Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактТранзисторные оптические датчики(1354)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Пакет/ключи | Метод измерения | Длина | Входной ток | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Срок выполнения заказа на заводе | Рейтинги | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Ведущая презентация | Код Pbfree | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Материал корпуса | Радиационная закалка | Максимальное напряжение питания (постоянный ток) | Минимальное напряжение питания (постоянный ток) | Достичь соответствия кода | Количество функций | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Максимальная рассеиваемая мощность | Количество вариантов | Рассеяние активности | Время ответа | Количество элементов | Максимальный выходной ток | Сенсорный экран | Выходное напряжение | Выходной ток | Прямой ток | Прямое напряжение | Тип выхода | Максимальный входной ток | Тип оптоэлектронного устройства | Прямой ток-макс. | Время подъема | Осень (тип.) | Материал корпуса | Расстояние внедрения | Конфигурация вывода | Обратное напряжение проба | Максимальное напряжение проба | Обратное напряжение | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Обратное напряжение (постоянный ток) | Текущий коэффициент передачи | Coll-Emtr Bkdn Напряжение-мин. | Длина волны | Пиковая длина волны | Темный ток | Темный ток-Макс. | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Ширина слота-ном. | Номинальный ток коллектора в состоянии включения |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ОПБ890П51З | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | Без свинца | 8 недель | 4 | 100мВт | 1 | Инфракрасный (ИК) | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 2В | 30 В | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 890 нм | 30 В | 30 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EE-SX950-W 3М | Omron Автоматизация и безопасность | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Усиленный | EE-SX95 | Крепление на шасси | -25°К~55°К | Масса | Непригодный | Соответствует RoHS | 2015 год | Модуль, выводы проводов, тип слота | Пересечение объекта | 24 недели | 0,197 (5 мм) | NPN — Включение темноты/Включение света — по выбору | 50 мА | 24В | 15 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EE-SX198 | Omron Electronics Inc-подразделение EMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Масса | Непригодный | Соответствует RoHS | 2003 г. | /files/omronelectronicsincemcdiv-eesx198-datasheets-9671.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 30 мА | 7 недель | Неизвестный | 4 | да | 1 | 1 | 100мВт | 4 мкс, 4 мкс | 30 В | 50 мА | 1,2 В | 30 мА | 4 мкс | 4 мкс | 0,118 (3 мм) | Фототранзистор | 4В | 30 В | 30 В | 20 мА | 4В | 940 нм | 200нА | 3 мм | 0,5 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EE-SX971P-C1 | Omron Автоматизация и безопасность | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на раму, винт М3. | -25°К~85°К | Масса | Непригодный | 85°С | -25°С | Соответствует RoHS | 2012 год | Модуль, прорезной | Пересечение объекта | 2 недели | 4 мкс | 0,020 (0,5 мм) | 30 В | 30 В | 20 мА | 50 мА | 30 В | 20 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EE-SX953P-R 1M | Omron Автоматизация и безопасность | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Усиленный | EE-SX95 | Крепление на шасси | -25°К~55°К | Масса | Непригодный | Соответствует RoHS | 2015 год | Модуль, выводы проводов, тип слота | Пересечение объекта | 2 недели | 0,197 (5 мм) | PNP — Включение темноты/Включение света — по выбору | 50 мА | 24В | 15 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГП1С58ВДЖ000Ф | SHARP/Цокольная технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/sharpsocletechnology-gp1s58vj000f-datasheets-9440.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 13,7 мм | 20 мА | 12 мм | 5,2 мм | Без свинца | Неизвестный | 4 | Медь, Серебро, Олово | Нет | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1 | 75мВт | 3 мкс, 4 мкс | 35В | 20 мА | 50 мА | 1,2 В | 15 мкс | 20 мкс | 0,197 (5 мм) | Фототранзистор | 6В | 35В | 35В | 20 мА | 6В | 5 мм | 0,5 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ832W55Z | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°К~80°К | Масса | 1 (без блокировки) | 80°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb830l11-datasheets-7388.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 23,75 мм | 20 мА | 10,54 мм | 12,95 мм | 10 недель | Нет СВХК | 4 | Нет | 100мВт | 1 | 100мВт | 1 | 30 мА | Инфракрасный (ИК) | 30 В | 50 мА | 1,7 В | 20 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 2В | 30 В | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 2В | 880 нм | 30 В | 30 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EE-SX676 | Omron Автоматизация и безопасность | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | EE-SX67 | Сквозное отверстие | Крепление на шасси | -25°С~55°С ТА | Непригодный | Разъем | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/omronautomationandsafety-ee1006-datasheets-2671.