Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактФотоэлектрические оптоизоляторы(10195)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Тип входа | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Без свинца | Количество контактов | Дополнительная функция | Достичь соответствия кода | Максимальная рассеиваемая мощность | Количество вариантов | Рассеяние активности | Количество элементов | Поставщик пакета оборудования | Максимальное выходное напряжение | Выходное напряжение | Прямой ток | Тип выхода | Тип оптоэлектронного устройства | Прямой ток-макс. | Время подъема | Конфигурация | Напряжение – изоляция | Обратное напряжение проба | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | Время подъема/спада (типичное) | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Выходной ток на канале | Текущий коэффициент передачи | Coll-Emtr Bkdn Напряжение-мин. | Ток — выход/канал | Напряжение - Выход (Макс.) | Темный ток-Макс. | Текущий коэффициент передачи (мин.) | Текущий коэффициент передачи (макс.) | Время включения/выключения (типовое) | Насыщенность Vce (макс.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ХМХА281Р4 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-hmha2801r2v-datasheets-7577.pdf | 4-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | Без свинца | 4 | 150 мВт | 1 | 80В | 80В | Транзистор | 3 мкс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 400мВ | 50 мА | 1,3 В Макс. | 3 мкс 3 мкс | 50 мА | 50% при 5 мА | 600% при 5 мА | ||||||||||||||||||||||
| ХМА121Р2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-hma124r1-datasheets-3624.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 1 | 4-СМД | Транзистор | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,3 В Макс. | 3 мкс 3 мкс | 50 мА | 80 мА | 80В | 50% при 5 мА | 600% при 5 мА | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||
| Х11А3ФР2ВМ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11a1vm-datasheets-5979.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 1 | 6-СМД | Транзистор с базой | 7500Впк | 1,18 В | 60 мА | 30 В | 20% при 10 мА | 2 мкс, 2 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ХМА2701Р3 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-hma124r1-datasheets-3624.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 1 | 4-СМД | Транзистор | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,3 В Макс. | 3 мкс 3 мкс | 50 мА | 80 мА | 40В | 50% при 5 мА | 300% при 5 мА | 300мВ | |||||||||||||||||||||||||||||
| Х11А5М | ОН Полупроводник | 0,30 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11a1vm-datasheets-5979.pdf | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | неизвестный | 1 | 1 | Транзистор с базой | Транзисторный выход оптопара | 0,06А | ОДИНОКИЙ | 7500Впк | 1,18 В | 60 мА | 30% | 30 В | 30 В | 50нА | 30% при 10 мА | 2 мкс, 2 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||
| ХМА121АР1В | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-hma124r1-datasheets-3624.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 1 | 4-СМД | Транзистор | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,3 В Макс. | 3 мкс 3 мкс | 50 мА | 80 мА | 80В | 100% при 5 мА | 300% при 5 мА | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||
| ХМА121БВ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-hma124r1-datasheets-3624.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 1 | 4-СМД | Транзистор | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,3 В Макс. | 3 мкс 3 мкс | 50 мА | 80 мА | 80В | 50% при 5 мА | 150% при 5 мА | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||
| ХМА121АР4 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-hma124r1-datasheets-3624.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 1 | 4-СМД | Транзистор | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,3 В Макс. | 3 мкс 3 мкс | 50 мА | 80 мА | 80В | 100% при 5 мА | 300% при 5 мА | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||
| Х11А5СР2ВМ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11a1vm-datasheets-5979.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 1 | 6-СМД | Транзистор с базой | 7500Впик | 1,18 В | 60 мА | 30 В | 30% при 10 мА | 2 мкс, 2 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ХМА121ДВ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-hma124r1-datasheets-3624.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 1 | 4-СМД | Транзистор | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,3 В Макс. | 3 мкс 3 мкс | 50 мА | 80 мА | 80В | 50% при 5 мА | 100% при 5 мА | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||
| FOD817DW | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fod817300-datasheets-5269.pdf | 4-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 1 | 4-ДИП | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50 мА | 70В | 300% при 5 мА | 600% при 5 мА | 200 мВ | |||||||||||||||||||||||||||||
| ХМАА2705R4V | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-hma124r1-datasheets-3624.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 1 | 4-СМД | Транзистор | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,3 В Макс. | 3 мкс 3 мкс | 50 мА | 80 мА | 40В | 50% при 5 мА | 300% при 5 мА | 300мВ | |||||||||||||||||||||||||||||
| ХМАА2705АР1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-hma124r1-datasheets-3624.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 1 | 4-СМД | Транзистор | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,3 В Макс. | 3 мкс 3 мкс | 50 мА | 80 мА | 40В | 50% при 5 мА | 300% при 5 мА | 300мВ | |||||||||||||||||||||||||||||
