Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактФотоэлектрические оптоизоляторы(10195)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Тип входа | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Пакет/ключи | Входной ток | Без свинца | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | Утверждающее агентство | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Код HTS | Количество функций | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Максимальная рассеиваемая мощность | Напряжение питания | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Количество вариантов | Рассеяние активности | Время ответа | Количество элементов | Подкатегория | Поставщик пакета оборудования | Скорость передачи данных | Максимальный выходной ток | Максимальное выходное напряжение | Выходное напряжение | Выходной ток | Прямой ток | Прямое напряжение | Тип выхода | Максимальный входной ток | Тип оптоэлектронного устройства | Прямой ток-Макс. | Максимальный ток во включенном состоянии | Время подъема | Осень (тип.) | Конфигурация | Напряжение проба | Время отклика-Макс. | Напряжение – изоляция | Обратное напряжение проба | Прямое напряжение-Макс. | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | Время подъема/спада (типичное) | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Обратное напряжение (постоянный ток) | Выходной ток на канале | Текущий коэффициент передачи | Coll-Emtr Bkdn Напряжение-мин. | Ток — выход/канал | Напряжение - Выход (Макс.) | Темный ток-Макс. | Текущий коэффициент передачи (мин.) | Текущий коэффициент передачи (макс.) | Время включения/выключения (типовое) | Насыщенность Vce (макс.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| АКПЛ-217-50ДЕ | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | 4-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | 17 недель | ЦСА, УЛ | 4 | EAR99 | УТВЕРЖДЕНО УЛ | Олово | Нет | е3 | 200мВт | 1 | 200мВт | 1 | 80В | 80В | 50 мА | Транзистор | 50 мА | ОДИНОКИЙ | 3000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 80В | 400мВ | 80В | 50 мА | 1,2 В | 2 мкс 3 мкс | 50 мА | 300% при 5 мА | 600% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС281А | ООО «Изоком Компонентс 2004» | 0,38 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 4-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | 2 недели | 1 | Транзистор | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 5 мкс 3 мкс | 60 мА | 50 мА | 80В | 80% при 5 мА | 160% при 5 мА | 200 мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFH615A-1 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | 0,50 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-sfh615a2x006-datasheets-4603.pdf | 1,25 В | 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 60 мА | Без свинца | 6 недель | Нет СВХК | 4 | Нет | 150 мВт | 1 | 150 мВт | 1 | 4-ДИП | 70В | 70В | 60 мА | 1,65 В | Транзистор | 60 мА | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 70В | 100 мА | 1,35 В | 2 мкс 11 мкс | 60 мА | 6В | 50 мА | 50 мА | 70В | 40% при 10 мА | 80% при 10 мА | 3 мкс, 18 мкс | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP383(D4BLLTL,E | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp383d4blltle-datasheets-7050.pdf | 6-SOIC (0,173, ширина 4,40 мм), 4 вывода | 12 недель | ОДОБРЕНО UL, ОДОБРЕНО VDE | 1 | 1 | 80В | Транзистор | 0,05 А | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 300мВ | 1,25 В | 2 мкс 3 мкс | 50 мА | 80В | 80нА | 200% при 500 мкА | 400% при 500 мкА | 3 мкс, 3 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP184(GR-TPL,SE | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp184grtplse-datasheets-6916.pdf | 6-SOIC (0,179, ширина 4,55 мм), 4 вывода | 12 недель | 4 | Нет | 200мВт | 1 | 80В | Транзистор | 20 мА | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 300мВ | 300мВ | 10 мА | 1,25 В | 2 мкс 3 мкс | 50 мА | 100% при 5 мА | 300% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP185(GR-TPL,SE | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | 0,50 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp185grltlse-datasheets-6801.pdf | 6-SOIC (0,173, ширина 4,40 мм), 4 вывода | 12 недель | 4 | да | УТВЕРЖДЕНО УЛ | Нет | 200мВт | 1 | 1 | 80В | Транзистор | 50 мА | 0,05 А | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 300мВ | 300мВ | 50 мА | 1,25 В | 2 мкс 3 мкс | 50 мА | 80нА | 100% при 5 мА | 300% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP185(Y-TPL,SE | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp185grltlse-datasheets-6801.pdf | 6-SOIC (0,173, ширина 4,40 мм), 4 вывода | 12 недель | 4 | Нет | 200мВт | 1 | 80В | Транзистор | 50 мА | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 300мВ | 300мВ | 50 мА | 1,25 В | 2 мкс 3 мкс | 50 мА | 50% при 5 мА | 150% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ISP817DXSMT/Р | ООО «Изоком Компонентс 2004» | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 4-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 2 недели | да | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | 1 | 1 | Транзистор | 0,05 А | ОДИНОКИЙ | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 35В | 50 мА | 80В | 300% при 5 мА | 600% при 5 мА | 200 мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP292-4(V4GBTRE | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 125°С | -55°С | переменный ток, постоянный ток | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp2924v4gbtre-datasheets-6833.pdf | 16-SOIC (ширина 0,179, 4,55 мм) | 12 недель | 16 | 4 | 16-СО | 80В | 1,25 В | Транзистор | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 300мВ | 1,25 В | 2 мкс 3 мкс | 50 мА | 50 мА | 50 мА | 80В | 100% при 5 мА | 600% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | 300мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| H11A4X | ООО «Изоком Компонентс 2004» | 0,42 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 2 недели | 1 | 6-ДИП | Транзистор с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 2 мкс 2 мкс | 60 мА | 50 мА | 30В | 10% при 10 мА | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP290(BL-TP,SE | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp290bltpse-datasheets-6827.pdf | 4-SOIC (ширина 0,179, 4,55 мм) | 12 недель | 4 | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | 200мВт | 1 | 1 | 80В | Транзистор | 50 мА | 0,05 А | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 300мВ | 300мВ | 50 мА | 1,25 В | 2 мкс 3 мкс | 50 мА | 80нА | 200% при 5 мА | 600% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТПК816С1Б ТРЯПКА | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТПК816 | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-tpc816s1drag-datasheets-6805.pdf | 4-СМД | 15 недель | 1 | 4-СОП | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50 мА | 70В | 130% при 5 мА | 260% при 5 мА | 200 мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL-5760 | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~125°К | Трубка | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | Соответствует ROHS3 | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Освобождать | 12 недель | 8 | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е4 | Никель/Золото (Ni/Au) | 260мВт | 5В | 3В | 1 | 0,00001 нс | 1 | Оптопара — выходы IC | 40 мА | 20 В | Дарлингтон | 15 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 0,04 А | 10 мкс | ОДИНОКИЙ | 1500 В постоянного тока | 40 мА | 10 мкс 0,5 мкс | 40 мА | 4 мкс, 8 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IL300-EF-X009T | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-vo3120x007t-datasheets-8474.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 32 недели | 8 | да | Нет | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | 210мВт | 1 | 210мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 500мВ | 10 мА | Фотоэлектрические, линеаризованные | 60 мА | ОПТОЭЛЕКТРОННОЕ УСТРОЙСТВО | 1,75 мкс | 1,75 мкс | ДВОЙНАЯ ОДНОВРЕМЕННАЯ РАБОТА | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 1,25 В | 1 мкс 1 мкс | 5В | 1,1 % | Тип 70 мкА. | 500мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТПК816С1Д ТРЯПКА | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТПК816 | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-tpc816s1drag-datasheets-6805.pdf | 4-СМД | 15 недель | 1 | 4-СОП | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50 мА | 70В | 300% при 5 мА | 600% при 5 мА | 200 мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL-M700-000E | Бродком Лимитед | 2,83 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/broadcom-hcplm700000e-datasheets-7616.pdf | 6-SOIC (0,173, ширина 4,40 мм), 5 выводов | Без свинца | 22 недели | 5 | EAR99 | СОВМЕСТИМОСТЬ TTL, ПРИЗНАНА УЛ | е3 | Матовый олово (Sn) | 100мВт | 1 | 100мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 7В | 20 мА | Дарлингтон | 20 мА | ТРАНСИСТОРНЫЙ ВЫХОД ОПТОПАРА | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ И РЕЗИСТОРОМ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 60 мА | 1,4 В | 60 мА | 300% при 1,6 мА | 2600% при 1,6 мА | 5 мкс, 10 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЛ8171С1(ТУ)-Г | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everlightelectronicscoltd-el8171s1tug-datasheets-6811.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 20 недель | 8541.40.80.00 | ТРАНСИСТОРНЫЙ ВЫХОД ОПТОПАРА | 1,2 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFH615A-4XSMT/Р | ООО «Изоком Компонентс 2004» | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 4-СМД, Крыло Чайки | 2 недели | 1 | Транзистор | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,65 В Макс. | 4,6 мкс 15 мкс | 50 мА | 70В | 160% при 10 мА | 320% при 10 мА | 6 мкс, 25 мкс | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP183(BLL-TPL,E | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp183bltple-datasheets-6889.pdf | 6-SOIC (0,179, ширина 4,55 мм), 4 вывода | 12 недель | 4 | да | Нет | 200мВт | 1 | 80В | Транзистор | 50 мА | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 300мВ | 300мВ | 50 мА | 1,25 В | 2 мкс 3 мкс | 50 мА | 200% при 5 мА | 600% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FODM121BR2 | ОН Полупроводник | 0,57 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fodm2701-datasheets-5704.