В | 1В 2В | |||||||||||||
| ISL6207HBZ | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -10°С~125°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamericainc-isl6207cbz-datasheets-4760.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 2 | е3 | Матовый олово (Sn) | 4,5 В~5,5 В | НЕ УКАЗАН | ISL6207 | НЕ УКАЗАН | 8нс 8нс | синхронный | Полумост | N-канальный МОП-транзистор | 2А 2А | 36В | 1В 2В | ||||||||||||||||||||
| ISL6612CBZA-T | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~125°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Неинвертирующий | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamemericainc-isl6612crzt-datasheets-6770.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 2 | EAR99 | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 10,8 В~13,2 В | НЕ УКАЗАН | ISL6612 | 8 | НЕ УКАЗАН | 26 нс 18 нс | синхронный | Полумост | N-канальный МОП-транзистор | 1,25 А 2 А | 36В | |||||||||||||||||||
| ISL6612AECB | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~125°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | Не соответствует требованиям RoHS | /files/renesaselectronicsamericainc-isl6612acbzt-datasheets-7364.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) Открытая площадка | 2 | е3 | Матовый олово (Sn) | 10,8 В~13,2 В | НЕ УКАЗАН | ISL6612A | 8 | НЕ УКАЗАН | 26 нс 18 нс | синхронный | Полумост | N-канальный МОП-транзистор | 1,25 А 2 А | 36В | ||||||||||||||||||||
| ISL6612ECBZ-T | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~125°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Неинвертирующий | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamemericainc-isl6612crzt-datasheets-6770.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) Открытая площадка | 2 | EAR99 | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 10,8 В~13,2 В | НЕ УКАЗАН | ISL6612 | 8 | НЕ УКАЗАН | 26 нс 18 нс | синхронный | Полумост | N-канальный МОП-транзистор | 1,25 А 2 А | 36В | |||||||||||||||||||
| ICL7667CBA | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Инвертирование | 1,75 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 1999 год | /files/renesaselectronicsamericainc-icl7667cbaza-datasheets-8940.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | 8 | 2 | 2 | ДА | 4,5 В~15 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | ICL7667 | Р-ПДСО-Г8 | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР MOSFET | 20 нс 20 нс | НЕТ | Независимый | Верхняя сторона или нижняя сторона | N-канальный МОП-транзистор | 0,8 В 2 В | |||||||||||||
| ISL6207CBZ-T | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -10°С~125°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamericainc-isl6207cbz-datasheets-4760.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 2 | е3 | Матовый олово (Sn) | 4,5 В~5,5 В | НЕ УКАЗАН | ISL6207 | 8 | НЕ УКАЗАН | 8нс 8нс | синхронный | Полумост | N-канальный МОП-транзистор | 2А 2А | 36В | 1В 2В | |||||||||||||||||||
| ISL6612IR | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | Не соответствует требованиям RoHS | /files/renesaselectronicsamemericainc-isl6612crzt-datasheets-6770.pdf | 10-ВФДФН Открытая площадка | 2 | EAR99 | 10,8 В~13,2 В | НЕ УКАЗАН | ISL6612 | НЕ УКАЗАН | 26 нс 18 нс | синхронный | Полумост | N-канальный МОП-транзистор | 1,25 А 2 А | 36В | ||||||||||||||||||||||
| ISL6612IB-T | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | Не соответствует требованиям RoHS | /files/renesaselectronicsamemericainc-isl6612crzt-datasheets-6770.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 2 | 10,8 В~13,2 В | ISL6612 | 8-СОИК | 26 нс 18 нс | синхронный | Полумост | N-канальный МОП-транзистор | 1,25 А 2 А | 36В | ||||||||||||||||||||||||
| ISL6612BIB-T | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | Не соответствует требованиям RoHS | /files/renesaselectronicsamericainc-isl6612bcbz-datasheets-4796.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 2 | 7 В~13,2 В | ISL6612B | 8-СОИК | 26 нс 18 нс | синхронный | Полумост | N-канальный МОП-транзистор | 1,25 А 2 А | 36В | ||||||||||||||||||||||||
