Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактСпециальные логические ИС(3112)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Количество приемников | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Толщина | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Идентификатор производитель производитель | Достичь соответствия кода | Код HTS | Способ упаковки | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Выходная полярность | Источники питания | Количество цепей | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Скорость передачи данных | Количество битов | Дифференциальный выход | Тип интерфейса микросхемы | Количество бит-приемника | Включить время задержки | Логическая функция | Задержка распространения | Количество выходов | Выходной ток высокого уровня | Выходной ток нижнего уровня | Отрицательное напряжение питания-ном. | Число бит драйвера | Стандарт | Задержка передачи-Макс. | Выходные характеристики | Количество трансиверов | Тип триггера | фмакс-мин | Тип логики | Направление счета | Тип триггера по фронту тактового сигнала | Задержка распространения (tpd) | Получить задержку-Макс. |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SSTVF16859BG | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 74ССТВФ | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 64-ТФСОП (ширина 0,240, 6,10 мм) | 2,3 В~2,7 В | 74SSTVF16859 | 64-ЦСОП | 13, 26 | Зарегистрированный буфер с совместимым вводом-выводом SSTL_2 для DDR | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИ100ЭП16ВКГ-ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100EP | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3В~5,5В | 100EP16 | 8-МСОП | Дифференциальный приемник/драйвер | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИ100ЭП16ВЗГ-ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100EP | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2008 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5,5 В | 8 | 1 | 30 мА | 3В~5,5В | 100EP16 | 8-СОИК | Получатель | Дифференциальный приемник/драйвер | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ССТУФ32864ЧЛФТ | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | /files/renesaselectronicsamericainc-sstuf32864ehlf-datasheets-3886.pdf | 96-ЛФБГА | 1,7 В~1,9 В | 74SSTUF32864 | 96-КАБГА (13,5х5,5) | 25, 14 | Настраиваемый зарегистрированный буфер для DDR2 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY10EL16VCZG | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 10 эл. | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | ОКУ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/microchiptechnology-sy100el16vazgtr-datasheets-2150.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5В | 16 | 8 | 3 | EAR99 | неизвестный | 1 | 40 мА | е4 | НИКЕЛЬ ПАЛЛАДИЙ ЗОЛОТО | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3,3 В 5 В | 10ЭЛ16 | Не квалифицирован | 1 | НЕТ | Получатель | -3,3 В | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Дифференциальный приемник | 0,65 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SSTVF16857AG | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 74ССТВФ | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 48-ТФСОП (ширина 0,240, 6,10 мм) | 2,3 В~2,7 В | 74SSTVF16857 | 48-ЦСОП | 14 | Зарегистрированный буфер с совместимым вводом-выводом SSTL_2 для DDR | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SSTUAF32868BHLF | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Поднос | 3 (168 часов) | /files/renesaselectronicsamericainc-sstuaf32868bhlf-datasheets-4094.pdf | 176-ТФБГА | 1,7 В~1,9 В | 74SSTUA32868 | 176-КАБГА (6х15) | 28 | Настраиваемый регистровый буфер 1:2 с контролем четности | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SSTUB32868ET/G,518 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 1,15 мм | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/nxpusainc-sstub32868ets518-datasheets-1893.pdf | 176-ТФБГА | 15 мм | 6 мм | 176 | 8542.39.00.01 | 1 | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | 1,7 В~2 В | 0,65 мм | 74SSTUB32868 | 176 | истинный | Не квалифицирован | Р-ПБГА-Б176 | 28 | ПОЛОЖИТЕЛЬНОЕ ПРЕИМУЩЕСТВО | 450 МГц | Настраиваемый регистровый буфер 1:2 с контролем четности | 3 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PI74SSTVF16857AEX | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 74ССТВФ | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | /files/diodesincorporated-pi74sstvf16857aex-datasheets-4098.pdf | 48-ТФСОП (ширина 0,240, 6,10 мм) | 2,3 В~2,7 В | 74SSTVF16857 | 48-ЦСОП | 14 | Зарегистрированный буфер с совместимым вводом-выводом SSTL_2 для DDR | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SSTVF16859BGLFT | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 74ССТВФ | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 64-ТФСОП (ширина 0,240, 6,10 мм) | 2,3 В~2,7 В | 74SSTVF16859 | 13, 26 | Зарегистрированный буфер с совместимым вводом-выводом SSTL_2 для DDR | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY10EP16UKG | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 10EP | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/microchiptechnology-sy100ep16umgtr-datasheets-2752.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 2,375 В~3,6 В | 10ЭП16 | 8-МСОП | 1 | Дифференциальный приемник/драйвер | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ССТВА16857АГЛФТ | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 48-ТФСОП (ширина 0,240, 6,10 мм) | 74ССТВА16857 | 14 | Зарегистрированный буфер с совместимым вводом-выводом SSTL_2 для DDR | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC10EP16VAMNR4G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 10EP | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ОКУ | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/onsemiconductor-mc100ep16vadg-datasheets-2211.pdf | 8-ВФДФН Открытая площадка | 2 мм | 2 мм | Без свинца | 8 | 5,5 В | 3В | да | EAR99 | ТАКЖЕ МОЖЕТ РАБОТАТЬ С ПИТАНИЕМ от -3 В до -5,5 В В РЕЖИМЕ NECL. | 1 | 42 мА | Никель/золото/палладий (Ni/Au/Pd) | Без галогенов | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 3В~5,5В | 0,5 мм | 10ЭП16 | 8 | 40 | -5,2 В | Не квалифицирован | С-ПДСО-Н8 | 1 | ДА | ЛИНЕЙНЫЙ ТРАНСИВЕР | Получатель | -5,2 В | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | 0,34 нс | Дифференциальный приемник/драйвер | 0,34 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИ100ЭП16УЗГ-ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100EP | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/microchiptechnology-sy100ep16umgtr-datasheets-2752.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 2,375 В~3,6 В | 100EP16 | 8-СОИК | Дифференциальный приемник/драйвер | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC14490ФЕЛЬГ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 4000 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | 2,05 мм | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-nlv14490dwr2g-datasheets-2812.pdf | 16-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 10,2 мм | 5,275 мм | 18В | Без свинца | 16 | 16 | да | Нет | 8542.39.00.01 | 6 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3В~18В | 1,27 мм | 4490 | 16 | 40 | Другие логические ИС | истинный | 5/15 В | 6 | 4,5 МГц | Устранитель отскоков контактов | ВЕРНО | 740 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY10EP16UKG-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 10EP | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/microchiptechnology-sy100ep16umgtr-datasheets-2752.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 2,375 В~3,6 В | 10ЭП16 | 8-МСОП | 1 | Дифференциальный приемник/драйвер | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY10EL16VEKG ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 10 эл. | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3,3 В 5 В | 10ЭЛ16 | 1 | Дифференциальный приемник | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИ10ЭП16УЗГ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 10EP | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/microchiptechnology-sy100ep16umgtr-datasheets-2752.