Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактФотоэлектрические оптоизоляторы(10195)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Тип входа | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Срок выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Код Pbfree | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Количество вариантов | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Поставщик пакета оборудования | Скорость передачи данных | Выходное напряжение | Прямой ток | Тип выхода | Максимальный входной ток | Тип оптоэлектронного устройства | Прямой ток-макс. | Конфигурация | Напряжение – изоляция | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | Время подъема/спада (типичное) | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Текущий коэффициент передачи | Coll-Emtr Bkdn Напряжение-мин. | Ток — выход/канал | Напряжение - Выход (Макс.) | Темный ток-Макс. | Текущий коэффициент передачи (мин.) | Текущий коэффициент передачи (макс.) | Время включения/выключения (типовое) | Насыщенность Vce (макс.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PC817X3CSZ9F | SHARP/Цокольная технология | 0,04 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПК817 | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | Непригодный | округ Колумбия | 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 1 | 4-ДИП | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50 мА | 80В | 50% при 5 мА | 600% при 5 мА | 200 мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФОД817АСД_Ф117 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Непригодный | Не соответствует требованиям RoHS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТЛП120(ГБ,Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshiba-tlp120gbf-datasheets-4359.pdf | 6-SMD (4 вывода), крыло чайки | 4 | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | 200мВт | 1 | 200мВт | 1 | 50 мА | Транзистор | 50 мА | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 400 мВ | 80В | 50 мА | 1,15 В | 2 мкс 3 мкс | 80В | 100% при 5 мА | 600% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | ||||||||||||||||||||||||
| ПС2701-1-В-Ф3-МА | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 4-СМД, Крыло Чайки | ОДОБРЕНО UL, ОДОБРЕНО VDE | ДА | 1 | 1 | Транзистор | 0,05 А | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,1 В | 3 мкс 5 мкс | 50 мА | 40В | 80 мА | 40В | 50% при 5 мА | 150% при 5 мА | 300 мВ | ||||||||||||||||||||||||||||
| 4Н37(КОРОТКИЙ,Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 1 | Транзистор с базой | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,15 В | 60 мА | 100 мА | 30В | 100% при 10 мА | 3 мкс, 3 мкс | 300 мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТИЛ117С(ТА)-В | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | 6-СМД, Крыло Чайки | 20 недель | 6 | да | ПРИЗНАНИЕ УЛ, ОДОБРЕНИЕ VDE | 200мВт | 1 | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 80В | Транзистор с базой | 60 мА | ТРАНСИСТОРНЫЙ ВЫХОД ОПТОПАРА | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 400 мВ | 400 мВ | 1,32 В | 6 мкс 8 мкс | 50% | 50нА | 50% при 10 мА | 10 мкс, 9 мкс | ||||||||||||||||||||||
| JANTXV4N48U | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~125°К | Поднос | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ttelectronicsoptektechnology-jantx4n49u-datasheets-0393.pdf | 6-LCC | 1 | 6-ЛЦУ (4,32х6,22) | Транзистор с базой | 1000 В постоянного тока | 1,5 В Макс. | 20 мкс 20 мкс Макс. | 50 мА | 5мА | 45В | 100% при 2 мА | 300 мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПК123Y23FP9F | SHARP/Цокольная технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПК123 | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Лента и катушка (TR) | Непригодный | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharp-pc123y23fp9f-datasheets-4367.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 1 | 4-СМД | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 2,5 мА | 70В | 50% при 5 мА | 400% при 5 мА | 200 мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| PS2911-1-F3-K-AX | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-ps29111lax-datasheets-7201.pdf | 4-SMD, плоские выводы | 1 | 4-мини-квартира | Транзистор | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,1 В | 5 мкс 10 мкс | 50 мА | 40 мА | 40В | 200% при 1 мА | 400% при 1 мА | 40 мкс, 120 мкс | 300 мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| PS2805C-1-A | Ренесас Электроникс Америка | 2,65 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Полоска | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-ps2805c4a-datasheets-9925.pdf | 4-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | 16 недель | да | УЛ ПРИЗНАЛ | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | 1 | 1 | Транзистор | 0,03 А | ОДИНОКИЙ | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 5 мкс 7 мкс | 80В | 30 мА | 80В | 50% при 5 мА | 400% при 5 мА | 10 мкс, 7 мкс | 300 мВ | |||||||||||||||||||||||
| JANTX4N23U | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~125°К | Поднос | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ttelectronicsoptektechnology-jantx4n49u-datasheets-0393.pdf | 6-LCC | 38 недель | 1 | 6-ЛЦУ (4,32х6,22) | Транзистор с базой | 1000 В постоянного тока | 1,3 В Макс. | 15 мкс 15 мкс Макс. | 50 мА | 6мА | 35В | 60% при 10 мА | 300 мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4Н28(КОРОТКИЙ,Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 1 | Транзистор с базой | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,15 В | 2 мкс 2 мкс | 80 мА | 100 мА | 30В | 20% при 10 мА | 500мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PS2815-4-F3-LA | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | Соответствует ROHS3 | 16-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | 4 | 16-ССОП | Транзистор | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,15 В | 4 мкс 5 мкс | 50 мА | 40 мА | 40В | 100% при 1 мА | 400% при 1 мА | 300 мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| PS2501AL-1-PA | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 4-СМД, Крыло Чайки | 1 | 4-СМД | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 3 мкс 5 мкс | 30 мА | 30 мА | 70В | 50% при 5 мА | 400% при 5 мА | 300 мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTXV4N23U | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~125°К | Поднос | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ttelectronicsoptektechnology-jantx4n49u-datasheets-0393.pdf | 6-LCC | 1 | 6-ЛЦУ (4,32х6,22) | Транзистор с базой | 1000 В постоянного тока | 1,3 В Макс. | 15 мкс 15 мкс Макс. | 50 мА | 6мА | 35В | 60% при 10 мА | 300 мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТИЛ117С1(ТА)-В | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2012 год | 6-СМД, Крыло Чайки | 20 недель | 6 | да | ПРИЗНАНИЕ УЛ, ОДОБРЕНИЕ VDE | 200мВт | 1 | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 80В | Транзистор с базой | 60 мА | ТРАНСИСТОРНЫЙ ВЫХОД ОПТОПАРА | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 400 мВ | 400 мВ | 1,32 В | 6 мкс 8 мкс | 50% | 50нА | 50% при 10 мА | 10 мкс, 9 мкс | ||||||||||||||||||||||
| 4Н26(КОРОТКИЙ-LF5,F) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 6-СМД, Крыло Чайки | 1 | Транзистор с базой | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,15 В | 2 мкс 2 мкс | 80 мА | 100 мА | 30В | 20% при 10 мА | 500мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PS8802-2-F4-AX | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-ps88022ax-datasheets-0062.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | да | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | 2 | 2 | 1 Мбит/с | Транзистор | ЛИНЕЙНАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,7 В | 25 мА | 8мА | 35В | 15% при 16 мА | 45% при 16 мА | 300 нс, 600 нс | ||||||||||||||||||||||||||
| PS8802-2-V-F3-AX | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | да | ПРИЗНАНИЕ УЛ, ОДОБРЕНИЕ VDE | 8541.40.80.00 | 2 | 2 | 1 Мбит/с | Транзистор | ЛИНЕЙНАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,7 В | 25 мА | 8мА | 35В | 15% при 16 мА | 45% при 16 мА | 300 нс, 600 нс | |||||||||||||||||||||||||||||
| ПС2561АЛ1-1-ВДА | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-ps2561al11la-datasheets-5212.pdf | 4-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 1 | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 3 мкс 5 мкс | 30 мА | 70В | 50% при 5 мА | 400% при 5 мА | 300 мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4Н37(КОРОТКИЙ-ТП5,Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 6-СМД, Крыло Чайки | 1 | Транзистор с базой | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,15 В | 60 мА | 100 мА | 30В | 100% при 10 мА | 3 мкс, 3 мкс | 300 мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4Н35-691 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2017 год | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЯН4Н47У | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~125°К | Поднос | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ttelectronicsoptektechnology-jantx4n49u-datasheets-0393.pdf | 6-LCC | 1 | 6-ЛЦУ (4,32х6,22) | Транзистор с базой | 1000 В постоянного тока | 1,5 В Макс. | 20 мкс 20 мкс Макс. | 50 мА | 500 мкА | 45В | 50% при 2 мА | 300 мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PS2561DL2-1Y-WA | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-ps2561dl21yla-datasheets-5453.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | ДА | 1 | 1 | Транзистор | 0,04А | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 3 мкс 5 мкс | 40 мА | 50 мА | 80В | 130% при 5 мА | 260% при 5 мА | 300 мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||
| PC814X1CSZ9F | SHARP/Цокольная технология | 0,38 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PC814X | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | Непригодный | округ Колумбия | 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 1 | 4-ДИП | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50 мА | 35В | 20% при 1 мА | 300% при 1 мА | 200 мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTX4N48U | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~125°К | Поднос | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ttelectronicsoptektechnology-jantx4n49u-datasheets-0393.pdf | 6-LCC | 1 | 6-ЛЦУ (4,32х6,22) | Транзистор с базой | 1000 В постоянного тока | 1,5 В Макс. | 20 мкс 20 мкс Макс. | 50 мА | 5мА | 45В | 100% при 2 мА | 300 мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PS2561L-1-F3-WA | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-ps2561l1va-datasheets-6151.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | УТВЕРЖДЕНО УЛ | 1 | 1 | Транзистор | 0,08А | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,17 В | 3 мкс 5 мкс | 80 мА | 80В | 50 мА | 80В | 130% при 5 мА | 260% при 5 мА | 300 мВ | ||||||||||||||||||||||||||||
| К7468 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PS2561DL2-1Y-V-F3-LA | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-ps2561dl21yla-datasheets-5453.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 1 | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 3 мкс 5 мкс | 40 мА | 50 мА | 80В | 200% при 5 мА | 400% при 5 мА | 300 мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПС2561-1-ВЛА | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 16 недель | 1 | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,17 В | 3 мкс 5 мкс | 80 мА | 50 мА | 80В | 200% при 5 мА | 400% при 5 мА | 300 мВ |
