Транзисторные оптические датчики — Поиск электронных компонентов — Лучший агент по производству электронных компонентов — ICGNT
Сравнить Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Тип Ряд Установить Тип монтажа Рабочая температура Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Максимальная рабочая температура Минимальная рабочая температура Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Напряжение — номинальный постоянный ток Пакет/ключи Метод измерения Длина Входной ток Высота Ширина Рабочее напряжение питания Без свинца Срок выполнения заказа на заводе ДОСТИГНУТЬ СВХК Количество контактов Радиационная закалка Максимальная рассеиваемая мощность Количество вариантов Рассеяние активности Время ответа Количество элементов Максимальный выходной ток Сенсорный экран Выходное напряжение Прямой ток Прямое напряжение Время подъема Расстояние внедрения Конфигурация вывода Обратное напряжение проба Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) Макс. ток коллектора Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) Обратное напряжение (постоянный ток) Длина волны Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) Ток-Коллектор (Ic) (Макс)
WF15-95B410 WF15-95B410 СИК, Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать ВФ Крепление на шасси -20°С~60°С ТА Модуль, Разъем Оптический флаг 3 недели 100 мкс 0,591 (15 мм) ПНП/НПН
OPB870T51TX ОПБ870Т51ТХ ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) 85°С -40°С Не соответствует требованиям RoHS 2012 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb870t51tx-datasheets-0773.pdf Монтаж на печатной плате Пересечение объекта 25 недель 4 Инфракрасный (ИК) 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 мА 50 мА 30 В 30 мА
UFN3-70N415 УФН3-70Н415 СИК, Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать УФ Крепление на шасси 5°С~55°С ТА Модуль, Разъем Оптический флаг 3 недели 250 мкс 0,118 (3 мм) НПН
WF80-60B416 WF80-60B416 СИК, Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать ВФ Крепление на шасси -20°С~60°С ТА Модуль, Разъем Оптический флаг 3 недели 100 мкс 3150 (80 мм) ПНП/НПН
WF15-95B416 WF15-95B416 СИК, Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать ВФ Крепление на шасси -20°С~60°С ТА Модуль, Разъем Оптический флаг 3 недели 100 мкс 0,591 (15 мм) ПНП/НПН
WF15-40B410 WF15-40B410 СИК, Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать ВФ Крепление на шасси -20°С~60°С ТА Модуль, Разъем Оптический флаг 3 недели 100 мкс 0,591 (15 мм) ПНП/НПН
WF80-40B410 WF80-40B410 СИК, Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать ВФ Крепление на шасси -20°С~60°С ТА Модуль, Разъем Оптический флаг 3 недели 100 мкс 3150 (80 мм) ПНП/НПН
WF30-40B416 WF30-40B416 СИК, Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать ВФ Крепление на шасси -20°С~60°С ТА Модуль, Разъем Оптический флаг 3 недели 100 мкс 1181 (30 мм) ПНП/НПН
H21A2 H21A2 Рочестер Электроникс
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Сквозное отверстие, фланец -55°К~100°К Масса 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 /files/rochesterelectronicsllc-h21a5-datasheets-9408.pdf Прорезные штыри для ПК Пересечение объекта 8 мкс, 150 мкс 0,118 (3 мм) Фототранзистор 50 мА 30 В 20 мА
WF225-B4150 WF225-B4150 СИК, Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать ВФ Крепление на шасси -20°С~60°С ТА Модуль, Разъем Оптический флаг 3 недели 1 мс 8858 (225 мм) ПНП/НПН
H21A1 H21A1 ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Сквозное отверстие Сквозное отверстие, фланец -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) 100°С -55°С Соответствует RoHS 2001 г. /files/onsemiconductor-h21a1-datasheets-0798.pdf 30 В Прорезные штыри для ПК Пересечение объекта 60 мА 1,7 В Без свинца Нет СВВК 4 1 150 мВт 8 мкс, 150 мкс 1 30 В 50 мА 8 мкс 0,118 (3 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 20 мА 50 мА 30 В 20 мА
WF30-60B410 WF30-60B410 СИК, Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать ВФ Крепление на шасси -20°С~60°С ТА Модуль, Разъем Оптический флаг 3 недели 100 мкс 1181 (30 мм) ПНП/НПН