| H11A5TM | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11a1vm-datasheets-5979.pdf | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 1 | 6-ДИП | Транзистор с базой | 7500Впик | 1,18 В | 60 мА | 30 В | 30% при 10 мА | 2 мкс, 2 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||
| Х11А5ФВМ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11a1vm-datasheets-5979.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 1 | 6-СМД | Транзистор с базой | 7500Впик | 1,18 В | 60 мА | 30 В | 30% при 10 мА | 2 мкс, 2 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||
| H11A617D3SD | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11a817-datasheets-2372.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 1 | 4-СМД | Транзистор | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,35 В | 2,4 мкс 2,4 мкс | 50 мА | 50 мА | 70В | 160% при 10 мА | 320% при 10 мА | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||
| Х11А3ФР2М | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11a1vm-datasheets-5979.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 1 | 6-СМД | Транзистор с базой | 7500Впик | 1,18 В | 60 мА | 30 В | 20% при 10 мА | 2 мкс, 2 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||
| H11A3TM | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11a1vm-datasheets-5979.pdf | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 1 | 6-ДИП | Транзистор с базой | 7500Впик | 1,18 В | 60 мА | 30 В | 20% при 10 мА | 2 мкс, 2 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ХМАА2705R2V | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-hma124r1-datasheets-3624.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 1 | 4-СМД | Транзистор | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,3 В Макс. | 3 мкс 3 мкс | 50 мА | 80 мА | 40В | 50% при 5 мА | 300% при 5 мА | 300мВ | |||||||||||||||||||||||||||||
| Х11А5СР2М | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11a1vm-datasheets-5979.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 1 | 6-СМД | Транзистор с базой | 7500Впик | 1,18 В | 60 мА | 30 В | 30% при 10 мА | 2 мкс, 2 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||
| HMA2701B | ОН Полупроводник | 0,31 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-hma124r1-datasheets-3624.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 4 | 150 мВт | 150 мВт | 1 | 40В | 50 мА | Транзистор | 3 мкс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 300мВ | 40В | 80 мА | 1,3 В Макс. | 3 мкс 3 мкс | 80 мА | 80 мА | 80% при 5 мА | 160% при 5 мА | ||||||||||||||||||
| ХМА124Р4В | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-hma124r1-datasheets-3624.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 1 | 4-СМД | Транзистор | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,3 В Макс. | 3 мкс 3 мкс | 50 мА | 80 мА | 80В | 100% при 1 мА | 1200% при 1 мА | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||
| ХМХА2801BR1V | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-hmha2801r2v-datasheets-7577.pdf | 4-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | 1 | 4-мини-квартира | Транзистор | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,3 В Макс. | 3 мкс 3 мкс | 50 мА | 50 мА | 80В | 130% при 5 мА | 260% при 5 мА | 300мВ | |||||||||||||||||||||||||||||
| Х11А2ВМ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11a1vm-datasheets-5979.pdf | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 1 | 6-ДИП | Транзистор с базой | 7500Впик | 1,18 В | 60 мА | 30 В | 20% при 10 мА | 2 мкс, 2 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ХМАА2705 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-hma124r1-datasheets-3624.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 1 | 4-СМД | Транзистор | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,3 В Макс. | 3 мкс 3 мкс | 50 мА | 80 мА | 40В | 50% при 5 мА | 300% при 5 мА | 300мВ | |||||||||||||||||||||||||||||
| ХМХА2801БВ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-hmha2801r2v-datasheets-7577.pdf | 4-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | совместимый | 1 | Транзистор | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,3 В Макс. | 3 мкс 3 мкс | 50 мА | 80В | 130% при 5 мА | 260% при 5 мА | 300мВ | |||||||||||||||||||||||||||||
| MOC81023SDL | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-cny173-datasheets-2208.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 1 | Транзистор | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,15 В | 1 мкс 2 мкс | 100 мА | 50 мА | 30 В | 73% при 10 мА | 117% при 10 мА | 2 мкс, 3 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||
| HMA121CV | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-hma124r1-datasheets-3624.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 1 | 4-СМД | Транзистор | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,3 В Макс. | 3 мкс 3 мкс | 50 мА | 80 мА | 80В | 100% при 5 мА | 200% при 5 мА | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||
| Х11А2ФР2М | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11a1vm-datasheets-5979.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 1 | 6-СМД | Транзистор с базой | 7500Впк | 1,18 В | 60 мА | 30 В | 20% при 10 мА | 2 мкс, 2 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||
| H11A617DS | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11a817-datasheets-2372.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 1 | 4-СМД | Транзистор | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,35 В | 2,4 мкс 2,4 мкс | 50 мА | 50 мА | 70В | 160% при 10 мА | 320% при 10 мА | 400мВ |
