Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМногофункциональные ворота и инверторы(1317)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Дополнительная функция | Способ упаковки | Количество функций | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Без галогенов | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Количество вариантов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Источники питания | Количество цепей | Семья | Количество битов | Выходной ток | Тип выхода | Включить время задержки | Логическая функция | Задержка распространения | Количество выходов | Выходной ток высокого уровня | Выходной ток нижнего уровня | Сегодняшний день | Количество входов | Выходные характеристики | Количество ворот | Максимальный ток источника питания (ICC) | Тип логики | Опора Delay@Nom-Sup | Вход триггера Шмитта |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MC10H105FNR2G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 10 ч. | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~75°С | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ОКУ | 4,57 мм | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mc10h105fn-datasheets-4480.pdf | 20-LCC (J-вывод) | 8,965 мм | 8,965 мм | Без свинца | 20 | -5,46 В | -4,94 В | 20 | АСИММЕТРИЧНЫЕ ВХОДЫ | ТР | 3 | е3 | Олово (Вс) | КВАД | ДЖ БЕНД | 260 | 10Х105 | 20 | 40 | Ворота | 10 ч. | Дифференциальный | НЕТ, ИЛИ | 1,2 нс | 2 | -50 мА | 50 мА | 7 входов (2, 3, 2) | 3 | ИЛИ/ИЛИ ворота | Нет | |||||||||||||||||||||||||||
| MC10H105FNR2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 10 ч. | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~75°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ОКУ | 4,57 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mc10h105fn-datasheets-4480.pdf | 20-LCC (J-вывод) | 8,965 мм | 8,965 мм | Содержит свинец | 20 | -5,46 В | -4,94 В | 20 | АСИММЕТРИЧНЫЕ ВХОДЫ | ЛЕНТА И КАТУШКА | 3 | е0 | КВАД | ДЖ БЕНД | 240 | 10Х105 | 20 | 30 | Ворота | 10 ч. | Дифференциальный | 1,3 нс | НЕТ, ИЛИ | 1,2 нс | 2 | -50 мА | 50 мА | 7 входов (2, 3, 2) | 3 | ИЛИ/ИЛИ ворота | Нет | |||||||||||||||||||||||||||
| MC10H101L | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 10 ч. | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 0°С~75°С | Трубка | 3 (168 часов) | ОКУ | 5,08 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mc10h101fnr2g-datasheets-4475.pdf | 16-ЦДИП (0,300, 7,62 мм) | 7,62 мм | Содержит свинец | 16 | -5,46 В | -4,94 В | 16 | ЖЕЛЕЗНОДОРОЖНЫЙ | 4 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДВОЙНОЙ | 235 | 10Х101 | 16 | Ворота | 4 | 10 ч. | Дифференциальный | НЕТ, ИЛИ | 1,6 нс | -50 мА | 50 мА | 8 входов (2, 2, 2, 2) | 29 мА | ИЛИ/ИЛИ ворота | 1,7 нс | Нет | ||||||||||||||||||||||||||||||
| MC10H101FNG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 10 ч. | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~75°С | Трубка | 3 (168 часов) | ОКУ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mc10h101fng-datasheets-4497.pdf | 20-LCC (J-вывод) | 10,0076 мм | 4,572 мм | 10,033 мм | Без свинца | 20 | 52 недели | -5,46 В | -4,94 В | 20 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | ЖЕЛЕЗНОДОРОЖНЫЙ | 4 | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | КВАД | ДЖ БЕНД | 260 | 10Х101 | 20 | 40 | Ворота | 10 ч. | Дифференциальный | 1,7 нс | НЕТ, ИЛИ | 1,6 нс | 2 | -50 мА | 50 мА | 8 входов (2, 2, 2, 2) | 4 | ИЛИ/ИЛИ ворота | Нет | |||||||||||||||||||||||
| MC10EL07DTR2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 10 эл. | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ОКУ | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | /files/onsemiconductor-mc100el07dtr2-datasheets-4365.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 3 мм | Содержит свинец | 8 | 8 | ЛЕНТА И КАТУШКА | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 4,2 В~5,7 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 5В | 0,65 мм | 10EL07 | 8 | 5,7 В | 30 | Ворота | 1 | Дифференциальный | ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ ИЛИ, ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ ИЛИ | 395 пс. | -50 мА | 50 мА | 14 мА | 2 | Ворота резервного ИЛИ/выключающее ИЛИ | 0,435 нс | Нет | |||||||||||||||||||||||||||
