Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактИС драйверов ворот(7655)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Тип входа | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Масса | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Количество водителей | Код Pbfree | ECCN-код | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Максимальный выходной ток | Тип интерфейса микросхемы | Выходной ток | Время подъема | Осень (тип.) | Задержка распространения | Количество выходов | Ограничение пикового выходного тока. | Время включения | Время выключения | Время подъема/спада (типичное) | Драйвер верхней стороны | Тип канала | Управляемая перемена | Тип ворот | Ток — пиковый выход (источник, приемник) | Напряжение на стороне повышенного напряжения — максимальное (начальная загрузка) | Логическое напряжение – ВИЛ, VIH |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IXDI504D1 | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Инвертирование | 0,9 мм | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/ixys-ixdn504d1tr-datasheets-4609.pdf | 6-ВДФН Открытая площадка | 5 мм | 3,99 мм | 6 | 6 | 2 | EAR99 | 2 | 10 мА | 4,5 В~30 В | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 18В | 1 мм | IXD*504 | 6 | НЕ УКАЗАН | Драйверы МОП-транзисторов | 4,5/30 В | Не квалифицирован | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР MOSFET | 16 нс | 14 нс | 4А | 0,05 мкс | 9нс 8нс | НЕТ | Независимый | Низкая сторона | IGBT, N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 4А 4А | 0,8 В 3 В | ||||||||||||||||||||||||
| IXDN504D1 | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | КМОП | Неинвертирующий | 0,9 мм | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/ixys-ixdn504d1tr-datasheets-4609.pdf | 6-ВДФН Открытая площадка | 5 мм | 3,99 мм | 6 | 6 | 2 | EAR99 | 2 | 10 мА | 4,5 В~30 В | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 18В | 1 мм | IXD*504 | 6 | НЕ УКАЗАН | Драйверы МОП-транзисторов | 4,5/30 В | Не квалифицирован | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР MOSFET | 16 нс | 14 нс | 4А | 0,05 мкс | 9нс 8нс | НЕТ | Независимый | Низкая сторона | IGBT, N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 4А 4А | 0,8 В 3 В | ||||||||||||||||||||||||
| IXDI514SIAT/Р | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Инвертирование | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/ixys-ixdi514sia-datasheets-6465.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | 18В | 8 | 449,991981мг | 8 | 1 | EAR99 | 1 | 3мА | 4,5 В~30 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 18В | IXD*514 | 8 | НЕ УКАЗАН | Не квалифицирован | 14А | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР MOSFET | 40 нс | 50 нс | 50 нс | 14А | 25 нс 22 нс | НЕТ | Одинокий | Низкая сторона | IGBT, N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 14А 14А | 1 В 2,5 В | |||||||||||||||||||||||||
| IXDI504D1T/Р | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Инвертирование | 0,9 мм | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/ixys-ixdn504d1tr-datasheets-4609.pdf | 6-ВДФН Открытая площадка | 5 мм | 3,99 мм | 6 | 2 | EAR99 | 2 | 10 мА | ДА | 4,5 В~30 В | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 18В | 1 мм | IXD*504 | 6 | НЕ УКАЗАН | Драйверы МОП-транзисторов | 4,5/30 В | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Н6 | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР MOSFET | 16 нс | 14 нс | 4А | 0,06 мкс | 0,05 мкс | 9нс 8нс | НЕТ | Независимый | Низкая сторона | IGBT, N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 4А 4А | 0,8 В 3 В | |||||||||||||||||||||||
