Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактИС драйверов ворот(7655)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Тип входа | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Масса | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Сопротивление | Количество контактов | Количество водителей | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Температурный класс | Рабочая температура (макс.) | Аналоговая микросхема — другой тип | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Подкатегория | Источники питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Уровень скрининга | Максимальный выходной ток | Тип микросхемы интерфейса | Выходное напряжение | Выходной ток | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Задержка распространения | Количество выходов | Входное напряжение-ном. | Входное напряжение (мин.) | Входное напряжение (макс.) | Ограничение пикового выходного тока. | Время включения | Время выключения | Время подъема/спада (типичное) | Драйвер верхней стороны | Тип канала | Топология | Техника управления | Управляемая конфигурация | Тип ворот | Ток — пиковый выход (источник, приемник) | Напряжение на стороне повышенного напряжения — максимальное (начальная загрузка) | Логическое напряжение – ВИЛ, VIH |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MIC4420BM | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/microchiptechnology-mic4420ymm-datasheets-0228.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 1 | 4,5 В~18 В | MIC4420 | 8-СОИК | 12 нс 13 нс | Одинокий | Низкая сторона | N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 6А 6А | 0,8 В 2,4 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TC427CPAG | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 0°С~70°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Неинвертирующий | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/microchiptechnology-tc427eoa713-datasheets-4439.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 9,5 мм | Без свинца | 8 | 8 | 2 | да | EAR99 | 2 | 8мА | е3 | Матовый олово (Sn) | 730мВт | 4,5 В~18 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | ТС427 | 8 | НЕ УКАЗАН | 730мВт | Не квалифицированный | 1,5 А | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР МОП-транзистора | 30 нс | 30 нс | 75 нс | 1,5 А | 0,075 мкс | 30 нс 30 нс | ДА | Независимый | Низкая сторона | N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 1,5 А 1,5 А | 0,8 В 2,4 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXDD409YI | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | 4,8 мм | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/ixys-ixdi409sia-datasheets-4568.pdf | ТО-263-6, Д2Пак (5 отведений + вкладка), ТО-263БА | 9,975 мм | 35В | Без свинца | 5 | 1,59999 г | 1 | EAR99 | 1 | 3мА | е3 | Олово (Вс) | 4,5 В~35 В | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕПРИГОДНЫЙ | 18В | IXD*409 | 4 | НЕПРИГОДНЫЙ | Не квалифицированный | Р-ПССО-Г5 | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР МОП-транзистора | 9А | 15 нс | 15 нс | 9А | 0,04 мкс | 0,036 мкс | 10 нс 10 нс | НЕТ | Одинокий | Низкая сторона | IGBT, N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 9А 9А | 0,8 В 3,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MIC4427CM-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/microchiptechnology-mic4428ymtr-datasheets-7573.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 2 | 4,5 В~18 В | MIC4427 | 8-СОИК | 20 нс 29 нс | Независимый | Низкая сторона | N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 1,5 А 1,5 А | 0,8 В 2,4 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ХИП4082 ИБТ | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | 1,75 мм | Не соответствует требованиям RoHS | /files/renesaselectronicsamemericainc-hip4082ibzts2366a-datasheets-2895.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 9,9 мм | 3,9 мм | 16 | 4 | EAR99 | 1 | ДА | 8,5 В~15 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 12 В | 1,27 мм | ХИП4082 | 16 | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-G16 | ПОЛНОМОСТОВОЙ ДРАЙВЕР МОП-транзистор | 0,15 мкс | 0,1 мкс | 9нс 9нс | ДА | Независимый | Полумост | N-канальный МОП-транзистор | 1,4 А 1,3 А | 95В | 1 В 2,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MIC4468CWM | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/microchiptechnology-mic4468ywm-datasheets-9173.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 4 | 4,5 В~18 В | MIC4468 | 16-СОИК | 14 нс 13 нс | Независимый | Низкая сторона | N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 1,2 А 1,2 А | 0,8 В 2,4 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MIC5018BM4 ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | IttyBitty® | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/microchiptechnology-mic5018ym4tr-datasheets-8257.pdf | ТО-253-4, ТО-253АА | 1 | 2,7 В~9 В | MIC5018 | СОТ-143 | Одинокий | Хай | N-канальный МОП-транзистор | 0,8 В 2,4 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MIC4420BN | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/microchiptechnology-mic4420ymm-datasheets-0228.