Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактСоединённые драйверы ворот (1845 г.)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Рабочий ток питания | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | Утверждающее агентство | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Температурный класс | Рабочая температура (макс.) | Рабочая температура (мин) | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Количество вариантов | Аналоговая микросхема — другой тип | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Время ответа | Количество элементов | Подкатегория | Источники питания | Количество цепей | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Скорость передачи данных | Максимальный выходной ток | Тип интерфейса микросхемы | Прямой ток | Прямое напряжение | Максимальный входной ток | Включить время задержки | Тип оптоэлектронного устройства | Прямой ток-макс. | Время подъема | Осень (тип.) | Конфигурация | Задержка распространения | Количество выходов | Напряжение – изоляция | Рассеиваемая мощность-Макс. | Обратное напряжение проба | Направление | Ограничение пикового выходного тока. | Встроенная защита | Управление выходного тока | Время включения | Время выключения | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | Ток — выходной высокий, низкий | Время подъема/спада (типичное) | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Задержка распространения tpLH/tpHL (Макс.) | Переходная устойчивость к синфазному режиму (мин.) | Искажение угла импульса (макс.) | Напряжение – выходное питание | Ток — пиковый выход | Широтно-импульсное вмешательство (PWD) | Напряжение питания1-ном. | Напряжение питания1-мин. | Драйвер верхней стороны |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ФОД8333 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-fod8333v-datasheets-1639.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 24 недели | 758мг | UL | 16 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | 600мВт | 260 | 1 | НЕ УКАЗАН | 3А | СХЕМА ИНТЕРФЕЙСА | 16 мА | 250 нс | 4243 В (среднеквадратичное значение) | 1,45 В | 2,5 А 2,5 А | 50 нс 50 нс | 25 мА | 250 нс, 250 нс | 35кВ/мкс | 3В~15В | 100 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8275DB-IS1 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 2А (4 недели) | 1,75 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8271gbisr-datasheets-8023.pdf | 9,9 мм | 3,9 мм | 16 | 8 недель | 8542.39.00.01 | 1 | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 5В | 1,27 мм | АВТОМОБИЛЬНЫЙ | 125°С | -40°С | 5,5 В | 2,5 В | АНАЛОГОВАЯ ЦЕПЬ | Р-ПДСО-G16 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PS9331L-AX | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Полоска | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-ps9331l2ve3ax-datasheets-1405.pdf | 6-SOIC (ширина 0,268, 6,80 мм) | 16 недель | ЦСА, СЕМКО, УЛ | да | ДА | 30 В | 1 | 1,05е-7 нс | 1 | Оптопара — выходы IC | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 0,25 Вт | 1,56 В | 2А 2А | 40 нс 40 нс | 25 мА | 175 нс, 175 нс | 50 кВ/мкс | 75нс | 15 В~30 В | 2,5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PS9307L2-AX | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Масса | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-ps9307le3ax-datasheets-1264.pdf | 6-SOIC (ширина 0,268, 6,80 мм) | 16 недель | ЦСА, СЕМКО, УЛ | да | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | ДА | 30 В | 1 | 1,75е-7 нс | 1 | Оптопара — выходы IC | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 0,025А | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 0,25 Вт | 1,56 В | 400 мА 400 мА | 30 нс 30 нс | 25 мА | 175 нс, 175 нс | 50 кВ/мкс | 90 нс | 10 В~30 В | 600 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8230BD-D-IS3R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8238bbdis1r-datasheets-8090.pdf | 14-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | совместимый | 2 | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 2А 4А | 12нс 12нс | 60нс, 60нс | 45кВ/мкс | 5,6 нс | 6,5 В~24 В | 4А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI823H9AC-IS | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Трубка | 3 (168 часов) | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 недель | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ACPL-K34T-060E | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100, R²Coupler™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2015 год | 8-SOIC (ширина 0,268, 6,81 мм) | 20 В | 26 недель | CSA, МЭК/EN/DIN, UR | 1 | 2,5 А | 10 мА | 110 нс | 110 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,5 В | 2А 2А | 10 нс 10 нс | 20 мА | 110 нс, 110 нс | 50 кВ/мкс | 10 В~20 В | 40 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PS9307L-AX | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-ps9307le3ax-datasheets-1264.pdf | 6-SOIC (ширина 0,268, 6,80 мм) | Без свинца | 16 недель | ЦСА, СЕМКО, УЛ | да | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | ДА | 30 В | 1 | 1,75е-7 нс | 1 | Оптопара — выходы IC | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 0,025А | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 0,25 Вт | 1,56 В | 400 мА 400 мА | 30 нс 30 нс | 25 мА | 175 нс, 175 нс | 50 кВ/мкс | 90 нс | 10 В~30 В | 600 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФОД8332R2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fod8332r2-datasheets-1712.