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 2 недели | IP50 | 4 | Полибутилен | 24В | 5В | неизвестный | 1 | 100 мА | 35 мА | Фототранзистор | ТРАНЗИСТОРНЫЙ ВЫХОД ЩЕЛЕВОЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ | 0,197 (5 мм) | NPN — Включение темноты/Включение света — по выбору | 100 мА | 940 нм | 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НОА0891-T55 | Решения Honeywell для датчиков и повышения производительности | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на раму, винт, проволока | Крепление на корпусе, выводы проводов | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 1997 год | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 10 мА | 14 недель | Нет СВХК | 4 | Полисульфон | 100мВт | 1 | 100мВт | 15 мкс | 1 | 30 В | 50 мА | 1,6 В | Фототранзистор | 15 мкс | 15 мкс | Полисульфон | 0,125 (3,18 мм) | Транзистор | 3В | 30 В | 400мВ | 30 В | 30 мА | 50 мА | 3В | 100нА | 30 В | 30 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EE-SX954P-R 1M | Omron Автоматизация и безопасность | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Усиленный | EE-SX95 | Крепление на шасси | -25°К~55°К | Масса | Непригодный | Соответствует RoHS | 2015 год | Модуль, выводы проводов, тип слота | Пересечение объекта | 2 недели | 0,197 (5 мм) | PNP — Включение темноты/Включение света — по выбору | 50 мА | 24В | 15 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ350Л062 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ОПБ350 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-ocb350l187z-datasheets-5332.pdf | 30 В | Монтаж на печатной плате | Жидкость | Без свинца | 8 недель | 4 | Нет | 100мВт | 1 | 50 мА | 0,063 (1,6 мм) | Фототранзистор | 2В | 30 В | 30 В | 50 мА | 50 мА | 890 нм | 890 нм | 30 В | 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РПИ-151 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -25°С | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/rohmsemiconductor-rpi151-datasheets-9481.pdf | Щелевой модуль | Без свинца | 80мВт | 10 мкс | 10 мкс | 10 мкс | Фототранзистор | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 800 нм | 30 В | 30 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ390L11Z | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | Без свинца | 10 недель | 4 | 100мВт | Инфракрасный (ИК) | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 890 нм | 30 В | 30 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ390L51Z | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Винт, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 20 мА | 12 недель | 4 | Нет | 1 | 100мВт | 1 | 30 В | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 2В | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 890 нм | 30 В | 30 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ200 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb200-datasheets-9500.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 10,41 мм | Без свинца | 10 недель | Нет СВХК | 4 | 100мВт | 1 | Инфракрасный (ИК) | 30 мА | 50 мА | 1,7 В | 0,201 (5,1 мм) | Фототранзистор | 5В | 30 В | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 2В | 890 нм | 100нА | 30 В | 30 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EE-SX677 | Omron Автоматизация и безопасность | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | EE-SX67 | Крепление на шасси | -25°С~55°С ТА | Непригодный | Припой | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/omronautomationandsafety-ee1006-datasheets-2671.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 17,4 мм | 9,4 мм | 2 недели | IP50 | ПБТ | неизвестный | 1 | 100 мА | Фототранзистор | ТРАНЗИСТОРНЫЙ ВЫХОД ЩЕЛЕВОЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ | 0,197 (5 мм) | NPN — Включение темноты/Включение света — по выбору | 100 мА | 4В | 940 нм | 40 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТКСТ1300 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Печатная плата, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 85°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/vishaysemiconductoroptodivision-tcst1202-datasheets-7916.pdf | 1,25 В | Модуль со слотами, 4-выводный, двухрядный | Пересечение объекта | 11,9 мм | 60 мА | 11,1 мм | 6,3 мм | Без свинца | 12 недель | Нет СВХК | 4 | Серебро | Нет | 1 | 250мВт | 10 мкс, 8 мкс | 1 | 70В | 100 мА | 60 мА | 1,25 В | 10 с | 8 с | 3,1 мм | Фототранзистор | 6В | 70В | 70В | 500 мкА | 60 мА | 6В | 2,5 % | 950 нм | 70В | 500 мкА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ841W51Z | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°К~80°К | Масса | 1 (без блокировки) | 80°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb830l11-datasheets-7388.