Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактПамять(55331)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Рабочий ток питания | Режим работы | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Макс. частота | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Напряжение | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Поставщик пакета оборудования | Уровень скрининга | Размер | Тип | Выходные характеристики | Время доступа | Программирование напряжения | Тактовая частота | Формат памяти | Интерфейс памяти | Организация | Ширина памяти | Время цикла записи — Word, Page | Плотность памяти | Параллельный/последовательный | Альтернативная ширина памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Тип постоянной поездки | Выносливость | Максимальное время записи цикла (tWC) | Время хранения данных-мин | Защита от записей | Байт управления I2C | Опрос данных | Размер страницы | Обратная распиновка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| АТ24С08С-МАХМ-Т | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | 0,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-at24c04csshmt-datasheets-9273.pdf | 8-УФДФН Открытая площадка | 3 мм | 2 мм | 8 | 12 недель | 8 | 2-проводной, I2C, последовательный | 8 КБ | да | Нет | 1 | 3мА | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 1,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 0,5 мм | AT24C08 | 5,5 В | 1,7 В | 40 | 8Кб 1К х 8 | Энергонезависимый | 550 нс | 1 МГц | ЭСППЗУ | I2C | 8 | 5 мс | 0,000001А | I2C | 1000000 циклов записи/стирания | 5 мс | 100 | АППАРАТНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | 1010ДММР | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CAT25640VI-GT3 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,75 мм | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-cat25640vigt3-datasheets-0113.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | 8 | 5 недель | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | ХРАНЕНИЕ ДАННЫХ 100 ЛЕТ | 1 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | ДА | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 1,27 мм | КАТ25640 | 8 | 5,5 В | 40 | 2/5 В | 0,003 мА | Не квалифицирован | 64Кб 8К х 8 | Энергонезависимый | 20 МГц | ЭСППЗУ | СПИ | 8 | 5 мс | 65536 бит | СЕРИАЛ | 0,000001А | СПИ | 1000000 циклов записи/стирания | 5 мс | 100 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| M24256-BRDW6TP | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/stmicroelectronics-m24256brmn6tp-datasheets-9527.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 3 мм | 1 мм | 4,4 мм | 5В | Без свинца | 8 | 13 недель | 8 | 2-проводной, I2C, последовательный | 256 КБ | АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | EAR99 | Золото | Нет | 1 | 2,5 мА | е4 | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 2,5 В | 0,65 мм | М24256 | 8 | 30 | 256Кб 32К х 8 | Энергонезависимый | 450 нс | 1 МГц | ЭСППЗУ | I2C | 5 мс | 0,000001А | I2C | 1000000 циклов записи/стирания | 5 мс | 40 | АППАРАТНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | 1010DDDR | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 24LC08BT-И/ОТ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-24lc08btiot-datasheets-9895.pdf | СК-74А, СОТ-753 | 3,1 мм | 1,3 мм | 1,8 мм | Без свинца | 5 | 7 недель | Нет СВХК | 5 | 2-проводной, I2C, последовательный | 8 КБ | да | Нет | 1 | 3мА | е3 | Матовый олово (Sn) | 2,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 24LC08B | 5 | 40 | 8Кб 256 х 8 х 4 | Энергонезависимый | 900 нс | 400 кГц | ЭСППЗУ | I2C | 5 мс | I2C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 24LC01B-I/СН | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 1999 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-24aa01tiot-datasheets-8611.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 1,25 мм | 3,9 мм | Без свинца | 8 | 1 неделя | Нет СВХК | 8 | 2-проводной, I2C, последовательный | 1 КБ | да | EAR99 | Олово | Нет | 1 | 3мА | е3 | 2,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 1,27 мм | 24LC01B | 8 | 5,5 В | 2,5 В | 40 | 3/5 В | 1Кб 128х8 | Энергонезависимый | 3500 нс | 400 кГц | ЭСППЗУ | I2C | 5 мс | 0,000005А | I2C | 1000000 циклов записи/стирания | 5 мс | 200 | АППАРАТНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | 1010XXXR | НЕТ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT24C04C-СШМ-Б | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 3 (168 часов) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-at24c04csshmt-datasheets-9273.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5,05 мм | 1,5 мм | 3,99 мм | Без свинца | 8 | 6 недель | Нет СВХК | 8 | 2-проводной, I2C, последовательный | 4 КБ | да | Олово | Нет | 1 | 3мА | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 1,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 1,27 мм | AT24C04 | 5,5 В | 1,7 В | 40 | 4Кб 512 х 8 | Энергонезависимый | 550 нс | 1 МГц | ЭСППЗУ | I2C | 5 мс | I2C | 5 мс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| М24256-БРМН6ТП | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 1,75 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/stmicroelectronics-m24256brmn6tp-datasheets-9527.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | 5В | Без свинца | 8 | 13 недель | 8 | 2-проводной, I2C, последовательный | 256 КБ | АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | EAR99 | Золото | Нет | 1 | 2,5 мА | е4 | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 2,5 В | 1,27 мм | М24256 | 8 | 30 | 256Кб 32К х 8 | Энергонезависимый | 450 нс | 1 МГц | ЭСППЗУ | I2C | 8 | 5 мс | 0,000001А | I2C | 1000000 циклов записи/стирания | 5 мс | 40 | АППАРАТНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | 1010DDDR | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 93LC46B/СН | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-93lc46btiot-datasheets-8698.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 1,5 мм | 3,9 мм | 2,5 В | Без свинца | 8 | 6 недель | Нет СВХК | 8 | Серийный | 1 КБ | да | EAR99 | 1000000 ЦИКЛОВ СТИРАНИЯ/ЗАПИСИ МИН; ХРАНЕНИЕ ДАННЫХ > 200 ЛЕТ | Олово | Нет | 1 | 2мА | е3 | 2,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 2,7 В | 1,27 мм | 93LC46B | 8 | 6В | 40 | 3/5 В | 1Кб 64х16 | Энергонезависимый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 200 нс | 2 МГц | ЭСППЗУ | СПИ | 64X16 | 6 мс | 0,000001А | МИКРОПРОВОД | 1000000 циклов записи/стирания | 6 мс | 200 | ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 93AA46AE48T-I/OT | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,45 мм | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-93aa46ae48tiot-datasheets-9637.pdf | СОТ-23-6 | 2,9 мм | 1,55 мм | 6 | 9 недель | 6 | Серийный | Олово | 1 | е3 | ДА | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 2,5 В | 0,95 мм | 93АА46А | 5,5 В | 1,8 В | 40 | 1Кб 128х8 | Энергонезависимый | 2 МГц | ЭСППЗУ | СПИ | 128X8 | 8 | 6 мс | 1024 бит | 3-ПРОВОДНОЙ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT24CS02-СТУМ-Т | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-at24cs01stumt-datasheets-9536.pdf | СОТ-23-5 Тонкий, ЦОТ-23-5 | Без свинца | 7 недель | 5 | 2-проводной, I2C, последовательный | 2 КБ | да | Нет | 3мА | 1,7 В~5,5 В | AT24CS02 | 2Кб 256 х 8 | Энергонезависимый | 550 нс | 1 МГц | ЭСППЗУ | I2C | 5 мс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| M93C86-WMN6TP | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/stmicroelectronics-m93c46wmn6tp-datasheets-8056.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 1,25 мм | 3,9 мм | 5В | Без свинца | 8 | 13 недель | 8 | Серийный | 16 КБ | АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | EAR99 | Золото | Нет | 1 | 2мА | е4 | 2,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 1,27 мм | M93C86 | 8 | 30 | 16Кб 2К х 8 1К х 16 | Энергонезависимый | 200 нс | 2 МГц | ЭСППЗУ | СПИ | 1КХ16 | 5 мс | 0,00001А | МИКРОПРОВОД | 1000000 циклов записи/стирания | 5 мс | 40 | ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 24LC02B-I/СН | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 1999 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-24aa02tiot-datasheets-8731.