Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактДатчики изображения(1677)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Установить | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Срок выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Источники питания | Скорость передачи данных | Особенности монтажа | Высота тела | Длина или диаметр тела | Ширина тела | Выходной диапазон | Размер пикселя | Динамический диапазон | Горизонтальное количество пикселей | Кадров в секунду | Активный массив пикселей | Оптический формат |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| КАИ-1020-ABB-JD-BA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/rochesterelectronicsllc-kai1020abbjpba-datasheets-9929.pdf | 68-БПГА | Без свинца | 9 недель | 68 | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 5 дней назад) | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ 12 УФ/ЭЛЕКТРОН, ЭЛЕКТРОННЫЙ ЗАТВОР | Нет | 14,5 В~15,5 В | 40 Мбит/с | 3,42 мм | 27,94 мм | 27,94 мм | 500 мВ | 7,4 мкмx7,4 мкм | 58 дБ | 30 | 1000Г х 1000В | |||||||||||||
| KAI-02150-ABA-JD-BA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/onsemiconductor-kai02150qbafdae-datasheets-3175.pdf | 67-БКПГА | 33,02 мм | 3,34 мм | 20,07 мм | 15,5 В | Без свинца | 9 недель | 67 | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 3 дня назад) | да | ВЫХОДНАЯ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ 34 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН. | Нет | 14,5 В~15,5 В | 5,5 мкмx5,5 мкм | 1920 год | 64 | 1200 х 1080 В | 2/3 дюйма | |||||||||||||
| KAI-08051-FBA-JD-BA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/onsemiconductor-kai08051aaajpba-datasheets-0776.pdf | 67-БКПГА | 15,5 В | Без свинца | 67 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | Нет | 14,5 В~15,5 В | 5,5 мкмx5,5 мкм | 16 | 3296Г х 2472В | ||||||||||||||||||||
| КАИ-1020-CBA-FD-BA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Поверхностный монтаж | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/rochesterelectronicsllc-kai1020abbjpba-datasheets-9929.pdf | 64-BCQFN | Без свинца | 64 | да | Нет | 14,5 В~15,5 В | 7,4 мкмx7,4 мкм | 30 | 1000Г х 1000В | ||||||||||||||||||||||
| КАИ-11002-CBA-CD-B2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2001 г. | /files/rochesterelectronicsllc-kai11002cbacdb2-datasheets-5136.pdf | Модуль 40-CDIP | 15,5 В | Без свинца | да | Нет | 14,5 В~15,5 В | 9 мкмx9 мкм | 3 | 4008Г х 2672В | ||||||||||||||||||||||
| КАИ-2020-ААА-CF-BA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-kai2020aaacfba-datasheets-1023.pdf | Модуль 32-CDIP | 15,5 В | Без свинца | 9 недель | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 2 недели назад) | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ 30 УФ/ЭЛЕКТРОН | Нет | 14,5 В~15,5 В | 40 Мбит/с | 4,44 мм | 33,02 мм | 20,32 мм | 7,4 мкмx7,4 мкм | 60 дБ | 35 | 1600 В х 1200 В | ||||||||||||||
| КАИ-16070-CXA-JD-B2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/onsemiconductor-kai16070aaajpb1-datasheets-2913.pdf | 71-БКПГА | 15,5 В | Без свинца | 71 | да | Нет | 14,5 В~15,5 В | 7,4 мкмx7,4 мкм | 2 | 4864Г х 3232В | |||||||||||||||||||||
| КАИ-11002-ААА-CR-B1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/rochesterelectronicsllc-kai11002cbacdb2-datasheets-5136.pdf | Модуль 40-CDIP | 15,5 В | Без свинца | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | Нет | 14,5 В~15,5 В | 9 мкмx9 мкм | 3 | 4008Г х 2672В | |||||||||||||||||||||
