Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактИС драйверов ворот(7655)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Тип входа | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Количество водителей | ECCN-код | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Базовый номер детали | Количество контактов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входные характеристики | Тип интерфейса микросхемы | Выходное напряжение | Выходной ток | Время подъема | Осень (тип.) | Задержка распространения | Количество выходов | Ограничение пикового выходного тока. | Время включения | Время выключения | Время подъема/спада (типичное) | Драйвер верхней стороны | Тип канала | Выходные характеристики | Управляемая перемена | Тип ворот | Ток — пиковый выход (источник, приемник) | Напряжение на стороне повышенного напряжения — максимальное (начальная загрузка) | Логическое напряжение – ВИЛ, VIH |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MIC4467BN | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Инвертирование | 5,588 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/microchiptechnology-mic4468ywm-datasheets-9173.pdf | 14-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 7,62 мм | 14 | 4 | EAR99 | не_совместимо | 4 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | НЕТ | 4,5 В~18 В | ДВОЙНОЙ | 240 | MIC4467 | 14 | 30 | Драйверы МОП-транзисторов | Не квалифицирован | СТАНДАРТ | ДРАЙВЕР МОП-транзистора на основе NAND-затвора | 1,2А | 0,1 мкс | 0,1 мкс | 14 нс 13 нс | НЕТ | Независимый | ТОТЕМНЫЙ ПОЛЮС | Низкая сторона | N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 1,2 А 1,2 А | 0,8 В 2,4 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| MIC4429CT | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 0°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Инвертирование | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/microchiptechnology-mic4420ymm-datasheets-0228.pdf | ТО-220-5 | 1 | 4,5 В~18 В | MIC4429 | ТО-220-5 | 12 нс 13 нс | Одинокий | Низкая сторона | N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 6А 6А | 0,8 В 2,4 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MIC4468BWM | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/microchiptechnology-mic4468ywm-datasheets-9173.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 4 | 4,5 В~18 В | MIC4468 | 16-СОИК | 14 нс 13 нс | Независимый | Низкая сторона | N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 1,2 А 1,2 А | 0,8 В 2,4 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ATA6821-TUQY | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/microchiptechnology-ata6821tusy-datasheets-4931.pdf | 14-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 1 | 16 В~30 В | АТА6821 | 14-СОИК | 12нс 12нс | Одинокий | Низкая сторона | IGBT, N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 4А 4А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MIC4428CM | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Инвертирующий, Неинвертирующий | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 2 | 4,5 В~18 В | MIC4428 | 8-СОИК | 20 нс 29 нс | Независимый | Низкая сторона | N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 1,5 А 1,5 А | 0,8 В 2,4 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MIC4452ABM-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | Не соответствует требованиям RoHS | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 1 | 4,5 В~18 В | MIC4452 | 20 нс 24 нс | Одинокий | Низкая сторона | БТИЗ, Н-канальный МОП-транзистор | 12А 12А | 0,8 В 2,4 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MIC5011BN | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | /files/microchiptechnology-mic5011ymtr-datasheets-8477.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 1 | 4,75 В~32 В | MIC5011 | 8-ПДИП | Одинокий | Верхняя сторона или нижняя сторона | N-канальный МОП-транзистор | 2В 4,5В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MIC4468CN | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 0°С~70°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Неинвертирующий | 5,588 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/microchiptechnology-mic4468ywm-datasheets-9173.pdf | 14-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 7,62 мм | 14 | 4 | EAR99 | не_совместимо | 4 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | НЕТ | 4,5 В~18 В | ДВОЙНОЙ | 240 | MIC4468 | 14 | 30 | Драйверы МОП-транзисторов | Не квалифицирован | СТАНДАРТ | И ДРАЙВЕР МОП-транзистора на базе затвора | 1,2А | 0,1 мкс | 0,1 мкс | 14 нс 13 нс | НЕТ | Независимый | ТОТЕМНЫЙ ПОЛЮС | Низкая сторона | N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 1,2 А 1,2 А | 0,8 В 2,4 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| MIC4451BM-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Инвертирование | Не соответствует требованиям RoHS | 2011 год | /files/microchiptechnology-mic4451yn-datasheets-0685.