| ISL6613AECB-T | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~125°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | Не соответствует требованиям RoHS | /files/renesaselectronicsamericainc-isl6612acbzt-datasheets-7364.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) Открытая площадка | 2 | 10,8 В~13,2 В | ISL6613AE | 8-СОИК-ЭП | 26 нс 18 нс | синхронный | Полумост | N-канальный МОП-транзистор | 1,25 А 2 А | 36В | ||||||||||||||||||||||||
| ISL6207HBZ-T | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -10°С~125°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamericainc-isl6207cbz-datasheets-4760.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 2 | е3 | Матовый олово (Sn) | 4,5 В~5,5 В | НЕ УКАЗАН | ISL6207 | НЕ УКАЗАН | 8нс 8нс | синхронный | Полумост | N-канальный МОП-транзистор | 2А 2А | 36В | 1В 2В | ||||||||||||||||||||
| ISL6612BEIB | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | Не соответствует требованиям RoHS | /files/renesaselectronicsamericainc-isl6612bcbz-datasheets-4796.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) Открытая площадка | 2 | е3 | Матовый олово (Sn) | 7 В~13,2 В | НЕ УКАЗАН | ISL6612B | НЕ УКАЗАН | ПОЛНОМОСТОВОЙ ДРАЙВЕР МОП-транзистор | 26 нс 18 нс | синхронный | Полумост | N-канальный МОП-транзистор | 1,25 А 2 А | 36В | ||||||||||||||||||||
| ISL6612AECBZ | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~125°С ТДж | Трубка | 3 (168 часов) | Неинвертирующий | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamericainc-isl6612acbzt-datasheets-7364.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) Открытая площадка | 2 | е3 | Матовый олово (Sn) | 10,8 В~13,2 В | НЕ УКАЗАН | ISL6612A | 8 | НЕ УКАЗАН | 26 нс 18 нс | синхронный | Полумост | N-канальный МОП-транзистор | 1,25 А 2 А | 36В | ||||||||||||||||||||
| ISL6612CB | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~125°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | Не соответствует требованиям RoHS | /files/renesaselectronicsamemericainc-isl6612crzt-datasheets-6770.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 2 | EAR99 | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 10,8 В~13,2 В | НЕ УКАЗАН | ISL6612 | 8 | НЕ УКАЗАН | 26 нс 18 нс | синхронный | Полумост | N-канальный МОП-транзистор | 1,25 А 2 А | 36В | |||||||||||||||||||
| ISL6612AECB-T | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~125°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | Не соответствует требованиям RoHS | /files/renesaselectronicsamericainc-isl6612acbzt-datasheets-7364.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) Открытая площадка | 2 | 10,8 В~13,2 В | ISL6612A | 8-СОИК-ЭП | 26 нс 18 нс | синхронный | Полумост | N-канальный МОП-транзистор | 1,25 А 2 А | 36В | ||||||||||||||||||||||||
| ISL6612BIBZ-T | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Неинвертирующий | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamericainc-isl6612bcbz-datasheets-4796.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 2 | е3 | Матовый олово (Sn) | 7 В~13,2 В | НЕ УКАЗАН | ISL6612B | НЕ УКАЗАН | ПОЛНОМОСТОВОЙ ДРАЙВЕР МОП-транзистор | 26 нс 18 нс | синхронный | Полумост | N-канальный МОП-транзистор | 1,25 А 2 А | 36В | ||||||||||||||||||||
| ISL6612CB-T | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~125°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | Не соответствует требованиям RoHS | /files/renesaselectronicsamemericainc-isl6612crzt-datasheets-6770.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 2 | 10,8 В~13,2 В | ISL6612 | 26 нс 18 нс | синхронный | Полумост | N-канальный МОП-транзистор | 1,25 А 2 А | 36В | |||||||||||||||||||||||||
| ISL6612BCB-T | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~125°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | Не соответствует требованиям RoHS | /files/renesaselectronicsamericainc-isl6612bcbz-datasheets-4796.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 2 | 7 В~13,2 В | ISL6612B | 8-СОИК | 26 нс 18 нс | синхронный | Полумост | N-канальный МОП-транзистор | 1,25 А 2 А | 36В | ||||||||||||||||||||||||
| ISL6612AIRZ | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТДж | Трубка | 3 (168 часов) | Неинвертирующий | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamericainc-isl6612acbzt-datasheets-7364.pdf | 10-ВФДФН Открытая площадка | 2 | е3 | Матовый олово (Sn) | 10,8 В~13,2 В | НЕ УКАЗАН | ISL6612A | НЕ УКАЗАН | 26 нс 18 нс | синхронный | Полумост | N-канальный МОП-транзистор | 1,25 А 2 А | 36В |