| IXDI509PI | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Инвертирование | 4,57 мм | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/ixys-ixdn509d1tr-datasheets-4612.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 9,59 мм | 7,62 мм | 8 | 599,989307мг | 1 | EAR99 | 1 | 75 мА | 4,5 В~30 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 18В | 2,54 мм | IXD*509 | 8 | НЕ УКАЗАН | Драйверы МОП-транзисторов | 4,5/30 В | Не квалифицирован | Р-ПДИП-Т8 | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР MOSFET | 45нс | 40 нс | 9А | 0,055 мкс | 0,04 мкс | 25 нс 23 нс | НЕТ | Одинокий | Низкая сторона | IGBT, N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 9А 9А | 0,8 В 2,4 В | |||||||||||||||||||||||
| IXDN504PI | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Неинвертирующий | 4,57 мм | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/ixys-ixdn504d1tr-datasheets-4609.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 9,59 мм | 8 | 599,989307мг | 2 | EAR99 | 2 | 10 мА | 4,5 В~30 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 18В | IXD*504 | 8 | НЕ УКАЗАН | Драйверы МОП-транзисторов | 4,5/30 В | Не квалифицирован | Р-ПДИП-Т8 | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР MOSFET | 16 нс | 14 нс | 4А | 0,06 мкс | 0,05 мкс | 9нс 8нс | НЕТ | Независимый | Низкая сторона | IGBT, N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 4А 4А | 0,8 В 3 В | |||||||||||||||||||||||||
| IXDN414PI | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | 4,57 мм | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/ixys-ixdn414si-datasheets-5889.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 9,59 мм | 7,62 мм | 35В | Без свинца | 8 | 599,989307мг | 8 | 1 | EAR99 | 1 | 3мА | е3 | Матовый олово (Sn) | 833 МВт | 4,5 В~35 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 18В | 2,54 мм | IXD*414 | 8 | 35 | Не квалифицирован | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 14А | 27нс | 25 нс | 14А | 0,033 мкс | 0,034 мкс | 22 нс 20 нс | Одинокий | Низкая сторона | IGBT, N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 14А 14А | 0,8 В 3,5 В | |||||||||||||||||||||
| IXDN414CI | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/ixys-ixdn414si-datasheets-5889.pdf | ТО-220-5 | 35В | 5 | 2,299997г | 1 | EAR99 | 1 | 3мА | е3 | Матовый олово (Sn) | 2 Вт | 4,5 В~35 В | 260 | 18В | IXD*414 | 3 | 35 | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т5 | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 14А | 27нс | 25 нс | 14А | 0,033 мкс | 0,034 мкс | 22 нс 20 нс | Одинокий | Низкая сторона | IGBT, N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 14А 14А | 0,8 В 3,5 В | |||||||||||||||||||||||||||
| IXDN509PI | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Неинвертирующий | 4,57 мм | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/ixys-ixdn509d1tr-datasheets-4612.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 9,59 мм | 7,62 мм | 8 | 599,989307мг | 1 | EAR99 | 1 | 75 мА | 4,5 В~30 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 18В | 2,54 мм | IXD*509 | 8 | НЕ УКАЗАН | Драйверы МОП-транзисторов | 4,5/30 В | Не квалифицирован | Р-ПДИП-Т8 | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР MOSFET | 45нс | 40 нс | 9А | 0,055 мкс | 0,04 мкс | 25 нс 23 нс | НЕТ | Одинокий | Низкая сторона | IGBT, N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 9А 9А | 0,8 В 2,4 В | |||||||||||||||||||||||
| IXDI514PI | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Инвертирование | 4,57 мм | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/ixys-ixdi514sia-datasheets-6465.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 9,59 мм | 7,62 мм | 18В | 8 | 599,989307мг | 1 | EAR99 | 1 | 3мА | 4,5 В~30 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 18В | 2,54 мм | IXD*514 | 8 | НЕ УКАЗАН | Не квалифицирован | Р-ПДИП-Т8 | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР MOSFET | 40 нс | 50 нс | 14А | 25 нс 22 нс | НЕТ | Одинокий | Низкая сторона | IGBT, N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 14А 14А | 1 В 2,5 В | ||||||||||||||||||||||||||