| КАИ-16050-AXA-JD-B1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/onsemiconductor-kai16050axajdb2-datasheets-0939.pdf | 71-БКПГА | 15,5 В | Без свинца | 9 недель | 71 | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 2 недели назад) | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ 34 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН, ЭЛЕКТРОННЫЙ ЗАТВОР. | Нет | 14,5 В~15,5 В | 15 В | 45,34 мм | 5,5 мкмx5,5 мкм | 64 дБ | 2 | 4896Г х 3264В | |||||||||||||||
| KAI-04070-CBA-JD-BA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/onsemiconductor-kai04070pbajdba-datasheets-0648.pdf | 67-БКПГА | 15,5 В | Без свинца | 67 | да | Нет | 14,5 В~15,5 В | 7,4 мкмx7,4 мкм | 8 | 2048Г х 2048В | |||||||||||||||||||||
| КАИ-1020-CBA-JD-BA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/rochesterelectronicsllc-kai1020abbjpba-datasheets-9929.pdf | 68-БПГА | Без свинца | 68 | да | Нет | 14,5 В~15,5 В | 7,4 мкмx7,4 мкм | 30 | 1000Г х 1000В | ||||||||||||||||||||||
| КАИ-11002-АБА-CD-B1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/rochesterelectronicsllc-kai11002cbacdb2-datasheets-5136.pdf | Модуль 40-CDIP | 15,5 В | Без свинца | 9 недель | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 5 дней назад) | да | Нет | 14,5 В~15,5 В | 5,97 мм | 9 мкмx9 мкм | 28 дБ | 3 | 4008Г х 2672В | ||||||||||||||||||
| КАИ-08051-FBA-JB-B2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/onsemiconductor-kai08051aaajpba-datasheets-0776.pdf | 67-БКПГА | 15,5 В | Без свинца | 67 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | Нет | 14,5 В~15,5 В | 5,5 мкмx5,5 мкм | 16 | 3296Г х 2472В | ||||||||||||||||||||
| KAI-08051-ABA-JP-BA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/onsemiconductor-kai08051aaajpba-datasheets-0776.pdf | 67-БКПГА | 15,5 В | Без свинца | 67 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | Нет | 14,5 В~15,5 В | 5,5 мкмx5,5 мкм | 16 | 3296Г х 2472В | ||||||||||||||||||||
| КАИ-11002-АБА-CD-B2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/rochesterelectronicsllc-kai11002cbacdb2-datasheets-5136.pdf | Модуль 40-CDIP | 15,5 В | Без свинца | 9 недель | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 6 дней назад) | да | Нет | 14,5 В~15,5 В | 5,97 мм | 9 мкмx9 мкм | 28 дБ | 3 | 4008Г х 2672В | ||||||||||||||||||
| КАИ-16000-ААА-JR-B1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-kai16000axajdbx-datasheets-0788.pdf | 40-BCPGA | 15,5 В | Без свинца | 40 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | Нет | 14,5 В~15,5 В | 7,4 мкмx7,4 мкм | 3 | 4872Г х 3248В | ||||||||||||||||||||
| КАИ-11002-АБА-CD-B0 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/rochesterelectronicsllc-kai11002cbacdb2-datasheets-5136.pdf | Модуль 40-CDIP | 15,5 В | Без свинца | 9 недель | ПОЖИЗНЕННЫЙ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | Нет | 14,5 В~15,5 В | 5,97 мм | 9 мкмx9 мкм | 28 дБ | 3 | 4008Г х 2672В | ||||||||||||||||||
| КАИ-11002-АБА-CR-B1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/rochesterelectronicsllc-kai11002cbacdb2-datasheets-5136.pdf | Модуль 40-CDIP | 15,5 В | Без свинца | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 6 дней назад) | да | Нет | 14,5 В~15,5 В | 9 мкмx9 мкм | 3 | 4008Г х 2672В | |||||||||||||||||||||
| КАИ-11002-CBA-CD-B1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2001 г. | /files/rochesterelectronicsllc-kai11002cbacdb2-datasheets-5136.pdf | Модуль 40-CDIP | 15,5 В | Без свинца | да | Нет | 14,5 В~15,5 В | 9 мкмx9 мкм | 3 | 4008Г х 2672В | ||||||||||||||||||||||
