Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактСпециальные логические ИС(3112)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Количество приемников | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Максимальное входное напряжение | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Тип телекоммуникационных микросхем | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Выходная полярность | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Скорость передачи данных | Количество битов | Дифференциальный выход | Тип интерфейса микросхемы | Количество бит-приемника | Логическая функция | Количество передатчиков | Отрицательное напряжение питания-ном. | Число бит драйвера | Стандарт | Задержка передачи-Макс. | Выходные характеристики | Количество трансиверов | Тип триггера | фмакс-мин | Тип логики | Задержка распространения (tpd) | Получить задержку-Макс. | Максимальный вход токового высокого уровня |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MC10E416FNG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 10Е | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К | Трубка | 3 (168 часов) | ОКУ | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mc10e416fnr2-datasheets-1561.pdf | 28-LCC (J-вывод) | Без свинца | 28 | 5,7 В | 4,2 В | 28 | да | EAR99 | 5 | 186 мА | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | КВАД | ДЖ БЕНД | 260 | 4,2 В~5,7 В | 1,27 мм | 10E416 | 28 | 40 | Не квалифицированный | 5 | ДА | Получатель | -5,2 В | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Дифференциальный приемник | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC100EP16VCDTR2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100EP | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ОКУ | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | /files/onsemiconductor-mc100ep16vcdg-datasheets-2444.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 3 мм | Содержит свинец | 5,5 В | 3В | 8 | EAR99 | ТАКЖЕ МОЖЕТ РАБОТАТЬ С ПИТАНИЕМ от -3 В до -5,5 В В РЕЖИМЕ NECL. | не_совместимо | 1 | 54 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3В~5,5В | 0,65 мм | 100EP16 | 8 | 30 | -4,5 В | Не квалифицированный | 3 Тбит/с | ДА | ЛИНЕЙНЫЙ ТРАНСИВЕР | 1 | Получатель | 1 | -4,5 В | 1 | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | 0,4 нс | Дифференциальный приемник/драйвер | 0,4 нс | ||||||||||||||||||||||||||
| PI74SSTV16857AE | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 74ССТВ | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Трубка | 1 (без блокировки) | /files/diodesincorporated-pi74sstv16857aex-datasheets-4032.pdf | 48-ТФСОП (ширина 0,240, 6,10 мм) | 2,3 В~2,7 В | 74SSTV16857 | 48-ЦСОП | 14 | Зарегистрированный буфер с совместимым вводом-выводом SSTL_2 для DDR | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC10E416FNR2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 10Е | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ОКУ | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mc10e416fnr2-datasheets-1561.pdf | 28-LCC (J-вывод) | Содержит свинец | 28 | 5,7 В | 4,2 В | 28 | EAR99 | не_совместимо | 5 | 186 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | КВАД | ДЖ БЕНД | 240 | 4,2 В~5,7 В | 1,27 мм | 10E416 | 28 | 30 | Не квалифицированный | 5 | ДА | Получатель | -5,2 В | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Дифференциальный приемник | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC100E416FN | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100E | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К | Трубка | 3 (168 часов) | ОКУ | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mc10e416fnr2-datasheets-1561.pdf | 28-LCC (J-вывод) | 5,7 В | Содержит свинец | 28 | 28 | EAR99 | не_совместимо | 5 | 186 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | КВАД | ДЖ БЕНД | 240 | 4,2 В~5,7 В | 1,27 мм | 100Е416 | 28 | 30 | Не квалифицированный | 5 | ДА | Получатель | -4,5 В | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Дифференциальный приемник | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PI74SSTU32866NBE | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Поднос | 1 (без блокировки) | /files/diodesincorporated-pi74sstu32866nbe-datasheets-1565.pdf | 96-ЛФБГА | 1,7 В~1,9 В | 74ССТУ32866 | 25, 14 | Настраиваемый регистровый буфер 1:1, 1:2 с контролем четности | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC10EL16DTR2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 10 эл. | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ОКУ | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | /files/onsemiconductor-mc10el16dg-datasheets-2474.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 3 мм | Содержит свинец | 8 | 5,7 В | 4,2 В | 8 | EAR99 | РЕЖИМ NECL: VCC=0 VEE=-4,2 ДО -5,7 | не_совместимо | 1 | 22 мА | е0 | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 4,2 В~5,7 В | 0,65 мм | 10ЭЛ16 | 8 | 30 | -5,2 В | Не квалифицированный | 1 | ДА | Получатель | -5,2 В | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Дифференциальный приемник | 0,325 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||