| MC10EL01DTR2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 10 эл. | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ОКУ | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | /files/onsemiconductor-mc100el01dtr2-datasheets-4268.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 3 мм | Содержит свинец | 8 | 8 | ЛЕНТА И КАТУШКА | 1 | е0 | 4,2 В~5,7 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 5В | 0,65 мм | 10EL01 | 8 | 5,7 В | 30 | Ворота | -5,2 В | 1 | Дифференциальный | НЕТ, ИЛИ | 330 пс | -50 мА | 50 мА | 14 мА | 4 | ИЛИ/ИЛИ ворота | 0,37 нс | Нет | |||||||||||||||||||||||||||
| MC10EL04DTR2G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 10 эл. | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ОКУ | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/onsemiconductor-mc100el04dg-datasheets-1825.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 3 мм | Без свинца | 8 | 8 | да | ЛЕНТА И КАТУШКА | 1 | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | 4,2 В~5,7 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 0,65 мм | 10EL04 | 8 | 5,7 В | 40 | Ворота | Дифференциальный | И, НЕ-НЕ | 370 пс. | -50 мА | 50 мА | 14 мА | 2 | 1 | И/НЕ-ворота | Нет | ||||||||||||||||||||||||||
| MC10E101FNR2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 10Е | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ОКУ | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | 28-LCC (J-вывод) | 11 505 мм | 11 505 мм | Содержит свинец | 28 | 28 | ЛЕНТА И КАТУШКА | 4 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 4,2 В~5,7 В | КВАД | ДЖ БЕНД | 240 | 5В | 10Э101 | 28 | 5,7 В | 30 | Ворота | 10Е | Дифференциальный | 500 пс | НЕТ, ИЛИ | 600 пс | 2 | -50 мА | 50 мА | 30 мА | 16 входов (4, 4, 4, 4) | ОТКРЫТЫЙ ЭМИТТЕР | 4 | 36 мА | ИЛИ/ИЛИ ворота | 0,5 нс | Нет | ||||||||||||||||||||||||
| MC10EL12DTR2G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 10 эл. | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ОКУ | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/onsemiconductor-mc100el12dr2-datasheets-4346.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 3 мм | Без свинца | 8 | 8 | да | 1 | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | -4,2 В~-5,7 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 0,65 мм | 10ЭЛ12 | 8 | 5,7 В | 40 | 1 | Другие логические ИС | -5,2 В | 4 | Дифференциальный | Буфер, инвертирование, НО, ИЛИ | 450 пс | -50 мА | 50 мА | ИЛИ/ИЛИ ворота | Нет | |||||||||||||||||||||||||||
| MC100EL12DTR2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100 ЕЛ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ОКУ | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | /files/onsemiconductor-mc100el12dr2-datasheets-4346.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 3 мм | Содержит свинец | 8 | 8 | 1 | е0 | -4,2 В~-5,7 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 5В | 0,65 мм | 100EL12 | 8 | 5,7 В | 30 | 1 | Другие логические ИС | 4 | Дифференциальный | Буфер, Инвертирование | 450 пс | -50 мА | 50 мА | ИЛИ/ИЛИ ворота | Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||
| MC10H101FNR2G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 10 ч. | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~75°С | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ОКУ | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mc10h101fnr2g-datasheets-4475.pdf | 20-LCC (J-вывод) | 8,965 мм | 8,965 мм | Без свинца | 20 | -5,46 В | -4,94 В | 20 | да | ЛЕНТА И КАТУШКА | 4 | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | КВАД | ДЖ БЕНД | 260 | 10Х101 | 20 | 40 | Ворота | 10 ч. | Дифференциальный | НЕТ, ИЛИ | 1,6 нс | 2 | -50 мА | 50 мА | 8 входов (2, 2, 2, 2) | 4 | ИЛИ/ИЛИ ворота | 1,7 нс | Нет | ||||||||||||||||||||||||||
