Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактФотоэлектрические оптоизоляторы(10195)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Тип входа | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Входной ток | Без свинца | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Количество вариантов | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Количество цепей | Поставщик пакета оборудования | Скорость передачи данных | Максимальный выходной ток | Максимальное выходное напряжение | Выходное напряжение | Прямой ток | Прямое напряжение | Тип выхода | Максимальный входной ток | Включить время задержки | Тип оптоэлектронного устройства | Прямой ток-Макс. | Время подъема | Осень (тип.) | Конфигурация | Задержка распространения | Время отклика-Макс. | Напряжение – изоляция | Рассеиваемая мощность-Макс. | Обратное напряжение проба | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | Время подъема/спада (типичное) | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Выходной ток на канале | Текущий коэффициент передачи | Coll-Emtr Bkdn Напряжение-мин. | Ток — выход/канал | Напряжение - Выход (Макс.) | Текущий коэффициент передачи (мин.) | Текущий коэффициент передачи (макс.) | Время включения/выключения (типовое) | Насыщенность Vce (макс.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| HCPL0700R2V | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-hcpl0700r2-datasheets-9793.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 251,998911мг | 8 | да | Нет | 100мВт | 1 | 100мВт | 7В | 20 мА | Дарлингтон с базой | 20 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 60 мА | 1,25 В | 60 мА | 300% при 1,6 мА | 2600% при 1,6 мА | 1 мкс, 7 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC357N0J000F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100°С | -30°С | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2003 г. | 4-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 4 | 170 мВт | 1 | 170 мВт | 1 | 1 | 4-мини-квартира | 80В | 50 мА | 1,4 В | Транзистор | 50 мА | 18 мкс | 18 мкс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 200 мВ | 80В | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50 мА | 50 мА | 80В | 80% при 5 мА | 600% при 5 мА | 200 мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL2730V | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-6n138-datasheets-2330.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Без свинца | 818,989374мг | 8 | да | 100мВт | 2 | 100мВт | 7В | 20 мА | Дарлингтон | 20 мА | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 60 мА | 1,3 В | 60 мА | 2500 % | 7В | 300% при 1,6 мА | 300 нс, 5 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PS2501AL-1-E3-QA | КЛЭ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 4-СМД, Крыло Чайки | 150 мВт | 1 | 70В | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 300мВ | 300мВ | 30 мА | 1,2 В | 3 мкс 5 мкс | 30 мА | 100% при 5 мА | 200% при 5 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL2530V | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-hcpl2530s-datasheets-4862.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Без свинца | 818,989374мг | 8 | да | 100мВт | 2 | 100мВт | 1 Мбит/с | 20 В | 25 мА | Транзистор | 1,5 мкс | 1,5 мкс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 8мА | 1,45 В | 8мА | 20 В | 7% при 16 мА | 50% при 16 мА | 450 нс, 500 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PS2502-1-LA | КЛЭ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 4 | Нет | 200мВт | 1 | 1 | 4-ДИП | 80 мА | 1,4 В | Дарлингтон | 1А | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 1В | 40В | 200 мА | 1,17 В | 100 мкс 100 мкс | 80 мА | 200 мА | 40В | 700% при 1 мА | 3400% при 5 мА | 1В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МОК8204С | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-moc8204-datasheets-0198.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | да | EAR99 | УТВЕРЖДЕНО УЛ | совместимый | е3 | Олово (Вс) | ДА | 1 | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | Транзистор с базой | Транзисторный выход оптопара | 0,08А | ОДИНОКИЙ | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 0,26 Вт | 1,2 В | 60 мА | 20% | 400В | 2мА | 400В | 20% при 10 мА | 5 мкс, 5 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL0701R1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-hcpl0700r2-datasheets-9793.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 8 | 100мВт | 1 | 100мВт | 20 мА | Дарлингтон с базой | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 60 мА | 1,25 В | 60 мА | 18В | 500% при 1,6 мА | 2600% при 1,6 мА | 300 нс, 1,6 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL2730SDV | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-6n138-datasheets-2330.