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 1 | 4,5 В~18 В | MIC4420 | 8-ПДИП | 12 нс 13 нс | Одинокий | Низкая сторона | N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 6А 6А | 0,8 В 2,4 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MIC4427BM | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/microchiptechnology-mic4428ymtr-datasheets-7573.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 2 | 4,5 В~18 В | MIC4427 | 8-СОИК | 20 нс 29 нс | Независимый | Низкая сторона | N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 1,5 А 1,5 А | 0,8 В 2,4 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IR21368PBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 125°С | -40°С | Инвертирование | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/infineontechnologies-ir2136strpbf-datasheets-9669.pdf | 28-ДИП (0,600, 15,24 мм) | 39,7256 мм | 5,969 мм | 14 732 мм | Без свинца | 20 В | 10 В | 100Ом | 28 | 6 | Нет | 120 мкА | 1,5 Вт | 10 В~20 В | IR21368PBF | 1,5 Вт | 28-ПДИП | 350 мА | 300мВ | 200 мА | 550 нс | 190 нс | 75 нс | 550 нс | 6 | 125 нс 50 нс | 3-фазный | Полумост | БТИЗ, Н-канальный МОП-транзистор | 200 мА 350 мА | 600В | 0,8 В 2,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MIC4428BM-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Инвертирующий, неинвертирующий | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 2 | 4,5 В~18 В | MIC4428 | 8-СОИК | 20 нс 29 нс | Независимый | Низкая сторона | N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 1,5 А 1,5 А | 0,8 В 2,4 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MIC5016YWM | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | Соответствует ROHS3 | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 2 | 2,75 В~30 В | MIC5016 | Независимый | Верхняя сторона или нижняя сторона | N-канальный МОП-транзистор | 0,8 В 2 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ADP3419JRM-катушка | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 1,1 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | /files/onsemiconductor-adp3419jrmreel-datasheets-4668.pdf | 10-ТФСОП, 10-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 3 мм | 10 | 2 | EAR99 | не_совместимо | 1 | ДА | 4,6 В~6 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 5В | 0,5 мм | ADP3419 | 10 | ДРУГОЙ | 100°С | НЕ УКАЗАН | Драйверы МОП-транзисторов | 5В | Не квалифицированный | С-ПДСО-G10 | ДА | синхронный | Полумост | 30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STSR3CD-TR | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 750 кГц | Неинвертирующий | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stsr3cdtr-datasheets-4672.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | Содержит свинец | 20 мА | 8 | 8 | 1 | EAR99 | Нет | 1 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 270мВт | 4В~5,5В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СЦР3 | 8 | КОММУТАЦИОННЫЙ КОНТРОЛЛЕР | 30 | 270мВт | 3,5 А | 160 мВ | 50 нс | 40 нс | 30 нс | 50 нс | 5В | 4В | 5,5 В | 40 нс 30 нс | Одинокий | Обратный ход | ШИРОТНО-ИМПУЛЬСНАЯ МОДУЛЯЦИЯ | Низкая сторона | N-канальный МОП-транзистор | 2А 3,5А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MIC4427CN | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 0°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/microchiptechnology-mic4428ymtr-datasheets-7573.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 2 | 4,5 В~18 В | MIC4427 | 8-ПДИП | 20 нс 29 нс | Независимый | Низкая сторона | N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 1,5 А 1,5 А | 0,8 В 2,4 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MIC4426CM | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Инвертирование | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 2 | 4,5 В~18 В | MIC4426 | 8-СОИК | 20 нс 29 нс | Независимый | Низкая сторона | N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 1,5 А 1,5 А | 0,8 В 2,4 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MIC4452BN | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | Не соответствует требованиям RoHS | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 1 | 4,5 В~18 В | MIC4452 | 8-ПДИП | 20 нс 24 нс | Одинокий | Низкая сторона | БТИЗ, Н-канальный МОП-транзистор | 12А 12А | 0,8 В 2,4 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ISL6614ACR | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~125°C ТДж | Трубка | 3 (168 часов) | Неинвертирующий | Не соответствует требованиям RoHS | /files/renesaselectronicsamericainc-isl6614acbz-datasheets-8536.pdf | 16-VQFN Открытая колодка | 4 | 10,8 В~13,2 В | ISL6614A | 26 нс 18 нс | синхронный | Полумост | N-канальный МОП-транзистор | 1,25 А 2 А | 36В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TC1428CUA713 | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Инвертирующий, неинвертирующий | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/microchiptechnology-tc1427coa713-datasheets-7663.