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 1 | 4,5 В~18 В | MIC4451 | 8-СОИК | 20 нс 24 нс | Одинокий | Низкая сторона | БТИЗ, Н-канальный МОП-транзистор | 12А 12А | 0,8 В 2,4 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MIC4467BWM ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Инвертирование | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/microchiptechnology-mic4468ywm-datasheets-9173.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 4 | 4,5 В~18 В | MIC4467 | 16-СОИК | 14 нс 13 нс | Независимый | Низкая сторона | N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 1,2 А 1,2 А | 0,8 В 2,4 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MIC5011BM-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | /files/microchiptechnology-mic5011ymtr-datasheets-8477.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 1 | 4,75 В~32 В | MIC5011 | 8-СОИК | Одинокий | Верхняя сторона или нижняя сторона | N-канальный МОП-транзистор | 2В 4,5В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MIC4429CM-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Инвертирование | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/microchiptechnology-mic4420ymm-datasheets-0228.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 1 | 4,5 В~18 В | MIC4429 | 8-СОИК | 12 нс 13 нс | Одинокий | Низкая сторона | N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 6А 6А | 0,8 В 2,4 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ISL6614CRZA-T | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~125°C ТДж | Разрезанная лента (CT) | 3 (168 часов) | Неинвертирующий | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamericainc-isl6614crz-datasheets-9362.pdf | 16-VQFN Открытая колодка | 4 | е3 | Матовый олово (Sn) | 10,8 В~13,2 В | НЕ УКАЗАН | ISL6614 | НЕ УКАЗАН | 26 нс 18 нс | синхронный | Полумост | N-канальный МОП-транзистор | 1,25 А 2 А | 36В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MIC4428BN | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Инвертирующий, Неинвертирующий | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 2 | 4,5 В~18 В | MIC4428 | 8-ПДИП | 20 нс 29 нс | Независимый | Низкая сторона | N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 1,5 А 1,5 А | 0,8 В 2,4 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MIC4452ABN | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | Не соответствует требованиям RoHS | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 1 | 4,5 В~18 В | MIC4452 | 20 нс 24 нс | Одинокий | Низкая сторона | БТИЗ, Н-канальный МОП-транзистор | 12А 12А | 0,8 В 2,4 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MIC5016BN | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | /files/microchiptechnology-mic5016bwm-datasheets-4733.pdf | 14-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 2 | 2,75 В~30 В | MIC5016 | 14-ДИП | Независимый | Верхняя сторона или нижняя сторона | N-канальный МОП-транзистор | 0,8 В 2 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MIC4467CN | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 0°С~70°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Инвертирование | 5,588 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/microchiptechnology-mic4468ywm-datasheets-9173.pdf | 14-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 7,62 мм | 14 | 4 | EAR99 | не_совместимо | 4 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | НЕТ | 4,5 В~18 В | ДВОЙНОЙ | 240 | MIC4467 | 14 | 30 | Драйверы МОП-транзисторов | Не квалифицирован | СТАНДАРТ | ДРАЙВЕР МОП-транзистора на основе NAND-затвора | 1,2А | 0,1 мкс | 0,1 мкс | 14 нс 13 нс | НЕТ | Независимый | ТОТЕМНЫЙ ПОЛЮС | Низкая сторона | N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 1,2 А 1,2 А | 0,8 В 2,4 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| MIC4451CT | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 0°С~70°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | Инвертирование | Не соответствует требованиям RoHS | ТО-220-5 | Содержит свинец | 5 | 1 | 4,5 В~18 В | MIC4451 | ТО-220-5 | 1 | 20 нс 24 нс | Одинокий | Низкая сторона | БТИЗ, Н-канальный МОП-транзистор | 12А 12А | 0,8 В 2,4 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| E-L6569D | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Входная цепь RC | 1,75 мм | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-l6569-datasheets-6761.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | Без свинца | 25 мА | 8 | 8 | 2 | EAR99 | Нет | 1 | 25 мА | 10 В~16,6 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 12 В | L6569 | 8 | 618В | 275 мА | 0,275А | ДА | синхронный | Полумост | БТИЗ, Н-канальный МОП-транзистор | 170 мА 270 мА | 600В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MIC4467CWM | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | Инвертирование | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/microchiptechnology-mic4468ywm-datasheets-9173.