| IXDN409SIA | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/ixys-ixdi409sia-datasheets-4568.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 449,991981мг | 1 | 3мА | 4,5 В~35 В | IXD*409 | 9А | 15 нс | 15 нс | 10 нс 10 нс | Одинокий | Низкая сторона | IGBT, N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 9А 9А | 0,8 В 3,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXDI430YI | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Инвертирование | 4,8 мм | Соответствует RoHS | 2005 г. | /files/ixys-ixdn430myi-datasheets-4649.pdf | ТО-263-6, Д2Пак (5 отведений + вкладка), ТО-263БА | 9,975 мм | Без свинца | 5 | 1,59999 г | 1 | EAR99 | 1 | 3мА | 2 Вт | 8,5 В~35 В | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 18В | IXD*430 | 4 | НЕ УКАЗАН | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г5 | 30А | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР IGBT/MOSFET | 30А | 20нс | 18 нс | 30А | 0,045 мкс | 0,039 мкс | 18нс 16нс | ДА | Одинокий | Низкая сторона | IGBT, N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 30А 30А | 0,8 В 3,5 В | ||||||||||||||||||||||||
| IXDN514D1T/Р | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Неинвертирующий | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/ixys-ixdi514sia-datasheets-6465.pdf | 6-ВДФН Открытая площадка | 5 мм | 4 мм | 18В | 6 | 6 | 1 | EAR99 | 1 | 3мА | 4,5 В~30 В | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 18В | IXD*514 | 6 | НЕ УКАЗАН | Не квалифицирован | 14А | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР MOSFET | 40 нс | 50 нс | 50 нс | 14А | 25 нс 22 нс | НЕТ | Одинокий | Низкая сторона | IGBT, N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 14А 14А | 1 В 2,5 В | ||||||||||||||||||||||||||
| IXDI509D1T/Р | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Инвертирование | 0,95 мм | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/ixys-ixdn509d1tr-datasheets-4612.pdf | 6-ВДФН Открытая площадка | 5 мм | 3,99 мм | 6 | 6 | 1 | EAR99 | 1 | 75 мА | 4,5 В~30 В | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 18В | IXD*509 | 6 | НЕ УКАЗАН | Драйверы МОП-транзисторов | 4,5/30 В | Не квалифицирован | 9А | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР MOSFET | 45нс | 40 нс | 35 нс | 9А | 0,055 мкс | 0,04 мкс | 25 нс 23 нс | НЕТ | Одинокий | Низкая сторона | IGBT, N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 9А 9А | 0,8 В 2,4 В | ||||||||||||||||||||||
| IXDD504PI | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Неинвертирующий | 4,57 мм | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/ixys-ixde504d2tr-datasheets-6374.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 9,59 мм | 8 | 599,989307мг | 2 | EAR99 | 2 | 20 мА | 4,5 В~30 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 18В | IXD*504 | 8 | НЕ УКАЗАН | Драйверы МОП-транзисторов | 4,5/30 В | Не квалифицирован | Р-ПДИП-Т8 | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР MOSFET | 16 нс | 14 нс | 4А | 0,6 мкс | 0,59 мкс | 9нс 8нс | НЕТ | Независимый | Низкая сторона | IGBT, N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 4А 4А | 0,8 В 3 В | |||||||||||||||||||||||||
| IXDI404SIA | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Инвертирование | 1,75 мм | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/ixys-ixdi404si-datasheets-4120.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | Без свинца | 8 | 449,991981мг | 8 | 2 | EAR99 | 2 | 3мА | е3 | Матовый олово (Sn) | 4,5 В~35 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 18В | IXD*404 | 8 | 35 | Не квалифицирован | 4А | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 4А | 18нс | 17 нс | 4А | 0,06 мкс | 0,059 мкс | 16 нс 13 нс | Независимый | Низкая сторона | IGBT, N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 4А 4А | 0,8 В 2,5 В | |||||||||||||||||||||