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 1,25 мм | 3,9 мм | 2,5 В | Без свинца | 8 | 6 недель | Нет СВХК | 8 | 2-проводной, I2C, последовательный | 2 КБ | да | EAR99 | 1000000 циклов СТИРАНИЯ/ЗАПИСИ, АППАРАТНАЯ ЗАЩИТА ЗАПИСИ, СОХРАНЕНИЕ ДАННЫХ > 200 ЛЕТ | Олово | Нет | 1 | 3мА | е3 | 2,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 1,27 мм | 24LC02B | 8 | 5,5 В | 40 | 3/5 В | 2Кб 256 х 8 | Энергонезависимый | ОТКРЫТЫЙ СТОК | 900 нс | 400 кГц | ЭСППЗУ | I2C | 5 мс | 0,000001А | I2C | 1000000 циклов записи/стирания | 5 мс | 200 | АППАРАТНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | 1010XXXR | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| M95320-WMN6TP | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/stmicroelectronics-m95320wmn6tp-datasheets-9500.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 1,25 мм | 3,9 мм | Без свинца | 8 | 13 недель | 8 | СПИ, серийный | 32 КБ | АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | EAR99 | 1 МИЛЛИОН ЦИКЛОВ СТИРАНИЯ/ЗАПИСИ; ХРАНЕНИЕ ДАННЫХ 40 ЛЕТ | Нет | 1 | 5мА | е4 | Никель/Палладий/Золото/Серебро (Ni/Pd/Au/Ag) | 2,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 1,27 мм | М95320 | 8 | 5,5 В | 2,5 В | 30 | 3/5 В | 32Кб 4К х 8 | Энергонезависимый | 40 нс | 2,7 В | 20 МГц | ЭСППЗУ | СПИ | 5 мс | 0,000002А | СПИ | 1000000 циклов записи/стирания | 5 мс | 40 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 93АА46БТ-И/ОТ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | КМОП | 1,45 мм | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-93lc46btiot-datasheets-8698.pdf | СОТ-23-6 | 2,95 мм | Без свинца | 6 | 2 недели | Нет СВХК | 6 | Серийный | 1 КБ | да | Нет | 1 | 2мА | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 2,5 В | 0,95 мм | 93АА46Б | 6 | 5,5 В | 1,8 В | 40 | 2/5 В | 1Кб 64х16 | Энергонезависимый | 250 нс | 2 МГц | ЭСППЗУ | СПИ | 128X8 | 8 | 6 мс | 8 | 0,000001А | МИКРОПРОВОД | 1000000 циклов записи/стирания | 200 | ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 24LC04BT-И/ОТ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | КМОП | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-24lc04btiot-datasheets-9724.pdf | СК-74А, СОТ-753 | 3,1 мм | 1,3 мм | 1,8 мм | Без свинца | 5 | 15 недель | Нет СВХК | 5 | I2C, последовательный | 4 КБ | да | EAR99 | Олово | Нет | 1 | 3мА | е3 | 2,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 24LC04B | 5 | 40 | 4Кб 256 х 8 х 2 | Энергонезависимый | 900 нс | 400 кГц | ЭСППЗУ | I2C | 5 мс | I2C | 1000000 циклов записи/стирания | 200 | АППАРАТНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | 1010XXMR | НЕТ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| M24256-DFMN6TP | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,75 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/stmicroelectronics-m24256brmn6tp-datasheets-9527.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | Без свинца | 8 | 13 недель | 8 | 2-проводной, I2C, последовательный | 256 КБ | АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | EAR99 | 1 | 2,5 мА | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 1,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 1,8 В | 1,27 мм | М24256 | 5,5 В | 1,7 В | 30 | Не квалифицирован | 256Кб 32К х 8 | Энергонезависимый | 450 нс | 1 МГц | ЭСППЗУ | I2C | 8 | 5 мс | 0,000001А | I2C | 4000000 циклов записи/стирания | 200 | АППАРАТНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | 1010DDDR | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 93LC46BT-I/SN | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-93lc46btiot-datasheets-8698.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 1,5 мм | 3,9 мм | Без свинца | 8 | 6 недель | Нет СВХК | 8 | Серийный | 1 КБ | да | EAR99 | 1000000 ЦИКЛОВ СТИРАНИЯ/ЗАПИСИ МИН; ХРАНЕНИЕ ДАННЫХ > 200 ЛЕТ | Олово | Нет | 1 | 2мА | е3 | 2,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3В | 1,27 мм | 93LC46B | 8 | 5,5 В | 2,5 В | 40 | 3/5 В | 1Кб 64х16 | Энергонезависимый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 250 нс | 2 МГц | ЭСППЗУ | СПИ | 6 мс | 0,000001А | МИКРОПРОВОД | 1000000 циклов записи/стирания | 6 мс | 200 | ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT24HC04BN-SH-T | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | 1,75 мм | Соответствует ROHS3 | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-at24hc04bnsht-datasheets-9814.