| PI74SSTVF16857KE | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 74ССТВФ | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Трубка | 1 (без блокировки) | /files/diodesincorporated-pi74sstvf16857aex-datasheets-4098.pdf | 48-ТФСОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 2,3 В~2,7 В | 74SSTVF16857 | 14 | Зарегистрированный буфер с совместимым вводом-выводом SSTL_2 для DDR | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY58621LMG-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | SY58 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 0,905 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/microchiptechnology-sy58621lmg-datasheets-3166.pdf | 24-VFQFN Открытая колодка, 24-MLF® | 4 мм | 4 мм | 3,6 В | Без свинца | 24 | 18 недель | 24 | 1 | 1 | 4В | 150 мА | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 3В~3,6В | 0,5 мм | 58621 | ТЕЛЕКОМ-ЦЕПЬ | 40 | Не квалифицированный | 4,25 Гбит/с | Трансивер | Приемопередатчик распределительной платы CML/LVPECL с соединительным шлейфом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC10EP16TDR2G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 10EP | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ОКУ | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/onsemiconductor-mc100ep16tdtg-datasheets-2906.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | Без свинца | 8 | 5,5 В | 3В | 8 | да | EAR99 | ТАКЖЕ МОЖЕТ РАБОТАТЬ С ПИТАНИЕМ от -3 В до -5,5 В В РЕЖИМЕ NECL. | 1 | 31 мА | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3В~5,5В | 10ЭП16 | 8 | 40 | Линейный водитель или приемники | -5,2 В | Не квалифицированный | 1 | ДА | ЛИНЕЙНЫЙ ТРАНСИВЕР | И, приемник | -5,2 В | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | 0,3 нс | Дифференциальный приемник/драйвер | 0,3 нс | |||||||||||||||||||||||||||
| MC100EP16VSDTR2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100EP | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ОКУ | 1,1 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mc100ep16vsdt-datasheets-0844.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 3 мм | 8 | EAR99 | ТАКЖЕ МОЖЕТ РАБОТАТЬ С ПИТАНИЕМ от -3 В до -5,5 В В РЕЖИМЕ NECL. | не_совместимо | 8542.39.00.01 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn90Pb10) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3В~5,5В | 0,65 мм | 100EP16 | 8 | 30 | Линейный водитель или приемники | -4,5 В | 48 мА | Не квалифицированный | С-ПДСО-G8 | ДА | ЛИНЕЙНЫЙ ТРАНСИВЕР | 1 | -4,5 В | 1 | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | 0,28 нс | Дифференциальный приемник/драйвер | 0,28 нс | ||||||||||||||||||||||||||||
| MC100E116FN | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100E | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К | Трубка | 3 (168 часов) | ОКУ | Не соответствует требованиям RoHS | 1996 год | /files/onsemiconductor-mc100e116fng-datasheets-2305.pdf | 28-LCC (J-вывод) | 5,7 В | Содержит свинец | 28 | 28 | EAR99 | не_совместимо | 5 | 35 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | КВАД | ДЖ БЕНД | 240 | 4,2 В~5,7 В | 1,27 мм | 100Е116 | 28 | 30 | Не квалифицированный | 5 | ДА | Получатель | -4,5 В | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Дифференциальный приемник | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC100EL16DTR2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100 ЕЛ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ОКУ | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | /files/onsemiconductor-mc10el16dg-datasheets-2474.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 3 мм | 5,7 В | Содержит свинец | 8 | 8 | EAR99 | РЕЖИМ NECL: VCC=0 VEE=-4,2 ДО -5,7 | не_совместимо | 1 | 22 мА | е0 | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 4,2 В~5,7 В | 0,65 мм | 100EL16 | 8 | 30 | -4,5 В | Не квалифицированный | 1 | ДА | Получатель | -4,5 В | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Дифференциальный приемник | 0,325 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC100EP16VADTR2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100EP | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ОКУ | 1,1 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | /files/onsemiconductor-mc100ep16vadg-datasheets-2211.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 3 мм | 8 | EAR99 | ТАКЖЕ МОЖЕТ РАБОТАТЬ С ПИТАНИЕМ от -3 В до -5,5 В В РЕЖИМЕ NECL. | не_совместимо | 8542.39.00.01 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3В~5,5В | 0,65 мм | 100EP16 | 8 | 30 | Линейный водитель или приемники | -4,5 В | 40 мА | Не квалифицированный | Р-ПДСО-G8 | ДА | ЛИНЕЙНЫЙ ТРАНСИВЕР | 1 | -4,5 В | 1 | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | 0,34 нс | Дифференциальный приемник/драйвер | 0,34 нс | 0,00015А | |||||||||||||||||||||||||||