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 4 | 4,5 В~18 В | MIC4467 | 16-СОИК | 14 нс 13 нс | Независимый | Низкая сторона | N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 1,2 А 1,2 А | 0,8 В 2,4 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MIC4423BM-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Инвертирование | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/microchiptechnology-mic4424ymtr-datasheets-8098.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 2 | 4,5 В~18 В | MIC4423 | 8-СОИК | 28нс 32нс | Независимый | Низкая сторона | N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 3А 3А | 0,8 В 2,4 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MIC4429BM-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Инвертирование | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/microchiptechnology-mic4420ymm-datasheets-0228.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 1 | 4,5 В~18 В | MIC4429 | 8-СОИК | 12 нс 13 нс | Одинокий | Низкая сторона | N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 6А 6А | 0,8 В 2,4 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MIC4422CTL2 | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 0°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | ТО-220-5 | 1 | 4,5 В~18 В | MIC4422 | 20 нс 24 нс | Одинокий | Низкая сторона | БТИЗ, Н-канальный МОП-транзистор | 9А 9А | 0,8 В 2,4 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MIC4429BM | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Инвертирование | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/microchiptechnology-mic4420ymm-datasheets-0228.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 1 | 4,5 В~18 В | MIC4429 | 8-СОИК | 12 нс 13 нс | Одинокий | Низкая сторона | N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 6А 6А | 0,8 В 2,4 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MIC4422CT | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 0°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/microchiptechnology-mic4421ymtr-datasheets-4877.pdf | ТО-220-5 | 1 | 4,5 В~18 В | MIC4422 | ТО-220-5 | 20 нс 24 нс | Одинокий | Низкая сторона | БТИЗ, Н-канальный МОП-транзистор | 9А 9А | 0,8 В 2,4 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MIC4428CM-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Инвертирующий, Неинвертирующий | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 2 | 4,5 В~18 В | MIC4428 | 8-СОИК | 20 нс 29 нс | Независимый | Низкая сторона | N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 1,5 А 1,5 А | 0,8 В 2,4 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EL7104CS | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | Не соответствует требованиям RoHS | /files/renesaselectronicsamemericainc-el7104cszt7-datasheets-8847.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 8 | 1 | EAR99 | 1 | ДА | 4,5 В~16 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 15 В | EL7104 | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-Г8 | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР MOSFET | 4А | 25 мкс | 25 мкс | 7,5 нс 10 нс | НЕТ | Одинокий | Низкая сторона | N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 4А 4А | 0,8 В 2,4 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФАН5009MX | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~125°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 500 кГц | Инвертирующий, Неинвертирующий | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-fan5009m-datasheets-4848.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | 12 В | Без свинца | 8 | 2 | 8мА | 715 МВт | 10 В~13,5 В | ФАН5009 | 715 МВт | 65 нс | 40 нс 20 нс | синхронный | Полумост | N-канальный МОП-транзистор | 15 В | 0,8 В 2,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MIC4425BWM | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Инвертирующий, Неинвертирующий | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/microchiptechnology-mic4424ymtr-datasheets-8098.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 2 | 4,5 В~18 В | MIC4425 | 16-СОИК | 28нс 32нс | Независимый | Низкая сторона | N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 3А 3А | 0,8 В 2,4 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TC429ЭДС | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Инвертирование | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | /files/microchip-tc429emf-datasheets-4124.pdf | 8-ВДФН Открытая площадка | Без свинца | 5мА | 18В | 7В | 1 | Нет | 12 мА | 7В~18В | ТС429 | 8-ДФН-ЭП (3х3) | 35 нс | 35 нс | 1 | 23 нс 25 нс | Одинокий | Низкая сторона | N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 6А 6А | 0,8 В 2,4 В |