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 50 мА | 7 недель | 155 мг | 4 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Олово | е3 | 150 мВт | 1 | 150 мВт | 1 | 80В | 80В | 50 мА | Транзистор | 50 мА | 3 мкс | 3 мкс | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 400мВ | 80 мА | 1,3 В Макс. | 3 мкс 3 мкс | 80 мА | 50% при 5 мА | 150% при 5 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL-4731-500E | Бродком Лимитед | $5,59 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2007 год | 8-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 22 недели | 8 | EAR99 | СОВМЕСТИМОСТЬ TTL, ПРИЗНАНА УЛ | е3 | Матовый олово (Sn) | 115 МВт | 4,5 В | 2 | 115 МВт | 2 | Оптопара — транзисторные выходы | 18В | 10 мА | Дарлингтон | 10 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 2,5 В | 1,4 В | 60 мА | 1,25 В | 60 мА | 600% при 500 мкА | 8000% при 500 мкА | 3 мкс, 34 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТПК816С1А ТРЯПКА | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТПК816 | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-tpc816s1drag-datasheets-6805.pdf | 4-СМД | 15 недель | 1 | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 70В | 80% при 5 мА | 160% при 5 мА | 200 мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4Н26С | Лайт-Он Инк. | 0,38 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/liteoninc-4n26s-datasheets-6938.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 12 недель | 6 | УЛ ПРИЗНАЛ | 250 мВт | 250 мВт | 1 | 30В | 30В | 10 мА | Транзистор с базой | 80 мА | ТРАНСИСТОРНЫЙ ВЫХОД ОПТОПАРА | 3 мкс | ОДИНОКИЙ | 1500 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 500мВ | 30В | 100 мА | 1,2 В | 3 мкс 3 мкс | 80 мА | 100 мА | 20 % | 50нА | 20% при 10 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FOD8173SD | ОН Полупроводник | 0,37 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fod817300-datasheets-5269.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 7 недель | 0г | 4 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | ОДОБРЕНО UL, ОДОБРЕНО VDE | Нет | е3 | Олово (Вс) | 200мВт | 200мВт | 1 | 70В | 50 мА | Транзистор | 50 мА | 18 мкс | 18 мкс | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 200 мВ | 200 мВ | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50% при 5 мА | 600% при 5 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFH615AA-X007 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | 0,55 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-sfh615agrx017-datasheets-5842.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 6 недель | 4 | да | EAR99 | УТВЕРЖДЕНО УЛ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 150 мВт | 1 | 150 мВт | 1 | 70В | 60 мА | Транзистор | 60 мА | ОДИНОКИЙ | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 70В | 100 мА | 1,25 В | 6В | 50 мА | 50% при 5 мА | 600% при 5 мА | 2 мкс, 25 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP185(ГРЛ-TL,SE | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | 0,53 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp185grltlse-datasheets-6801.pdf | 6-SOIC (0,173, ширина 4,40 мм), 4 вывода | 12 недель | 4 | да | УТВЕРЖДЕНО УЛ | Нет | 200мВт | 1 | 1 | 80В | Транзистор | 50 мА | 0,05 А | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 300мВ | 300мВ | 50 мА | 1,25 В | 2 мкс 3 мкс | 50 мА | 80нА | 100% при 5 мА | 200% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ACPL-844-000E | Бродком Лимитед | 1,63 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | Соответствует ROHS3 | 2007 год | 16-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 20 мА | 17 недель | ЦСА, УЛ | Нет СВХК | 16 | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | е3 | Олово (Вс) | 200мВт | 4 | 200мВт | 4 | 70В | 70В | 3мА | 50 мА | Транзистор | 50 мА | 18 мкс | 18 мкс | 70В | 0,000018 с | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 70В | 200 мВ | 200 мВ | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 100нА | 20% при 1 мА | 300% при 1 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТПК816S1C ТРЯПКА | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТПК816 | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-tpc816s1drag-datasheets-6805.pdf | 4-СМД | 15 недель | 1 | 4-СОП | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50 мА | 70В | 200% при 5 мА | 400% при 5 мА | 200 мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFH636-X016 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | 2,69 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | /files/vishaysemiconductoroptodivision-sfh636-datasheets-6616.pdf | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 6 недель | 6 | да | EAR99 | СОВМЕСТИМОСТЬ TTL, ОДОБРЕНИЕ UL, ОДОБРЕНИЕ VDE | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 100мВт | 1 | 100мВт | 1 | 1 Мбит/с | 20 В | 16 мА | Транзистор | 25 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | ОДИНОКИЙ | 4420 В (среднеквадратичное значение) | 3В | 400мВ | 400мВ | 1,5 В | 3В | 8мА | 30 % | 20 В | 19% при 16 мА | 300 нс, 300 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFH628A-2 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | переменный ток, постоянный ток | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-sfh62862-datasheets-4710.pdf | 1,1 В | 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 5мА | Без свинца | 6 недель | Нет СВХК | 4 | Нет | 150 мВт | 1 | 150 мВт | 1 | 4-ДИП | 55В | 55В | 50 мА | 1,5 В | Транзистор | 50 мА | 3,5 мкс | 5 мкс | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 55В | 100 мА | 1,1 В | 3,5 мкс 5 мкс | 50 мА | 50 мА | 50 мА | 55В | 63% при 1 мА | 200% при 1 мА | 6 мкс, 5,5 мкс | 400мВ |
