| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Рабочий ток питания | Тип входа | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Количество водителей | Код Pbfree | ECCN-код | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Подкатегория | Источники питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Максимальный выходной ток | Максимальное выходное напряжение | Тип микросхемы интерфейса | Выходное напряжение | Выходной ток | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Задержка распространения | Количество выходов | Время выпуска | Сегодняшний день | Ограничение пикового выходного тока. | Встроенная защита | Время включения | Время выключения | Время подъема/спада (типичное) | Драйвер верхней стороны | Тип канала | Управляемая конфигурация | Тип ворот | Ток — пиковый выход (источник, приемник) | Напряжение на стороне повышенного напряжения — максимальное (начальная загрузка) | Логическое напряжение – ВИЛ, VIH |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| МАКС5062БАСА-Т | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | БИКМОС | Инвертирующий, Неинвертирующий | 1,75 мм | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/maximintegrated-max5858aecmd-datasheets-5095.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | 8 | 2 | нет | EAR99 | не_совместимо | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | 8 В~12,6 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 245 | 12 В | МАКС5062 | 8 | НЕ УКАЗАН | Драйверы МОП-транзисторов | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г8 | 2А | 0,063 мкс | 0,063 мкс | 65нс 65нс | ДА | Независимый | Полумост | N-канальный МОП-транзистор | 2А 2А | 125 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MAX5056AASA-T | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Неинвертирующий | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/maximintegrated-max5054batat-datasheets-9512.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) Открытая площадка | 3,9 мм | Без свинца | 4мА | 8 | 8 | 2 | нет | EAR99 | Нет | 2 | 2,4 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1538 Вт | 4В~15В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 4,5 В | MAX5056 | 8 | Драйверы МОП-транзисторов | 4/15 В | 4А | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР МОП-транзистора | 35 нс | 85нс | 75 нс | 35 нс | 4А | 0,07 мкс | 0,07 мкс | 32 нс 26 нс | НЕТ | Независимый | Низкая сторона | N-канальный МОП-транзистор | 4А 4А | 0,8 В 2,1 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| LM5107MAX | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | 1,75 мм | Не соответствует требованиям RoHS | /files/texasinstruments-lm5107ma-datasheets-5566.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | Содержит свинец | 3,4 мА | 8 | 8 | 2 | нет | EAR99 | Нет | 1 | 3,4 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 8В~14В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 235 | 12 В | LM5107 | 8 | Драйверы МОП-транзисторов | 1,4 А | 1,4 А | 15 нс | 15 нс | 15 нс | 15 нс | 56 нс | 1,3А | 0,056 мкс | 0,056 мкс | 15 нс 15 нс | ДА | Независимый | Полумост | N-канальный МОП-транзистор | 1,3 А 1,4 А | 118В | 0,8 В 2,2 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| МАКС5054БАТА-Т | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Инвертирующий, Неинвертирующий | 0,8 мм | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/maximintegrated-max5858aecmd-datasheets-5095.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 3 мм | 3 мм | 8 | 2 | нет | EAR99 | не_совместимо | 2 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | 4В~15В | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 245 | 4,5 В | 0,65 мм | MAX5054 | 8 | НЕ УКАЗАН | Драйверы МОП-транзисторов | 4/15 В | Не квалифицированный | S-XDSO-N8 | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР МОП-транзистора | 4А | 0,07 мкс | 0,07 мкс | 32 нс 26 нс | НЕТ | Независимый | Низкая сторона | N-канальный МОП-транзистор | 4А 4А | 0,8 В 2,1 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MAX5048BATT-T | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | БИКМОС | Инвертирующий, Неинвертирующий | 0,8 мм | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/maximintegrated-max5858aecmd-datasheets-5095.pdf | 6-WDFN Открытая площадка | 3 мм | 3 мм | 6 | 1 | нет | EAR99 | не_совместимо | 1 | е0 | ДА | 4 В~12,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 245 | 12 В | 0,95 мм | МАКС5048 | 6 | НЕ УКАЗАН | Драйверы МОП-транзисторов | Не квалифицированный | S-XDSO-N6 | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР МОП-транзистора | 7,6А | 0,027 мкс | 0,027 мкс | 82 нс 12,5 нс | ДА | Одинокий | Низкая сторона | N-канальный МОП-транзистор | 1,3 А 7,6 А | 0,8 В 2,4 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MAX5054AATA-T | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Инвертирующий, Неинвертирующий | 0,8 мм | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/maximintegrated-max5858aecmd-datasheets-5095.