Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактСпециальные логические ИС(3112)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Сопротивление | Количество контактов | Количество приемников | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Толщина | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Способ упаковки | Количество функций | Максимальное входное напряжение | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Выходная полярность | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Семья | Поставщик пакета оборудования | Уровень скрининга | Скорость передачи данных | Количество битов | Дифференциальный выход | Входные характеристики | Тип интерфейса микросхемы | Количество бит-приемника | Прямой ток | Прямое напряжение | Включить время задержки | Эмкость нагрузки | Максимальный обратный ток утечки | Логическая функция | Задержка распространения | Количество выходов | Выходной ток высокого уровня | Выходной ток нижнего уровня | Сегодняшний день | Тип ИБП/UCS/периферийных микросхем | Количество передатчиков | Пиковый обратный ток | Максимальное повторяющееся обратное напряжение (Vrrm) | Обратное время восстановления | Время восстановления | Количество сигнальных линий | Напряжение питания1-ном. | Количество входных строк | Отрицательное напряжение питания-ном. | Число бит драйвера | Количество входов | Стандарт | Задержка передачи-Макс. | Входное соглашение | Тип триггера | Количество выходных линий | Максимальный ток источника питания (ICC) | Тип логики | Направление счета | Опора Delay@Nom-Sup | Тип триггера по фронту тактового сигнала | Задержка распространения (tpd) | Получить задержку-Макс. | Выход Свинг-Мин |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MC100EP16VADTR2G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100EP | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ОКУ | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/onsemiconductor-mc100ep16vadg-datasheets-2211.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 3 мм | Без свинца | 4 недели | 5,5 В | 3В | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | ТАКЖЕ МОЖЕТ РАБОТАТЬ С ПИТАНИЕМ от -3 В до -5,5 В В РЕЖИМЕ NECL. | 1 | 40 мА | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3В~5,5В | 0,65 мм | 100EP16 | 8 | 40 | Линейный водитель или приемники | -4,5 В | Не квалифицирован | ДА | ЛИНЕЙНЫЙ ТРАНСИВЕР | 1 | И, приемник | 1 | -4,5 В | 1 | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | 0,34 нс | Дифференциальный приемник/драйвер | 0,34 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НЛВ14490DWR2G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-nlv14490dwr2g-datasheets-2812.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 10,3 мм | 7,5 мм | 18В | Без свинца | 16 | 14 недель | 16 | АКТИВНО (Последнее обновление: 1 день назад) | да | Нет | 8542.39.00.01 | 6 | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3В~18В | 1,27 мм | 16 | Другие логические ИС | истинный | 5/15 В | 4000/14000/40000 | АЭК-Q100 | 6 | ПОЛОЖИТЕЛЬНОЕ ПРЕИМУЩЕСТВО | Устранитель отскоков контактов | ВЕРНО | 740 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC100LVEP16DR2G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100LVEP | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/onsemiconductor-mc100lvep16dtg-datasheets-2061.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | Без свинца | 4 недели | 3,8 В | 2,375 В | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | 1 | 36 мА | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2,375 В~3,8 В | 100LVEP16 | 8 | 40 | ДА | ЛИНЕЙНЫЙ ТРАНСИВЕР | И, приемник | 1 | 1 | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | 0,32 нс | Дифференциальный приемник/драйвер | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SN74SSTVF16859S8G3 | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 74ССТВФ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | 500 МГц | Соответствует ROHS3 | 56-VFQFN Открытая колодка | 8 мм | 1 мм | 8 мм | 2,5 В | Без свинца | 56 | 6 недель | 2,7 В | 2,3 В | 56 | АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) | да | 930 мкм | ТР | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | Неинвертирующий | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 2,3 В~2,7 В | 0,5 мм | 74SSTVF16859 | 56 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие логические ИС | Не квалифицирован | 13, 26 | 5 нс | Буфер | 2,2 нс | -16 мА | 16 мА | 13 | 26 | Зарегистрированный буфер с совместимым вводом-выводом SSTL_2 для DDR | Положительное преимущество | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НБ4Н527СМНР2Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/onsemiconductor-nb4n527smnr2g-datasheets-2831.pdf | 16-VFQFN Открытая