QVB11334 QVB11334 ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный QVB Сквозное отверстие, фланец -40°К~85°К Трубка 1 (без блокировки) 1997 год /files/onsemiconductor-qvb11334-datasheets-0804.pdf Модуль, контакты ПК, тип слота Пересечение объекта 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 50 мА 30 В 40 мА
WF3T-B4210 WF3T-B4210 СИК, Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать ВФ Крепление на шасси -20°С~60°С ТА Модуль, Разъем Оптический флаг 3 недели 50 мкс 0,118 (3 мм) ПНП/НПН
WF120-40B410 WF120-40B410 СИК, Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать ВФ Крепление на шасси -20°С~60°С ТА Модуль, Разъем Оптический флаг 3 недели 100 мкс 4724 (120 мм) ПНП/НПН
WF120-40B416 WF120-40B416 СИК, Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать ВФ Крепление на шасси -20°С~60°С ТА Модуль, Разъем Оптический флаг 3 недели 100 мкс 4724 (120 мм) ПНП/НПН
QVA11134 QVA11134 ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный КВА Сквозное отверстие -40°К~85°К Трубка 1 (без блокировки) 2011 г. /files/onsemiconductor-qva11134-datasheets-0807.pdf Модуль, контакты ПК, тип слота Пересечение объекта 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 50 мА 30 В
WF30-95B416 WF30-95B416 СИК, Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать ВФ Крепление на шасси -20°С~60°С ТА Модуль, Разъем Оптический флаг 3 недели 100 мкс 1181 (30 мм) ПНП/НПН
WF120-95B410 WF120-95B410 СИК, Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать ВФ Крепление на шасси -20°С~60°С ТА Модуль, Разъем Оптический флаг 3 недели 100 мкс 4724 (120 мм) ПНП/НПН
WF50-60B410 WF50-60B410 СИК, Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать ВФ Крепление на шасси -20°С~60°С ТА Модуль, Разъем Оптический флаг 3 недели 100 мкс 1969 (50 мм) ПНП/НПН
WF50-40B416 WF50-40B416 СИК, Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать ВФ Крепление на шасси -20°С~60°С ТА Модуль, Разъем Оптический флаг 3 недели 100 мкс 1969 (50 мм) ПНП/НПН
WF120-60B416 WF120-60B416 СИК, Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать ВФ Крепление на шасси -20°С~60°С ТА Модуль, Разъем Оптический флаг 3 недели 100 мкс 4724 (120 мм) ПНП/НПН
WF50-95B416 WF50-95B416 СИК, Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать ВФ Крепление на шасси -20°С~60°С ТА Модуль, Разъем Оптический флаг 3 недели 100 мкс 1969 (50 мм) ПНП/НПН
WF80-40B416 WF80-40B416 СИК, Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать ВФ Крепление на шасси -20°С~60°С ТА Модуль, Разъем Оптический флаг 3 недели 100 мкс 3150 (80 мм) ПНП/НПН
WF5-40B416 WF5-40B416 СИК, Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать ВФ Крепление на шасси -20°С~60°С ТА Модуль, Разъем Оптический флаг 3 недели 100 мкс 0,197 (5 мм) ПНП/НПН
WF5-95B416 WF5-95B416 СИК, Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать ВФ Крепление на шасси -20°С~60°С ТА Модуль, Разъем Оптический флаг 3 недели 100 мкс 0,197 (5 мм) ПНП/НПН
WF5-60B410 WF5-60B410 СИК, Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать ВФ Крепление на шасси -20°С~60°С ТА Модуль, Разъем Оптический флаг 3 недели 100 мкс 0,197 (5 мм) ПНП/НПН
OPB821Z ОПБ821Z ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Винт, сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2007 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb821s3z-datasheets-8249.pdf 30 В Модуль, прорезной Пересечение объекта 15,24 мм 20 мА 8,89 мм 6,35 мм Без свинца 8 недель Нет СВВК 4 Нет 100мВт 100мВт 1 500 мкА 30 В 50 мА 1,7 В 0,080 (2,03 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 500 мкА 50 мА 890 нм 30 В 500 мкА
WF15-40B416 WF15-40B416 СИК, Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать ВФ Крепление на шасси -20°С~60°С ТА Модуль, Разъем Оптический флаг 3 недели 100 мкс 0,591 (15 мм) ПНП/НПН
WF2-40B416 WF2-40B416 СИК, Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать ВФ Крепление на шасси -20°С~60°С ТА Модуль, Разъем Оптический флаг 3 недели 100 мкс 0,079 (2 мм) ПНП/НПН

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.