Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактДатчики изображения(1677)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Установить | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Срок выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Дополнительная функция | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Поставщик пакета оборудования | Особенности монтажа | Высота тела | Длина или диаметр тела | Ширина тела | Жилье | Выходной диапазон | Размер пикселя | Динамический диапазон | Кадров в секунду | Активный массив пикселей | Оптический формат | Мастер-часы | Частота кадров | Чувствительность (В/лк.с) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NOIP1SE025KA-GTI | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | ПИТОН | -40°C~85°C, ТиДжей | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-noip1fn012kagti-datasheets-3023.pdf | 355-БСПГА, Окно | 10 недель | да | 1,7 В~1,9 В 3,2 В~3,4 В | 4,5 мкмx4,5 мкм | 80 | 5120Г х 5120В | |||||||||||||||||||||||||||
| ЦМВ20000-1Е5М1ПА | утра | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -30°С~70°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | /files/ams-cmv200001e5m1pn-datasheets-3031.pdf | 22 недели | 1,8 В 3,3 В | 143-ПГА | 6,4 мкмx6,4 мкм | 30 | 5120 х 3840 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| НОИП1ФН025КА-ГТИ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | ПИТОН | -40°C~85°C, ТиДжей | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-noip1fn012kagti-datasheets-3023.pdf | 355-БСПГА, Окно | 10 недель | да | 1,7 В~1,9 В 3,2 В~3,4 В | 4,5 мкмx4,5 мкм | 80 | 5120Г х 5120В | |||||||||||||||||||||||||||
| AR1011HSSC00SHAA0-DP | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-ar1011hssc00shaa0dp-datasheets-6518.pdf | CLCC | Без свинца | 18 недель | 124 | АКТИВНО (последнее обновление: 20 часов назад) | ||||||||||||||||||||||||||||||
| CMV4000-3E12M1LP | утра | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -30°С~70°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | /files/ams-cmv40003e12m1lp-datasheets-6356.pdf | 22 недели | да | 1,8 В~3,3 В | 95-ЛГА | 5,5 мкмx5,5 мкм | 180 | 2048Г х 2048В | |||||||||||||||||||||||||||
| ЦМВ12000-2Е5М1ПА | утра | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -30°С~70°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | /files/ams-ne2drgbv90f27led-datasheets-2742.pdf | 22 недели | 1,8 В 3,3 В | 237-МикроПГА | 5,5 мкмx5,5 мкм | 300 | 4096Г х 3072В | ||||||||||||||||||||||||||||
| ЦМВ4000-3Е5М0ПН | утра | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -30°С~70°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | /files/ams-cmv40003e12m1lp-datasheets-6356.pdf | 22 недели | 1,8 В~3,3 В | 5,5 мкмx5,5 мкм | 180 | 2048Г х 2048В | |||||||||||||||||||||||||||||
| НОИВ1SE016KA-GTI | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | ВИТА | -40°C~85°C, ТиДжей | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-noiv1sn012kagti-datasheets-6382.pdf | 355-БСПГА, Окно | 10 недель | да | 1,6 В~2 В 3 В~3,6 В | 4,5 мкмx4,5 мкм | 80 | 4096Г х 4096В | |||||||||||||||||||||||||||
| NOIX1SN012KB-LTI | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-noix1sn012kblti-datasheets-6373.pdf | 13 недель | да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НОИКС1СН8000Б-ЛТИ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -40°C~85°C, ТиДжей | 4 (72 часа) | /files/onsemiconductor-noix1se8000blti-datasheets-6298.pdf | 163-ЛГА | 13 недель | да | совместимый | 1,7 В ~ 1,9 В 2,7 В ~ 2,9 В | 3,2 мкмx3,2 мкм | 128 | 4096 х 2160 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| NOIX2SE9400B-LTI | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -40°C~85°C, ТиДжей | Поднос | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-noix1se8000blti-datasheets-6298.pdf | 163-БКЛГА | 13 недель | да | 1,7 В~1,9 В 2,7 В~2,9 В | 3,2 мкмx3,2 мкм | 90 | 3072Г х 3072В | |||||||||||||||||||||||||||