колодка | 3 мм | 3 мм | Без свинца | 16 | 6 недель | 3,6 В | 3В | 16 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | 1 | 40 мА | Никель/золото/палладий (Ni/Au/Pd) | Без галогенов | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 3В~3,6В | 0,5 мм | 4Н527 | 16 | 40 | Линейный водитель или приемники | Не квалифицирован | 2,5 Гбит/с | 2 | СХЕМА ИНТЕРФЕЙСА | Буфер, приемник, транслятор | Приемник, драйвер, буфер, транслятор | 0,47 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SN74ACT1071D | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 74АКТ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 14-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8,65 мм | 1,75 мм | 3,91 мм | Без свинца | 14 | 6 недель | 129,387224 мг | Нет СВХК | 5,5 В | 4,5 В | 14 | АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) | да | 1,58 мм | EAR99 | Нет | 8542.39.00.01 | 1 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 4,5 В~5,5 В | 1,27 мм | 74ACT1071 | 14 | Автобусные терминалы | 5В | 0,04 мА | 10 | НЕТ | 10 | Массивные оконечные устройства | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74F382 | МИКРОСС/О полупроводниках | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 74F | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | 4 недели | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SN74LVT8980ADWR | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 74ЛВТ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 24-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 15,4 мм | 2,65 мм | 7,5 мм | 3,6 В | Без свинца | 24 | 6 недель | 624,398247мг | 24 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | 2,35 мм | Нет | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2,7 В~3,6 В | 1,27 мм | 74LVT8980 | 24 | Другие микропроцессорные ИС | 3,3 В | 8 | 30 нс | 5 | МИКРОПРОЦЕССОРНАЯ СХЕМА | Встроенные контроллеры тестовой шины | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SN74SSQE32882ZALR | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | Соответствует ROHS3 | /files/texasinstruments-sn74ssqe32882zalr-datasheets-2841.pdf | 176-ТФБГА | 13,5 мм | 1,2 мм | 8 мм | 1,5 В | Без свинца | 176 | 310,002035мг | 176 | NRND (Последнее обновление: 5 дней назад) | да | 770 мкм | Нет | ТР | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | Неинвертирующий | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1425~1575В | 0,65 мм | 74SSQE32882 | 176 | 1 | Другие логические ИС | С | 28, 56 | Буфер | 60 | -50 мА | 50 мА | 28 | СТАНДАРТ | Зарегистрированный буфер 1:2 с четностью | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74SSTUBF32866BBFG | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamemericainc-74sstubf32866bbfg8-datasheets-2675.pdf | 96-ЛФБГА | 12 недель | 1,7 В~1,9 В | 74SSTUB32866 | 96-КАБГА (13,5х5,5) | 25, 14 | Настраиваемый регистровый буфер 1:1, 1:2 с контролем четности | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100EL16VCKG | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100 ЕЛ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | /files/microchiptechnology-sy100el16vazgtr-datasheets-2150.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 5В | 8 недель | 8 | 1 | Нет | 46 мА | 3,3 В 5 В | 100EL16 | 8-МСОП | 1 | Получатель | Дифференциальный приемник | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC100EL16DTR2G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100 ЕЛ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ОКУ | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/onsemiconductor-mc10el16dg-datasheets-2474.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 3 мм | Без свинца | 8 | 12 недель | 5,7 В | 4,2 В | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 недели назад) | да | EAR99 | РЕЖИМ NECL: VCC=0 VEE=-4,2 ДО -5,7 | 1 | 22 мА | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 4,2 В~5,7 В | 0,65 мм | 100EL16 | 8 | 40 | +-5В | Не квалифицирован | 1 | ДА | Получатель | -5В | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Дифференциальный приемник | 0,325 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SN74TVC3010DGVRG4 | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОС | Соответствует ROHS3 | 24-ТФСОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 5 мм | 1,2 мм | 4,4 мм | Без свинца | 24 | 6 недель | 60,894776мг | 5В | 0 В | 12,5 Ом | 24 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | 1,05 мм | Нет | 8542.39.00.01 | ТР | 1 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2,1 В | 0,4 мм | 74TVC3010 | 24 | 11 | Другие логические ИС | истинный | 2,1 В | 74 | 10 | 4 нс | 4 нс | Зажим напряжения | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100EL16VCKG-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100 ЕЛ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/microchiptechnology-sy100el16vazgtr-datasheets-2150.