| MC100EP16TDTR2G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100EP | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ОКУ | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/onsemiconductor-mc100ep16tdtg-datasheets-2906.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 3 мм | Без свинца | 8 | 4 недели | 5,5 В | 3В | 8 | да | EAR99 | ТАКЖЕ МОЖЕТ РАБОТАТЬ С ПИТАНИЕМ от -3 В до -5,5 В В РЕЖИМЕ NECL. | 1 | 39мА | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3В~5,5В | 0,65 мм | 100EP16 | 8 | 40 | Линейный водитель или приемники | -4,5 В | Не квалифицированный | 1 | ДА | ЛИНЕЙНЫЙ ТРАНСИВЕР | И, приемник | -4,5 В | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | 0,3 нс | Дифференциальный приемник/драйвер | 0,3 нс | |||||||||||||||||||||||||
| MC100EP16TDR2G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100EP | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ОКУ | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/onsemiconductor-mc100ep16tdtg-datasheets-2906.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | Без свинца | 8 | 5,5 В | 3В | 8 | да | EAR99 | ТАКЖЕ МОЖЕТ РАБОТАТЬ С ПИТАНИЕМ от -3 В до -5,5 В В РЕЖИМЕ NECL. | 1 | 39мА | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3В~5,5В | 100EP16 | 8 | 40 | Линейный водитель или приемники | -4,5 В | Не квалифицированный | ДА | ЛИНЕЙНЫЙ ТРАНСИВЕР | 1 | И, приемник | -4,5 В | 1 | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | 0,3 нс | 1 | Дифференциальный приемник/драйвер | 0,3 нс | |||||||||||||||||||||||||
| PI74SSTVF16859AE | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 74ССТВФ | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Трубка | 1 (без блокировки) | 2008 год | 64-ТФСОП (ширина 0,240, 6,10 мм) | 2,3 В~2,7 В | 74SSTVF16859 | 13, 26 | Зарегистрированный буфер с совместимым вводом-выводом SSTL_2 для DDR | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PI74SSTU32864NBE | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Поднос | 1 (без блокировки) | /files/diodesincorporated-pi74sstu32864nbe-datasheets-1506.pdf | 96-ЛФБГА | 1,7 В~1,9 В | 74ССТУ32864 | 25, 14 | Настраиваемый регистровый буфер 1:1, 1:2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC100EP16TDR2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100EP | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ОКУ | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | /files/onsemiconductor-mc100ep16tdtg-datasheets-2906.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | Содержит свинец | 8 | 5,5 В | 3В | 8 | EAR99 | ТАКЖЕ МОЖЕТ РАБОТАТЬ С ПИТАНИЕМ от -3 В до -5,5 В В РЕЖИМЕ NECL. | не_совместимо | 1 | 39мА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3В~5,5В | 100EP16 | 8 | 30 | Линейный водитель или приемники | -4,5 В | Не квалифицированный | 1 | ДА | ЛИНЕЙНЫЙ ТРАНСИВЕР | И, приемник | -4,5 В | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | 0,3 нс | Дифференциальный приемник/драйвер | 0,3 нс | ||||||||||||||||||||||||||||
| ССТУБ32864ЭК/Г,518 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | КМОП | 1,5 мм | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/nxpusainc-sstub32864ecg518-datasheets-1508.pdf | 96-ЛФБГА | 13,5 мм | 5,5 мм | 96 | 8542.39.00.01 | 1 | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,7 В~2 В | 0,8 мм | 74SSTUB32864 | 96 | 40 | ДОПОЛНИТЕЛЬНО | Не квалифицированный | Р-ПБГА-В96 | 25, 14 | ПОЛОЖИТЕЛЬНОЕ ПРЕИМУЩЕСТВО | 450 МГц | Настраиваемый регистровый буфер 1:1, 1:2 | 1,5 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY10EL16VFZC | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 10 эл. | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | /files/microchiptechnology-sy100el16vazgtr-datasheets-2150.