| CMV12000-2E5C1PA | утра | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -30°С~70°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | /files/ams-ne2drgbv90f27led-datasheets-2742.pdf | 22 недели | 1,8 В 3,3 В | 237-МикроПГА | 5,5 мкмx5,5 мкм | 300 | 4096Г х 3072В | ||||||||||||||||||||||||||||
| CMV4000-2E5C1PP | утра | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -30°С~70°С ТА | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | /files/ams-cmv40002e5c1pp-datasheets-6375.pdf | 22 недели | 1,8 В~3,3 В | 5,5 мкмx5,5 мкм | 180 | 2048Г х 2048В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| CHR71000ES-1E5C1PA | утра | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | 0°С~60°С ТА | /files/ams-chr71000es1e5c1pa-datasheets-6460.pdf | 65-ЦБПГА | 22 недели | 3,3 В | 3,1 мкмx3,1 мкм | 3 | 10000В х 7096В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| NOIX1SE9400B-LTI1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -40°C~85°C, ТиДжей | Поднос | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-noix1se8000blti-datasheets-6298.pdf | 163-БКЛГА | 13 недель | да | 1,7 В~1,9 В 2,7 В~2,9 В | 3,2 мкмx3,2 мкм | 90 | 3072Г х 3072В | |||||||||||||||||||||||||||
| НОИВ1СН012КА-ГТИ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | ВИТА | -40°C~85°C, ТиДжей | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-noiv1sn012kagti-datasheets-6382.pdf | 355-БСПГА, Окно | 10 недель | да | 1,6 В~2 В 3 В~3,6 В | 4,5 мкмx4,5 мкм | 110 | 4096Г х 3072В | |||||||||||||||||||||||||||
| CMV4000-3E5C1CA | утра | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -30°С~70°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | /files/ams-cmv40003e12m1lp-datasheets-6356.pdf | 22 недели | ГЛОБАЛЬНЫЙ ЗАНЫЙТВОР, РАСШИРЕННЫЙ ДИНАМИЧЕСКИЙ ДИАПАЗОН ДО 90 ДБ | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 1,8 В~3,3 В | ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ | КЕРАМИКА | 5,5 мкмx5,5 мкм | 60 дБ | 180 | 2048Г х 2048В | 1 дюйм | 37 кадров в секунду | 5,56 В/лк.с | |||||||||||||||||||
| CMV4000-3E5M1CA | утра | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -30°С~70°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | /files/ams-cmv40003e12m1lp-datasheets-6356.pdf | 22 недели | ГЛОБАЛЬНЫЙ ЗАНЫЙТВОР, РАСШИРЕННЫЙ ДИНАМИЧЕСКИЙ ДИАПАЗОН ДО 90 ДБ | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 1,8 В~3,3 В | ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ | КЕРАМИКА | 5,5 мкмx5,5 мкм | 60 дБ | 180 | 2048Г х 2048В | 1 дюйм | 37 кадров в секунду | 5,56 В/лк.с | |||||||||||||||||||
| AR0135CS2M25SUEA0-DPBR1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -30°К~70°К | Поднос | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-ar0135cs2m25suea0drbr-datasheets-5644.pdf | 63-ЛБГА | 20 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | ГЛОБАЛЬНЫЙ ЗАТВОР; ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ АНАЛОГОВОМ НАПРЯЖЕНИИ ОТ 2,5 В ДО 3,1 В. | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 1,8 В~2,8 В | ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ | 1,39 мм | 9 мм | 9 мм | 0,40-1,50 В | 3,75 мкмx3,75 мкм | 71,1 дБ | 1280 х 960 В | 1/3 дюйма | 50 МГц | 54 кадра в секунду | |||||||||||||