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | Без свинца | 9мА | 8 | 8 | 2 | да | Нет | 2 | 13 мА | 470мВт | 4,5 В~16 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | TC1428 | ТС 16949 | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР МОП-транзистора | 35 нс | 25 нс | 1,2А | 35 нс 25 нс | НЕТ | Независимый | Низкая сторона | N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 1,2 А 1,2 А | 0,8 В 3 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MIC4423CN | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 0°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Инвертирование | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/microchiptechnology-mic4424ymtr-datasheets-8098.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 2 | 4,5 В~18 В | MIC4423 | 8-ПДИП | 28нс 32нс | Независимый | Низкая сторона | N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 3А 3А | 0,8 В 2,4 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MIC4421BM | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Инвертирование | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/microchiptechnology-mic4421ymtr-datasheets-4877.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 1 | 4,5 В~18 В | MIC4421 | 8-СОИК | 20 нс 24 нс | Одинокий | Низкая сторона | БТИЗ, Н-канальный МОП-транзистор | 9А 9А | 0,8 В 2,4 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MIC4417BM4 ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | IttyBitty® | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Инвертирование | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/microchiptechnology-mic4417ym4tr-datasheets-2293.pdf | ТО-253-4, ТО-253АА | 1 | 4,5 В~18 В | MIC4417 | СОТ-143 | 14 нс 16 нс | Одинокий | Низкая сторона | N-канальный МОП-транзистор | 1,2 А 1,2 А | 0,8 В 2,4 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MIC4416BM4 ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | IttyBitty® | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/microchiptechnology-mic4417ym4tr-datasheets-2293.pdf | ТО-253-4, ТО-253АА | 1 | 4,5 В~18 В | MIC4416 | СОТ-143 | 14 нс 16 нс | Одинокий | Низкая сторона | N-канальный МОП-транзистор | 1,2 А 1,2 А | 0,8 В 2,4 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MIC4452BM | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/microchiptechnology-mic4451yn-datasheets-0685.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 1 | 4,5 В~18 В | MIC4452 | 8-СОИК | 20 нс 24 нс | Одинокий | Низкая сторона | БТИЗ, Н-канальный МОП-транзистор | 12А 12А | 0,8 В 2,4 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MIC5013BM | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/microchiptechnology-mic5013ymtr-datasheets-8521.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 1 | 7В~32В | MIC5013 | 8-СОИК | Одинокий | Верхняя сторона или нижняя сторона | N-канальный МОП-транзистор | 2В 4,5В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MIC4429CN | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 0°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Инвертирование | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/microchiptechnology-mic4420ymm-datasheets-0228.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 1 | 4,5 В~18 В | MIC4429 | 8-ПДИП | 12 нс 13 нс | Одинокий | Низкая сторона | N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 6А 6А | 0,8 В 2,4 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| E-L6571BD013TR | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Входная цепь RC | 1,75 мм | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-l6571bd-datasheets-8610.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | Без свинца | 25 мА | 8 | 8 | 2 | EAR99 | ПЛАВАЮЩИЙ ПРИВОД НАГРУЗКИ; ЦЕПЬ БЛОКИРОВКИ ПОНИЖЕННОГО НАПРЯЖЕНИЯ | 1 | 10 мА | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 10 В~16,6 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 12 В | L6571 | 8 | НЕ УКАЗАН | Не квалифицированный | 275 мА | 0,275А | ДА | синхронный | Полумост | БТИЗ, Н-канальный МОП-транзистор | 170 мА 270 мА | 600В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MIC4427BN | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/microchiptechnology-mic4428ymtr-datasheets-7573.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 2 | 4,5 В~18 В | MIC4427 | 8-ПДИП | 20 нс 29 нс | Независимый | Низкая сторона | N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 1,5 А 1,5 А | 0,8 В 2,4 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MIC5014BM | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | /files/microchiptechnology-mic5015yn-datasheets-8557.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 1 | 2,75 В~30 В | MIC5014 | 8-СОИК | Одинокий | Верхняя сторона или нижняя сторона | N-канальный МОП-транзистор | 0,8 В 2 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MIC4427CM | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/microchiptechnology-mic4428ymtr-datasheets-7573.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 2 | 4,5 В~18 В | MIC4427 | 8-СОИК | 20 нс 29 нс | Независимый | Низкая сторона | N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 1,5 А 1,5 А | 0,8 В 2,4 В |