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | Без свинца | 10 недель | 4 | Нет | 100мВт | 1 | Инфракрасный (ИК) | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 2В | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 880 нм | 30 В | 30 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| H21A4 | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие, фланец | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/rochesterelectronicsllc-h21a5-datasheets-9408.pdf | Прорезные штыри для ПК | Пересечение объекта | да | 1 | НЕ УКАЗАН | 8 мкс, 50 мкс | 0,05А | 0,118 (3 мм) | Фототранзистор | 50 мА | 55В | 100нА | 55В | 20 мА | 3,15 мм | 1 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EE-SX1320 | Omron Electronics Inc-подразделение EMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -30°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/omronelectronicsincemcdiv-eesx1320-datasheets-9410.pdf | Модуль, разъем, тип слота | Пересечение объекта | 4,2 мм | 7 недель | 25 мА | 1,1 В | ТРАНЗИСТОРНЫЙ ВЫХОД ЩЕЛЕВОЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ | 19 мкс | 26 мкс | 0,079 (2 мм) | Фототранзистор | 12 В | 20 мА | 5мА | 940 нм | 10нА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ360Н51 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 12 недель | 4 | 100мВт | 1 | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 2В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 890 нм | 30 В | 30 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QCK5 | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/rochesterelectronicsllc-qck5-datasheets-9424.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | Пересечение объекта | да | 1 | НЕ УКАЗАН | 8 мкс, 50 мкс | 0,005А | 0,157 (4 мм) | Фототранзистор | 50 мА | 30 В | 100нА | 30 В | 3,99 мм | 2мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ680 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Масса | 1 (без блокировки) | 100°С | -40°С | Соответствует RoHS | 1999 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb68020-datasheets-8284.pdf | 30 В | Монтаж на печатной плате | Оптический флаг | 12,19 мм | 600 мкА | 16,26 мм | 11,18 мм | 1,6 В | Без свинца | 8 недель | Нет СВХК | 4 | 2,5 мм | 1 | 200мВт | 1 | 30 мА | 30 В | 10 мА | 1,6 В | 40 мкс | 2,03 мм | Транзистор, резистор база-эмиттер | 3В | 3В | 30 В | 24В | 30 мА | 50 мА | 3В | 890 нм | 30 В | 30 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EE-SV3-C | Omron Electronics Inc-подразделение EMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Масса | Непригодный | Соответствует RoHS | 2001 г. | /files/omronelectronicsincemcdiv-eesv3b-datasheets-8263.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | Без свинца | 7 недель | Неизвестный | 4 | да | ВЫСОКАЯ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ | 1 | 100мВт | 4 мкс, 4 мкс | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс | 4 мкс | 0,134 (3,4 мм) | Фототранзистор | 30 В | 30 В | 20 мА | 4В | 850 нм | 200нА | 3,4 мм | 1 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ880Н55З | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Свободное подвешивание | Свободное подвешивание | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 12 недель | 4 | 100мВт | 1 | Инфракрасный (ИК) | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 2В | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 890 нм | 30 В | 30 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПС692 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Масса | 1 (без блокировки) | 100°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-ops665-datasheets-6896.pdf | Радиальный | Пересечение объекта | 6,22 мм | 20 мА | 5,84 мм | 4,6 мм | Без свинца | 12 недель | Нет СВХК | 2 | Нет | НПН | 100мВт | 100мВт | 1 | 30 В | 1 мА | Фототранзистор | 30 В | 30 В | 400мВ | 30 В | 50 мА | 935 нм | 100нА | 30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НОА1879-012 | Решения Honeywell для датчиков и повышения производительности | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Винт, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 1997 год | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 10 недель | 4 | Полисульфон | 100мВт | 15 мкс | 1 | 50 мА | 1,6 В | 15 мкс | 15 мкс | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 3В | 30 В | 400мВ | 30 В | 30 мА | 50 мА | 100нА | 30 В | 30 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EE-SJ3-G | Omron Electronics Inc-подразделение EMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Масса | Непригодный | Соответствует RoHS | 2003 г. | /files/omronelectronicsincemcdiv-eesj3d-datasheets-7712.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | Без свинца | 9 недель | Неизвестный | 4 | да | 1 | 100мВт | 4 мкс, 4 мкс | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс | 4 мкс | 0,134 (3,4 мм) | Фототранзистор | 30 В | 30 В | 20 мА | 4В | 940 нм | 200нА | 3,4 мм | 0,5 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EE-SX1340 | Omron Electronics Inc-подразделение EMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -30°К~85°К | Лента и катушка (TR) | Непригодный | Соответствует RoHS | 2017 год | /files/omronelectronicsincemcdiv-eesx1340-datasheets-9253.pdf | Модуль, прорезной | Пересечение объекта | 8 недель | неизвестный | 11 мкс | 30 мА | 1,2 В | ТРАНЗИСТОРНЫЙ ВЫХОД ЩЕЛЕВОЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ | 0,157 (4 мм) | Фототранзистор | 12 В | 20 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГП1С562 | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Прикрепить | Масса | Непригодный | 85°С | -25°С | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | /files/sharpmicroelectronics-gp1s562-datasheets-9359.pdf | 4 | неизвестный | 1 | 4 мкс | 20 мА | ТРАНЗИСТОРНЫЙ ВЫХОД ЩЕЛЕВОЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ | 0,05А | 3 мкс | 2,9972 мм | Фототранзистор | 35В | 20 мА | 100нА | 3 мм | 20 мА |