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 3 мм | 3 мм | 8 | 2 | нет | EAR99 | не_совместимо | 2 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | 4В~15В | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 245 | 4,5 В | 0,65 мм | MAX5054 | 8 | НЕ УКАЗАН | Драйверы МОП-транзисторов | 4/15 В | Не квалифицированный | S-XDSO-N8 | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР МОП-транзистора | 4А | 0,07 мкс | 0,07 мкс | 32 нс 26 нс | НЕТ | Независимый | Низкая сторона | N-канальный МОП-транзистор | 4А 4А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MAX5057BASA | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Инвертирующий, Неинвертирующий | 1,75 мм | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/maximintegrated-max5858aecmd-datasheets-5095.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | 8 | 2 | нет | EAR99 | не_совместимо | 2 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | 4В~15В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 245 | 4,5 В | MAX5057 | 8 | НЕ УКАЗАН | Драйверы МОП-транзисторов | 4/15 В | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г8 | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР МОП-транзистора | 4А | 0,07 мкс | 0,07 мкс | 32 нс 26 нс | НЕТ | Независимый | Низкая сторона | N-канальный МОП-транзистор | 4А 4А | 0,8 В 2,1 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MAQ4125YME-ТРВАО | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | -40°С~125°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 2 (1 год) | Инвертирующий, Неинвертирующий | Соответствует ROHS3 | /files/microchiptechnology-maq4124ymevao-datasheets-5604.pdf | 2 | 4,5 В~20 В | MAQ4125 | 11нс 11нс | Независимый | Низкая сторона | IGBT, N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 3А 3А | 0,8 В 2,4 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCP1416T-E/MC | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | Неинвертирующий | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/microchiptechnology-mcp1416rteot-datasheets-3052.pdf | 8-ВФДФН Открытая площадка | 1 | 4,5 В~18 В | MCP1416 | 8-ДФН (2х3) | 1,5 А | 20 нс 20 нс | Одинокий | Низкая сторона | IGBT, N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 1,5 А 1,5 А | 0,8 В 2,4 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ISL6605CBZR5168 | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~125°C ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamericainc-isl6605crztk-datasheets-5003.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 2 | 4,5 В~5,5 В | ISL6605 | 8нс 8нс | синхронный | Полумост | N-канальный МОП-транзистор | 2А 2А | 33В | 1В 2В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCP14E4-E/SL | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/microchiptechnology-mcp14e4esn-datasheets-8483.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 12 недель | 16 | 2 | 4,5 В~18 В | МСР14Е4 | 4,5 А | 15 нс 18 нс | Независимый | Низкая сторона | IGBT, N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 4А 4А | 0,8 В 2,4 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CHL8550CRT | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/infineontechnologies-chl8550crt-datasheets-1986.pdf | 10-ВФДФН Открытая площадка | 20 недель | 10 | 2 | EAR99 | 4,5 В~5,5 В | НЕ УКАЗАН | CHL8550CRT | НЕ УКАЗАН | 2А | 10 нс 8 нс | синхронный | Полумост | N-канальный МОП-транзистор | 2А 2А | 35В | 0,8 В 1 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRS2112PBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Неинвертирующий | Соответствует ROHS3 | 1996 год | /files/infineontechnologies-irs2112spbf-datasheets-9846.pdf | 14-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 20,19 мм | 5,33 мм | 7,11 мм | Без свинца | 180 мкА | 14 | 12 недель | Нет СВХК | 14 | 2 | EAR99 | Нет | 1 | 80 мкА | 1,6 Вт | 10 В~20 В | ДВОЙНОЙ | 15 В | IRS2112PBF | 1,6 Вт | Драйверы МОП-транзисторов | 15 В | 600мА | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 620В | 290 мА | 135 нс | 130 нс | 65 нс | 130 нс | 180 нс | 105 нс | ПЕРЕХОДНЫЙ; ПОД НАПРЯЖЕНИЕМ | 0,18 мкс | 0,16 мкс | 75 нс 35 нс | Независимый | Полумост | БТИЗ, Н-канальный МОП-транзистор | 290 мА 600 мА | 600В | 6 В 9,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| MAX5048AAUT-T | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | БИКМОС | Инвертирующий, Неинвертирующий | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/maximintegrated-max5858aecmd-datasheets-5095.pdf | СОТ-23-6 | 2,9 мм | 6 | 1 | нет | EAR99 | не_совместимо | 1 | е0 | ДА | 4 В~12,6 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 245 | 12 В | 0,95 мм | МАКС5048 | 6 | НЕ УКАЗАН | Драйверы МОП-транзисторов | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г6 | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР МОП-транзистора | 7,6А | 0,027 мкс | 0,027 мкс | 82 нс 12,5 нс | ДА | Одинокий | Низкая сторона | N-канальный МОП-транзистор | 1,3 А 7,6 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ISL78420ARTBZ | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 3 (168 часов) | Неинвертирующий | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamericainc-isl78420artbz-datasheets-1905.pdf | 9-WDFN Открытая площадка | 2 | 8В~14В | ISL78420A | 10 нс 10 нс | синхронный | Полумост | N-канальный МОП-транзистор | 2А 2А | 114В | 1,8 В 4 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BM6103FV-CE2 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Инвертирующий, Неинвертирующий | Соответствует ROHS3 | 2012 год | 20-LSSOP (ширина 0,240, 6,10 мм) | Без свинца | 20 | 20 | 1 | EAR99 | Нет | ДА | 4,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 0,635 мм | БМ6103 | Драйверы периферийных устройств | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР IGBT/MOSFET | 50 нс 50 нс | Низкая сторона | IGBT, N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТС4422ВМФ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Неинвертирующий | 0,95 мм | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/microchiptechnology-tc4421epa-datasheets-0856.pdf | 8-ВДФН Открытая площадка | 6 мм | 5 мм | Без свинца | 1,5 мА | 8 | 10 недель | 8 | 1 | да | EAR99 | Нет | 1 | 1,5 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | 4,5 В~18 В | КВАД | 260 | TC4422 | 8 | 40 | Драйверы МОП-транзисторов | 9А | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР МОП-транзистора | 60 нс | 75нс | 75 нс | 60 нс | 9А | 60 нс 60 нс | ДА | Одинокий | Низкая сторона | IGBT, N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 9А 9А | 0,8 В 2,4 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| MAX4429ESA-T | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Инвертирование | Соответствует ROHS3 | /files/maximintegrated-max5858aecmd-datasheets-5095.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | 8 | 1 | нет | EAR99 | не_совместимо | 1 | е0 | ДА | 4,5 В~18 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 18В | МАКС4429 | 8 | 20 | Драйверы МОП-транзисторов | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г8 | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР МОП-транзистора | 6А | 25 нс 25 нс | НЕТ | Одинокий | Низкая сторона | N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 6А 6А | 0,8 В 2,4 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LM5112MYX | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | БИКМОС | Инвертирующий, Неинвертирующий | Не соответствует требованиям RoHS | /files/texasinstruments-lm5112myx-datasheets-1855.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) Открытая колодка | 3 мм | 3 мм | Содержит свинец | 2мА | 8 | 8 | 1 | нет | EAR99 | Нет | 1 | 2мА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 3,5 В~14 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 12 В | 0,65 мм | LM5112 | 8 | Драйверы МОП-транзисторов | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР МОП-транзистора | 7А | 14нс | 12 нс | 7А | 0,04 мкс | 0,04 мкс | 14 нс 12 нс | НЕТ | Одинокий | Низкая сторона | N-канальный МОП-транзистор | 3А 7А | 0,8 В 2,3 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MAX5048BAUT-T | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | БИКМОС | 1,5 мА | Инвертирующий, Неинвертирующий | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/maximintegrated-max5048battt-datasheets-8590.pdf | СОТ-23-6 | 2,9 мм | 6 | 36,003894мг | Неизвестный | 6 | 1 | нет | EAR99 | Нет | 1 | 1,5 мА | е0 | 727 МВт | 4 В~12,6 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 245 | 12 В | 0,95 мм | МАКС5048 | 6 | Драйверы МОП-транзисторов | 7,6А | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР МОП-транзистора | 82нс | 12,5 нс | 7,6А | 0,027 мкс | 0,027 мкс | 82 нс 12,5 нс | ДА | Одинокий | Низкая сторона | N-канальный МОП-транзистор | 1,3 А 7,6 А | 0,8 В 2,4 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCP14E4T-E/SL | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/microchiptechnology-mcp14e4esn-datasheets-8483.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 12 недель | 2 | 4,5 В~18 В | МСР14Е4 | 4,5 А | 15 нс 18 нс | Независимый | Низкая сторона | IGBT, N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 4А 4А | 0,8 В 2,4 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MAX4420ESA-T | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Неинвертирующий | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/maximintegrated-max5858aecmd-datasheets-5095.