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 5В | 8 недель | 8 | 1 | 46 мА | 3,3 В 5 В | 100EL16 | 8-МСОП | 1 | Получатель | Дифференциальный приемник | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY89206VMG-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | SY89 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 0,9754 мм | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/microchiptechnology-sy89206vmgtr-datasheets-2695.pdf | 8-VFDFN Открытая колодка, 8-MLF® | 2 мм | 2 мм | 8 | 8 недель | 5,5 В | 3В | 8 | 1 | EAR99 | 1 | 26 мА | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 3В~3,6В 4,5В~5,5В | 0,5 мм | 89206 | 40 | Не квалифицирован | 1 Гбит/с | Получатель | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Дифференциальный приемник | 425 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC100LVEL17DWR2G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100 УРОВЕЛЕЙ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ОКУ | 2,65 мм | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mc100lvel17dwg-datasheets-2380.pdf | 20-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 12,8 мм | 7,5 мм | Без свинца | 20 | 15 недель | 3,8 В | 3В | 20 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | ТАКЖЕ МОЖЕТ РАБОТАТЬ С ПИТАНИЕМ от -3 В до -3,8 В В РЕЖИМЕ NECL. | 4 | 2,42 В | 33 мА | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3В~3,8В | 1,27 мм | 100УРОВЕНЬ17 | 20 | 40 | -3,3/-53,3/5 В | Не квалифицирован | 4 | ДА | Получатель | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Дифференциальный приемник | 0,55 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CD74HCT283M96G4 | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 74HCT | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 9,9 мм | 1,75 мм | 3,91 мм | 5В | Без свинца | 16 | 6 недель | 141,690917мг | 5,5 В | 4,5 В | 16 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | 1,58 мм | С ПОЛНЫМ ВНУТРЕННЫМ ПРОГНОЗОМ | Золото | Нет | ТР | 1 | е4 | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 4,5 В~5,5 В | 74HCT283 | 16 | 1 | Арифметические схемы | истинный | 5В | HCT | 4 | 80 нс | 50пФ | Двойной полный итогор | 80 нс | -4мА | 4мА | 8мкА | 0,08 мА | Двойной полный оператор с быстрым переносом | 60 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY89307VMG-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | SY89 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 0,9254 мм | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/microchiptechnology-sy89307vmgtr-datasheets-2332.pdf | 8-VFDFN Открытая колодка, 8-MLF® | 2 мм | 2 мм | 8 | 6 недель | 5,5 В | 3В | 8 | 1 | EAR99 | СИДЯЩИЙ HT-РАСЧЕТНЫЙ; ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ НОМИНАЛЬНОМ НАПРЯЖЕНИИ VCC 5 В. | 1 | 51 мА | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 3В~5,5В | 0,5 мм | 89307 | 40 | Не квалифицирован | 2,5 Гбит/с | ДА | Получатель | -3,3 В | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Дифференциальный приемник | 0,4 нс | 0,565 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC100LVEL16MNR4G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100 УРОВЕЛЕЙ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ОКУ | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/onsemiconductor-mc100lvel16dg-datasheets-2193.pdf | 8-ВФДФН Открытая площадка | 2 мм | 2 мм | Без свинца | 8 | 14 недель | 3,8 В | 3В | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | 1 | 24 мА | Никель/золото/палладий (Ni/Au/Pd) | Без галогенов | ДВОЙНОЙ | 260 | 3В~3,8В | 0,5 мм | 100УРОВЕНЬ16 | 8 | 40 | 1 | ДА | Получатель | -3,3 В | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Дифференциальный приемник | 0,375 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100EL16VDWC | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100 ЕЛ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 2 (1 год) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | 10-ТФСОП, 10-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 6 недель | 3,3 В 5 В | 100EL16 | 10-МСОП | 1 | Дифференциальный приемник | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100EP16UMG-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100EP | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 0,9 мм | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/microchiptechnology-sy100ep16umgtr-datasheets-2752.pdf | 8-VFDFN Открытая колодка, 8-MLF® | 2 мм | 2 мм | 7 недель | 3,6 В | 2,375 В | 8 | EAR99 | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ С ОТРИЦАТЕЛЬНЫМ ПИТАНИЕМ ОТ -2,375 В ДО -3,6 В В РЕЖИМЕ NECL. | 1 | 25 мА | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 2,375 В~3,6 В | 0,5 мм | 100EP16 | 40 | Не квалифицирован | 2,5 Гбит/с | ДА | ЛИНЕЙНЫЙ ТРАНСИВЕР | 1 | Получатель | 1 | 1 | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | 0,33 нс | Дифференциальный приемник/драйвер | 0,33 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74АУП1З125ГФ,132 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 74АУП | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 0,5 мм | Соответствует ROHS3 | /files/nexperiausainc-74aup1z125gn132-datasheets-2551.pdf | 6-XFDFN | 1 мм | 1 мм | 3,6 В | 6 | 13 недель | 6 | 2 | Олово | Нет | 8542.39.00.01 | 1 | е3 | ДВОЙНОЙ | 260 | 0,8 В~3,6 В | 0,35 мм | 74АУП1З125 | 6 | 30 | истинный | АУП/УЛП/В | 1 | Инвертор | Инвертор, драйвер X-Tal | 23,9 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100EL16VFKG | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100 ЕЛ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 5В | Без свинца | 8 недель | 8 | 1 | 46 мА | 3,3 В 5 В | 100EL16 | 8-МСОП | 1 | Получатель | Дифференциальный приемник | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100EL16VDKG | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100 ЕЛ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | /files/microchiptechnology-sy100el16vazgtr-datasheets-2150.pdf | 10-ТФСОП, 10-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 5В | Без свинца | 8 недель | 10 | 3 | 40 мА | 3,3 В 5 В | 100EL16 | 10-МСОП | 1 | Получатель | Дифференциальный приемник | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74LVX161284AMTX | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 74LVX | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | /files/rochesterelectronicsllc-74lvx161284amtd-datasheets-2599.pdf | 48-ТФСОП (ширина 0,240, 6,10 мм) | 12,5 мм | 6,1 мм | 48 | да | СОДЕРЖИТ ВОСЕМЬ ДВУНАПРАВЛЕННЫХ БУФЕРОВ ДАННЫХ | неизвестный | 12 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3В~3,6В | 0,5 мм | 48 | НЕ УКАЗАН | КОММЕРЧЕСКИЙ | 8 | НЕТ | ТРИГГЕР ШМИТТА | ЛИНЕЙНЫЙ ТРАНСИВЕР | 3,15 В | 14 нс | Трансивер перевода IEEE STD 1284 | 14 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИ100ЭЛ16ВЗГ-ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100 ЕЛ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5В | Без свинца | 7 недель | 5,5 В | 3В | 8 | 1 | Нет | 22 мА | Неинвертирующий | 3,3 В 5 В | 100EL16 | 8-СОИК | 1 | Получатель | 250 пс | 1 | 1 | Дифференциальный приемник | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СН74Ф1056Д | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 74F | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Трубка | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | Соответствует ROHS3 | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 9,9 мм | 1,75 мм | 3,91 мм | Без свинца | 16 | 6 недель | Нет СВХК | 1,2 В | 1В | 16 | АКТИВНО (Последнее обновление: 1 день назад) | да | 1,58 мм | EAR99 | Нет | 1 | 250 мА | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1,27 мм | 74F1056 | 16 | Общий анод | 8 | НЕТ | 170 мА | 1,2 В | 2мкА | 2мкА | 7В | 7 нс | 7 нс | 8 | Оконечная матрица с диодами с барьером Шоттки | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74TVC16222ADGGRG4 | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | НМОП | Соответствует ROHS3 | 48-ТФСОП (ширина 0,240, 6,10 мм) | 12,5 мм | 1,2 мм | 6,1 мм | Без свинца | 48 | 6 недель | 223,195796мг | 5,5 В | 0 В | 12,5 Ом | 48 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | 1,15 мм | Золото | Нет | 8542.39.00.01 | ТР | 1 | е4 | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2,1 В | 0,5 мм | 74TVC16222 | 48 | 23 | Другие логические ИС | истинный | 2,1 В | ГТЛ/ТВЦ | 22 | 4 нс | Переводчик | 4 нс | Зажим напряжения | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY89316VMG-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | SY89 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 0,9254 мм | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/microchiptechnology-sy89316vmgtr-datasheets-2735.pdf | 8-VFDFN Открытая колодка, 8-MLF® | 2 мм | 2 мм | 5,5 В | 8 | 8 | EAR99 | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ ПИТАНИИ 5 В И VEE = -3,3, VCC = 0. | 1 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 3В~3,6В 4,5В~5,5В | 0,5 мм | 89316 | 40 | Не квалифицирован | ДА | 1 | Получатель | -3,3 В | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Дифференциальный приемник | 0,3 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ССТВА16859CKLF | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 56-VFQFN Открытая колодка | 12 недель | 2,3 В~2,7 В | 74ССТВА16859 | 13, 26 | Зарегистрированный буфер с совместимым вводом-выводом SSTL_2 для DDR |