| NOIX2SN9400B-LTI1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -40°C~85°C, ТиДжей | Поднос | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-noix1se8000blti-datasheets-6298.pdf | 163-БКЛГА | 13 недель | да | 1,7 В~1,9 В 2,7 В~2,9 В | 3,2 мкмx3,2 мкм | 90 | 3072Г х 3072В | |||||||||||||||||||||||||||
| NOIX1SE9400B-LTI | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -40°C~85°C, ТиДжей | Поднос | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-noix1se8000blti-datasheets-6298.pdf | 163-БКЛГА | 13 недель | да | 1,7 В~1,9 В 2,7 В~2,9 В | 3,2 мкмx3,2 мкм | 90 | 3072Г х 3072В | |||||||||||||||||||||||||||
| ЦМВ4000-2Э12М1ПП | утра | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -30°С~70°С ТА | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | /files/ams-cmv40002e12m1pp-datasheets-6403.pdf | 22 недели | 1,8 В~3,3 В | 5,5 мкмx5,5 мкм | 180 | 2048Г х 2048В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| NOIX1SN9400B-LTI | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -40°C~85°C, ТиДжей | Поднос | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-noix1se8000blti-datasheets-6298.pdf | 163-БКЛГА | 13 недель | да | 1,7 В~1,9 В 2,7 В~2,9 В | 3,2 мкмx3,2 мкм | 90 | 3072Г х 3072В | |||||||||||||||||||||||||||
| ЦМВ4000-2Э5М1ПП | утра | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -30°С~70°С ТА | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | /files/ams-cmv40002e5c1pp-datasheets-6375.pdf | 22 недели | 1,8 В~3,3 В | 5,5 мкмx5,5 мкм | 180 | 2048Г х 2048В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| НОИП1ФН5000А-QTI | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП с процессором | ПИТОН | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C, ТиДжей | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 1999 год | /files/onsemiconductor-noip1fn2000alti-datasheets-2823.pdf | ООО | 3,6 В | Без свинца | 15 недель | 84 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | 1,8 В~3,3 В | 4,8 мкмx4,8 мкм | 100 | 2592Г х 2048В | |||||||||||||||||||||
| НОИКС1СН9400Б-ЛТИ1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -40°C~85°C, ТиДжей | Поднос | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-noix1se8000blti-datasheets-6298.pdf | 163-БКЛГА | 13 недель | да | 1,7 В~1,9 В 2,7 В~2,9 В | 3,2 мкмx3,2 мкм | 90 | 3072Г х 3072В | |||||||||||||||||||||||||||
| CMV4000-2E5M1LP | утра | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -30°С~70°С ТА | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/ams-cmv40002e5m1lp-datasheets-6343.pdf | 95-CBLGA | 22 недели | 1,8 В~3,3 В | 5,5 мкмx5,5 мкм | 340 | 2048Г х 1088В | |||||||||||||||||||||||||||||
| CMV8000ES-1E5C1PA | утра | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -30°С~70°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | /files/ams-cmv8000es1e5m1pa-datasheets-6349.pdf | 22 недели | 1,8 В 3,3 В | 107-МикроПГА | 5,5 мкмx5,5 мкм | 104 | 3360 х 2496 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| NOIX1SE012KB-LTI1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -40°C~85°C, ТиДжей | Поднос | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-noix1se8000blti-datasheets-6298.pdf | 163-БКЛГА | 13 недель | да | 1,7 В~1,9 В 2,7 В~2,9 В | 3,2 мкмx3,2 мкм | 90 | 4096Г х 3072В | |||||||||||||||||||||||||||
| ЦМВ2000-3Е5М1СА | утра | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -30°С~70°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | /files/ams-cmv20003e12m1pp-datasheets-4642.pdf | 22 недели | 1,8 В 3,3 В | 92-ЛЦК | 5,5 мкмx5,5 мкм | 340 | 2048Г х 1088В |