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | 5В | 8 | 7 недель | 8 | 2-проводной, I2C, последовательный | 4 КБ | да | Золото, Олово | Нет | 1 | 3мА | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 2,5 В | 1,27 мм | AT24HC04 | 40 | 4Кб 512 х 8 | Энергонезависимый | 550 нс | 1 МГц | ЭСППЗУ | I2C | 8 | 5 мс | 0,000003А | I2C | 1000000 циклов записи/стирания | 5 мс | 100 | АППАРАТНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | 1010ДДМР | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CAT24C128YI-GT3 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-cat24c128wigt3-datasheets-8621.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 3,1 мм | 1,05 мм | 4,5 мм | 5В | Без свинца | 8 | 7 недель | Нет СВХК | 8 | 2-проводной, I2C, последовательный | 128 КБ | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | ХРАНЕНИЕ ДАННЫХ 100 ЛЕТ | Золото | Нет | 1 | 3мА | е4 | Без галогенов | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 0,65 мм | КАТ24C128 | 8 | 40 | 128Кб 16К х 8 | Энергонезависимый | 400 нс | 1 МГц | ЭСППЗУ | I2C | 5 мс | 0,000001А | I2C | 1000000 циклов записи/стирания | 5 мс | 100 | АППАРАТНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | 1010DDDR | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АТ34С02Д-МАХМ-Т | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 0,6 мм | Соответствует ROHS3 | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-at34c02dmahmt-datasheets-9590.pdf | 8-УФДФН Открытая площадка | 3 мм | 2 мм | Без свинца | 8 | 4 недели | 8 | 2-проводной, I2C, последовательный | 2 КБ | да | 1 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | ДА | 1,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3В | 0,5 мм | АТ34С02 | 5,5 В | 1,7 В | 40 | 2Кб 256 х 8 | Энергонезависимый | 550 нс | 1 МГц | ЭСППЗУ | I2C | 8 | 5 мс | I2C | 5 мс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 24LC02BT-И/ОТ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 1999 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-24aa02tiot-datasheets-8731.pdf | СК-74А, СОТ-753 | 3,1 мм | 1,3 мм | 1,8 мм | Без свинца | 5 | 8 недель | Нет СВХК | 5 | I2C, последовательный | 2 КБ | да | EAR99 | Нет | 1 | 3мА | е3 | Матовый олово (Sn) | 2,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 24LC02B | 5 | 40 | 2Кб 256 х 8 | Энергонезависимый | 900 нс | 400 кГц | ЭСППЗУ | I2C | 5 мс | 0,000001А | I2C | 1000000 циклов записи/стирания | 200 | АППАРАТНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | 1010XXXR | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT24C02C-XHM-T | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-at24c02csshmt-datasheets-8656.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 4,4 мм | 3 мм | Без свинца | 8 | 12 недель | Нет СВХК | 8 | 2-проводной, I2C, последовательный | 2 КБ | да | ХРАНЕНИЕ ДАННЫХ 100 ЛЕТ | Нет | 1 | 3мА | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 1,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 2,5 В | 0,65 мм | АТ24С02 | 5,5 В | 1,7 В | 40 | 2Кб 256 х 8 | Энергонезависимый | 550 нс | 1 МГц | ЭСППЗУ | I2C | 8 | 5 мс | I2C | 5 мс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT25010B-SSHL-T | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | 1,75 мм | Соответствует ROHS3 | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-at25010bsshlt-datasheets-9470.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4925 мм | 3,9 мм | Без свинца | 8 | 12 недель | Нет СВХК | 8 | СПИ, серийный | 1 КБ | да | Олово | Нет | 1 | 10 мА | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 5В | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 1,27 мм | АТ25010 | 40 | 1Кб 128х8 | Энергонезависимый | 80 нс | 20 МГц | ЭСППЗУ | СПИ | 8 | 5 мс | 5е-7А | СПИ | 1000000 циклов записи/стирания | 5 мс | 100 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BR24G04NUX-3TTR | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 0,6 мм | Соответствует ROHS3 | 1999 год | 8-УФДФН Открытая площадка | 3 мм | 2 мм | Без свинца | 8 | 10 недель | Неизвестный | 8 | 2-проводной, I2C, последовательный | 4 КБ | Олово | 1 | 1,6 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 0,5 мм | BR24G04 | 5,5 В | 1,6 В | НЕ УКАЗАН | 0,002 мА | Не квалифицирован | 4Кб 512 х 8 | Энергонезависимый | 900 нс | 400 кГц | ЭСППЗУ | I2C | 8 | 5 мс | 0,000002А | I2C | 1000000 циклов записи/стирания | 5 мс | 40 | АППАРАТНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | 1010ДДМР | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АТ24С16Д-СШМ-Т | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К ТС | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,75 мм | Соответствует ROHS3 | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchip-at24c16dsshmt-datasheets-3532.