| MC10EP101MNG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 10EP | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | ОКУ | 1 мм | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mc10ep101mng-datasheets-4478.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 5 мм | 5 мм | Без свинца | 32 | 32 | да | РЕЖИМ NECL: VCC = 0 В, VEE = от -3 В до -5,5 В. | ПОДНОС | 4 | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | 3В~5,5В | КВАД | 260 | 3,3 В | 0,5 мм | 10EP101 | 32 | 5,5 В | 3В | 40 | Ворота | 10Е | Дифференциальный | НЕТ, ИЛИ | 370 пс. | 2 | -50 мА | 50 мА | 58 мА | 16 входов (4, 4, 4, 4) | 4 | 75 мА | ИЛИ/ИЛИ ворота | Нет | |||||||||||||||||||||
| MC10H105FN | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 10 ч. | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~75°С | Трубка | 3 (168 часов) | ОКУ | 4,57 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mc10h105fn-datasheets-4480.pdf | 20-LCC (J-вывод) | 8,965 мм | 8,965 мм | Содержит свинец | 20 | -5,46 В | -4,94 В | 20 | АСИММЕТРИЧНЫЕ ВХОДЫ | ЖЕЛЕЗНОДОРОЖНЫЙ | 3 | е0 | КВАД | ДЖ БЕНД | 240 | 10Х105 | 20 | 30 | Ворота | 10 ч. | Дифференциальный | 1,3 нс | НЕТ, ИЛИ | 1,2 нс | 2 | -50 мА | 50 мА | 7 входов (2, 3, 2) | 3 | ИЛИ/ИЛИ ворота | Нет | |||||||||||||||||||||||||||
| MC10EP01DTR2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 10EP | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ОКУ | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | /files/onsemiconductor-mc100ep01dg-datasheets-1715.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 3 мм | Содержит свинец | 8 | 8 | РЕЖИМ NECL: VCC = 0 В, VEE = от -3 В до -5,5 В. | ЛЕНТА И КАТУШКА | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 3В~5,5В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,65 мм | 10EP01 | 8 | 5,5 В | 3В | 30 | Ворота | -5,2 В | 1 | 10Е | Дифференциальный | НЕТ, ИЛИ | 330 пс | -50 мА | 50 мА | 24 мА | 4 | ИЛИ/ИЛИ ворота | 0,35 нс | Нет | |||||||||||||||||||||||
| MC10E104FNR2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 10Е | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ОКУ | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mc100e104fn-datasheets-4248.pdf | 28-LCC (J-вывод) | Содержит свинец | 28 | 28 | ЛЕНТА И КАТУШКА | 5 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 4,2 В~5,7 В | КВАД | ДЖ БЕНД | 240 | 5В | 1,27 мм | 10E104 | 28 | 4,2 В | 30 | Ворота | 10Е | Дифференциальный | 600 пс | И, НЕ-НЕ | 600 пс | -50 мА | 50 мА | 38мА | 10 входов (2, 2, 2, 2, 2) | ОТКРЫТЫЙ ЭМИТТЕР | 5 | 46 мА | И/НЕ-ворота | 1 нс | Нет | |||||||||||||||||||||||||
| MC10H101FNR2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 10 ч. | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~75°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ОКУ | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | /files/onsemiconductor-mc10h101fnr2g-datasheets-4475.pdf | 20-LCC (J-вывод) | 8,965 мм | 8,965 мм | Содержит свинец | 20 | -5,46 В | -4,94 В | 20 | ЛЕНТА И КАТУШКА | 4 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | КВАД | ДЖ БЕНД | 240 | 10Х101 | 20 | 30 | Ворота | 10 ч. | Дифференциальный | 1,7 нс | НЕТ, ИЛИ | 1,6 нс | 2 | -50 мА | 50 мА | 8 входов (2, 2, 2, 2) | 4 | ИЛИ/ИЛИ ворота | Нет | ||||||||||||||||||||||||||||
| MC10H101PG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 10 ч. | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 0°С~75°С | Трубка | 1 (без блокировки) | ОКУ | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mc10h101fnr2g-datasheets-4475.pdf | 16-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 19,5326 мм | 3,429 мм | 6,858 мм | Без свинца | 16 | 52 недели | 4.535924г | Нет СВХК | -5,46 В | -4,94 В | 16 | да | ЖЕЛЕЗНОДОРОЖНЫЙ | 4 | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ДВОЙНОЙ | 260 | 10Х101 | 16 | 40 | Ворота | 10 ч. | 50 мА | Дифференциальный | 1,7 нс | НЕТ, ИЛИ | 1,7 нс | 2 | -50 мА | 50 мА | 8 входов (2, 2, 2, 2) | 4 | ИЛИ/ИЛИ ворота | Нет | ||||||||||||||||||||||
