Транзисторные оптические датчики – Поиск электронных компонентов – Лучший агент по производству электронных компонентов – ICGNT
Сравнить Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Тип Ряд Установить Тип монтажа Рабочая температура Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Прекращение действия Максимальная рабочая температура Минимальная рабочая температура Напряжение - номинальное Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Напряжение — номинальный постоянный ток Пакет/ключи Метод измерения Длина Входной ток Высота Ширина Рабочее напряжение питания Без свинца Срок выполнения заказа на заводе Рейтинги ДОСТИГНУТЬ СВХК Максимальное напряжение питания Количество контактов Ведущая презентация Код Pbfree Дополнительная функция Материал корпуса Радиационная закалка Достичь соответствия кода Количество функций Номинальный ток питания Максимальная рассеиваемая мощность Количество вариантов Рассеяние активности Время ответа Количество элементов Максимальный выходной ток Сенсорный экран Выходное напряжение Выходной ток Прямой ток Прямое напряжение Максимальный входной ток Время подъема Осень (тип.) Задержка распространения Расстояние между строками Расстояние внедрения Конфигурация вывода Обратное напряжение проба Максимальное напряжение проба Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) Макс. ток коллектора Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) Обратное напряжение (постоянный ток) Длина волны Темный ток Темный ток-Макс. Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) Ток-Коллектор (Ic) (Макс) Ширина слота-ном. Номинальный ток коллектора в состоянии включения
EE-SX975P-C1 EE-SX975P-C1 Omron Автоматизация и безопасность
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Крепление на раму, винт Крепление на раму, винт М3. -25°К~85°К Масса Непригодный 85°С -25°С Соответствует RoHS 2012 год Модуль, прорезной Пересечение объекта 2 недели 4 мкс 0,020 (0,5 мм) 30 В 20 мА 50 мА 30 В 20 мА
WFM80-60P321 WFM80-60P321 СИК, Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать ВФМ Крепление на шасси -10°С~60°С ТА Модуль, Разъем Оптический флаг 3 недели 125 мкс 3150 (80 мм) ПНП
EE-SH3-DS ЭЭ-Ш3-ДС Omron Electronics Inc-подразделение EMC
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Припой, сквозное отверстие Припой -25°К~85°К Масса Непригодный Соответствует RoHS 2003 г. /files/omronelectronicsincemcdiv-eesh3-datasheets-8392.pdf Монтаж на печатной плате Пересечение объекта Без свинца 10 недель Неизвестный 4 да ВЫСОКАЯ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ 1 100мВт 4 мкс, 4 мкс 1 20 мА 50 мА 1,2 В 4 мкс 4 мкс 0,134 (3,4 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 20 мА 940 нм 200нА 3,4 мм 0,1 мА
WFM180-120N321 WFM180-120N321 СИК, Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать ВФМ Крепление на шасси -10°С~60°С ТА Модуль, Разъем Оптический флаг 3 недели 125 мкс 7087 (180 мм) НПН
EE-SH3-D ЭЭ-Ш3-Д Omron Electronics Inc-подразделение EMC
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Сквозное отверстие Сквозное отверстие -25°К~85°К Масса Непригодный Соответствует RoHS 2003 г. /files/omronelectronicsincemcdiv-eesh3-datasheets-8392.pdf Монтаж на печатной плате Пересечение объекта Без свинца 10 недель Неизвестный 4 да ВЫСОКАЯ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ 1 100мВт 4 мкс, 4 мкс 20 мА 50 мА 1,2 В 4 мкс 4 мкс 0,134 (3,4 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 20 мА 940 нм 200нА 3,4 мм 0,1 мА
WFM50-60N311 ВФМ50-60Н311 СИК, Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать ВФМ Крепление на шасси -10°С~60°С ТА Модуль, Разъем Оптический флаг 3 недели 125 мкс 1969 (50 мм) НПН
EE-SX977-C1 EE-SX977-C1 Omron Автоматизация и безопасность
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Крепление на раму, винт Крепление на раму, винт М3. -25°К~85°К Масса Непригодный 85°С -25°С Соответствует RoHS 2010 год /files/omron-eesx977c1-datasheets-6935.pdf Модуль, прорезной Пересечение объекта 2 недели 4 мкс 0,020 (0,5 мм) 30 В 20 мА 50 мА 30 В 20 мА