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | Без свинца | 24 недели | 758мг | UL | 16 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 600мВт | 1 | 3А | СХЕМА ИНТЕРФЕЙСА | 250 нс | 50 нс | 250 нс | 4243 В (среднеквадратичное значение) | Двунаправленный | 1,45 В | 2,5 А 2,5 А | 50 нс 50 нс | 25 мА | 250 нс, 250 нс | 35кВ/мкс | 3В~15В | 100 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| UCC21541DWR | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 10,3 мм | 16 | 12 недель | ККК, УЛ, ВДЭ | да | совместимый | 1 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | UCC21541 | 5,5 В | 3В | 2 | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-G16 | ПОЛУМОСТОВОЙ ДРАЙВЕР IGBT/MOSFET | 5700 В (среднеквадратичное значение) | 2,5 А | 0,04 мкс | 0,04 мкс | 1,5 А 2,5 А | 8нс 9нс | 40 нс, 40 нс | 100 В/нс | 6,5 нс | 9,2 В~18 В | 1,5 А 2,5 А | ДА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PS9331L2-V-AX | Ренесас Электроникс Америка | 22,35 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Полоска | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-ps9331l2ve3ax-datasheets-1405.pdf | 6-SOIC (ширина 0,268, 6,80 мм) | 16 недель | CSA, SEMKO, UL, VDE | да | ДА | 30 В | 1 | 1,05е-7 нс | 1 | Оптопара — выходы IC | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 0,25 Вт | 1,56 В | 2А 2А | 40 нс 40 нс | 25 мА | 175 нс, 175 нс | 50 кВ/мкс | 75нс | 15 В~30 В | 2,5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8275AB-IS1 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 2А (4 недели) | 1,75 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8271gbisr-datasheets-8023.pdf | 9,9 мм | 3,9 мм | 16 | 8 недель | 1 | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 5В | 1,27 мм | АВТОМОБИЛЬНЫЙ | 125°С | -40°С | 5,5 В | 2,5 В | АНАЛОГОВАЯ ЦЕПЬ | Р-ПДСО-G16 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8235BA-D-IS1 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | 1,75 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8238bbdis1r-datasheets-8090.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 9,9 мм | 16 | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | EAR99 | 1 | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 16 | 5,5 В | 4,5 В | 2 | НЕ УКАЗАН | Драйверы периферийных устройств | Не квалифицированный | Р-ПДСО-G16 | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 4А | ПОД НАПРЯЖЕНИЕМ | ИСТОЧНИК ПРИЕМНИК | 2А 4А | 12 нс 12 нс Макс. | 60нс, 60нс | 20 кВ/мкс | 5,6 нс | 6,5 В~24 В | 4А | 12 В | 6,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI82398CB4-IS1R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si82395bdis-datasheets-9093.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | 2 | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 2А 4А | 12 нс 12 нс Макс. | 135 нс, 95 нс | 35кВ/мкс | 5,6 нс | 12,8 В~24 В | 4А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8275BB-IS1 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 2А (4 недели) | 1,75 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8271gbisr-datasheets-8023.pdf | 9,9 мм | 3,9 мм | 16 | 8 недель | 1 | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 5В | 1,27 мм | АВТОМОБИЛЬНЫЙ | 125°С | -40°С | 5,5 В | 2,5 В | АНАЛОГОВАЯ ЦЕПЬ | Р-ПДСО-G16 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8231AD-D-IS | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8238bbdis1r-datasheets-8090.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 10,3 мм | 16 | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | Неизвестный | 5,5 В | 4,5 В | 16 | EAR99 | 1 | 1,2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 16 | 2 | НЕ УКАЗАН | Драйверы периферийных устройств | Не квалифицированный | 500 мА | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 60 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 0,5 А | ПОД НАПРЯЖЕНИЕМ | ИСТОЧНИК ПРИЕМНИК | 250 мА 500 мА | 20 нс 20 нс Макс. | 60нс, 60нс | 20 кВ/мкс | 6,5 В~24 В | 5,6 нс | 12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8275BB-IS1R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 2А (4 недели) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8271gbisr-datasheets-8023.pdf | 8 недель | АНАЛОГОВАЯ ЦЕПЬ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФОД8333В | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fod8333v-datasheets-1639.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 24 недели | 758мг | МЭК/ЭН/ДИН, УЛ | 16 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | 600мВт | 260 | 1 | НЕ УКАЗАН | 3А | СХЕМА ИНТЕРФЕЙСА | 16 мА | 50 нс | 50 нс | 250 нс | 4243 В (среднеквадратичное значение) | 1,45 В | 2,5 А 2,5 А | 50 нс 50 нс | 25 мА | 250 нс, 250 нс | 35кВ/мкс | 3В~15В | 100 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDA215S | Подразделение интегральных микросхем IXYS | $3,43 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Оптическая связь | 5мА | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-fda215s-datasheets-8808.