| MC10EL12DR2G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 10 эл. | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ОКУ | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/onsemiconductor-mc100el12dr2-datasheets-4346.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 3,9 мм | Без свинца | 8 | 8 | да | 1 | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | -4,2 В~-5,7 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 10ЭЛ12 | 8 | 5,7 В | 40 | 1 | Другие логические ИС | -5,2 В | 4 | Дифференциальный | Буфер, инвертирование, НО, ИЛИ | 450 пс | -50 мА | 50 мА | ИЛИ/ИЛИ ворота | Нет | |||||||||||||||||||||||||||||
| MC10EL05DTR2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 10 эл. | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ОКУ | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | /files/onsemiconductor-mc100el05dg-datasheets-1861.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 3 мм | Содержит свинец | 8 | 8 | РЕЖИМ NECL: VCC = 0 В, VEE = от -4,2 В до -5,7 В. | ЛЕНТА И КАТУШКА | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 4,2 В~5,7 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 5В | 0,65 мм | 10EL05 | 8 | 5,7 В | 4,2 В | 30 | Ворота | -5,2 В | 1 | Дифференциальный | И, НЕ-НЕ | 390 пс. | -50 мА | 50 мА | 18 мА | 4 входа (2, 2) | 22 мА | И/НЕ-ворота | 0,44 нс | Нет | |||||||||||||||||||||||
| MC10EP05DR2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 10EP | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ОКУ | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | /files/onsemiconductor-mc100ep05dtg-datasheets-1103.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | Содержит свинец | 8 | 8 | РЕЖИМ NECL: VCC = 0 В, VEE = от -3 В до -5,5 В. | ЛЕНТА И КАТУШКА | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 3В~5,5В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 10EP05 | 8 | 5,5 В | 3В | 30 | Ворота | 10Е | Дифференциальный | 320 пс | И, НЕ-НЕ | 270 пс | 2 | -50 мА | 50 мА | 24 мА | 2 входа (1, 1) | 1 | И/НЕ-ворота | Нет | ||||||||||||||||||||||||
| MC100LVEL12DTR2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100 УРОВЕЛЕЙ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ОКУ | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | /files/onsemiconductor-mc100lvel12dtr2g-datasheets-4352.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 3 мм | Содержит свинец | 8 | 8 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | -3В~-3,8В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,65 мм | 100УРОВЕНЬ12 | 8 | 3В | 30 | 1 | Другие логические ИС | -3,3 В | Дифференциальный | Буфер, Инвертирование | 580 пс. | -50 мА | 50 мА | 2 | ИЛИ/ИЛИ ворота | Нет | |||||||||||||||||||||||||||||
| MC10E112FNR2G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 10Е | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ОКУ | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mc10e112fnr2g-datasheets-4386.pdf | 28-LCC (J-вывод) | Без свинца | 28 | 8 недель | 28 | да | 4 | е3 | Олово (Вс) | Неинвертирующий | Без галогенов | -4,2 В~-5,7 В | КВАД | ДЖ БЕНД | 260 | 5В | 10E112 | 28 | 5,7 В | 4 | 40 | Другие логические ИС | -5,2 В | 10Е | 8 | Дифференциальный | 750 пс | Буфер, Инвертирование | 750 пс | -50 мА | 50 мА | 1 | ОТКРЫТЫЙ ЭМИТТЕР | ИЛИ/ИЛИ ворота | Нет | ||||||||||||||||||||||||
| MC10E112FNG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 10Е | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К | Трубка | 3 (168 часов) | ОКУ | Соответствует RoHS | 2006 г. | 28-LCC (J-вывод) | Без свинца | 28 | 28 | 4 | е3 | Олово (Вс) | Неинвертирующий | -4,2 В~-5,7 В | КВАД | ДЖ БЕНД | 260 | 5В | 10E112 | 28 | 5,7 В | 40 | Другие логические ИС | -5,2 В | 4 | 10Е | 8 | Дифференциальный | Буфер, Инвертирование | 750 пс | -50 мА | 50 мА | 1 | ОТКРЫТЫЙ ЭМИТТЕР | ИЛИ/ИЛИ ворота | Нет | |||||||||||||||||||||||||||||
| MC10E107FNR2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 10Е | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ОКУ | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mc100e107fnr2-datasheets-4271.pdf | 28-LCC (J-вывод) | Содержит свинец | 28 | 28 | ЛЕНТА И КАТУШКА | 5 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 4,2 В~5,7 В | КВАД | ДЖ БЕНД | 240 | 5В | 1,27 мм | 10E107 | 28 | 4,2 В | 30 | Ворота | 10Е | Дифференциальный | 600 пс | ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ ИЛИ, ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ ИЛИ | 600 пс | -50 мА | 50 мА | 4,2 мА | 10 входов (2, 2, 2, 2, 2) | ОТКРЫТЫЙ ЭМИТТЕР | 5 | Ворота резервного ИЛИ/выключающее ИЛИ | 1 нс | Нет | ||||||||||||||||||||||||||
| MC10EL12DR2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 10 эл. | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ОКУ | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | /files/onsemiconductor-mc100el12dr2-datasheets-4346.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 3,9 мм | Содержит свинец | 8 | 8 | 1 | е0 | -4,2 В~-5,7 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 5В | 10ЭЛ12 | 8 | 5,7 В | 30 | 1 | Другие логические ИС | -5,2 В | 4 | Дифференциальный | Буфер, инвертирование, НО, ИЛИ | 450 пс | -50 мА | 50 мА | ОТКРЫТЫЙ ЭМИТТЕР | ИЛИ/ИЛИ ворота | Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||
| MC100EP01DTR2G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100EP | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ОКУ | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mc100ep01dg-datasheets-1715.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 3 мм | Без свинца | 8 | 8 | да | РЕЖИМ NECL: VCC = 0 В, VEE = от -3 В до -5,5 В. | ЛЕНТА И КАТУШКА | 1 | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | 3В~5,5В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,65 мм | 100EP01 | 8 | 5,5 В | 3В | 40 | Ворота | Дифференциальный | НЕТ, ИЛИ | 330 пс | 2 | -50 мА | 50 мА | 26 мА | 4 | 1 | ИЛИ/ИЛИ ворота | 0,35 нс | Нет | ||||||||||||||||||||||
| MC100EP01DR2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100EP | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ОКУ | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | /files/onsemiconductor-mc100ep01dg-datasheets-1715.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 3,9 мм | Содержит свинец | 8 | 8 | РЕЖИМ NECL: VCC = 0 В, VEE = от -3 В до -5,5 В. | ЛЕНТА И КАТУШКА | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 3В~5,5В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 100EP01 | 8 | 5,5 В | 3В | 30 | Ворота | 1 | Дифференциальный | НЕТ, ИЛИ | 330 пс | -50 мА | 50 мА | 26 мА | 4 | ИЛИ/ИЛИ ворота | 0,35 нс | Нет | |||||||||||||||||||||||||||
| MC10E404FNR2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 10Е | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ОКУ | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mc100e404fng-datasheets-4257.pdf | 28-LCC (J-вывод) | 11 505 мм | 11 505 мм | Содержит свинец | 28 | 28 | ЛЕНТА И КАТУШКА | 4 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 4,2 В~5,7 В | КВАД | ДЖ БЕНД | 240 | 5В | 10Э404 | 28 | 5,7 В | 30 | Ворота | 10Е | Дифференциальный | 700 пс | И, НЕ-НЕ | 725 пс. | 2 | -50 мА | 50 мА | 106 мА | 10 входов (2, 2, 2, 2, 2) | ОТКРЫТЫЙ ЭМИТТЕР | 4 | И/НЕ-ворота | 0,73 нс | Нет | ||||||||||||||||||||||||
| MC100E404FNR2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100E | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ОКУ | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mc100e404fng-datasheets-4257.pdf | 28-LCC (J-вывод) | 11 505 мм | 11 505 мм | Содержит свинец | 28 | 28 | ЛЕНТА И КАТУШКА | 4 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 4,2 В~5,7 В | КВАД | ДЖ БЕНД | 240 | 5В | 1,27 мм | 100E404 | 28 | 5,7 В | 30 | Ворота | 4 | Дифференциальный | И, НЕ-НЕ | 725 пс. | -50 мА | 50 мА | 106 мА | 10 входов (2, 2, 2, 2, 2) | ОТКРЫТЫЙ ЭМИТТЕР | И/НЕ-ворота | 0,73 нс | Нет | ||||||||||||||||||||||||||
| MC100EL12DR2G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100 ЕЛ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ОКУ | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/onsemiconductor-mc100el12dr2-datasheets-4346.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 3,9 мм | Без свинца | 8 | 8 | да | 1 | е3 | Олово (Вс) | -4,2 В~-5,7 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 100EL12 | 8 | 5,7 В | 40 | 1 | Другие логические ИС | 4 | Дифференциальный | 500 пс | Буфер, инвертирование, НО, ИЛИ | 450 пс | -50 мА | 50 мА | ИЛИ/ИЛИ ворота | Нет |
