Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактСоединённые драйверы ворот (1845 г.)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Утверждающее агентство | Количество контактов | ECCN-код | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Количество вариантов | Подкатегория | Источники питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Максимальный выходной ток | Максимальное выходное напряжение | Выходной ток | Прямой ток | Прямое напряжение | Максимальный входной ток | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Задержка распространения | Выходной ток высокого уровня | Выходной ток нижнего уровня | Напряжение – изоляция | Направление | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | Ток — выходной высокий, низкий | Время подъема/спада (типичное) | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Задержка распространения tpLH/tpHL (Макс.) | Переходная устойчивость к синфазному режиму (мин.) | Искажение угла импульса (макс.) | Напряжение – выходное питание | Ток – пиковый выход | Широтно-импульсное вмешательство (PWD) | Выходной ток на канале |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SI8234AB-C-IS1R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8230bdbis-datasheets-9853.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 16 | CQC, CSA, UR, VDE | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 2 | Драйверы периферийных устройств | 3/5 В | Не квалифицированный | Р-ПДСО-G16 | 60 нс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 2А 4А | 12 нс 12 нс Макс. | 60нс, 60нс | 20 кВ/мкс | 6,5 В~24 В | 4А | 5,6 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8232BB-B-ISR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8230bdbis-datasheets-9853.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 16 | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | EAR99 | Нет | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 2 | Драйверы периферийных устройств | 3/5 В | Р-ПДСО-G16 | 60 нс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 250 мА 500 мА | 20 нс 20 нс Макс. | 60нс, 60нс | 20 кВ/мкс | 9,4 В~24 В | 500 мА | 5,6 нс | ||||||||||||||||||||||||||||
| SI8235BB-C-ISR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8230bdbis-datasheets-9853.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 16 | 10 недель | CQC, CSA, UR, VDE | EAR99 | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 2 | Драйверы периферийных устройств | 3/5 В | Не квалифицированный | Р-ПДСО-G16 | 60 нс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 2А 4А | 12 нс 12 нс Макс. | 60нс, 60нс | 20 кВ/мкс | 9,4 В~24 В | 4А | 5,6 нс | ||||||||||||||||||||||||||||
| SI8234AB-C-ISR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8230bdbis-datasheets-9853.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 16 | 10 недель | CQC, CSA, UR, VDE | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 2 | Драйверы периферийных устройств | 3/5 В | Не квалифицированный | Р-ПДСО-G16 | 60 нс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 2А 4А | 12 нс 12 нс Макс. | 60нс, 60нс | 20 кВ/мкс | 6,5 В~24 В | 4А | 5,6 нс | |||||||||||||||||||||||||||||
| SI8234AD-C-ISR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8230bdbis-datasheets-9853.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 16 | CQC, CSA, UR, VDE | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 2 | Драйверы периферийных устройств | 3/5 В | Не квалифицированный | Р-ПДСО-G16 | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 2А 4А | 12 нс 12 нс Макс. | 60нс, 60нс | 20 кВ/мкс | 5,6 нс | 6,5 В~24 В | 4А | |||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8235AD-C-ISR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8230bdbis-datasheets-9853.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 16 | CQC, CSA, UR, VDE | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 2 | Драйверы периферийных устройств | 3/5 В | Не квалифицированный | Р-ПДСО-G16 | 60 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 2А 4А | 12 нс 12 нс Макс. | 60нс, 60нс | 20 кВ/мкс | 6,5 В~24 В | 4А | 5,6 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8235BD-C-ISR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8230bdbis-datasheets-9853.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 16 | 10 недель | CQC, CSA, UR, VDE | EAR99 | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 2 | Драйверы периферийных устройств | 3/5 В | Не квалифицированный | Р-ПДСО-G16 | 60 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 2А 4А | 12 нс 12 нс Макс. | 60нс, 60нс | 20 кВ/мкс | 9,4 В~24 В | 4А | 5,6 нс | ||||||||||||||||||||||||||||
| SI8234BB-C-ISR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8230bdbis-datasheets-9853.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 16 | CQC, CSA, UR, VDE | EAR99 | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 2 | Драйверы периферийных устройств | 3/5 В | Не квалифицированный | Р-ПДСО-G16 | 60 нс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 2А 4А | 12 нс 12 нс Макс. | 60нс, 60нс | 20 кВ/мкс | 9,4 В~24 В | 4А | 5,6 нс | |||||||||||||||||||||||||||||