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 3,3 В 5 В | 10ЭЛ16 | 8-СОИК | 1 | Дифференциальный приемник | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100EL16VAKI | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100 ЕЛ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3,3 В 5 В | 100EL16 | 1 | Дифференциальный приемник | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PI74SSTVF32852ANBE | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 74ССТВФ | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Поднос | 1 (без блокировки) | /files/diodesincorporated-pi74sstvf32852anbe-datasheets-1552.pdf | 114-ЛФБГА | 2,3 В~2,7 В | 74SSTVF32852 | 24, 48 | Зарегистрированный буфер с совместимым вводом-выводом SSTL_2 для DDR | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY10EP16VZI-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 10EP | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/microchiptechnology-sy10ep16vzg-datasheets-2801.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 3В~5,5В | 10ЭП16 | 8-СОИК | 1 | Дифференциальный приемник/драйвер | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC10EP16DR2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 10EP | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ОКУ | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | /files/onsemiconductor-mc10ep16dtg-datasheets-2110.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | Содержит свинец | 8 | 5,5 В | 3В | 8 | EAR99 | ТАКЖЕ МОЖЕТ РАБОТАТЬ С ПИТАНИЕМ от -3 В до -5,5 В В РЕЖИМЕ NECL. | не_совместимо | 1 | 38мА | е0 | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3В~5,5В | 10ЭП16 | 8 | 30 | Линейный водитель или приемники | -5,2 В | Не квалифицированный | ДА | ЛИНЕЙНЫЙ ТРАНСИВЕР | 1 | И, приемник | -5,2 В | 1 | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | 1 | Дифференциальный приемник/драйвер | |||||||||||||||||||||||||||||
| ССТУБ32866ЭК/Г,518 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | КМОП | 1,5 мм | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/nxpusainc-sstub32866ecg518-datasheets-1515.pdf | 96-ЛФБГА | 13,5 мм | 5,5 мм | 96 | неизвестный | 8542.39.00.01 | 1 | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,7 В~2 В | 0,8 мм | 74SSTUB32866 | 96 | 30 | Другие логические ИС | ДОПОЛНИТЕЛЬНО | 1,8 В | Не квалифицированный | Р-ПБГА-В96 | 25, 14 | ОТКРЫТЫЙ СТОК | ПОЛОЖИТЕЛЬНОЕ ПРЕИМУЩЕСТВО | 450 МГц | Настраиваемый регистровый буфер 1:1, 1:2 с контролем четности | 1,5 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC100EP16VBDR2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100EP | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ОКУ | 1,75 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | /files/onsemiconductor-mc100ep16vbdtg-datasheets-2139.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | Содержит свинец | 8 | 5,5 В | 3В | 8 | EAR99 | ТАКЖЕ МОЖЕТ РАБОТАТЬ С ПИТАНИЕМ от -3 В до -5,5 В В РЕЖИМЕ NECL. | не_совместимо | 1 | 52 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3В~5,5В | 1,27 мм | 100EP16 | 8 | 30 | -4,5 В | Не квалифицированный | ДА | ЛИНЕЙНЫЙ ТРАНСИВЕР | 1 | Получатель | -4,5 В | 1 | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | 0,4 нс | Дифференциальный приемник/драйвер | 0,4 нс | 0,00015А | |||||||||||||||||||||||||
| MC100EP16VTDTR2G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100EP | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ОКУ | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/onsemiconductor-mc100ep16vtmnr4g-datasheets-4127.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 3 мм | 5,5 В | Без свинца | 8 | 8 | 1 | да | EAR99 | ТАКЖЕ МОЖЕТ РАБОТАТЬ С ПИТАНИЕМ от -3 В до -5,5 В В РЕЖИМЕ NECL. | 1 | 48 мА | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3В~5,5В | 0,65 мм | 100EP16 | 8 | 40 | Линейный водитель или приемники | -4,5 В | Не квалифицированный | ДА | ЛИНЕЙНЫЙ ТРАНСИВЕР | И, приемник | -4,5 В | 1 | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | 0,35 нс | Дифференциальный приемник/драйвер | 0,35 нс | ||||||||||||||||||||||||||
| SY10EL16VKI-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 10 эл. | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3,3 В 5 В | 10ЭЛ16 | 8-МСОП | 1 | Дифференциальный приемник | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SSTUB32865ET/G,518 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | КМОП | 1,15 мм | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/nxpusainc-sstub32865etg518-datasheets-1496.pdf | 160-ТФБГА | 13 мм | 9 мм | 160 | 8542.39.00.01 | 1 | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,7 В~2 В | 0,65 мм | 74SSTUB32865 | 160 | 40 | ДОПОЛНИТЕЛЬНО | Не квалифицированный | Р-ПБГА-Б160 | 28 | ОТКРЫТЫЙ СТОК | ПОЛОЖИТЕЛЬНОЕ ПРЕИМУЩЕСТВО | 450 МГц | Зарегистрированный буфер 1:2 с четностью | 1,5 нс |