| MAX5077AUD+T | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | БИКМОС | Входная цепь RC | 1,1 мм | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/maximintegrated-max5077aud-datasheets-7904.pdf | 14-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) Открытая колодка | 5 мм | 4,4 мм | Без свинца | 14 | 14 | 2 | да | EAR99 | Нет | 1 | 1 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | 1667 Вт | 4,5 В~15 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 12 В | 0,65 мм | MAX5077 | 14 | Драйверы МОП-транзисторов | 4,5/15 В | ПОЛУМОСТОВОЙ ДРАЙВЕР МОП-транзистор | 10 нс | 10 нс | 5А | 10 нс 10 нс | НЕТ | синхронный | Низкая сторона | N-канальный МОП-транзистор | 3А 3А | ||||||||||||||||||||||
| IX2A11S1T/Р | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 449,991981мг | 8 | IX2*11 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXDI430MCI | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Инвертирование | Соответствует RoHS | 2005 г. | /files/ixys-ixdn430myi-datasheets-4649.pdf | ТО-220-5 | Без свинца | 5 | 2,299997г | 1 | EAR99 | 1 | 3мА | е3 | Матовый олово (Sn) | 2 Вт | 8,5 В~35 В | 260 | 18В | IXD*430 | 3 | 35 | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т5 | 30А | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР IGBT/MOSFET | 30А | 20нс | 18 нс | 30А | 0,045 мкс | 0,039 мкс | 18нс 16нс | ДА | Одинокий | Низкая сторона | IGBT, N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 30А 30А | 0,8 В 3,5 В | |||||||||||||||||||||||||
| IX6R11S6T/Р | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 125°С | -40°С | Неинвертирующий | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/ixys-ix6r11s3-datasheets-4664.pdf | 18-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 449,991981мг | 10 В | 2 | 1,25 Вт | 10 В~35 В | IX6*11 | 18-СОИК | 35 нс | 25 нс | 2 | 25 нс 17 нс | Независимый | Полумост | БТИЗ, Н-канальный МОП-транзистор | 6А 6А | 600В | 6В 9,6В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXDI509SIA | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Инвертирование | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/ixys-ixdn509d1tr-datasheets-4612.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | Без свинца | 8 | 449,991981мг | 1 | EAR99 | неизвестный | 1 | 75 мА | 4,5 В~30 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 18В | IXD*509 | 8 | НЕ УКАЗАН | Драйверы МОП-транзисторов | 4,5/30 В | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г8 | 9А | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР MOSFET | 45нс | 40 нс | 9А | 0,055 мкс | 0,04 мкс | 25 нс 23 нс | НЕТ | Одинокий | Низкая сторона | IGBT, N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 9А 9А | 0,8 В 2,4 В | |||||||||||||||||||||
| IX2R11P7 | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Неинвертирующий | 4,57 мм | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/ixys-ix2r11m6-datasheets-6240.pdf | 14-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 19,18 мм | 14 | 2 | да | EAR99 | 1 | 10 В~35 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 15 В | IX2*11 | 14 | НЕ УКАЗАН | Драйверы МОП-транзисторов | 15 В | Не квалифицирован | Р-ПДИП-Т14 | 2А | 8нс 7нс | ДА | Независимый | Полумост | БТИЗ, Н-канальный МОП-транзистор | 2А 2А | 500В | 6В 9,6В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| IX2C11S1 | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | IX2*11 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXDI502D1 | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | КМОП | Инвертирование | 0,9 мм | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/ixys-ixdi502d1tr-datasheets-5861.pdf | 6-ВДФН Открытая площадка | 5 мм | 3,99 мм | 15 В | 6 | 6 | 2 | EAR99 | 2 | 3мА | 4,5 В~30 В | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 15 В | 1 мм | IXD*502 | 6 | НЕ УКАЗАН | Драйверы МОП-транзисторов | 4,5/30 В | Не квалифицирован | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР MOSFET | 10 нс | 9 нс | 2А | 0,04 мкс | 0,038 мкс | 7,5 нс 6,5 нс | НЕТ | Независимый | Низкая сторона | IGBT, N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 2А 2А | 0,8 В 3 В | ||||||||||||||||||||||