WF50-40B410 WF50-40B410 СИК, Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать ВФ Крепление на шасси -20°С~60°С ТА Модуль, Разъем Оптический флаг 3 недели 125 мкс 1969 (50 мм) ПНП/НПН
EE-SX1080 EE-SX1080 Omron Автоматизация и безопасность
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Прикрепить Масса Непригодный 85°С -25°С Соответствует RoHS 1999 год 17 недель 4 100мВт 50 мА 4 мкс 4 мкс 5 мм 30 В 20 мА 940 нм
WFM180-120N311 WFM180-120N311 СИК, Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать ВФМ Крепление на шасси -10°С~60°С ТА Модуль, Разъем Оптический флаг 3 недели 125 мкс 7087 (180 мм) НПН
OPB881L51Z ОПБ881L51Z ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Крепление на шасси Крепление на шасси -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2016 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf Модуль предварительно смонтированный Пересечение объекта 12 недель 4 100мВт Инфракрасный (ИК) 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 мА 50 мА 890 нм 30 В 30 мА
OPB882T51Z ОПБ882Т51З ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Крепление на раму, винт Крепление на шасси -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2011 г. /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf Модуль предварительно смонтированный Пересечение объекта 12 недель 4 100мВт 1 Инфракрасный (ИК) 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 мА 50 мА 890 нм 30 В 30 мА
WFM30-40P321 WFM30-40P321 СИК, Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать ВФМ Крепление на шасси -10°С~60°С ТА Модуль, Разъем Оптический флаг 3 недели 125 мкс 1181 (30 мм) ПНП
WFM30-40N321 WFM30-40N321 СИК, Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать ВФМ Крепление на шасси -10°С~60°С ТА Модуль, Разъем Оптический флаг 3 недели 125 мкс 1181 (30 мм) НПН
OPB390P51Z ОПБ390П51З ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Крепление на шасси Крепление на шасси -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2007 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf Модуль предварительно смонтированный Пересечение объекта 20 мА 10 недель Нет СВВК 4 100мВт 30 В 50 мА 1,3 В 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 мА 50 мА 890 нм 30 В 30 мА
E4TT-MM4A-CS3M020 E4TT-MM4A-CS3M020 Omron Автоматизация и безопасность
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Масса 1 (без блокировки) Соответствует RoHS 20 недель
OPB892L51Z ОПБ892L51Z ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Крепление на раму, винт Крепление на шасси -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2006 г. /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf Монтаж на печатной плате Пересечение объекта 12 недель 4 Нет 100мВт 1 Инфракрасный (ИК) 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 мА 50 мА 890 нм 30 В 30 мА
WFM30-40N311 WFM30-40N311 СИК, Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать ВФМ Крепление на шасси -10°С~60°С ТА Модуль, Разъем Оптический флаг 3 недели 125 мкс 1181 (30 мм) НПН
HOA1881-013 НОА1881-013 Решения Honeywell для измерения и повышения производительности
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Крепление на корпусе, сквозное отверстие Крепление на шасси -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) 85°С -40°С Соответствует RoHS 1997 год /files/honeywell-hoa1881013-datasheets-6900.pdf 15 В Модуль предварительно смонтированный Пересечение объекта 25,78 мм 15,62 мм 14 недель 4 Нейлон Нет 100мВт 1 100мВт 75 мкс 1 50 мА 1,6 В 75 мкс 75 мкс 0,125 (3,18 мм) Фотодарлингтон 15 В 1,1 В 15 В 30 мА 50 мА 250 нА 15 В 30 мА
OPB865T55 ОПБ865Т55 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Винт, сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2011 г. /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf Монтаж на печатной плате Пересечение объекта Без свинца 12 недель 4 100мВт 1 Инфракрасный (ИК) 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 В 30 мА 50 мА 890 нм 30 В 30 мА