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 792,000628мг | 8 | да | 100мВт | 2 | 100мВт | 7В | 20 мА | Дарлингтон | 20 мА | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 60 мА | 1,3 В | 60 мА | 2500 % | 7В | 300% при 1,6 мА | 300 нс, 5 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПС2501А-1-МА | КЛЭ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Нет | 150 мВт | 1 | 4-ДИП | 70В | Транзистор | 500 мА | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 300мВ | 300мВ | 30 мА | 1,2 В | 3 мкс 5 мкс | 30 мА | 30 мА | 30 мА | 70В | 50% при 5 мА | 400% при 5 мА | 300мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL0701R2V | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-hcpl0700r2-datasheets-9793.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 252 мг | 8 | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | ПРИЗНАНИЕ УЛ, ОДОБРЕНИЕ VDE | е3 | Олово (Вс) | 100мВт | 1 | 100мВт | 1 | 100 кбит/с | 18В | 20 мА | Дарлингтон с базой | 20 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | ОДИНОКИЙ | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 60 мА | 1,25 В | 60 мА | 500% при 1,6 мА | 2600% при 1,6 мА | 300 нс, 1,6 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL0452R2V | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-hcpl0500-datasheets-9842.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | совместимый | 1 | Транзистор | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,45 В | 25 мА | 8мА | 20 В | 19% при 16 мА | 50% при 16 мА | 450 нс, 300 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL0501R1V | ОН Полупроводник | $5,33 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-hcpl0500-datasheets-9842.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 1 | 8-СОИК | Транзистор с базой | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,45 В | 25 мА | 8мА | 20 В | 19% при 16 мА | 50% при 16 мА | 450 нс, 300 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФОД816SD | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100°С | -30°С | переменный ток, постоянный ток | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fod816300w-datasheets-1658.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 4 | 200мВт | 1 | 200мВт | 1 | 1 | 4-СМД | 35В | 50 мА | 1,4 В | Дарлингтон | 300 мкс | 250 мкс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1В | 35В | 80 мА | 1,2 В | 60 мкс 53 мкс | 50 мА | 75 мА | 80 мА | 35В | 600% при 1 мА | 7500% при 1 мА | 1В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| МОК8204300Вт | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-moc8204-datasheets-0198.pdf | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 1 | 6-ДИП | Транзистор с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 60 мА | 2мА | 400В | 20% при 10 мА | 5 мкс, 5 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PS2501-1-QA | КЛЭ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Без свинца | 4 | Нет | 150 мВт | 1 | 1 | 4-ДИП | 80В | 80 мА | 1,4 В | Транзистор | 1А | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 300мВ | 300мВ | 50 мА | 1,17 В | 3 мкс 5 мкс | 80 мА | 50 мА | 50 мА | 80В | 100% при 5 мА | 200% при 5 мА | 300мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MOC8204W | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-moc8204-datasheets-0198.pdf | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 1 | 6-ДИП | Транзистор с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 60 мА | 2мА | 400В | 20% при 10 мА | 5 мкс, 5 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL2530SV | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-hcpl2530s-datasheets-4862.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 792,000628мг | 8 | да | Нет | 100мВт | 2 | 100мВт | 1 Мбит/с | 20 В | 25 мА | Транзистор | 25 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 1,5 мкс | 1,5 мкс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 8мА | 1,45 В | 8мА | 20 В | 7% при 16 мА | 50% при 16 мА | 450 нс, 500 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL0700R1V | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-hcpl0700r2-datasheets-9793.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 1 | 8-СОИК | Дарлингтон с базой | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,25 В | 20 мА | 60 мА | 7В | 300% при 1,6 мА | 2600% при 1,6 мА | 1 мкс, 7 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL4502V | ОН Полупроводник | 0,83 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-hcpl2530s-datasheets-4862.