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | 8 | 1 | нет | EAR99 | не_совместимо | 1 | е0 | ДА | 4,5 В~18 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 18В | МАКС4420 | 8 | 20 | Драйверы МОП-транзисторов | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г8 | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР МОП-транзистора | 6А | 25 нс 25 нс | НЕТ | Одинокий | Низкая сторона | N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 6А 6А | 0,8 В 2,4 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЛМ5106ММ | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | Неинвертирующий | Не соответствует требованиям RoHS | 10-ТФСОП, 10-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 860 мкм | 3 мм | Содержит свинец | 10 | Нет СВХК | 10 | EAR99 | не_совместимо | 1 | 2,1 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 8В~14В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 12 В | 0,5 мм | LM5106 | 10 | НЕ УКАЗАН | Драйверы МОП-транзисторов | Не квалифицированный | 1,8 А | 100В | 18,3 В | 1,8 А | 690 нс | 15 нс | 10 нс | 690 нс | 2 | 340 мкА | 1,8 А | 0,69 мкс | 0,056 мкс | 15 нс 10 нс | ДА | синхронный | Полумост | N-канальный МОП-транзистор | 1,2 А 1,8 А | 118В | 0,8 В 2,2 В | |||||||||||||||||||||||||||
| MCP14E5T-E/SL | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Инвертирующий, Неинвертирующий | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/microchiptechnology-mcp14e4esn-datasheets-8483.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 12 недель | 2 | 4,5 В~18 В | МСР14Е5 | 4,5 А | 15 нс 18 нс | Независимый | Низкая сторона | IGBT, N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 4А 4А | 0,8 В 2,4 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCP1405T-E/SN | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Инвертирующий, Неинвертирующий | 1,75 мм | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/microchiptechnology-mcp1404esn-datasheets-8628.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | 2мА | 8 | 6 недель | 8 | 2 | да | EAR99 | Нет | 1 | 2мА | е3 | Матовый олово (Sn) | 4,5 В~18 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | МСР1405 | 8 | 40 | Драйверы МОП-транзисторов | 4,5 А | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР МОП-транзистора | 48 нс | 28нс | 28 нс | 48 нс | 4,5 А | 0,065 мкс | 0,065 мкс | 15 нс 18 нс | НЕТ | Независимый | Низкая сторона | IGBT, N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 4,5 А 4,5 А | 0,8 В 2,4 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| CHL8515CRT | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/infineontechnologies-chl8515crt-datasheets-1944.pdf | 10-ВФДФН Открытая площадка | 20 недель | 10 | 2 | EAR99 | Нет | 4,5 В~5,5 В | CHL8515CRT | 2А | 10 нс 8 нс | синхронный | Полумост | N-канальный МОП-транзистор | 2А 2А | 35В | 0,8 В 1 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCP14E6T-E/МФ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Инвертирование | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/microchiptechnology-mcp14e6esn-datasheets-1826.pdf | 8-ВДФН Открытая площадка | 6 мм | 5 мм | Без свинца | 1,8 мА | 8 | 16 недель | 2 | EAR99 | 1 | 1,8 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДА | 4,5 В~18 В | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 12 В | МСР14Е6 | 8 | 40 | Драйверы МОП-транзисторов | 4,5/18 В | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Н8 | 2А | ПОЛУМОСТОВОЙ ДРАЙВЕР МОП-транзистора | 2А | 12нс | 15 нс | 2А | 0,035 мкс | 0,04 мкс | 12 нс 15 нс | ДА | Независимый | Низкая сторона | IGBT, N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 2А 2А | 0,8 В 2,4 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ISL78420АРТАЗ | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 3 (168 часов) | Неинвертирующий | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamericainc-isl78420artbz-datasheets-1905.pdf | 10-WDFN Открытая площадка | 2 | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | 8В~14В | НЕ УКАЗАН | ISL78420A | НЕ УКАЗАН | 10 нс 10 нс | синхронный | Полумост | N-канальный МОП-транзистор | 2А 2А | 114В | 1,8 В 4 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RT9624AZQWA | Ричтек США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 3 (168 часов) | 125°С | -40°С | Инвертирующий, Неинвертирующий | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/richtekusainc-rt9624azs-datasheets-9641.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 2 | 4,5 В~13,2 В | 8-ВДФН (3х3) | 25 нс 12 нс | синхронный | Полумост | N-канальный МОП-транзистор | 15 В | 0,7 В 3,2 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ISL6605CRZR5168 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~125°C ТДж | Трубка | 3 (168 часов) | Неинвертирующий | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamericainc-isl6605crztk-datasheets-5003.pdf | 8-VQFN Открытая площадка | 2 | 4,5 В~5,5 В | ISL6605 | 8нс 8нс | синхронный | Полумост | N-канальный МОП-транзистор | 2А 2А | 33В | 1В 2В |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.