| IXDI514SIA | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Инвертирование | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/ixys-ixdi514sia-datasheets-6465.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | 18В | 8 | 449,991981мг | 1 | EAR99 | 1 | 3мА | 4,5 В~30 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 18В | IXD*514 | 8 | НЕ УКАЗАН | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г8 | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР MOSFET | 40 нс | 50 нс | 14А | 25 нс 22 нс | НЕТ | Одинокий | Низкая сторона | IGBT, N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 14А 14А | 1 В 2,5 В | |||||||||||||||||||||||||||
| IXDI430CI | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Инвертирование | Соответствует RoHS | 2005 г. | /files/ixys-ixdn430myi-datasheets-4649.pdf | ТО-220-5 | Без свинца | 5 | 2,299997г | 1 | EAR99 | 1 | 3мА | е3 | Матовый олово (Sn) | 2 Вт | 8,5 В~35 В | 260 | 18В | IXD*430 | 3 | 35 | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т5 | 30А | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР IGBT/MOSFET | 30А | 20нс | 18 нс | 30А | 0,045 мкс | 0,039 мкс | 18нс 16нс | ДА | Одинокий | Низкая сторона | IGBT, N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 30А 30А | 0,8 В 3,5 В | |||||||||||||||||||||||||
| IXDI414SI | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОС | Инвертирование | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/ixys-ixdn414si-datasheets-5889.pdf | 14-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8,65 мм | 3,9 мм | Без свинца | 14 | 449,991981мг | 1 | EAR99 | 1 | 3мА | 833 МВт | 4,5 В~35 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 18В | IXD*414 | 14 | НЕ УКАЗАН | Не квалифицирован | 14А | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 14А | 27нс | 25 нс | 14А | 0,033 мкс | 0,034 мкс | 22 нс 20 нс | Одинокий | Низкая сторона | IGBT, N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 14А 14А | 0,8 В 3,5 В | ||||||||||||||||||||||||
| IXDI430MYI | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Инвертирование | 4,8 мм | Соответствует RoHS | 2005 г. | /files/ixys-ixdn430myi-datasheets-4649.pdf | ТО-263-6, Д2Пак (5 отведений + вкладка), ТО-263БА | 9,975 мм | 35В | 5 | 1,59999 г | 1 | EAR99 | 1 | 3мА | 2 Вт | 8,5 В~35 В | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 18В | IXD*430 | 4 | НЕ УКАЗАН | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г5 | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР IGBT/MOSFET | 30А | 20нс | 18 нс | 30А | 0,045 мкс | 0,039 мкс | 18нс 16нс | ДА | Одинокий | Низкая сторона | IGBT, N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 30А 30А | 0,8 В 3,5 В | |||||||||||||||||||||||||
| IXDI514D1T/Р | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Инвертирование | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/ixys-ixdi514sia-datasheets-6465.pdf | 6-ВДФН Открытая площадка | 5 мм | 4 мм | 18В | 6 | 6 | 1 | EAR99 | 1 | 3мА | 4,5 В~30 В | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 18В | IXD*514 | 6 | НЕ УКАЗАН | Не квалифицирован | 14А | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР MOSFET | 40 нс | 50 нс | 50 нс | 14А | 25 нс 22 нс | НЕТ | Одинокий | Низкая сторона | IGBT, N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 14А 14А | 1 В 2,5 В | ||||||||||||||||||||||||||
| ISL6614AIRZ-T | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Неинвертирующий | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamericainc-isl6614acbz-datasheets-8536.pdf | 16-VQFN Открытая колодка | 4 | 10,8 В~13,2 В | ISL6614A | 26 нс 18 нс | синхронный | Полумост | N-канальный МОП-транзистор | 1,25 А 2 А | 36В |