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Без свинца | 818,989374мг | 8 | 100мВт | 1 | 100мВт | 1 Мбит/с | 20 В | 25 мА | Транзистор с базой | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 800 нс | 800 нс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 8мА | 1,45 В | 8мА | 20 В | 19% при 16 мА | 50% при 16 мА | 450 нс, 300 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МОК207Р1ВМ | ОН Полупроводник | $7,53 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-moc208m-datasheets-2490.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 1 | 8-СОИК | Транзистор с базой | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,15 В | 3,2 мкс 4,7 мкс | 60 мА | 150 мА | 30 В | 100% при 10 мА | 200% при 10 мА | 7,5 мкс, 5,7 мкс | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ХМА121ФР1В | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-hma124r1-datasheets-3624.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 1 | Транзистор | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,3 В Макс. | 3 мкс 3 мкс | 50 мА | 80 мА | 80В | 100% при 5 мА | 600% при 5 мА | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PS2501-1-WA | КЛЭ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 4 | Нет | 150 мВт | 1 | 80В | 10 мА | Транзистор | 1А | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 300мВ | 300мВ | 50 мА | 1,17 В | 3 мкс 5 мкс | 80 мА | 50 мА | 130% при 5 мА | 260% при 5 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL0452R1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-hcpl0500-datasheets-9842.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 1 | 8-СОИК | Транзистор | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,45 В | 25 мА | 8мА | 20 В | 19% при 16 мА | 50% при 16 мА | 450 нс, 300 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL0452V | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-hcpl0500-datasheets-9842.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | совместимый | 1 | Транзистор | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,45 В | 25 мА | 8мА | 20 В | 19% при 16 мА | 50% при 16 мА | 450 нс, 300 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL0700V | ОН Полупроводник | 1,29 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-hcpl0700r2-datasheets-9793.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 1,6 мА | Без свинца | 252 мг | Нет СВХК | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | е3 | Олово (Вс) | 100мВт | 1 | 100мВт | 1 | 100 кбит/с | 7В | 7В | 20 мА | Дарлингтон с базой | 20 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | ОДИНОКИЙ | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 60 мА | 1,25 В | 60 мА | 300% при 1,6 мА | 2600% при 1,6 мА | 1 мкс, 7 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL0700 | ОН Полупроводник | $4,48 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-hcpl0700r2-datasheets-9793.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 252 мг | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) | да | EAR99 | ПРИЗНАНИЕ УЛ, ОДОБРЕНИЕ VDE | Нет | е3 | Олово (Вс) | 100мВт | 1 | 100мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 100 кбит/с | 7В | 20 мА | Дарлингтон с базой | 20 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 10 мкс | 35 мкс | ОДИНОКИЙ | 0,00005 с | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 60 мА | 1,25 В | 60 мА | 300% при 1,6 мА | 2600% при 1,6 мА | 1 мкс, 7 мкс | |||||||||||||||||||||||||||
| HCPL3700WV | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-hcpl3700v-datasheets-5319.pdf | 8-ДИП (0,400, 10,16 мм) | Без свинца | 792мг | 8 | да | Нет | 305мВт | 1 | 210мВт | 30 мА | 50 мА | Дарлингтон | 50 мА | 40 мкс | 45 мкс | 500 нс | 6 мкс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 30 мА | 45 мкс 0,5 мкс | 30 мА | 20 В | 6 мкс, 25 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Х11АА3ТВМ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11aa1sr2vm-datasheets-8706.pdf | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 1 | Транзистор с базой | 7500Впк | 1,17 В | 60 мА | 50 мА | 30 В | 50% при 10 мА | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FOD814W | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~105°К | Трубка | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fod817300-datasheets-5269.pdf | 4-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 1 | 4-ДИП | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50 мА | 70В | 20% при 1 мА | 300% при 1 мА | 200 мВ |