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4925 мм | 3,9 мм | Без свинца | 8 | 7 недель | 8 | 2-проводной, I2C, последовательный | 16 КБ | да | Золото | 1 | е4 | 1,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 1,8 В | 1,27 мм | AT24C16D | 3,6 В | 1,7 В | 40 | 0,001 мА | Не квалифицирован | 16Кб 2К х 8 | Энергонезависимый | 450 нс | 1 МГц | ЭСППЗУ | I2C | 8 | 5 мс | 4е-7А | I2C | 1000000 циклов записи/стирания | 5 мс | 100 | АППАРАТНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | 1010МММР | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT24C08D-СШМ-Т | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К ТС | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,75 мм | Соответствует ROHS3 | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-at24c08dsshmt-datasheets-9161.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4925 мм | 3,9 мм | Без свинца | 8 | 2 недели | 8 | 2-проводной, I2C, последовательный | 8 КБ | да | Золото | 1 | е4 | 1,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 1,8 В | 1,27 мм | AT24C08 | 3,6 В | 1,7 В | 40 | 8Кб 1К х 8 | Энергонезависимый | 4,5 мкс | 1 МГц | ЭСППЗУ | I2C | 8 | 5 мс | I2C | 5 мс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 24AA01T-I/LT | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | ЭСППЗУ | 400 кГц | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-24aa01tiot-datasheets-8611.pdf | 5-ЦСОП, СЦ-70-5, СОТ-353 | 2,25 мм | 1 мм | 1,35 мм | 5В | Без свинца | 3 недели | 5,5 В | 1,7 В | 5 | I2C, последовательный | 1 КБ | Олово | Нет | 100 кГц | 3мА | 1,7 В~5,5 В | 24АА01 | СК-70-5 | 1Кб 128х8 | Энергонезависимый | 3500 нс | 400 кГц | ЭСППЗУ | I2C | 5 мс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT24C04D-СШМ-Т | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,75 мм | Соответствует ROHS3 | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-at24c04dxhmt-datasheets-9041.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4925 мм | 3,9 мм | Без свинца | 8 | 4 недели | 8 | 2-проводной, I2C, последовательный | 4 КБ | да | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ 1,7 В НА ЧАСТОТЕ 100 КГЦ. | Золото | 1 | е4 | 1,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 1,27 мм | AT24C04 | 3,6 В | 1,7 В | НЕ УКАЗАН | 0,001 мА | Не квалифицирован | ИСО/ТС-16949 | 4Кб 512 х 8 | Энергонезависимый | ОТКРЫТЫЙ СТОК | 450 нс | 1 МГц | ЭСППЗУ | I2C | 8 | 5 мс | I2C | 1000000 циклов записи/стирания | 5 мс | 100 | АППАРАТНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | 1010ДДМР | ДА | 16 слов | НЕТ | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 93AA56AT-I/OT | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-93aa56atiot-datasheets-9597.pdf | СОТ-23-6 | 3,1 мм | 1,3 мм | 1,8 мм | Без свинца | 6 | 6 недель | Нет СВХК | 6 | Серийный | 2 КБ | да | EAR99 | Олово | Нет | 8542.32.00.51 | 1 | 2мА | е3 | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 2,5 В | 0,95 мм | 93АА56А | 6 | 5,5 В | 1,8 В | 2Кб 256 х 8 | Энергонезависимый | 250 нс | 2 МГц | ЭСППЗУ | СПИ | 6 мс | 0,000001А | МИКРОПРОВОД | 1000000 циклов записи/стирания | 200 | ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| M93C66-WMN6P | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | 2мА | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/stmicroelectronics-m93c46wmn6tp-datasheets-8056.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 1,25 мм | 3,9 мм | Без свинца | 8 | 13 недель | Нет СВХК | 8 | Серийный | 4 КБ | EAR99 | Золото | Нет | 1 | 2мА | е4 | 2,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 1,27 мм | М93С66 | 8 | 5,5 В | 2,5 В | 30 | 3/5 В | 4Кб 512 х 8 256 х 16 | Энергонезависимый | 200 нс | 2 МГц | ЭСППЗУ | СПИ | 256X16 | 5 мс | 0,000005А | МИКРОПРОВОД | 1000000 циклов записи/стирания | 5 мс | 40 | ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ |
