Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМодули памяти(3684)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Частота | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Срок выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Размер | Тип | Скорость |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| A4C04QD8BLPBSE | АТП Электроникс, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 288-УДИММ | 6 недель | 4ГБ | DDR4 SDRAM | 2400 МТ/с | |||||||||||
| AQ12M72X8BLF8M | АТП Электроникс, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Модуль | 6 недель | 4ГБ | |||||||||||||
| A4D04Q38BLRCSE | АТП Электроникс, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Модуль | 6 недель | 4ГБ | DDR4 SDRAM | 2400 МТ/с | |||||||||||
| AQ12P72D8BLK0M | АТП Электроникс, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Модуль | 6 недель | 4ГБ | |||||||||||||
| AQ12P72D8BLK0S | АТП Электроникс, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Модуль | 6 недель | 4ГБ | |||||||||||||
| AW12P7218BLH9S | АТП Электроникс, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 240-УДИММ | 6 недель | 4ГБ | |||||||||||||
| MTA8ATF1G64AZ-3G2J1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 288-УДИММ | 7 недель | 8 ГБ | DDR4 SDRAM | 3,2 ГТ/с | |||||||||
| WD2SN02GX816-667G-PF | Винтекдаст Интриз | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | 667 МГц | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/wintecindustries-wd2ae512x809667gpe-datasheets-0160.pdf | 200-SODIMM | 200 | 2 ГБ | DDR2 SDRAM | 667 МГц | ||||||
| 96СД2-2Г800НН-АП2 | Адвантек Корп | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/advantechcorp-96sd22g800nnap2-datasheets-4079.pdf | 2 недели | 200 | 2 ГБ | DDR2 SDRAM | 800 Мбит/с | |||||||
| AQ12M6418BLF8M | АТП Электроникс, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Модуль | 6 недель | 4ГБ | |||||||||||||
| AQ12P6418BKH9M | АТП Электроникс, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Не соответствует требованиям RoHS | Модуль | 6 недель | 4ГБ | ||||||||||||
| AQ12M72D8BLK0M | АТП Электроникс, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Не соответствует требованиям RoHS | 2015 год | /files/atpelectronicsinc-aq12m72d8blk0m-datasheets-4090.pdf | Модуль | 6 недель | 4ГБ | ||||||||||
| SFUI032GJ1AE2TO-I-GS-2A1-STD | Свиссбит | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Ю-50 | Непригодный | Соответствует ROHS3 | Модуль | 6 недель | 32 ГБ | ФЛЕШ-НЕ-НЕ (MLC) | |||||||||
| SQR-SD3N4G1K6SEEEB | Адвантек Корп | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | SQR-SD3N | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 204-SODIMM | 4 недели | 4ГБ | DDR3 SDRAM | 1600 Мбит/с | ||||||||
| SFUI016GJ1AE2TO-I-GS-2AP-STD | Свиссбит | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Ю-56 | Непригодный | Соответствует ROHS3 | Модуль | 4 недели | 16 ГБ | ФЛЭШ-NAND (pSLC) | |||||||||
| AQ12M6418BKK0M | АТП Электроникс, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Модуль | 6 недель | 4ГБ | |||||||||||||
| A4D04Q38BLRCME | АТП Электроникс, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Модуль | 6 недель | 4ГБ | DDR4 SDRAM | 2400 МТ/с | |||||||||||
| AQ12P6418BKK0M | АТП Электроникс, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Модуль | 6 недель | 4ГБ | |||||||||||||
| AW12M7218BLH9S | АТП Электроникс, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 204-УДИММ | 6 недель | 4ГБ | |||||||||||||
| AQD-D3L4GNV16-SG | Адвантек Корп | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/advantechcorp-aqdd3l4gnv16sg-datasheets-4084.pdf | 240-УДИММ | 3 недели | 4ГБ | DDR3L SDRAM | 1600 Мбит/с | |||||||
| A4D04Q18BLPBME | АТП Электроникс, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Модуль | 6 недель | 4ГБ | DDR4 SDRAM | 2133МТ/с | |||||||||||
| SFUI4096J1AB1TO-I-GS-2AP-STD | Свиссбит | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Эвербит™ Ю-46 | Непригодный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/swissbit-sfui016gj1ab2toigs2apstd-datasheets-3179.pdf | Модуль | 20 недель | 4ГБ | ФЛЕШ-NAND (SLC) | |||||||
| AW12P7218BLH9M | АТП Электроникс, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 240-УДИММ | 6 недель | 4ГБ | |||||||||||||
| SFUI2048J3BP2TO-I-MS-221-STD | Свиссбит | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | У-110 | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | Модуль | 14 недель | Нет СВХК | 2 ГБ | ФЛЕШ-NAND (SLC) | |||||||
| AQ12M6418BKF8M | АТП Электроникс, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Модуль | 6 недель | 4ГБ | |||||||||||||
| АГ32Л64Д6ШК4М | АТП Электроникс, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 2016 год | 184-УДИММ | 6 недель | 256 МБ | ГДР SDRAM | |||||||||||
| MTA8ATF1G64HZ-2G6J1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 260-SODIMM | 4 недели | 8 ГБ | DDR4 SDRAM | 2666 ГТ/с | |||||||||
| MTA8ATF1G64AZ-2G6J1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 288-УДИММ | 6 недель | 8 ГБ | DDR4 SDRAM | 2666 ГТ/с | |||||||||
| AW12M7218BLF8M | АТП Электроникс, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 204-УДИММ | 6 недель | 4ГБ | |||||||||||||
| МТА8АТФ1Г64АЗ-2Г6Е1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/microntechnologyinc-mta8atf1g64az2g3h1-datasheets-1167.pdf | 288-УДИММ | 16 недель | 8 ГБ | DDR4 SDRAM | 2666МТ/с |