| КАИ-11002-CAA-CD-B1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/rochesterelectronicsllc-kai11002cbacdb2-datasheets-5136.pdf | Модуль 40-CDIP | 15,5 В | Без свинца | да | Нет | 14,5 В~15,5 В | 9 мкмx9 мкм | 3 | 4008Г х 2672В | ||||||||||||||||||||||
| КАИ-16000-CXA-JD-B2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/onsemiconductor-kai16000axajdbx-datasheets-0788.pdf | 40-BCPGA | 15,5 В | Без свинца | 40 | да | Нет | 14,5 В~15,5 В | 7,4 мкмx7,4 мкм | 3 | 4872Г х 3248В | |||||||||||||||||||||
| КАИ-16000-AXA-JR-B2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-kai16000axajdbx-datasheets-0788.pdf | 40-BCPGA | 15,5 В | Без свинца | 40 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 недели назад) | да | Нет | 14,5 В~15,5 В | 7,4 мкмx7,4 мкм | 3 | 4872Г х 3248В | ||||||||||||||||||||
| КАИ-16050-QXA-JD-B2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-kai16050qxajdb2-datasheets-0911.pdf | 71-БКПГА | Без свинца | 9 недель | 71 | АКТИВНО (Последнее обновление: 3 месяца назад) | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ ОН ИМЕЕТ 34 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН. | НЕТ | 14,5 В~15,5 В | 15 В | КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ | 45,34 мм | 5,5 мкмx5,5 мкм | 64 дБ | 4964 | 2 | 4896Г х 3264В | |||||||||||||||
| КАИ-16000-ААА-JR-B2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-kai16000axajdbx-datasheets-0788.pdf | 40-BCPGA | 15,5 В | Без свинца | 40 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 недели назад) | да | Нет | 14,5 В~15,5 В | 7,4 мкмx7,4 мкм | 3 | 4872Г х 3248В | ||||||||||||||||||||
| КАИ-04050-CBA-JB-B2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/onsemiconductor-kai04050fbajbx2t-datasheets-3112.pdf | 67-БКПГА | 15,5 В | Без свинца | 67 | да | Нет | 14,5 В~15,5 В | 5,5 мкмx5,5 мкм | 32 | 2336 х 1752 В | |||||||||||||||||||||
| KAI-04070-ABA-JR-BA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/onsemiconductor-kai04070pbajdba-datasheets-0648.pdf | 67-БКПГА | 15,5 В | Без свинца | 9 недель | 67 | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | Нет | 14,5 В~15,5 В | 15 В | 40 мм | 29 мм | 7,4 мкмx7,4 мкм | 70,5 дБ | 8 | 2048Г х 2048В | 4/3 дюйма | ||||||||||||||
| КАИ-16000-AXA-JR-B1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-kai16000axajdbx-datasheets-0788.pdf | 40-BCPGA | 15,5 В | Без свинца | 40 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 недели назад) | да | Нет | 14,5 В~15,5 В | 7,4 мкмx7,4 мкм | 3 | 4872Г х 3248В | ||||||||||||||||||||
| КАИ-0373-ААА-ЦП-БА | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -25°С~55°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-kai0373abacbba-datasheets-0581.pdf | Модуль 24-CDIP | 15,5 В | Без свинца | 9 недель | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ 9 УФ/ЭЛЕКТРОН | Нет | 14,5 В~15,5 В | 14 Мбит/с | 4,32 мм | 20,32 мм | 500 мВ | 11,6 мкмx13,6 мкм | 60 дБ | 768 | 30 | 768Г х 484В | |||||||||||||
| 14222 | Эллайд Вижн, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Альвиум 1800 С | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/alliedvisioninc-14222-datasheets-0927.pdf | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КАИ-04050-FBA-JD-BA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/onsemiconductor-kai04050fbajbx2t-datasheets-3112.pdf | 67-БКПГА | 15,5 В | Без свинца | 9 недель | 67 | ПОЖИЗНЕННЫЙ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ 34 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН. | 14,5 В~15,5 В | 33,02 мм | 20,07 мм | 5,5 мкмx5,5 мкм | 64 дБ | 32 | 2336 х 1752 В | 1 дюйм |