HOA1877-003 НОА1877-003 Решения Honeywell для измерения и повышения производительности
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Винт, сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°К~100°К Масса 1 (без блокировки) 15 В Соответствует RoHS 1997 год /files/honeywell-hoa1877003-datasheets-6903.pdf 15 В Монтаж на печатной плате Пересечение объекта 31,75 мм 30 мА 15,88 мм 31,75 мм 4 недели Нет СВВК 1,6 В 4 5,08 мм да Поликарбонат Нет 1 50 мА 75мВт 1 75мВт 75 мкс, 75 мкс 30 мА Инфракрасный (ИК) 15 В 50 мА 1,6 В 75 мкс 75 мкс 75 нс 17,78 мм 0,375 (9,52 мм) Фотодарлингтон 15 В 1,1 В 15 В 30 мА 250 нА 9,52 мм 1,5 мА
OPB848 ОПБ848 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2006 г. /files/ttelectronicsoptektechnology-opb847-datasheets-8235.pdf 30 В Монтаж на печатной плате Пересечение объекта 20 мА 1,7 В Без свинца 10 недель Нет СВВК 4 1 100мВт 12 мкс, 12 мкс 1 Инфракрасный (ИК) 30 В 50 мА 1,7 В 20 мА 15 мкс 15 мкс 0,100 (2,54 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 50 мА 890 нм 30 В
OPB390T11Z ОПБ390Т11З ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Печатная плата, сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) Припой 85°С -40°С Соответствует RoHS 2006 г. /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf Монтаж на печатной плате Пересечение объекта Без свинца 12 недель 4 100мВт Инфракрасный (ИК) 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 мА 50 мА 890 нм 30 В 30 мА
PM-K24P ПМ-К24П Продажи промышленной автоматизации Panasonic
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный ПМ-24 Крепление на шасси Крепление на шасси -25°К~55°К Масса 1 (без блокировки) Соответствует RoHS 2016 год /files/panasonicindustrialautomationsales-msm2-datasheets-9764.pdf Модуль, выводы проводов, тип слота Пересечение объекта 22 мм 6 мм 12 мм Без свинца IP40 неизвестный 20 мкс 0,197 (5 мм) PNP — Включение темноты/Включение света — по выбору 50 мА 30 В 15 мА
OPB390P55Z ОПБ390П55З ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Крепление на раму, винт Крепление на шасси -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2007 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf Модуль предварительно смонтированный Пересечение объекта 12 недель 4 100мВт 1 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 мА 50 мА 890 нм 30 В 30 мА
EE-SM8 ЭЭ-СМ8 Omron Автоматизация и безопасность
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Масса 1 (без блокировки) Соответствует RoHS 1999 год 3 недели
OPB920DZ ОПБ920ДЗ ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Выключатель Фотологик® Шасси, Панель Шасси, Панель, Прямоугольный -40°К~70°К Масса 1 (без блокировки) 70°С -40°С Соответствует RoHS 2008 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb920az-datasheets-8081.pdf Модуль, выводы проводов 12 недель Инфракрасный (ИК) Открытый коллектор 20 мА
EE-SX772-ECON 0.3M EE-SX772-ЭКОН 0,3М Omron Автоматизация и безопасность
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Крепление на раму, винт М3. -25°К~55°К Масса Непригодный Соответствует RoHS Модуль, выводы проводов, тип слота Пересечение объекта 0,197 (5 мм) PNP — открытый коллектор/Dark-ON
EE-SX975-C1 EE-SX975-C1 Omron Автоматизация и безопасность
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Крепление на раму, винт Крепление на раму, винт М3. -25°К~85°К Масса Непригодный 85°С -25°С Соответствует RoHS 2012 год Модуль, прорезной Пересечение объекта 2 недели 4 мкс 0,020 (0,5 мм) 30 В 20 мА 50 мА 30 В 20 мА
OPB880P55Z ОПБ880П55З ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Крепление на раму, винт Крепление на шасси -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2011 г. /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf Модуль предварительно смонтированный Пересечение объекта 12 недель 4 Нет 100мВт 1 Инфракрасный (ИК) 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 мА 50 мА 890 нм 30 В 30 мА

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.