| SI8232AD-B-ISR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8230bdbis-datasheets-9853.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 16 | CQC, CSA, UR, VDE | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 2 | Драйверы периферийных устройств | 3/5 В | Не квалифицированный | Р-ПДСО-G16 | 60 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 250 мА 500 мА | 20 нс 20 нс Макс. | 60нс, 60нс | 20 кВ/мкс | 6,5 В~24 В | 500 мА | 5,6 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8236AA-C-IMR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8230bdbis-datasheets-9853.pdf | 14-ВФЛГА | 14 | CQC, CSA, UR, VDE | 14 | EAR99 | неизвестный | 2 | Драйверы периферийных устройств | 3/5 В | Не квалифицированный | 60 нс | 1000 В (среднеквадратичное значение) | 2А 4А | 12 нс 12 нс Макс. | 60нс, 60нс | 20 кВ/мкс | 6,5 В~24 В | 4А | 5,6 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8234BB-C-IMR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8230bdbis-datasheets-9853.pdf | 14-ВФЛГА | 14 | CQC, CSA, UR, VDE | 14 | неизвестный | 2 | Драйверы периферийных устройств | 3/5 В | Не квалифицированный | 60 нс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 2А 4А | 12 нс 12 нс Макс. | 60нс, 60нс | 20 кВ/мкс | 9,4 В~24 В | 4А | 5,6 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8233AB-C-IS1R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8230bdbis-datasheets-9853.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 16 | CQC, CSA, UR, VDE | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 2 | Драйверы периферийных устройств | 3/5 В | Не квалифицированный | Р-ПДСО-G16 | 60 нс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 2А 4А | 12 нс 12 нс Макс. | 60нс, 60нс | 20 кВ/мкс | 6,5 В~24 В | 4А | 5,6 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8233BB-C-IS1R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8230bdbis-datasheets-9853.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 16 | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | EAR99 | неизвестный | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 2 | Драйверы периферийных устройств | 3/5 В | Не квалифицированный | Р-ПДСО-G16 | 60 нс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 2А 4А | 12 нс 12 нс Макс. | 60нс, 60нс | 20 кВ/мкс | 9,4 В~24 В | 4А | 5,6 нс | |||||||||||||||||||||||||||
| SI8233AB-C-IMR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8230bdbis-datasheets-9853.pdf | 14-ВФЛГА | 14 | CQC, CSA, UR, VDE | 14 | неизвестный | 2 | Драйверы периферийных устройств | 3/5 В | Не квалифицированный | 60 нс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 2А 4А | 12 нс 12 нс Макс. | 60нс, 60нс | 20 кВ/мкс | 6,5 В~24 В | 4А | 5,6 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8231BB-B-ISR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8230bdbis-datasheets-9853.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 16 | 10 недель | CQC, CSA, UR, VDE | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 2 | Драйверы периферийных устройств | 3/5 В | Не квалифицированный | Р-ПДСО-G16 | 60 нс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 250 мА 500 мА | 20 нс 20 нс Макс. | 60нс, 60нс | 20 кВ/мкс | 9,4 В~24 В | 500 мА | 5,6 нс | |||||||||||||||||||||||||||||
| PS9552L1-AX | КЛЭ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -40°С | Оптическая связь | Соответствует RoHS | 8-ДИП (0,400, 10,16 мм) | БСИ, CSA, ДЕМКО, ФИМКО, НЕМКО, СЕМКО, УЛ | Нет | 300мВт | 1 | 8-ДИП | 2,5 А | 25 мА | 1,65 В | 100 нс | 100 нс | 500 нс | 2А | 2А | 5000 В (среднеквадратичное значение) | Однонаправленный | 1,65 В | 2А 2А | 100 нс 100 нс | 25 мА | 500 нс, 500 нс | 25кВ/мкс | 300 нс | 15 В~30 В | 2,5 А | 300 нс | |||||||||||||||||||||||
| CPC3140GSTR | Подразделение интегральных микросхем IXYS | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует RoHS | 1 | 1 мкс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,5 В | 500 мА 500 мА | 50 нс 50 нс | 0,7 мкс, 1 мкс | 10 В~30 В | 600 мА | 600 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8233AD-C-ISR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8230bdbis-datasheets-9853.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 16 | CQC, CSA, UR, VDE | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 2 | Драйверы периферийных устройств | 3/5 В | Не квалифицированный | Р-ПДСО-G16 | 60 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 2А 4А | 12 нс 12 нс Макс. | 60нс, 60нс | 20 кВ/мкс | 6,5 В~24 В | 4А | 5,6 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8231BD-B-ISR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8230bdbis-datasheets-9853.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 16 | CQC, CSA, UR, VDE | EAR99 | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 2 | Драйверы периферийных устройств | 3/5 В | Не квалифицированный | Р-ПДСО-G16 | 60 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 250 мА 500 мА | 20 нс 20 нс Макс. | 60нс, 60нс | 20 кВ/мкс | 9,4 В~24 В | 500 мА | 5,6 нс | |||||||||||||||||||||||||||||
| SI8233BB-C-ISR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8230bdbis-datasheets-9853.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 16 | 13 недель | CQC, CSA, UR, VDE | EAR99 | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 2 | Драйверы периферийных устройств | 3/5 В | Не квалифицированный | Р-ПДСО-G16 | 60 нс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 2А 4А | 12 нс 12 нс Макс. | 60нс, 60нс | 20 кВ/мкс | 9,4 В~24 В | 4А | 5,6 нс | ||||||||||||||||||||||||||||
