Продукция
Производитель
RFQ
NWES
КонтактФотолктереские опрааторы (10195)
| Срэйват | Ибрагейн | Сознание | Проиджодель | ЦEnы (DOLLARR) | Колист | Вер (К.) | Raзmer (lxwxh) | Статус | МОНТАНАНГИП | Raboч -yemperatura | Упако | Вернояж | ТИПВ | Статус Ройс | PakeT / KORPUES | PBFREE CODE | Доленитейн Ая | HTS -KOD | КОД JESD-609 | ТЕРМИНАЛЕН | Пефер | Raboч -yemperatura (mamaks) | Raboч -ytemperatura (мин) | Колист. Каналов | Колист | Подкейгория | Скороп | Втипа | Оптохлектроннтип -вустроства | Ведьтока-макс | В. | В аспекте | МООНТАНАНА | Коунфигура | Верна | Naprayжeniee - yзolyahip | Power Dissipation-Max | Вернее | На | Верна | Current - DC Forward (if) (max) | КОГФИГИОНТА | Coll-EMTR BKDN VOLTAGE-MIN | Ток - | На | ТЕМНЕСА | Коэффигиэнт Переносатока (мин) | Коэффигиэнт Передахитока (МАКС) | Klючite / vыklючite -veremymape (typ) | Vce nassheeneee (mmaks) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TLP550 (PP, F) | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP531 (LF1, F) | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP550-LF1, F) | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ttl cormeStiMый, ul raspoзnaen | 8541.40.80.00 | 100 ° С | -55 ° С | 1 | 1 март / с | Логика IC -ыvod Optocoupler | 0,025а | 0,008а | 2500 | Одинокий | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP732 (GB, F) | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | ROHS COMPRINT | Не | 100 ° С | -55 ° С | 1 | Optocoupler - tranhestornhe -odы | 0,06а | 0,05а | 4000 | Чereз krepleneee oTwerStiqueavy | 0,00001 с | 0,15 | 1,3 В. | 100% | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 4n35 (Short-tp5, f) | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP332 (BV-LF2, F) | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP785 (D4, ф | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Чereз dыru | -55 ° C ~ 110 ° C. | 1 (neograniчennnый) | ТОК | ROHS COMPRINT | 4-Dip (0,300, 7,62 ММ) | ОДОБРЕН УЛ, ОДОБРЕН VDE | Не | 1 | 1 | Траншистор | 0,06а | Одинокий | 0,000003 с | 5000 дней | 0,24 м | 1,15 В. | 2 мкс 3 мкс | 60 май | 80 | 50 май | 80 | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 мкс, 3 мкс | 400 м | |||||||||||||||||||
| TLP785 (D4-GB, F. | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Чereз dыru | -55 ° C ~ 110 ° C. | 1 (neograniчennnый) | ТОК | ROHS COMPRINT | 4-Dip (0,300, 7,62 ММ) | ОДОБРЕН УЛ, ОДОБРЕН VDE | Не | 1 | 1 | Траншистор | 0,025а | Одинокий | 0,000003 с | 5000 дней | 0,24 м | 1,15 В. | 2 мкс 3 мкс | 60 май | 80 | 50 май | 80 | 100% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 мкс, 3 мкс | 400 м | |||||||||||||||||||
| TLP785F (D4-BL, ф | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Чereз dыru | -55 ° C ~ 110 ° C. | 1 (neograniчennnый) | ТОК | ROHS COMPRINT | 4-DIP (0,400, 10,16 ММ) | ОДОБРЕН УЛ, ОДОБРЕН VDE | В дар | 1 | 1 | Траншистор | 0,06а | Пефер | Одинокий | 0,000003 с | 5000 дней | 0,24 м | 1,15 В. | 2 мкс 3 мкс | 60 май | 80 | 50 май | 80 | 200% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 мкс, 3 мкс | 400 м | ||||||||||||||||||
| TLP732F (D4-BL, F) | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP632 (GB-LF2, F) | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP632 (GB-TP1, F) | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP631 (GB-TP1, F) | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP127 (F) | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | ROHS COMPRINT | в дар | Уль Прринанана | 8541.40.80.00 | E4 | Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) | В дар | 85 ° С | -25 ° С | 1 | Optocoupler - tranhestornhe -odы | Дэйрлингтон Вес Оптокуплер | 0,025а | 0,15а | 2500 | Пефер | Одеяно -наз. | 0,15 | 1,3 В. | 4000% | 300 | 200NA | 1000% | |||||||||||||||||||||
| TLP732 (GB-LF2, F) | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Траншистор | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP552 (Mat-Ta, F) | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP552 (HO, F) | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Логика IC -ыvod Optocoupler | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP732 (D4, F) | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | ROHS COMPRINT | Не | 100 ° С | -55 ° С | 1 | Optocoupler - tranhestornhe -odы | 0,06а | 0,05а | 4000 | Чereз krepleneee oTwerStiqueavy | 0,00001 с | 0,15 | 1,3 В. | 50% | ||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP550 -TP1, F) | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | Ttl cormeStiMый, ul raspoзnaen | 8541.40.80.00 | 100 ° С | -55 ° С | 1 | 1 март / с | Логика IC -ыvod Optocoupler | 0,025а | 0,008а | 2500 | Одинокий | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP750 (D4-Sanyd, F) | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP531 (BL-TP1, F) | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP732 (D4-GB-LF4, ф | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP182 (TPR, e | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | -55 ° C ~ 125 ° C. | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | AC, DC | ROHS COMPRINT | 6 SOIC (0,179, Ирина 4,55 мм), 4 Свина | 1 | Траншистор | 3750vrms | 1,25 | 2 мкс 3 мкс | 50 май | 80 | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 мкс, 3 мкс | 300 м | |||||||||||||||||||||||||||
| TLP372 (HO, F) | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Дэйрлингтон Вес Оптокуплер | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP631 (GR-TP1, F) | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | Траншистор | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP531 (MBSIN-TP5, f | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP734F (D4, M, F) | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Траншистор | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP733F (D4-C174, F) | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP731 (gr, f) | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Траншистор | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP550 (MBS, F) | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) |