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 8 недель | ЕН, МЭК, ТУВ | 8 | Нет | 500мВт | 2 | 500мВт | 2 | 2 | 8-СМД | 100 мА | 1,4 В | 2 | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 1,2 В | 100 мА | 5 мс, 5 мс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8274DB4D-IS1R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | Эмкостная связь | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8271gbisr-datasheets-8023.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 недель | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | АНАЛОГОВАЯ ЦЕПЬ | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,8 А 4 А | 10,5 нс 13,3 нс | 105нс, 105нс | 200 кВ/мкс | 47нс | 4,2 В~30 В | 4А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8275ABD-IS1R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | Эмкостная связь | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8271gbisr-datasheets-8023.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 недель | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | АНАЛОГОВАЯ ЦЕПЬ | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,8 А 4 А | 10,5 нс 13,3 нс | 75нс, 75нс | 200 кВ/мкс | 8нс | 4,2 В~30 В | 4А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PS9308L2-AX | Ренесас Электроникс Америка | $22,41 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-ps9308le3ax-datasheets-0750.pdf | 6-SOIC (ширина 0,268, 6,80 мм) | 16 недель | ЦСА, СЕМКО, УЛ | да | УЛ ПРИЗНАЛ | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | ДА | 30 В | 1 | 2,5е-7 нс | 1 | Оптопара — выходы IC | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 0,25 Вт | 1,56 В | 1,5 А 1,5 А | 50 нс 50 нс | 25 мА | 250 нс, 250 нс | 25кВ/мкс | 100 нс | 15 В~30 В | 2А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8275BBD-IS1R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | Эмкостная связь | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8271gbisr-datasheets-8023.pdf | 14-ВДФН | 8 недель | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | АНАЛОГОВАЯ ЦЕПЬ | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,8 А 4 А | 10,5 нс 13,3 нс | 75нс, 75нс | 200 кВ/мкс | 8нс | 4,2 В~30 В | 4А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8232AD-D-IS | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8238bbdis1r-datasheets-8090.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 10,3 мм | 16 | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | Неизвестный | 5,5 В | 4,5 В | 16 | EAR99 | 1 | 1,2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 16 | 2 | НЕ УКАЗАН | Драйверы периферийных устройств | Не квалифицированный | 500 мА | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 60 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 0,5 А | ПОД НАПРЯЖЕНИЕМ | ИСТОЧНИК ПРИЕМНИК | 250 мА 500 мА | 20 нс 20 нс Макс. | 60нс, 60нс | 20 кВ/мкс | 6,5 В~24 В | 5,6 нс | 12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8285BD-IS | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8285cdisr-datasheets-0977.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 6 недель | CQC, CSA, UR, VDE | Неизвестный | да | EAR99 | 1 | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР MOSFET | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 2,5 А 3 А | 5,5 нс 8,5 нс | 50 нс, 50 нс | 35кВ/мкс | 5нс | 10 В~30 В | 4А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8274BB4D-IS1R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 2А (4 недели) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8271gbisr-datasheets-8023.pdf | 8 недель | АНАЛОГОВАЯ ЦЕПЬ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8275AB-IS1R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 2А (4 недели) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8271gbisr-datasheets-8023.pdf | 8 недель | АНАЛОГОВАЯ ЦЕПЬ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ACNU-3410-000E | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Не соответствует требованиям RoHS | 8-SOIC (ширина 0,378, 9,60 мм) | 22 недели | CSA, МЭК/EN/DIN, UR | EAR99 | НЕ УКАЗАН | 1 | НЕ УКАЗАН | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,45 В | 2,5 А 2,5 А | 20 нс 10 нс | 25 мА | 150 нс, 150 нс | 100 кВ/мкс | 80нс | 15 В~30 В | 3А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ACNU-3410-500E | Бродком Лимитед | $4,79 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 8-SOIC (ширина 0,378, 9,60 мм) | 22 недели | CSA, МЭК/EN/DIN, UR | EAR99 | НЕ УКАЗАН | 1 | НЕ УКАЗАН | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,45 В | 2,5 А 2,5 А | 20 нс 10 нс | 25 мА | 150 нс, 150 нс | 100 кВ/мкс | 80нс | 15 В~30 В | 3А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ADUM1234BRWZ-RL | Аналоговые устройства Inc. | $4,36 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | iCoupler® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Магнитная муфта | 3мА | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/analogdevicesinc-adum1234brwz-datasheets-9674.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 10,3 мм | Содержит свинец | 16 | 8 недель | УР, ВДЕ | 16 | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 2 недели назад) | нет | EAR99 | Нет | 8543.70.99.60 | 1 | 3мА | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | АДУМ1234 | 16 | 2 | 30 | Драйверы МОП-транзисторов | 515В | 10 Мбит/с | 100 мА | СХЕМА ИНТЕРФЕЙСА | 160 нс | 160 нс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 25 нс 25 нс Макс. | 160 нс, 160 нс | 75 кВ/мкс | 12 В~18 В | 8 нс |