| SI8233BB-C-IMR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8230bdbis-datasheets-9853.pdf | 14-ВФЛГА | 14 | CQC, CSA, UR, VDE | 14 | EAR99 | неизвестный | 2 | Драйверы периферийных устройств | 3/5 В | Не квалифицированный | 60 нс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 2А 4А | 12 нс 12 нс Макс. | 60нс, 60нс | 20 кВ/мкс | 9,4 В~24 В | 4А | 5,6 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||
| PS9905-Y-AX | КЛЭ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~110°К | Полоска | 1 (без блокировки) | 110°С | -40°С | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/cel-ps9905yax-datasheets-5982.pdf | 8-SOIC (ширина 0,543, 13,80 мм) | Без свинца | ЦСА, СЕМКО, УЛ | 6 | Нет | 250 мВт | 1 | 8-ЛСДИП | 2,6А | 2,5 А | 1,56 В | 150 нс | 50 нс | 50 нс | 150 нс | 2А | 2А | 7500 В (среднеквадратичное значение) | Однонаправленный | 1,56 В | 2А 2А | 50 нс 50 нс | 25 мА | 150 нс, 150 нс | 25кВ/мкс | 75нс | 15 В~30 В | 2,5 А | 75 нс | ||||||||||||||||||||
| PS9331L2-V-AX | КЛЭ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Полоска | 1 (без блокировки) | 125°С | -40°С | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 6-SOIC (ширина 0,268, 6,80 мм) | Без свинца | CSA, SEMKO, UL, VDE | 6 | Нет | 250 мВт | 1 | 6-СДИП «Крыло чайки» | 2,5 А | 1,3 В | 1,56 В | 12 мА | 150 нс | 2А | 2А | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,56 В | 2А 2А | 40 нс 40 нс | 25 мА | 175 нс, 175 нс | 50 кВ/мкс | 75нс | 15 В~30 В | 2,5 А | 75 нс | 2,5 А | |||||||||||||||||||||||
| PS9306L-AX | КЛЭ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~110°К | Масса | 1 (без блокировки) | 110°С | -40°С | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 6-SOIC (ширина 0,268, 6,80 мм) | ЦСА, СЕМКО, УЛ | 6 | Нет | 250 мВт | 1 | 6-СДИП «Крыло чайки» | 50 нс | 180 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | Однонаправленный | 1,56 В | 400 мА 400 мА | 50 нс 50 нс | 25 мА | 400 нс, 400 нс | 25кВ/мкс | 250 нс | 10 В~30 В | 600 мА | 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||
| SI8230BB-B-IS1R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8230bdbis-datasheets-9853.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 16 | CQC, CSA, UR, VDE | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 2 | Драйверы периферийных устройств | 3/5 В | Не квалифицированный | Р-ПДСО-G16 | 60 нс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 250 мА 500 мА | 20 нс 20 нс Макс. | 60нс, 60нс | 20 кВ/мкс | 9,4 В~24 В | 500 мА | 5,6 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||
| PS9552L3-V-E3-AX | КЛЭ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100°С | -40°С | Оптическая связь | Соответствует RoHS | 8-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | BSI, CSA, ДЕМКО, ФИМКО, НЕМКО, СЕМКО, UL, VDE | 8 | Нет | 300мВт | 1 | 8-СМД Крыло Чайки | 30В | 25 мА | 100 нс | 100 нс | 300 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | Однонаправленный | 1,65 В | 2А 2А | 100 нс 100 нс | 25 мА | 500 нс, 500 нс | 25кВ/мкс | 300 нс | 15 В~30 В | 2,5 А | 2,5 А | ||||||||||||||||||||||||
| SI8230AB-B-IS1R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8230bdbis-datasheets-9853.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 16 | CQC, CSA, UR, VDE | неизвестный | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 2 | Драйверы периферийных устройств | 3/5 В | Не квалифицированный | Р-ПДСО-G16 | 60 нс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 250 мА 500 мА | 20 нс 20 нс Макс. | 60нс, 60нс | 20 кВ/мкс | 6,5 В~24 В | 500 мА | 5,6 нс | |||||||||||||||||||||||||||||
| SI8231AD-B-ISR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8230bdbis-datasheets-9853.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 16 | CQC, CSA, UR, VDE | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 2 | Драйверы периферийных устройств | 3/5 В | Не квалифицированный | Р-ПДСО-G16 | 60 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 250 мА 500 мА | 20 нс 20 нс Макс. | 60нс, 60нс | 20 кВ/мкс | 6,5 В~24 В | 500 мА | 5,6 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8235AB-C-IMR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8230bdbis-datasheets-9853.pdf | 14-ВФЛГА | 14 | CQC, CSA, UR, VDE | 14 | EAR99 | неизвестный | 2 | Драйверы периферийных устройств | 3/5 В | Не квалифицированный | 60 нс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 2А 4А | 12 нс 12 нс Макс. | 60нс, 60нс | 20 кВ/мкс | 6,5 В~24 В | 4А | 5,6 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8230AB-B-ISR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8230bdbis-datasheets-9853.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 16 | CQC, CSA, UR, VDE | EAR99 | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 2 | Драйверы периферийных устройств | 3/5 В | Не квалифицированный | Р-ПДСО-G16 | 60 нс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 250 мА 500 мА | 20 нс 20 нс Макс. | 60нс, 60нс | 20 кВ/мкс | 6,5 В~24 В | 500 мА | 5,6 нс |