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 2,375 В~3,6 В | 10ЭП16 | 8-СОИК | 1 | Дифференциальный приемник/драйвер | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY10EP16UMG-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 10EP | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 0,9 мм | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/microchiptechnology-sy100ep16umgtr-datasheets-2752.pdf | 8-VFDFN Открытая колодка, 8-MLF® | 2 мм | 2 мм | 8 | 3,6 В | 2,375 В | 8 | EAR99 | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ С ОТРИЦАТЕЛЬНЫМ ПИТАНИЕМ ОТ -2,375 В ДО -3,6 В В РЕЖИМЕ NECL. | 1 | 25 мА | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 2,375 В~3,6 В | 0,5 мм | 10ЭП16 | Не квалифицирован | 2,5 Гбит/с | ДА | ЛИНЕЙНЫЙ ТРАНСИВЕР | 1 | Получатель | 1 | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | 0,33 нс | 1 | Дифференциальный приемник/драйвер | 0,33 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ССТВА16859АКЛФТ | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 56-VFQFN Открытая колодка | 2,3 В~2,7 В | 74ССТВА16859 | 13, 26 | Зарегистрированный буфер с совместимым вводом-выводом SSTL_2 для DDR | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY10EL16VBKG ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 10 эл. | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3,3 В 5 В | 10ЭЛ16 | 1 | Дифференциальный приемник | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SSTV16859CKLFT | Ренесас Электроникс Америка Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 74ССТВ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | /files/renesaselectronicsamemericainc-sstv16859cglft-datasheets-3922.pdf | 56-VFQFN Открытая колодка | 2,3 В~2,7 В | 74SSTV16859 | 13, 26 | Зарегистрированный буфер с совместимым вводом-выводом SSTL_2 для DDR | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74SSTUB32865AZJBR | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 74ССТУБ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 410 МГц | Соответствует ROHS3 | /files/texasinstruments-74sstub32865azjbr-datasheets-4034.pdf | 160-ТФБГА | 13 мм | 1,2 мм | 9 мм | 1,8 В | Содержит свинец | 160 | 1,9 В | 1,7 В | 160 | LIFEBUY (Последнее обновление: 2 дня назад) | 770 мкм | EAR99 | Медь, Серебро, Олово | Нет | ЗДЖБ(Р-ПБГА--N160) | ТР | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | Неинвертирующий | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,7 В~1,9 В | 0,65 мм | 74SSTUB32865 | 160 | Другие логические ИС | 1 | 28 | 3 нс | Буфер | 1,1 нс | 56 | -12 мА | 12 мА | ОТКРЫТЫЙ СТОК | Зарегистрированный буфер 1:2 с четностью | Положительное преимущество | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SSTVF16859BKLF | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 74ССТВФ | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Поднос | 3 (168 часов) | 56-VFQFN Открытая колодка | 2,3 В~2,7 В | 74SSTVF16859 | 13, 26 | Зарегистрированный буфер с совместимым вводом-выводом SSTL_2 для DDR | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ССТВА16859AGLF | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Трубка | 1 (без блокировки) | 64-ТФСОП (ширина 0,240, 6,10 мм) | 2,3 В~2,7 В | 74ССТВА16859 | 13, 26 | Зарегистрированный буфер с совместимым вводом-выводом SSTL_2 для DDR | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SSTV16859CKLF | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 74ССТВ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | /files/renesaselectronicsamemericainc-sstv16859cglft-datasheets-3922.pdf | 56-VFQFN Открытая колодка | 2,3 В~2,7 В | 74SSTV16859 | 13, 26 | Зарегистрированный буфер с совместимым вводом-выводом SSTL_2 для DDR | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SSTVF16857ALLF | Ренесас Электроникс Америка Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 74ССТВФ | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Трубка | 1 (без блокировки) | 48-ТФСОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 2,3 В~2,7 В | 74SSTVF16857 | 14 | Зарегистрированный буфер с совместимым вводом-выводом SSTL_2 для DDR | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SSTUF32866AHLF | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Поднос | 3 (168 часов) | 96-ЛФБГА | 1,7 В~1,9 В | 74SSTUF32866 | 25, 14 | Настраиваемый зарегистрированный буфер для DDR2 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИ100ЭП16ВЗГ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100EP | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2008 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5,5 В | Без свинца | 11 недель | 8 | 1 | 30 мА | 3В~5,5В | 100EP16 | 8-СОИК | Получатель | Дифференциальный приемник/драйвер | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ССТВА16859АКЛФ | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Поднос | 3 (168 часов) | 56-VFQFN Открытая колодка | 2,3 В~2,7 В | 74ССТВА16859 | 13, 26 | Зарегистрированный буфер с совместимым вводом-выводом SSTL_2 для DDR |
